JPH02210359A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感
光体に関するものである。
光体に関するものである。
「従来の技術」
可視光に光感度を有する電子写真感光体は、複写機、光
プリンター等への応用を目的に開発されてきた。このよ
うな電子写真感光体としては従来、セレン、酸化亜鉛、
硫化カドミニウム等の無機光導電性物質を主成分とする
感光体が広く使用されてきた。しかしながら、このよう
な無機感光体は、複写機等の電子写真感光体として要求
される性能、たとえば光感度、熱安定性、耐湿性、耐久
性等の特性を必ずしも満足するものではない。
プリンター等への応用を目的に開発されてきた。このよ
うな電子写真感光体としては従来、セレン、酸化亜鉛、
硫化カドミニウム等の無機光導電性物質を主成分とする
感光体が広く使用されてきた。しかしながら、このよう
な無機感光体は、複写機等の電子写真感光体として要求
される性能、たとえば光感度、熱安定性、耐湿性、耐久
性等の特性を必ずしも満足するものではない。
たとえば、セレン感光体は熱や手で触った時の指紋の汚
れ等により結晶化するため電子写真感光体として要求さ
れる上記特性が劣化し易い。
れ等により結晶化するため電子写真感光体として要求さ
れる上記特性が劣化し易い。
また硫化カドミニウムを用いた電子写真感光体は、耐湿
性、耐久性に劣り、酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は
膜強度等の耐久性に問題がある。
性、耐久性に劣り、酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は
膜強度等の耐久性に問題がある。
また、セレン、硫化カドミウムは毒性を有するため、製
造上あるいは取扱上の制約が大きい。
造上あるいは取扱上の制約が大きい。
近年、これら無機物質を用いた感光体の欠点を排除する
ために、種々の有機物質を用いた電子写真感光体が研究
、開発され、一部実用に供されている。例えば、ポリ−
N−ビニルカルバゾールと2.4.7−)ジニトロフル
オレン−9−オンとからなる電子写真感光体(米国特許
3,484゜237号)、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルをピリリウム塩系色素で増感したもの(特公昭48−
25658号)、有機顔料を主成分とする電子写真感光
体(特開昭47−37543号)、染料と樹脂とからな
る共晶錯体を主成分とする電子写真感光体(特開昭47
−10785号)などである。
ために、種々の有機物質を用いた電子写真感光体が研究
、開発され、一部実用に供されている。例えば、ポリ−
N−ビニルカルバゾールと2.4.7−)ジニトロフル
オレン−9−オンとからなる電子写真感光体(米国特許
3,484゜237号)、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルをピリリウム塩系色素で増感したもの(特公昭48−
25658号)、有機顔料を主成分とする電子写真感光
体(特開昭47−37543号)、染料と樹脂とからな
る共晶錯体を主成分とする電子写真感光体(特開昭47
−10785号)などである。
しかしこれらの感光体も前記無機感光体の欠点をある程
度まで改善したものの、概して光感度が低く、また繰り
返し使用に適さず、電子写真感光体としてき要求を十分
に満たすものではなかった。
度まで改善したものの、概して光感度が低く、また繰り
返し使用に適さず、電子写真感光体としてき要求を十分
に満たすものではなかった。
このような欠点を改善するために、電荷発生機能と電荷
輸送機能とを異なる物質に個別に分担させた機能分離型
の光導電層を有する電子写真感光体が提案され、現在の
研究の主流になっている。
輸送機能とを異なる物質に個別に分担させた機能分離型
の光導電層を有する電子写真感光体が提案され、現在の
研究の主流になっている。
m化分離型電子写真感光体は、材料の選択範囲を拡げ、
それに伴い、電子写真感光体の感度、耐久性等の特性の
向上を可能にし、また電子感光体の塗膜作成上好都合な
物質を広い範囲より選び得る長所を有している。
それに伴い、電子写真感光体の感度、耐久性等の特性の
向上を可能にし、また電子感光体の塗膜作成上好都合な
物質を広い範囲より選び得る長所を有している。
この様な機能分離型の電子写真感光体の電荷発生層に使
用される有効な有機荷電発生物質としては、各種の有機
染料、有機顔料が開発され、例えば各種構造のアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、多環牛ノン系顔料、スクエアリッ
クメチン染料等が使用されている。
用される有効な有機荷電発生物質としては、各種の有機
染料、有機顔料が開発され、例えば各種構造のアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、多環牛ノン系顔料、スクエアリッ
クメチン染料等が使用されている。
しかしながらこれらの顔料は短波長もしくは中波長域で
は、比較的良好な感度を示すが、長波長域での感度が低
く、高倍転性の期待される半導体レーザー光源を用いる
レーザープリンター等に用いることは困難であった。現
在、半導体レーザーとして広範に使用されているカリウ
ムーアルミニウムーヒ素系発光素子の発振波長は750
nm以上である。
は、比較的良好な感度を示すが、長波長域での感度が低
く、高倍転性の期待される半導体レーザー光源を用いる
レーザープリンター等に用いることは困難であった。現
在、半導体レーザーとして広範に使用されているカリウ
ムーアルミニウムーヒ素系発光素子の発振波長は750
nm以上である。
「発明が解決しようとする課題」
有機系光導電材料の一つであるフタロシアニン系化合物
は、前記顔料、染料等に比較し、感度域が長波長に拡大
していることが知られているが、感度、帯電性等の電子
写真特性に不足が見られる。
は、前記顔料、染料等に比較し、感度域が長波長に拡大
していることが知られているが、感度、帯電性等の電子
写真特性に不足が見られる。
これらの欠点を改良するため、フタロシアニンの中心金
属を種々変化させたもの、あるいは多種の結晶形の開発
が行なわれた。不安定なα型のフタロシアニンが結晶形
の安定なβ型に変わる過程で、各種結晶形のフタロシア
ニンが見出されている。
属を種々変化させたもの、あるいは多種の結晶形の開発
が行なわれた。不安定なα型のフタロシアニンが結晶形
の安定なβ型に変わる過程で、各種結晶形のフタロシア
ニンが見出されている。
たはえばε−型の銅フタロシアニン、X型の無金属フタ
ロシアニン、m型のチタニルフタロシアニンが知られて
いる。これらのフタロシアニンは長波長域に感度を有す
るが、複写機用又は光プリンター用としては感度が不十
分であり、更に繰り返し使用において、電位安定性の不
足、又は残留電位が大きい等の欠点を有し、実用に供す
ることができなかった。
ロシアニン、m型のチタニルフタロシアニンが知られて
いる。これらのフタロシアニンは長波長域に感度を有す
るが、複写機用又は光プリンター用としては感度が不十
分であり、更に繰り返し使用において、電位安定性の不
足、又は残留電位が大きい等の欠点を有し、実用に供す
ることができなかった。
一方、フタロシアニン顔料を含有する電子写真感光体の
感度を向上させる方法として、ヒドラゾン化合物やオキ
サゾール化合物等の電荷輸送性化合物の添加、あるいは
テトラニトロフルオレンやトリニトロフルオレンなどの
電子吸引性化合物の添加等が試みられているが、増感効
果は認められるもののその効果が不十分であったり、あ
るいはこれらの添加剤により、帯電性の低下、あるいは
繰り返し使用時のおける電位安定性の低下、感度の低下
、残留電位の上昇等の悪影響が見られ、実用に耐えるも
のではなかった。又前記電子吸引性化合物は有毒である
ため実用に供することは出来ない。
感度を向上させる方法として、ヒドラゾン化合物やオキ
サゾール化合物等の電荷輸送性化合物の添加、あるいは
テトラニトロフルオレンやトリニトロフルオレンなどの
電子吸引性化合物の添加等が試みられているが、増感効
果は認められるもののその効果が不十分であったり、あ
るいはこれらの添加剤により、帯電性の低下、あるいは
繰り返し使用時のおける電位安定性の低下、感度の低下
、残留電位の上昇等の悪影響が見られ、実用に耐えるも
のではなかった。又前記電子吸引性化合物は有毒である
ため実用に供することは出来ない。
以上述べたことで解るように、高感度、特に750nm
以上の長波長の光に対し、高感度であり、かつ繰り返し
使用における電位安定性が高く、残留電位および感度の
低下が少ない電子写真感光体の開発が望まれていた。
以上の長波長の光に対し、高感度であり、かつ繰り返し
使用における電位安定性が高く、残留電位および感度の
低下が少ない電子写真感光体の開発が望まれていた。
「発明の目的」
本発明の目的は、高感度、特に半導体レーザー等の長波
長の光に十分な感度を存し、かつ繰り返し使用において
、電位安定性が高く、残留電位が小さい、耐久性の高い
電子写真感光体を提供することにある。
長の光に十分な感度を存し、かつ繰り返し使用において
、電位安定性が高く、残留電位が小さい、耐久性の高い
電子写真感光体を提供することにある。
「課題を解決するための手段」
我々は鋭意研究の結果、一般式(I)で表わされる化合
物が、フタロシアニン顔料を増悪することを発見し、又
一般式(I)で表わされる化合物及びフタロシアニン顔
料を用いた感光体が、他の顔料を用いた感光体に比較し
、繰り返し使用における電位安定性及び残留電位特性に
優れていることを見出し、本発明に到達した。
物が、フタロシアニン顔料を増悪することを発見し、又
一般式(I)で表わされる化合物及びフタロシアニン顔
料を用いた感光体が、他の顔料を用いた感光体に比較し
、繰り返し使用における電位安定性及び残留電位特性に
優れていることを見出し、本発明に到達した。
一般式(1)において、Zは硫黄原子または酸素原子を
表す。Arは1価の芳香族炭化水素基または1価の複素
環基を表す、Rsは水素原子、アルキル基、アリール基
、またはアラルキル基を表す、また、ArとR8とて環
を形成してもよい。
表す。Arは1価の芳香族炭化水素基または1価の複素
環基を表す、Rsは水素原子、アルキル基、アリール基
、またはアラルキル基を表す、また、ArとR8とて環
を形成してもよい。
R9およびR2はアルキル基、アリール基またはアラル
キル基を表し、R1とR1は同一であっても互いに異な
った基であっても良い。
キル基を表し、R1とR1は同一であっても互いに異な
った基であっても良い。
またArの芳香族炭化水素基、複素環基、R1、Rx、
Rsのアルキル基、アリール基、アラルキル基は更に置
換基によって置換されていてもよい。
Rsのアルキル基、アリール基、アラルキル基は更に置
換基によって置換されていてもよい。
すなわち、
(1)導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感光
体において、光導電層がフタロシアニン顔料および下記
一般式(I)で表わされる化合物を含有することを特徴
とする複写機用または光プリンター用電子写真感光体。
体において、光導電層がフタロシアニン顔料および下記
一般式(I)で表わされる化合物を含有することを特徴
