JPH0221417A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0221417A JPH0221417A JP63171203A JP17120388A JPH0221417A JP H0221417 A JPH0221417 A JP H0221417A JP 63171203 A JP63171203 A JP 63171203A JP 17120388 A JP17120388 A JP 17120388A JP H0221417 A JPH0221417 A JP H0221417A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- alloy
- substrate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度記録に用いられ、磁性膜を金属磁性膜
で形成した磁気記録媒体に関するものである。
で形成した磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術
優れた高密度磁気記録特性を得るために、媒体の薄膜化
、高保磁力化、高残留磁束密度化が必要である。この条
件を満たす磁性体として、コバルト系合金磁性薄膜が注
目されている。媒体の製造方法としては、電解メツキ法
や無電解メツキ法によるものと、蒸着法、スパッタ法、
イオンブレーティング法等の真空系内で強磁性薄膜を作
製するものがある。最近では、インライン式連続スパッ
タ装置を使′用することにより、スパッタ磁気記録媒体
の量産製造が可能となり、実用化されるようになった。
、高保磁力化、高残留磁束密度化が必要である。この条
件を満たす磁性体として、コバルト系合金磁性薄膜が注
目されている。媒体の製造方法としては、電解メツキ法
や無電解メツキ法によるものと、蒸着法、スパッタ法、
イオンブレーティング法等の真空系内で強磁性薄膜を作
製するものがある。最近では、インライン式連続スパッ
タ装置を使′用することにより、スパッタ磁気記録媒体
の量産製造が可能となり、実用化されるようになった。
この様な磁気記録媒体として次の様なものが実用化され
つつある。Ｃｒで下地膜を形成し、その上にＣｏ−Ｎｉ
の磁性膜を形成するものやＣｒで下地膜を形成し、その
上にＣｏ−Ｎ ｉ −Ｃｒで磁性膜を形成するもの等が
ある。
つつある。Ｃｒで下地膜を形成し、その上にＣｏ−Ｎｉ
の磁性膜を形成するものやＣｒで下地膜を形成し、その
上にＣｏ−Ｎ ｉ −Ｃｒで磁性膜を形成するもの等が
ある。
そして、下地膜としてＣｒを有する磁性膜を製造するに
際して、磁気特性を向上させるために、基板温度を２０
０℃以上に予備加熱している。
際して、磁気特性を向上させるために、基板温度を２０
０℃以上に予備加熱している。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記従来の構成では、下地膜にＣｒを用い
る事で、下記の問題が発生してしまう。
る事で、下記の問題が発生してしまう。
（１）下地膜を形成する際に用いられるＣｒターゲット
のコストが高い。
のコストが高い。
（２）基板温度を２００℃以上にしないと保磁力Ｈｅの
高いものが得られない。また、非磁性基板としてＮｉＰ
メツキを施したＡ１合金基板を使用する場合、基板温度
が２００℃以上になると、ＮｉＰメツキ膜が結晶化して
磁化したり、また基板の変形、応力等が生じる事がある
。
高いものが得られない。また、非磁性基板としてＮｉＰ
メツキを施したＡ１合金基板を使用する場合、基板温度
が２００℃以上になると、ＮｉＰメツキ膜が結晶化して
磁化したり、また基板の変形、応力等が生じる事がある
。
（３）Ｃｒは、酸素との親和力が強いため、スパッタ装
置内に酸素が少しでも存在すると酸素と反応してしまい
、Ｃｒ薄膜の結晶性が悪くなり、このＣｒ薄膜の上に被
着されるＣＯ系合金磁性膜のエピタキシー成長も悪くな
ったり、また下地膜としてＣｒ薄膜を形成した後、ＣＯ
系合金磁性膜をスパッタ開始するまでのわずかな時間に
、Ｃｒ薄膜の表面が酸化する等の原因により磁性膜の保
磁力Ｈｅが低下するので、スパッタ時の真空の度合を高
（しなければならないので生産性が悪い。
置内に酸素が少しでも存在すると酸素と反応してしまい
、Ｃｒ薄膜の結晶性が悪くなり、このＣｒ薄膜の上に被
着されるＣＯ系合金磁性膜のエピタキシー成長も悪くな
ったり、また下地膜としてＣｒ薄膜を形成した後、ＣＯ
系合金磁性膜をスパッタ開始するまでのわずかな時間に
、Ｃｒ薄膜の表面が酸化する等の原因により磁性膜の保
磁力Ｈｅが低下するので、スパッタ時の真空の度合を高
（しなければならないので生産性が悪い。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、量産性を
向上させる事ができ、しかも低コストで生産する事がで
きる磁気記録媒体を形成する事を目的としている。
向上させる事ができ、しかも低コストで生産する事がで
きる磁気記録媒体を形成する事を目的としている。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、非磁性基板上に非磁性コバ
ルト系合金窒化膜でできた下地膜を介して、コバルト系
合金磁性薄膜を形成した。
ルト系合金窒化膜でできた下地膜を介して、コバルト系