とする複写機用または光プリンター用電子写真感光体。
(2)導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感光
体において、光導電層が、フタロシアニン顔料および上
記一般式(I)で表わされる化合物を単一層中に分散さ
せてなることを特徴とする複写機用または光プリンター
用電子写真感光体。
体において、光導電層が、フタロシアニン顔料および上
記一般式(I)で表わされる化合物を単一層中に分散さ
せてなることを特徴とする複写機用または光プリンター
用電子写真感光体。
(3)導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とから
成る積層構造を有する光導電層を設けた電子写真感光体
において、前記電荷発生層がフタロシアニン顔料と上記
一般式(I)で表わされる化合物を含有することを特徴
とする複写機または光プリンター用電子写真感光体。
成る積層構造を有する光導電層を設けた電子写真感光体
において、前記電荷発生層がフタロシアニン顔料と上記
一般式(I)で表わされる化合物を含有することを特徴
とする複写機または光プリンター用電子写真感光体。
(4)複写機および光プリンターの光源が、レーザー光
であることを特徴とする上記(1)ないしく3)の複写
機用または光プリンター用電子写真感光体。
であることを特徴とする上記(1)ないしく3)の複写
機用または光プリンター用電子写真感光体。
であり、本発明により高感度であり、かつ繰り返し使用
において良好な特性を示す。耐久性の高い電子写真感光
体を得ることができる。
において良好な特性を示す。耐久性の高い電子写真感光
体を得ることができる。
「本発明の具体的構成および効果」
本発明の電子写真感光体の光導電層に使用されるフタロ
シアニン顔料としては、中心金属の異なるもの、結晶形
の異なるもの、ベンゼン環にW換基を有するものなど、
多様のフタロシアニン顔料を使用することができる。例
えば、特公昭4414106号、特公昭45−8102
号、特公昭46−42511号、特公昭46−4251
2号、特公昭49−4338号、特開昭58−1826
39号、特開昭61−47054号等に記載の無金属フ
タロシアニン、特開昭50−38543号、特開昭50
−95852号、特開昭51−108847号、特開昭
51−109841号等記載の銅フタロシアニン、特開
昭59−49544号、特開昭59−166959号、
特開昭62−275272号、特開昭62−28605
9号、特開昭62−6 T 094号、特開昭63−3
64号、特開昭63−365号、特開昭6137163
号、特開昭63−57670号、特開昭63−8026
3号、特開昭63−116158号、特開昭63−19
8067号等に記載のチタニルフタロシアニン、特開昭
57−90058号、特開昭62−163060号、特
開昭62−133462号、特開昭62−177069
号、特開昭63−73529号、特開昭63−4315
5号等に記載のアルミニウムフタロシアニン、特開昭5
7146255号、特開昭57−147641号、特開
昭57−148747号等に記載のバナジルフタロシア
ニン、特開昭59−44053号、特開昭59−128
544号、特開昭59−133550号、特開昭59−
133551号、特開昭59−174846号、特開昭
59−174847号、特開昭60−59354号、特
開昭60−260054号、特開昭60−220958
号、特開昭62−229254号、特開昭63−147
57号、特開昭59−155851号、特開昭63−2
7562号、特開昭63−56564号等に記載のハロ
ゲン化メタルフタロシアニン等を挙げることができるが
、これらに限定されるものではなく、公知の各種のフタ
ロシアニンを使用できる。
シアニン顔料としては、中心金属の異なるもの、結晶形
の異なるもの、ベンゼン環にW換基を有するものなど、
多様のフタロシアニン顔料を使用することができる。例
えば、特公昭4414106号、特公昭45−8102
号、特公昭46−42511号、特公昭46−4251
2号、特公昭49−4338号、特開昭58−1826
39号、特開昭61−47054号等に記載の無金属フ
タロシアニン、特開昭50−38543号、特開昭50
−95852号、特開昭51−108847号、特開昭
51−109841号等記載の銅フタロシアニン、特開
昭59−49544号、特開昭59−166959号、
特開昭62−275272号、特開昭62−28605
9号、特開昭62−6 T 094号、特開昭63−3
64号、特開昭63−365号、特開昭6137163
号、特開昭63−57670号、特開昭63−8026
3号、特開昭63−116158号、特開昭63−19
8067号等に記載のチタニルフタロシアニン、特開昭
57−90058号、特開昭62−163060号、特
開昭62−133462号、特開昭62−177069
号、特開昭63−73529号、特開昭63−4315
5号等に記載のアルミニウムフタロシアニン、特開昭5
7146255号、特開昭57−147641号、特開
昭57−148747号等に記載のバナジルフタロシア
ニン、特開昭59−44053号、特開昭59−128
544号、特開昭59−133550号、特開昭59−
133551号、特開昭59−174846号、特開昭
59−174847号、特開昭60−59354号、特
開昭60−260054号、特開昭60−220958
号、特開昭62−229254号、特開昭63−147
57号、特開昭59−155851号、特開昭63−2
7562号、特開昭63−56564号等に記載のハロ
ゲン化メタルフタロシアニン等を挙げることができるが
、これらに限定されるものではなく、公知の各種のフタ
ロシアニンを使用できる。
代表的なフタロシアニンの中心金属としては、銅、ニッ
ケル、鉄、バナジウム、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、ケイ素、チタニウム、マグネシウム、コバルト
、白金、ゲルマニウムなどの金属、さらに無金属のフタ
ロシアニンなど種々のものが知られている。
ケル、鉄、バナジウム、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、ケイ素、チタニウム、マグネシウム、コバルト
、白金、ゲルマニウムなどの金属、さらに無金属のフタ
ロシアニンなど種々のものが知られている。
結晶形は、それぞれの金属のフタロシアニン、無金属の
フタロシアニンについてX線結晶回折により確認され、
例えば、銅フタロシアニンでは、α型、β型、τ型、δ
型、α型、η型、β型などの多形が、また無金属フタロ
シアニンでは、α型、β型、χ型、τ型その他の多形が
、チタニルフタロシアニンでは、α型、β型、m型その
他の多形がそれぞれ知られている。さらに、フタロシア
ニンのベンゼン環がフッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子や、アルキル基、カルボキシル基、アミド基、ス
ルホニル基その他の置換基で置換された置換フタロシア
ニンも知られている。
フタロシアニンについてX線結晶回折により確認され、
例えば、銅フタロシアニンでは、α型、β型、τ型、δ
型、α型、η型、β型などの多形が、また無金属フタロ
シアニンでは、α型、β型、χ型、τ型その他の多形が
、チタニルフタロシアニンでは、α型、β型、m型その
他の多形がそれぞれ知られている。さらに、フタロシア
ニンのベンゼン環がフッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子や、アルキル基、カルボキシル基、アミド基、ス
ルホニル基その他の置換基で置換された置換フタロシア
ニンも知られている。
これらはそれぞれ吸収波長が異なり用途によって適宜に
使用されるが、半導体レーザーを光源とするレーザービ
ームプリンター等に使用する場合には780nm〜83
0nmに吸収を有するフタロシアニン顔料が好ましい。
使用されるが、半導体レーザーを光源とするレーザービ
ームプリンター等に使用する場合には780nm〜83
0nmに吸収を有するフタロシアニン顔料が好ましい。
次にフタロシアニン顔料使用の光導電層の光導電性を向
上させる一般式(1)で表わされる化合物についで説明
する。
上させる一般式(1)で表わされる化合物についで説明
する。
R1およびR2は置換基を有していても良いアルキル基
、置換基を有していても良いアリール基もしくは置換基
を有していても良いアラルキル基を表す。これらの基が
置換されている場合の置換基としては、アルキル基、シ
アノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基、塩
素、フッ素、臭素すどのハロゲン原子、アミノ基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アシルオキシ基、アルキル基もしくはア
リール基もしくはアラルキル基により置換されたアミノ
基、トリフルオロメチル基などをあげることができる。
、置換基を有していても良いアリール基もしくは置換基
を有していても良いアラルキル基を表す。これらの基が
置換されている場合の置換基としては、アルキル基、シ
アノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基、塩
素、フッ素、臭素すどのハロゲン原子、アミノ基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アシルオキシ基、アルキル基もしくはア
リール基もしくはアラルキル基により置換されたアミノ
基、トリフルオロメチル基などをあげることができる。
R,、R,の具体例としては、メチル基、エチル基、n
−プロピル74、is。
−プロピル74、is。
プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル基、n〜ヘ
キシル基、2−エチルヘキシル法、フルオロメチル基、
クロロメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロ
アルキル基、メトキシメチル基、シアンメチル基などの
直鎖状アルキル基、分岐イ犬アルキル ル基、p−トリフルオロメチルフェニル基、0トリフル
オロメチルフエニル基、p−シアノフェニル基、0−シ
アノフェニル基、p−ニトロフェニル基、o−ニトロフ
ェニル基、P−ブロモフェニル基、o−プロモノ1ニル
基、p−クロルフェニル基、0−クロルフェニルL p
−フルオロフェニル基、o−フルオロフェニル5、N,
N−’,;メチルアミド基、N,N−ジエチルアミド基
、p−カルボキシルフェニル基、p−メトキシフェニル
基、0−メトキシフェニル基、N,N−ジエチルアミノ
フェニル基、N,N−ジフェニルアミノフェニル基、N
,N−ジベンジルアミノフェニル基、N,N−ジメチル
フェニル基、ナフチル基、メトキシナフチル基、N、N
−ジエチルアミノナフチル基、ベンジル基、p−ブロモ
ベンジル基、p−シアノベンジルL p−二トロベンジ
ル基、p−トリフルオロメチルベンジル基、0−ブロモ
ベンジル基、O−シアノベンジル基、O−ニトロベンジ
ル基、フェニルエチル基、3−フェニルプロピル基、p
−クロルベンジル基、ナフチルメチル基などのアリール
基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基
をあげることができる。
キシル基、2−エチルヘキシル法、フルオロメチル基、
クロロメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロ
アルキル基、メトキシメチル基、シアンメチル基などの
直鎖状アルキル基、分岐イ犬アルキル ル基、p−トリフルオロメチルフェニル基、0トリフル
オロメチルフエニル基、p−シアノフェニル基、0−シ
アノフェニル基、p−ニトロフェニル基、o−ニトロフ
ェニル基、P−ブロモフェニル基、o−プロモノ1ニル
基、p−クロルフェニル基、0−クロルフェニルL p
−フルオロフェニル基、o−フルオロフェニル5、N,
N−’,;メチルアミド基、N,N−ジエチルアミド基
、p−カルボキシルフェニル基、p−メトキシフェニル
基、0−メトキシフェニル基、N,N−ジエチルアミノ
フェニル基、N,N−ジフェニルアミノフェニル基、N
,N−ジベンジルアミノフェニル基、N,N−ジメチル
フェニル基、ナフチル基、メトキシナフチル基、N、N
−ジエチルアミノナフチル基、ベンジル基、p−ブロモ
ベンジル基、p−シアノベンジルL p−二トロベンジ
ル基、p−トリフルオロメチルベンジル基、0−ブロモ
ベンジル基、O−シアノベンジル基、O−ニトロベンジ
ル基、フェニルエチル基、3−フェニルプロピル基、p
−クロルベンジル基、ナフチルメチル基などのアリール
基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基
をあげることができる。
R1とR2は同一であっても互いに異なった基でも良い
。
。
R1は水素原子もしくは置換基を有していても良いアル
キル基、置換基を有していても良いアリール基もしくは
置換基を有していても良いアラルキル基を表す。このう
ちアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基が置換
されている場合の置換基としては、R1およびR1のy
l置換基してあげた同じ置換基をあげることができる。
キル基、置換基を有していても良いアリール基もしくは
置換基を有していても良いアラルキル基を表す。このう
ちアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基が置換
されている場合の置換基としては、R1およびR1のy
l置換基してあげた同じ置換基をあげることができる。
R5の具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基
、n−プロピル基、1so−プロピル基、n −7’チ
ル基、5ec−ブチル基、n−ヘキシル基、2−エチル
ヘキシル基、フルオロメチル基、クロロメチル基、トリ
フルオロメチル基、パーフルオロアルキル基、メトキシ
メチル基、シアノメチル基などの直鎖状アルキル基、分
岐状アルキル基、置換アルキル基および、フェニル基、
p−トリフルオロメチルフェニル基、0−)リフルオロ
メチルフェニル基、p−シアノフェニル基、0−シアノ
フェニルLp=ニトロフヱニル基、0−ニトロフェニル
基、P−ブロモフェニル基、0−ブロモフェニル基、P
−クロルフェニル基、o−クロルフェニルL p−フル
オロフェニル基、o−フルオロフェニル基、N、N−ジ
メチルアミド基、N。
、n−プロピル基、1so−プロピル基、n −7’チ
ル基、5ec−ブチル基、n−ヘキシル基、2−エチル
ヘキシル基、フルオロメチル基、クロロメチル基、トリ
フルオロメチル基、パーフルオロアルキル基、メトキシ
メチル基、シアノメチル基などの直鎖状アルキル基、分
岐状アルキル基、置換アルキル基および、フェニル基、
p−トリフルオロメチルフェニル基、0−)リフルオロ
メチルフェニル基、p−シアノフェニル基、0−シアノ
フェニルLp=ニトロフヱニル基、0−ニトロフェニル
基、P−ブロモフェニル基、0−ブロモフェニル基、P
−クロルフェニル基、o−クロルフェニルL p−フル
オロフェニル基、o−フルオロフェニル基、N、N−ジ
メチルアミド基、N。
N−ジエチルアミド基、p−カルボキシルフェニル基、
p−メトキシフェニル基、0−メトキシフェニルL N
、N−ジメチルアミノフェニル基、NN〜NNェニルア
ミノフェニル基、N、N−ジベンジルアミノフェニル基
、N、N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル基、メ
トキシナフチル基、シアノナフチル基、ニトロナフチル
基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、フルオロナ
フチル基、トリフルオロメチルナフチル基、NN−ジエ
チルアミノナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基
、3−フェニルプロピルLp−クロルベンジル基、p−
ブロモベンジルL pシアノベンジル基、p−ニトロベ
ンジル基、pトリフルオロメチルベンジル基、0−ブロ
モベンジル基、0−シアノベンジル基、0−ニトロベン
ジル基、ナフチルメチル基など、のアリール基、置換ア
リール基、アラルキル基、置換アラルキル基をあげるこ
とができる。
p−メトキシフェニル基、0−メトキシフェニルL N
、N−ジメチルアミノフェニル基、NN〜NNェニルア
ミノフェニル基、N、N−ジベンジルアミノフェニル基
、N、N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル基、メ
トキシナフチル基、シアノナフチル基、ニトロナフチル
基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、フルオロナ
フチル基、トリフルオロメチルナフチル基、NN−ジエ
チルアミノナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基
、3−フェニルプロピルLp−クロルベンジル基、p−
ブロモベンジルL pシアノベンジル基、p−ニトロベ
ンジル基、pトリフルオロメチルベンジル基、0−ブロ
モベンジル基、0−シアノベンジル基、0−ニトロベン
ジル基、ナフチルメチル基など、のアリール基、置換ア
リール基、アラルキル基、置換アラルキル基をあげるこ
とができる。
Arは置換基を有していても良い1価の芳香族炭化水素
基もしくは置換基を有していても良い1価の複素環基を
表す、この場合の芳香族炭化水素基あるいは、複素環基
としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、
フラン、ピロール、チオフェン、インドール、ベンゾフ
ラン、ベンゾチオフラン、チオサゾール、イミダゾール
、チアゾール、イソオキサゾール、ピリジン、キノリン
、イソキノリン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、
フタラジンおよびこれらの誘導体、たとえば、2−チオ
−4〜チアゾリジノン、3−ピラゾリジノン、5−イソ
オキサシロン、2−オキサゾリドン、2,4−チアシリ
シイジオン、2−チオフェノン、2−フラノン、4−ピ
リミドンなどがあげられる。これらが置換基を有する場
合の置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブ
チル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、フル
オロメチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基
、パーフルオロアルキル基、メトキシメチル基、シアノ
メチル基などの直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、
置換アルキル基、およびフェニル基、P−)リフルオロ
メチルフェニル基、0−シアノフェニル基、p−ニトロ
フェニル基、ρ−ブロモフェニル基、O−ブロモフェニ
ル基、O−クロルフェニルL p−フルオロフェニル基
、p−メトキシフェニル基、N、N−ジエチルアミノフ
ニル基、N、N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル
基、メトキシナフチル基、シアノナフチル基、クロロナ
フチル基、ベンジル基、フェニルエチル基、3−フェニ
ルプロピル基、p−クロルベンジル基、p−シアノベン
ジル基、p−ニトロベンジルLp−トリフルオロメチル
ベンジル基、0−ブロモベンジル%、o−シアノベンジ
ル基、0−ニトロベンジル基、ナフチルメチル基などの
アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラ
ルキル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ニトロ基、塩素、フッ素、臭素などのハロゲン原子、−
NHCOR4で表される基(R,は置換もしくは非置換
のアルキル基、了り−ル基、アラルキル基を表す)、−
NH5O□R4(R,は上記と同義)、−5OR,(R
,は上記と同義)、−SO□R4(R4は上記と同義)
、COR,(R,は上記と同義)、 CONぐ (Rs 、R,は互いに同じでも異R6 なっていてもよく、水素原子、N換もしくは非置換のア
ルキル基、アリール基、アラルキル基を表す、) 、
SOX N−、(Rs 、R6は上記と同義)、スル
ホン酸基、アミノ基、アルコキシ基、アリール基、アリ
ールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ
基、アルキル基もしくはアリール基もしくはアラルキル
基により置換されたアミノ基およびアミド基、トリフル
オロメチル基などをあげることができる。これらの置換
基としては、水素原子よりも電子吸引性の置換基が好ま
しく使用される。
基もしくは置換基を有していても良い1価の複素環基を
表す、この場合の芳香族炭化水素基あるいは、複素環基
としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、
フラン、ピロール、チオフェン、インドール、ベンゾフ
ラン、ベンゾチオフラン、チオサゾール、イミダゾール
、チアゾール、イソオキサゾール、ピリジン、キノリン
、イソキノリン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、
フタラジンおよびこれらの誘導体、たとえば、2−チオ
−4〜チアゾリジノン、3−ピラゾリジノン、5−イソ
オキサシロン、2−オキサゾリドン、2,4−チアシリ
シイジオン、2−チオフェノン、2−フラノン、4−ピ
リミドンなどがあげられる。これらが置換基を有する場
合の置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブ
チル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、フル
オロメチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基
、パーフルオロアルキル基、メトキシメチル基、シアノ
メチル基などの直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、
置換アルキル基、およびフェニル基、P−)リフルオロ
メチルフェニル基、0−シアノフェニル基、p−ニトロ
フェニル基、ρ−ブロモフェニル基、O−ブロモフェニ
ル基、O−クロルフェニルL p−フルオロフェニル基
、p−メトキシフェニル基、N、N−ジエチルアミノフ
ニル基、N、N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル
基、メトキシナフチル基、シアノナフチル基、クロロナ
フチル基、ベンジル基、フェニルエチル基、3−フェニ
ルプロピル基、p−クロルベンジル基、p−シアノベン
ジル基、p−ニトロベンジルLp−トリフルオロメチル
ベンジル基、0−ブロモベンジル%、o−シアノベンジ
ル基、0−ニトロベンジル基、ナフチルメチル基などの
アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラ
ルキル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ニトロ基、塩素、フッ素、臭素などのハロゲン原子、−
NHCOR4で表される基(R,は置換もしくは非置換
のアルキル基、了り−ル基、アラルキル基を表す)、−
NH5O□R4(R,は上記と同義)、−5OR,(R
,は上記と同義)、−SO□R4(R4は上記と同義)
、COR,(R,は上記と同義)、 CONぐ (Rs 、R,は互いに同じでも異R6 なっていてもよく、水素原子、N換もしくは非置換のア
ルキル基、アリール基、アラルキル基を表す、) 、
SOX N−、(Rs 、R6は上記と同義)、スル
ホン酸基、アミノ基、アルコキシ基、アリール基、アリ
ールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ
基、アルキル基もしくはアリール基もしくはアラルキル
基により置換されたアミノ基およびアミド基、トリフル
オロメチル基などをあげることができる。これらの置換
基としては、水素原子よりも電子吸引性の置換基が好ま
しく使用される。
次に、上記一般式(I)で示される化合物の具体例を以
下に示すが、本発明はこれらの化合物に限定されるもの
ではない。
下に示すが、本発明はこれらの化合物に限定されるもの
ではない。
例示化合物(2)
例示化合物(6)
例示化合物(3)
例示化合物(7)
例示化合物〔4〕
例示化合物(10)
例示化合物(11)
Cρ
例示化合物(12)
r
例示化合物(16)
例示化合物(17)
例示化合物(14)
例示化合物(19)
例示化合物(20)
また、本発明においては、−数式(りにおいてArとR
3とで環を形成する場合の化合物を以下に例示するが、
本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
3とで環を形成する場合の化合物を以下に例示するが、
本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
例示化合物(22)
例示化合物(24)
例示化合物(25)
例示化合物(23)
例示化合物(26)
例示化合物(27)
これらの化合物はいづれもrOrganic Reac
tions J第15巻、第204〜599ページに記
載のKnoevenagel縮合法により、対応するア
ルデヒドあるいはケトンとバルビッール酸もしくはチオ
バルビッール酸とをアリカリ(例、NaOH,KOH1
アンモニア、アミン(例、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、ピペリジン等)等)を触媒として脱水縮合する
ことによって容易に製造することができる。
tions J第15巻、第204〜599ページに記
載のKnoevenagel縮合法により、対応するア
ルデヒドあるいはケトンとバルビッール酸もしくはチオ
バルビッール酸とをアリカリ(例、NaOH,KOH1
アンモニア、アミン(例、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、ピペリジン等)等)を触媒として脱水縮合する
ことによって容易に製造することができる。
フタロシアニン顔料を使用した電子写真感光体は、光照
射直後の表面電位の減衰に遅れを生ずるインダクシッン
効果が現れることが知られており、これが感度低下の原
因となっている。この原因にライては明確になっていな
いが、ヘクロシアニン〕子表面にキャリアトラップが存
在し、光照射に―り発生したキャリアがこのキャリアト
ラップに1足されてしまうために、この間表面電位の減
衰(見られないと考えられている。本発明の化合物はこ
のインダクション効果を軽減し、表面電位の減衰しない
時間(誘導期)を短かくし、結果として感度を向上させ
るための増感剤であると考えられる。
射直後の表面電位の減衰に遅れを生ずるインダクシッン
効果が現れることが知られており、これが感度低下の原
因となっている。この原因にライては明確になっていな
いが、ヘクロシアニン〕子表面にキャリアトラップが存
在し、光照射に―り発生したキャリアがこのキャリアト
ラップに1足されてしまうために、この間表面電位の減
衰(見られないと考えられている。本発明の化合物はこ
のインダクション効果を軽減し、表面電位の減衰しない
時間(誘導期)を短かくし、結果として感度を向上させ
るための増感剤であると考えられる。
電子写真感光体の用途に本発明の一般式(1)で示され
る化合物を使用することは、特開昭56−149462
号、同57−29050号にその記載がある。しかしな
がら、これらは、光導電性ポリマーの化学増感剤として
の発明を主眼とするものであり、光導電性顔料に関する
増感効果は記載されておらず、本発明におけるような、
フタロシアニン顔料に特有なインダクション効果を軽減
する効果のあるいとは全く予期し得ないものであった。
る化合物を使用することは、特開昭56−149462
号、同57−29050号にその記載がある。しかしな
がら、これらは、光導電性ポリマーの化学増感剤として
の発明を主眼とするものであり、光導電性顔料に関する
増感効果は記載されておらず、本発明におけるような、
フタロシアニン顔料に特有なインダクション効果を軽減
する効果のあるいとは全く予期し得ないものであった。
又、特開昭56−149462号、同57−29050
号に記載の電子写真感光体は、−回限りの使用を目的と
したものであり、数回の繰り返し使用により、著しい帯
電電位の低下、感度の低下、残留電位の増大を生じ、と
ても繰り返し使用の複写機および光プリンター用の感光
体として使用することばできない。
号に記載の電子写真感光体は、−回限りの使用を目的と
したものであり、数回の繰り返し使用により、著しい帯
電電位の低下、感度の低下、残留電位の増大を生じ、と
ても繰り返し使用の複写機および光プリンター用の感光
体として使用することばできない。
又、通常フタロシアニンの感度を上げる目的で種々の添
加剤、たとえばテトラニトロフルオレン、テトラシアノ
エチレン等の電子吸引性化合物を加えた場合、帯電性の
低下および繰り返し使用時、帯電電位の低下、残留電位
の増加を生じる。
加剤、たとえばテトラニトロフルオレン、テトラシアノ
エチレン等の電子吸引性化合物を加えた場合、帯電性の
低下および繰り返し使用時、帯電電位の低下、残留電位
の増加を生じる。
しかし、本発明の一般式(1)で表わされる化合物は、
上記繰り返し特性の劣化を引き起こすことがなく、フタ
ロシアニンを増感するため、高感度及び良好な繰り返し
特性が要求される複写機および光プリンター用感光体へ
の使用に適する。
上記繰り返し特性の劣化を引き起こすことがなく、フタ
ロシアニンを増感するため、高感度及び良好な繰り返し
特性が要求される複写機および光プリンター用感光体へ
の使用に適する。
本発明の電子写真感光体は前述したフタロシアニン顔料
と一般式(1)で表わされる化合物を含有する光導電層
を有する。電子写真感光体とじては各種の形態が知られ
ているが、本発明の電子写真感光体は、そのいづれのタ
イプの感光体であっても良い0通常本発明の電子写真感
光体は下に例示した層構成のタイプにて使用される。
と一般式(1)で表わされる化合物を含有する光導電層
を有する。電子写真感光体とじては各種の形態が知られ
ているが、本発明の電子写真感光体は、そのいづれのタ
イプの感光体であっても良い0通常本発明の電子写真感
光体は下に例示した層構成のタイプにて使用される。
(1) 導電性支持体上に、フタロシアニン顔料およ
び前記一般式(I)の化合物を含有する単層の光導電層
を設けたもの。
び前記一般式(I)の化合物を含有する単層の光導電層
を設けたもの。
(2)導電性支持体上にフタロシアニン顔料と一般式(
1)で表わされる化合物を含有する電荷発生層を設け、
その上に電荷輸送層を設けたもの。
1)で表わされる化合物を含有する電荷発生層を設け、
その上に電荷輸送層を設けたもの。
(3)導電性支持体上に電荷輸送層を設け、その上にフ
タロシアニン顔料と一般式(1)で表わされる化合物を
含有する電荷発生層を設けたもの。
タロシアニン顔料と一般式(1)で表わされる化合物を
含有する電荷発生層を設けたもの。
タイプ(1)の電子写真感光体を作成するには、数式(
1)で表わされる化合物およびバインダーを溶解した溶
液中に、フタロシアニン顔料を分散せしめ、これを導電
性支持体上に塗布、乾燥すればよい、あるいはフタロシ
アニン顔料をバインダー溶液に分散し、その後この溶液
に一般式(+)で表わされる化合物を熔解して塗布液を
作成しても良い、タイプ(1)の電子写真感光体の場合
、電荷の移動を助ける目的で後述の電荷輸送剤を光導電
層に含有させることができ、この組成での電子写真感光
体が一般的である。この時の光導電層の膜厚は3〜50
μ、好ましくは5〜30μが良い。
1)で表わされる化合物およびバインダーを溶解した溶
液中に、フタロシアニン顔料を分散せしめ、これを導電
性支持体上に塗布、乾燥すればよい、あるいはフタロシ
アニン顔料をバインダー溶液に分散し、その後この溶液
に一般式(+)で表わされる化合物を熔解して塗布液を
作成しても良い、タイプ(1)の電子写真感光体の場合
、電荷の移動を助ける目的で後述の電荷輸送剤を光導電
層に含有させることができ、この組成での電子写真感光
体が一般的である。この時の光導電層の膜厚は3〜50
μ、好ましくは5〜30μが良い。
タイプ(2)の電子写真感光体を作成するには、まず導
電性支持体上にフタロシアニンおよび一般式(Nで表わ
される化合物を適当な溶剤、もしくは必要があればバイ
ンダーを溶解せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥し電荷
発生層を設ける。あるいはフタロシアニン顔料を溶剤、
またはバインダーを熔解せしめた溶剤中に分散し、その
後一般式(I)で表わされる化合物を溶解して塗布液を
作成しても良い、その後、この上に、電荷輸送化合物お
よびバインダーを含む溶液を塗布、乾燥して電荷輸送層
を設けることにより得られる。この時の電荷発生層の厚
みは4μ以下、特に0.1〜2μが好ましく、電荷輸送
層の厚みは3〜50μ、特に5〜30μが好ましい。
電性支持体上にフタロシアニンおよび一般式(Nで表わ
される化合物を適当な溶剤、もしくは必要があればバイ
ンダーを溶解せしめた溶剤中に分散して塗布乾燥し電荷
発生層を設ける。あるいはフタロシアニン顔料を溶剤、
またはバインダーを熔解せしめた溶剤中に分散し、その
後一般式(I)で表わされる化合物を溶解して塗布液を
作成しても良い、その後、この上に、電荷輸送化合物お
よびバインダーを含む溶液を塗布、乾燥して電荷輸送層
を設けることにより得られる。この時の電荷発生層の厚
みは4μ以下、特に0.1〜2μが好ましく、電荷輸送
層の厚みは3〜50μ、特に5〜30μが好ましい。
タイプ(3)の電子写真感光体はタイプ(2)の電荷発
生層と電荷輸送層の積層順序を逆にすることにより作成
される。
生層と電荷輸送層の積層順序を逆にすることにより作成
される。
本発明におけるタイプ(1)の感光体は、フタロシアニ
ン自身がアブ顔料等に比較して、電荷移動能力を持った
ため、比較的良好な繰り返し特性を有するが、タイプ(
2)及び(3)の感光体に比較すると低感であり、繰り
返し使用による帯電電位の低下、残留電位の増加もやや
大きい。
ン自身がアブ顔料等に比較して、電荷移動能力を持った
ため、比較的良好な繰り返し特性を有するが、タイプ(
2)及び(3)の感光体に比較すると低感であり、繰り
返し使用による帯電電位の低下、残留電位の増加もやや
大きい。
そのため、本発明の使用形態としてはタイプ(2)およ
びタイプ(3)が好ましく、この形態において掻めで高
感度であり、繰り返し使用において帯電電位の変化が少
なく、残留電位の低い、高耐刷性、高耐久性の電子写真
感光体が得られる。
びタイプ(3)が好ましく、この形態において掻めで高
感度であり、繰り返し使用において帯電電位の変化が少
なく、残留電位の低い、高耐刷性、高耐久性の電子写真
感光体が得られる。
(+)(2)及び(3)のタイプの感光体で用いられる
フタロシアニン顔料は、公知の分散機、例えばボールミ
ル、サンドミル、振動ミル等により、粉砕、分散される
が、フタロシアニンの粒径が5μ以下、好ましくは0.
° l〜2μに粉砕して使用される。
フタロシアニン顔料は、公知の分散機、例えばボールミ
ル、サンドミル、振動ミル等により、粉砕、分散される
が、フタロシアニンの粒径が5μ以下、好ましくは0.
° l〜2μに粉砕して使用される。
タイプ(1)の電子写真感光体において使用されるフタ
ロシアニン顔料の量は少な過ぎると感度が悪く、多すぎ
ると帯電性が悪くなったり、電子写真感光体の強度が弱
゛くなったりし、電子写真感光層中のフタロシアニン顔
料の占める割合はバインダーに対し0.01〜2′重量
倍、好ましくは0゜05〜1重量倍がよい。
ロシアニン顔料の量は少な過ぎると感度が悪く、多すぎ
ると帯電性が悪くなったり、電子写真感光体の強度が弱
゛くなったりし、電子写真感光層中のフタロシアニン顔
料の占める割合はバインダーに対し0.01〜2′重量
倍、好ましくは0゜05〜1重量倍がよい。
電荷輸送化合物を併用させる場合、電荷輸送化合物の割
合はバインダーに対し0. 1〜2重量倍、好ましくは
0.3〜1. 3重量倍の範囲がよい。
合はバインダーに対し0. 1〜2重量倍、好ましくは
0.3〜1. 3重量倍の範囲がよい。
又、一般式(I)で表わされる化合物の含有量はフタロ
シアニン顔料に対し0゜01〜1重量倍、好ましくは0
.02〜0. 4重量倍の範囲が適当である。
シアニン顔料に対し0゜01〜1重量倍、好ましくは0
.02〜0. 4重量倍の範囲が適当である。
またタイプ(2)および(3)の電子写真感光体におい
て電荷発生層となるフタロシアニン顔料含有層を塗布形
成する場合、バインダー樹脂に対するフタロシアニン顔
料の使用量は0. 1〜50重量倍が好ましくそれ以下
だと十分な感光性が得られない。
て電荷発生層となるフタロシアニン顔料含有層を塗布形
成する場合、バインダー樹脂に対するフタロシアニン顔
料の使用量は0. 1〜50重量倍が好ましくそれ以下
だと十分な感光性が得られない。
電荷輸送層中の電荷輸送化合物の割合はバインダーに対
し0.01〜lO重量倍、好ましくは0゜2〜2重量倍
が好ましい。
し0.01〜lO重量倍、好ましくは0゜2〜2重量倍
が好ましい。
この場合においても一般式(1)で表わされる化合物の
含有量はフタロシアニン顔料に対し、0゜01〜1重量
倍、好ましくは0.02〜0.4重量倍の範囲が適当で
ある。
含有量はフタロシアニン顔料に対し、0゜01〜1重量
倍、好ましくは0.02〜0.4重量倍の範囲が適当で
ある。
またタイプ(2)及び(3)の感光体において特開昭6
0−196767号、特開昭60−254045号、特
開昭60−262159号各明細書に記載されているよ
うに電荷発生層中に、ヒドラゾン化合物、オキシム化合
物等の電荷輸送化合物を添加することもできる。
0−196767号、特開昭60−254045号、特
開昭60−262159号各明細書に記載されているよ
うに電荷発生層中に、ヒドラゾン化合物、オキシム化合
物等の電荷輸送化合物を添加することもできる。
本発明において使用されるタイプ(1)の感光層に併用
される電荷輸送材料としては、広範囲の公知電荷輸送材
料を挙げることができる。電荷輸送材料は電子を輸送す
る化合物と正孔を輸送する化合物の二種類に分類するこ
とができる。
される電荷輸送材料としては、広範囲の公知電荷輸送材
料を挙げることができる。電荷輸送材料は電子を輸送す
る化合物と正孔を輸送する化合物の二種類に分類するこ
とができる。
電子を輸送する化合物としては電子吸引性基を有する化
合物、例えば2.4.7−)リニトロ9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
9−ジシアノメチレン2.4.7−)リニトロフルオレ
ノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7−チトラ
ニトロブルオレノン、テトラニトロカルバゾールクロラ
ニル、2.3−ジクロル−5,6−ジシアツベンゾキノ
ン、2,4.7−ドリニトロー9.10−フェナントレ
ンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノンジメタン等をあげること
ができる。
合物、例えば2.4.7−)リニトロ9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
9−ジシアノメチレン2.4.7−)リニトロフルオレ
ノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7−チトラ
ニトロブルオレノン、テトラニトロカルバゾールクロラ
ニル、2.3−ジクロル−5,6−ジシアツベンゾキノ
ン、2,4.7−ドリニトロー9.10−フェナントレ
ンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノンジメタン等をあげること
ができる。
正孔を輸送する化合物としては、電子供与基を有する化
合物0例えば高分子のものでは、(+) 特公昭34
−10966号公報記載のピリビニルカルバゾールおよ
びその誘導体。
合物0例えば高分子のものでは、(+) 特公昭34
−10966号公報記載のピリビニルカルバゾールおよ
びその誘導体。
(2) 特公昭43−18674号公報、特公昭43
−19192号公報記載のポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリ−2−ビニル(4′−ジメチルア
ミノフェニル)−5−フェニル−オキサゾール、ポリ−
3−ビニル−N=エチルカルバゾールなどのビニルff
i合体。
−19192号公報記載のポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ポリ−2−ビニル(4′−ジメチルア
ミノフェニル)−5−フェニル−オキサゾール、ポリ−
3−ビニル−N=エチルカルバゾールなどのビニルff
i合体。
(3)特公昭43−19193号公報記載のポリアセナ
フチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレンの
共重合体などのような重合体。
フチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレンの
共重合体などのような重合体。
(4)特公昭56−13940号公報などに記載のピレ
ン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレンホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂
などの縮合樹脂。
ン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレンホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂
などの縮合樹脂。
(5)特開昭56−90883号及び特開昭56161
550号公報に記載された各種のトリフェニルメタンポ
リマー また低分子のものでは、 (6)米国特許第3,112,197号明細書などに記
載されているトリアゾール誘導体。
550号公報に記載された各種のトリフェニルメタンポ
リマー また低分子のものでは、 (6)米国特許第3,112,197号明細書などに記
載されているトリアゾール誘導体。
(7)米国特許第3,189.447号明細書などに記
載されているオキサジアゾール誘導体。
載されているオキサジアゾール誘導体。
(8)特公昭37−16096号公報などに記載されて
いるイミダゾール誘導体。
いるイミダゾール誘導体。
(9)米国特許第3,615,402号、同第3゜82
0.989号、同3,542,544号、特公昭45−
555号、特公昭5m−10983号、特開昭51−9
3224号、特開昭55108667号、特開昭55−
156953号、特開昭56−36656号明細書、公
報などに記載のボリアリールアルカン誘導体。
0.989号、同3,542,544号、特公昭45−
555号、特公昭5m−10983号、特開昭51−9
3224号、特開昭55108667号、特開昭55−
156953号、特開昭56−36656号明細書、公
報などに記載のボリアリールアルカン誘導体。
0IIl 米国特許第3,180,729号、米国特
許第4,278.746号、特開昭55−88064号
、特開昭55−88065号、特開昭49−10553
7号、特開昭55−51086号、特開昭56−800
51号、特開昭56−88141号、特開昭57−45
545号、特開昭54−112637号、特開昭55−
74546号明細書、公報などに記載されているピラゾ
リン誘導体およびピラゾロン誘導体。
許第4,278.746号、特開昭55−88064号
、特開昭55−88065号、特開昭49−10553
7号、特開昭55−51086号、特開昭56−800
51号、特開昭56−88141号、特開昭57−45
545号、特開昭54−112637号、特開昭55−
74546号明細書、公報などに記載されているピラゾ
リン誘導体およびピラゾロン誘導体。
00 米国特許第3,615,404号、特公昭51
−10,105号、特開昭54−83435号、特開昭
54−110836号、特開昭54−119925号、
特公昭46−3712号、特公昭47−28336号明
細書、公報などに記載されているフェニレンジアミン誘
導体。
−10,105号、特開昭54−83435号、特開昭
54−110836号、特開昭54−119925号、
特公昭46−3712号、特公昭47−28336号明
細書、公報などに記載されているフェニレンジアミン誘
導体。
0り 米国特許第3,567.450号、特公昭49−
35702号、西独−特許(DAS)1110518号
、米国特許第3.1130.703号、米国特許第3,
240,597号、米国特許第3,658,520号、
米国特許第4.232.103号、米国特許第4,17
5.961号、米国特許第4,012,376号、特開
昭55−144250号、特開昭56−119132号
、特公昭39−27577号、特開昭56−22437
号明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘
導体。
35702号、西独−特許(DAS)1110518号
、米国特許第3.1130.703号、米国特許第3,
240,597号、米国特許第3,658,520号、
米国特許第4.232.103号、米国特許第4,17
5.961号、米国特許第4,012,376号、特開
昭55−144250号、特開昭56−119132号
、特公昭39−27577号、特開昭56−22437
号明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘
導体。
03) 米国特許第3,526,501号明細書記載
のアミノ置換カルコン誘導体。
のアミノ置換カルコン誘導体。
(財)米国特許第3.542,546号明細書などに記
載のN、N−ビカルバジル誘導体。
載のN、N−ビカルバジル誘導体。
Q5) 米国特許第3,257,203号明細書など
に記載のオキサゾール誘導体。
に記載のオキサゾール誘導体。
Oe 特開昭56−46234号公報などに記載のス
チリルアントラセン誘導体。
チリルアントラセン誘導体。
0η 特開昭54−110837号公報などに記載され
ているフルオレノン誘導体。
ているフルオレノン誘導体。
OI 米国特許第3,717,462号、特開昭54
−59143号(米国特許第4,150,987号に対
応)、特開昭55−52063号、特開昭55−520
64号、特開昭55−46760号、特開昭55−85
495号、特開昭57−11350号、特開昭57−1
48749号、特開昭57−104144号明細書など
に開示されているヒドラゾン誘導体。
−59143号(米国特許第4,150,987号に対
応)、特開昭55−52063号、特開昭55−520
64号、特開昭55−46760号、特開昭55−85
495号、特開昭57−11350号、特開昭57−1
48749号、特開昭57−104144号明細書など
に開示されているヒドラゾン誘導体。
09 米国特許第4,047,948号、米国特許第
4,047,949号、米国特許第4,265.990
号、米国特許第4.273.846号、米国特許第4,
299.897号、米国特許第4,306.008号明
細書などに記載のベンジジン誘導体。
4,047,949号、米国特許第4,265.990
号、米国特許第4.273.846号、米国特許第4,
299.897号、米国特許第4,306.008号明
細書などに記載のベンジジン誘導体。
I2I 特開昭58−190953号、特開昭59−
95540号、特開昭59−97148号、特開昭59
−195658号公報などに記載されているスチルベン
誘導体などがある。
95540号、特開昭59−97148号、特開昭59
−195658号公報などに記載されているスチルベン
誘導体などがある。
なお本発明において、光導電性物質は(1)〜QIにあ
げられた化合物に限定されず、これまで公知の全ての光
導電性物質を用いることができる。
げられた化合物に限定されず、これまで公知の全ての光
導電性物質を用いることができる。
これらの光導電性物質は場合により2種類以上を併用す
ることも可能である。
ることも可能である。
本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス等の
金属板、金属ドラム、またはプラスチック、紙等のシー
トあるいは円筒状基体上にアルミニウム、酸化インジュ
ーム、SnO,、カーボン等の導電材料を蒸着もしくは
分散塗布したもの、あるいは導電性ポリマー等を設けた
もの、あるいは塩化ナトリウム、塩化カルシウム等の無
機塩や有機四級アンモニウム塩により導電処理された紙
、紙管、カーボンをねり込み成型したフェノール樹脂ド
ラム、ベークライトドラム等が使用される。
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス等の
金属板、金属ドラム、またはプラスチック、紙等のシー
トあるいは円筒状基体上にアルミニウム、酸化インジュ
ーム、SnO,、カーボン等の導電材料を蒸着もしくは
分散塗布したもの、あるいは導電性ポリマー等を設けた
もの、あるいは塩化ナトリウム、塩化カルシウム等の無
機塩や有機四級アンモニウム塩により導電処理された紙
、紙管、カーボンをねり込み成型したフェノール樹脂ド
ラム、ベークライトドラム等が使用される。
本発明のタイプ(2)およびタイプ(3)の電荷発生層
に使用される樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択
でき、例えばポリエステル樹脂、セルロース樹脂、アク
リル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、スチレン樹脂、ポリブタジェン樹脂、
ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、塩化
ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂等をあげるこ
とができるが、これに限定されるものではない。
に使用される樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択
でき、例えばポリエステル樹脂、セルロース樹脂、アク
リル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂
、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、スチレン樹脂、ポリブタジェン樹脂、
ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、塩化
ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂等をあげるこ
とができるが、これに限定されるものではない。
電荷輸送層に使用される樹脂としては、疎水性で、かつ
誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合
体を用いるのが好ましい。
誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子重合
体を用いるのが好ましい。
この様な、高分子重合体としては、例えば次のものを挙
げることができるが、勿論これらに限定されるものでは
ない。
げることができるが、勿論これらに限定されるものでは
ない。
ポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢
酸ビニル無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリ
コン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾール等をあげることができる。
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢
酸ビニル無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリ
コン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾール等をあげることができる。
タイプ(1)の光導電層のバインダーとしては上記電荷
発生層および電荷輸送層のバインダーの中から適当に選
択して使用することができる。
発生層および電荷輸送層のバインダーの中から適当に選
択して使用することができる。
これらのバインダーは、単独あるいは2種以上の混合物
として用いることができる。
として用いることができる。
本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。
可ツ剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、0−テル
フェニル、p−テルフェニル、ジブチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノン
、塩素化パラフィン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ジラウリルチオジプロピオネート、3,5−ジニトロサ
リチル酸、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、
ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチ
ルセバケート、ラウリン酸ブチル、メチルフタリールエ
チルグリコレート、各種フルオロ炭化水素類等が挙げら
れる。
フェニル、p−テルフェニル、ジブチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノン
、塩素化パラフィン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ジラウリルチオジプロピオネート、3,5−ジニトロサ
リチル酸、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、
ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチ
ルセバケート、ラウリン酸ブチル、メチルフタリールエ
チルグリコレート、各種フルオロ炭化水素類等が挙げら
れる。
その他、電子写真感光体の表面性をよくするために、シ
リコンオイル等を加えてもよい。
リコンオイル等を加えてもよい。
増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム?I)、チアピリリウム染
料、特開昭58〜65439号、同5E+−10223
9号、同58〜129439号、同62−71965号
等に記載の化合物等を挙げることができる。
メチルバイオレット、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム?I)、チアピリリウム染
料、特開昭58〜65439号、同5E+−10223
9号、同58〜129439号、同62−71965号
等に記載の化合物等を挙げることができる。
塗布液としては、アルコールM(例えばメタノール、エ
タノール、イソプロパツール等)、ケトン類(例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
、シクロヘキサノン等)、アミド類(例えば、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
等)、エステル類(例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル等)、エーテルM(例えば、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム等)、ハ
ロゲン化炭化水素類(例えば、塩化メチレン、クロロホ
ルム、メチルクロロホルム、四塩化炭素、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロベンゼン等)等を単独あるいは混合し
て用いることができる。
タノール、イソプロパツール等)、ケトン類(例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
、シクロヘキサノン等)、アミド類(例えば、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
等)、エステル類(例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル等)、エーテルM(例えば、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム等)、ハ
ロゲン化炭化水素類(例えば、塩化メチレン、クロロホ
ルム、メチルクロロホルム、四塩化炭素、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロベンゼン等)等を単独あるいは混合し
て用いることができる。
塗布は、スプレー、ローラーコーティング、スピンナー
コーティング、ブレードコーティング、デイツプコーテ
ィング等の汎用のコーティング法を用いて行うことがで
きる。
コーティング、ブレードコーティング、デイツプコーテ
ィング等の汎用のコーティング法を用いて行うことがで
きる。
また本発明においては、導電性支持体と光導電層の間に
、必要に応じて接着層またはバリヤ層を設けることがで
きる。これらの層に用いられる材料としては、前記バイ
ンダーに用いられる高分子重合体のほか、ゼラチン、カ
ゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、カ
ルボキシ−メチルセルロース、特開昭59−84247
号に記載の塩化ビニリデン系、ポリマーラテックス、特
開昭59−114544号に記載のスチレン−ブタジェ
ン系ポリマーラテックスまたは、酸化アルミニウムなど
であり、これらの層の厚さは、0゜1〜5μmが好まし
い。
、必要に応じて接着層またはバリヤ層を設けることがで
きる。これらの層に用いられる材料としては、前記バイ
ンダーに用いられる高分子重合体のほか、ゼラチン、カ
ゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、カ
ルボキシ−メチルセルロース、特開昭59−84247
号に記載の塩化ビニリデン系、ポリマーラテックス、特
開昭59−114544号に記載のスチレン−ブタジェ
ン系ポリマーラテックスまたは、酸化アルミニウムなど
であり、これらの層の厚さは、0゜1〜5μmが好まし
い。
また本発明においては、光導電層上に必要によりオーバ
ーコート層を設けることができる。このオーバーコート
層は、機械的にマット化されたもの、あるいはマット剤
が含有される樹脂層であってもよい、この場合、マット
剤としては二酸化珪素、ガラス粒子、アルミナ、デンプ
ン、酸化チタン、酸化亜鉛、ポリメチルメタクリレート
、ポリスチレン、フェノール樹脂などの重合体の粒子、
および米国特許第2.701.245号、同第2899
2.101号明細書に記されているマット剤が含まれる
。これらは、2種以上併用することができる。
ーコート層を設けることができる。このオーバーコート
層は、機械的にマット化されたもの、あるいはマット剤
が含有される樹脂層であってもよい、この場合、マット
剤としては二酸化珪素、ガラス粒子、アルミナ、デンプ
ン、酸化チタン、酸化亜鉛、ポリメチルメタクリレート
、ポリスチレン、フェノール樹脂などの重合体の粒子、
および米国特許第2.701.245号、同第2899
2.101号明細書に記されているマット剤が含まれる
。これらは、2種以上併用することができる。
オーバーコート層に使用される樹脂としては光導電層に
使用される樹脂の他、公知の各種の樹脂より選択して用
いることができる。
使用される樹脂の他、公知の各種の樹脂より選択して用
いることができる。
以上本発明について詳細に説明したが、本発明の電子写
真感光体は感度に優れ、繰り返し使用における帯電電位
の変化が少なく、残留電位の小さい高耐刷性、高耐久性
の電子写真感光体である。
真感光体は感度に優れ、繰り返し使用における帯電電位
の変化が少なく、残留電位の小さい高耐刷性、高耐久性
の電子写真感光体である。
本発明の電子写真感光体と、電子写真複写機は勿論レー
ザー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体など
の分野に広く応用する事ができる。
ザー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体など
の分野に広く応用する事ができる。
特に長波長域まで高感度を有するので、半導体レーザー
、He−Neレーザー等を光源とするレーザービームプ
リンターに適する。
、He−Neレーザー等を光源とするレーザービームプ
リンターに適する。
「実施例」
次に本発明を実施例により具体的に説明するがこれによ
り本発明が実施例に限定されるものではない、なお実施
例中1部」とあるのは「重量部」を示す。
り本発明が実施例に限定されるものではない、なお実施
例中1部」とあるのは「重量部」を示す。
実施例1
ε型鋼フタロシアニン(リオフォトン
EPPC:東洋インキ■製)3.0部
例示化合物(1) 0.3部ポ
リエステル樹脂(バイロン200 :東洋紡績■製)
3.0部ヒドラゾン化合物
3.0部テトラヒドロフラン
100部を5001tのガラス製容器にガラスピーズと
共に入れ、ペイントシェーカー(東洋精機製作所■)で
60分間分散したのち、ガラスピーズをろ別して光導電
層用分散液とした。
リエステル樹脂(バイロン200 :東洋紡績■製)
3.0部ヒドラゾン化合物
3.0部テトラヒドロフラン
100部を5001tのガラス製容器にガラスピーズと
共に入れ、ペイントシェーカー(東洋精機製作所■)で
60分間分散したのち、ガラスピーズをろ別して光導電
層用分散液とした。
次にこの先導tN用分散液をワイヤーランウドロッドを
用いて導電性支持体(75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムの表面にアルミニウムの蒸着膜を設けた
もの0表面抵抗10コΩ)上に塗布、乾燥して20tI
mの光導電層を有する電子写真感光体を得た。
用いて導電性支持体(75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムの表面にアルミニウムの蒸着膜を設けた
もの0表面抵抗10コΩ)上に塗布、乾燥して20tI
mの光導電層を有する電子写真感光体を得た。
次に、作成した電子写真感光体の電気特性をEPA−8
100(川口電気側型)を用いて、スタチック方式によ
り+8.0kVでコロナ帯電し、7 B Oramの単
色光を1mW/nfの光強度により露光する条件にて測
定した。帯電直後の表面電位(Vo)、帯電直後から3
0秒間の表面電位のV。
100(川口電気側型)を用いて、スタチック方式によ
り+8.0kVでコロナ帯電し、7 B Oramの単
色光を1mW/nfの光強度により露光する条件にて測
定した。帯電直後の表面電位(Vo)、帯電直後から3
0秒間の表面電位のV。
に対する比を電荷保持率(DD!。)、また感度として
、露光前の表面電位が光減衰して1/2になる露光量(
ES。)と1/10になる露光量(E、。)、残留電位
(■3)として露光量100#J/ell”時点の表面
電位を調べたことろ、 ■。 +660v Esa 2.2μJ/cv” E911 8. 2μJ/cm” DLe 73% V、 +23V であった。
、露光前の表面電位が光減衰して1/2になる露光量(
ES。)と1/10になる露光量(E、。)、残留電位
(■3)として露光量100#J/ell”時点の表面
電位を調べたことろ、 ■。 +660v Esa 2.2μJ/cv” E911 8. 2μJ/cm” DLe 73% V、 +23V であった。
比較例1
実施例1の光導電層用塗布液より、例示化合物(1)を
除いた他は、実施例1と全く同様にして、電子写真感光
体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実施例
Iと同条件で測定したことろ、Ve +670V E、。 3.8μJ/C11” E、。 12.6μJ/cra” 003゜ 75% V、 +22V であった。
除いた他は、実施例1と全く同様にして、電子写真感光
体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実施例
Iと同条件で測定したことろ、Ve +670V E、。 3.8μJ/C11” E、。 12.6μJ/cra” 003゜ 75% V、 +22V であった。
実施例2
ε型銅フタロシアニン(リオフオトンEPPC)3部と
例示化合物(2)0.3部およびポリエステル樹脂(バ
イロン200)3部をテトラヒド口フラ2100部に溶
かした液と共にボールミルで20時間分散した後、ワイ
ヤーラウンドロフトを用いて、導電性支持体(前述のA
n蒸着膜)上に塗布、乾燥して厚さ0.5μmの電荷発
生層を得た。
例示化合物(2)0.3部およびポリエステル樹脂(バ
イロン200)3部をテトラヒド口フラ2100部に溶
かした液と共にボールミルで20時間分散した後、ワイ
ヤーラウンドロフトを用いて、導電性支持体(前述のA
n蒸着膜)上に塗布、乾燥して厚さ0.5μmの電荷発
生層を得た。
次に電荷発生層の上にヒドラゾン化合物部とビスフェノ
ールAのポリカーボネート10部とをジクロルメタン5
0部に溶解した溶液をワイヤーラウンドロフトを用いて
塗布、乾燥し、厚さ20μmの電荷輸送層を形成させて
、電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体の電
気特性を一8kVでコロナ帯電した以外は実施例1七同
条件で測定した結果、 V、 −730V Eso 1. 1uJ/cm” Eve 2. 9pJ/cts” 00s。 78% Vl 24V であった、その後帯電と露光の2工程を10,000回
繰り返し、電気特性を洲べたが、繰り返し前の特性が殆
ど変化がなかった。
ールAのポリカーボネート10部とをジクロルメタン5
0部に溶解した溶液をワイヤーラウンドロフトを用いて
塗布、乾燥し、厚さ20μmの電荷輸送層を形成させて
、電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体の電
気特性を一8kVでコロナ帯電した以外は実施例1七同
条件で測定した結果、 V、 −730V Eso 1. 1uJ/cm” Eve 2. 9pJ/cts” 00s。 78% Vl 24V であった、その後帯電と露光の2工程を10,000回
繰り返し、電気特性を洲べたが、繰り返し前の特性が殆
ど変化がなかった。
比較例2
実施例2の例示化合物(2)を除いた他は、実施例2と
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同条件で測
定したところ、 Va 738V E、、 2.0μJ/cが E、。 5.8μJ/cm” DO□ 79% Va 24V であった。
定したところ、 Va 738V E、、 2.0μJ/cが E、。 5.8μJ/cm” DO□ 79% Va 24V であった。
実施例3
実施例2のε−型銅フタロシアニン(リオフオトンEP
PC)をX型無金属フタロシアニン(大日本インキ■製
、Fastog en Blue 8120 )に替え
た他は実施例2と全く同様にして電子写真感光体を作成
した。この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同じ
条件で測定した結果、 Va −735V ES6 0. 5pJ/cra” Eqo 1. 5μJ/cが DDse 77% Va 12V であった。その後帯電と露光の2工程を10000回繰
り返し、電気特性を国べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がながった。
PC)をX型無金属フタロシアニン(大日本インキ■製
、Fastog en Blue 8120 )に替え
た他は実施例2と全く同様にして電子写真感光体を作成
した。この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同じ
条件で測定した結果、 Va −735V ES6 0. 5pJ/cra” Eqo 1. 5μJ/cが DDse 77% Va 12V であった。その後帯電と露光の2工程を10000回繰
り返し、電気特性を国べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がながった。
比較例3
実施例3の例示化合物(2)を除いた他は、実施例3と
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同条件で測
定したことろ、 ■。 +740v Eso O,9,1/J/ell”Eta 2
.1pJ/cs” 003゜ 78% V++ 15V であった。
定したことろ、 ■。 +740v Eso O,9,1/J/ell”Eta 2
.1pJ/cs” 003゜ 78% V++ 15V であった。
実施例4
実施例2のε−型銅フタロシアニン(リオフォトンEP
PC)をα型チタニル銅フタロシアニン(東洋インキ製
)に替えた他は実施例2と全く同様にして電子写真感光
体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実施例
2と同条件で測定した結果、 ■。 −710V Eso 0. 35 p J/cra”Evo
1.0μJ/cs” 002゜ 76% V虞 13V であった。その後帯電と露光の2工程を10000回繰
り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がなかった。
PC)をα型チタニル銅フタロシアニン(東洋インキ製
)に替えた他は実施例2と全く同様にして電子写真感光
体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実施例
2と同条件で測定した結果、 ■。 −710V Eso 0. 35 p J/cra”Evo
1.0μJ/cs” 002゜ 76% V虞 13V であった。その後帯電と露光の2工程を10000回繰
り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がなかった。
比較例4
実施例4の例示化合物(2)を除いた他は実施例3と全
く同様にして電子写真感光体の電気特性を実施例2と同
条件で測定した結果、 Vo 720 V Ese O,5uJ/cm” E9゜ 1.5μJ/ロー DDs* 77% V糞 11V てあった。
く同様にして電子写真感光体の電気特性を実施例2と同
条件で測定した結果、 Vo 720 V Ese O,5uJ/cm” E9゜ 1.5μJ/ロー DDs* 77% V糞 11V てあった。
実施例5〜12
実施例2の例示化合物(2)の替わりに表1の例示化合
物を用いた以外は実施例2と全く同様にして電子写真感
光体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を表1
に示す、電気特性の測定は実施例2と同一の条件で行っ
た。
物を用いた以外は実施例2と全く同様にして電子写真感
光体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を表1
に示す、電気特性の測定は実施例2と同一の条件で行っ
た。
実施例13
X型無金属フタロシアニン(大日本インキ■製、Fas
togen 81ue 8120) 3部を、ポリエス
テル樹脂(バイロン)3部を、クロルベンゼン100部
に溶解せしめた液と共にボールミルで20時間分散した
後、例示化合物(2)0.3部を溶解し、ワイヤーラウ
ンドロンドを用いて導電性支持体上に塗布、乾燥して厚
さ0.5μmの電荷発生層を得た。その後実施例2と同
じ方法により電荷輸送層を設け、電子写真感光体を作成
した。この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同一
の条件で測定した結果、 ■。 −730■ E、。 0.5μJ/cが E90 1. 5 p J/c+a”DD3.
78% VI IIV であった。またその後帯電と露光の2工程を10゜00
0回繰り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性
と殆ど変化がなかった。
togen 81ue 8120) 3部を、ポリエス
テル樹脂(バイロン)3部を、クロルベンゼン100部
に溶解せしめた液と共にボールミルで20時間分散した
後、例示化合物(2)0.3部を溶解し、ワイヤーラウ
ンドロンドを用いて導電性支持体上に塗布、乾燥して厚
さ0.5μmの電荷発生層を得た。その後実施例2と同
じ方法により電荷輸送層を設け、電子写真感光体を作成
した。この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同一
の条件で測定した結果、 ■。 −730■ E、。 0.5μJ/cが E90 1. 5 p J/c+a”DD3.
78% VI IIV であった。またその後帯電と露光の2工程を10゜00
0回繰り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性
と殆ど変化がなかった。
実施例1と比較例1、実施例2.5〜12と比較例2、
実施例3.13と比較例3、および実施例4と比較例4
を各々比較すると、一般式(I)で表わされる化合物を
添加した電子写真感光体は、比較例の感光体に比較し、
1.5倍〜2倍高感度である。しかし帯電性、暗減衰、
残留電位に大きな差がなく良好な電子写真特性が保たれ
ていることがわかる。更に、実施例2.3,4.13に
おいてto、ooo回の繰り返し使用後の電気特性が、
初期の特性と殆ど変化がないことが確認された。
実施例3.13と比較例3、および実施例4と比較例4
を各々比較すると、一般式(I)で表わされる化合物を
添加した電子写真感光体は、比較例の感光体に比較し、
1.5倍〜2倍高感度である。しかし帯電性、暗減衰、
残留電位に大きな差がなく良好な電子写真特性が保たれ
ていることがわかる。更に、実施例2.3,4.13に
おいてto、ooo回の繰り返し使用後の電気特性が、
初期の特性と殆ど変化がないことが確認された。
以上により、実施例で示した電子写真感光体は本発明の
目的r高感度であり、かつ繰り返し使用におてい電位安
定性が高く、残留電位が小さい耐久性の高い電子写真感
光体」を満足するものであることがわかる。
目的r高感度であり、かつ繰り返し使用におてい電位安
定性が高く、残留電位が小さい耐久性の高い電子写真感
光体」を満足するものであることがわかる。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書
平成1
年
μ月
圃
1゜
2゜
3゜
Claims (4)
- (1)導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感光
体において、光導電層がフタロシアニン顔料および下記
一般式( I )で表わされる化合物を含有することを特
徴とする複写機用または光プリンター用電子写真感光体
。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式( I )において、Zは硫黄原子または酸素原子
を表す。Arは1価の芳香族炭化水素基または1価の複
素環基を表す。R_3は水素原子、アルキル基、アリー
ル基、またはアラルキル基を表す。また、ArとR_3
とで環を形成してもよい。 R_1およびR_2はアルキル基、アリール基またはア
ラルキル基を表し、R_1とR_2は同一であっても互
いに異なった基であっても良い。 - (2)光導電層がフタロシアニン顔料および一般式(
I )で表わされる化合物を含有する単一層であることを
特徴とする請求項(1)記載の複写機用または光プリン
ター用電子写真感光体。 - (3)光導電層がフタロシアニン顔料および一般( I
)で表わされる化合物を含有する電荷発生層と電荷輸送
層からなることを特徴とする請求項(1)記載の複写機
および光プリンター用電子写真感光体。 - (4)複写機または光プリンターの光源が、レーザー光
であることを特徴とする請求項(1)ないし(3)の複
写機または光プリンター用電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040789A JP2655339B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 電子写真感光体 |
| US07/476,909 US5035969A (en) | 1989-02-09 | 1990-02-08 | Electrophotographic photoreceptor containing phthalocyanine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040789A JP2655339B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210359A true JPH02210359A (ja) | 1990-08-21 |
| JP2655339B2 JP2655339B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=12303087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040789A Expired - Fee Related JP2655339B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655339B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3040789A patent/JP2655339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2655339B2 (ja) | 1997-09-17 |
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