合金磁性薄膜を形成した。
作 用
この構成により、下地膜を形成する際にスパッタ時の真
空の度合を高くしなくてもよい。
空の度合を高くしなくてもよい。
実 施 例
第１図は、本発明の一実施例における磁気記録媒体を示
す部分断面図である。第１図において、■はＡ１合金基
板、２はＡ１合金基板１の上に形成されたＮｉＰメツキ
膜で、ＮｉＰメツキ膜２はＡ１合金基板１の化学的及び
機械的強度を向上させるために設けられている。３はＮ
ｉＰメツキ膜２の上に形成された下地膜で、下地膜３は
非磁性コバルト・ニッケル合金窒化膜でできている。こ
の時下地膜３として非磁性コバルト系合金窒化膜を成膜
する時のスパッタ用ターゲットとして、ＣｏＮｉ３０合
金を使用し、スパッタ放電ガスとしてＮ２ ガスを使
用した。４は下地膜、３の上に形成された磁性膜で、磁
性膜４はコバルト・ニッケル合金磁性薄膜で形成されて
いる。この時、磁性膜４はＤＣマグネトロンスパッタ法
にて形成する。
す部分断面図である。第１図において、■はＡ１合金基
板、２はＡ１合金基板１の上に形成されたＮｉＰメツキ
膜で、ＮｉＰメツキ膜２はＡ１合金基板１の化学的及び
機械的強度を向上させるために設けられている。３はＮ
ｉＰメツキ膜２の上に形成された下地膜で、下地膜３は
非磁性コバルト・ニッケル合金窒化膜でできている。こ
の時下地膜３として非磁性コバルト系合金窒化膜を成膜
する時のスパッタ用ターゲットとして、ＣｏＮｉ３０合
金を使用し、スパッタ放電ガスとしてＮ２ ガスを使
用した。４は下地膜、３の上に形成された磁性膜で、磁
性膜４はコバルト・ニッケル合金磁性薄膜で形成されて
いる。この時、磁性膜４はＤＣマグネトロンスパッタ法
にて形成する。
又、磁性膜４を形成する時のスパッタ用ターゲットはＣ
ｏ−Ｎ１３゜合金を使用し、スパッタ放電ガスとしてＡ
ｒガスを用いた。この時のスパッタ圧力を５ｍＴｏｒｒ
にした。５は磁性膜４の上に形成された保護膜で、保護
膜５はＣｒ膜で形成されている。６は保護膜５の上に形
成された潤滑膜で、潤滑膜６はカーボ：）薄膜でできて
いる。この時Ａ１合金基板１は常温のままで、Ａ１合金
基板１の上に下地膜３及び磁性膜４を形成した。この様
に形成された本実施例における磁気記録媒体は下地膜に
Ｃｒ膜を用いた従来の磁気記録媒体と殆ど同じ磁気特性
を示す。
ｏ−Ｎ１３゜合金を使用し、スパッタ放電ガスとしてＡ
ｒガスを用いた。この時のスパッタ圧力を５ｍＴｏｒｒ
にした。５は磁性膜４の上に形成された保護膜で、保護
膜５はＣｒ膜で形成されている。６は保護膜５の上に形
成された潤滑膜で、潤滑膜６はカーボ：）薄膜でできて
いる。この時Ａ１合金基板１は常温のままで、Ａ１合金
基板１の上に下地膜３及び磁性膜４を形成した。この様
に形成された本実施例における磁気記録媒体は下地膜に
Ｃｒ膜を用いた従来の磁気記録媒体と殆ど同じ磁気特性
を示す。
第２図は、下地膜３である非磁性コバルト・ニッケル合
金窒化膜（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎ）を成膜する際に、Ｎ２ガス
の圧力Ｐと、磁性膜４であるＣ。
金窒化膜（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎ）を成膜する際に、Ｎ２ガス
の圧力Ｐと、磁性膜４であるＣ。
−Ｎ ｉ３θ合金薄膜の保磁力Ｈｅの関係を示すグラフ
である。下地膜３を成膜する時のＮλガス圧力Ｐが３〜
？ｍＴｏｒｒの時に、磁性膜４の保磁力Ｈｅが大きくな
っている。これは、下地膜３の結晶状態が、Ｎユガス圧
力３〜７ｍＴｏｒｒの時、基板面内方向に磁化容易軸を
配向させた最密六方構造となっていることを示している
。すなわち下地膜３の上に成膜される磁性膜４は、下地
膜３の結晶状態と同じ結晶状態で下地膜３の上に成長し
ていく。すなわち磁性膜４は下地膜三の上にエピタキシ
ー成長する。従って、基板面内方向に磁化容易軸を配向
させた最密六方構造の磁性膜４が得られる。
である。下地膜３を成膜する時のＮλガス圧力Ｐが３〜
？ｍＴｏｒｒの時に、磁性膜４の保磁力Ｈｅが大きくな
っている。これは、下地膜３の結晶状態が、Ｎユガス圧
力３〜７ｍＴｏｒｒの時、基板面内方向に磁化容易軸を
配向させた最密六方構造となっていることを示している
。すなわち下地膜３の上に成膜される磁性膜４は、下地
膜３の結晶状態と同じ結晶状態で下地膜３の上に成長し
ていく。すなわち磁性膜４は下地膜三の上にエピタキシ
ー成長する。従って、基板面内方向に磁化容易軸を配向
させた最密六方構造の磁性膜４が得られる。
また、第３図は下地膜３の膜厚に対する磁性膜４の保磁
力Ｈｅの関係を示すグラフである。第３図に示すように
、下地膜３の膜厚が５００〜１０００Ａの時に、保磁力
Ｈｅの大きい磁性膜が得られる。しかし、下地膜３は、
成膜する時の諸条件によって結晶状態が変化するため、
実際の磁気記録媒体を量産製造する時は、装置によって
条件の調整が必要である。本実施例における磁気記録媒
体の下地膜３の条件は以下の様にした。スパッタ用ター
ゲットと基板との距離は９０ｍｍ５スパツタリング方式
は直流方式、成膜速度は７００Ｘ／ｍｉｎ、基板温度は
２０℃とした。これらの諸条件はそれぞれの装置によっ
て異なるので使用する装置ごとに条件の調整が必要であ
る。
力Ｈｅの関係を示すグラフである。第３図に示すように
、下地膜３の膜厚が５００〜１０００Ａの時に、保磁力
Ｈｅの大きい磁性膜が得られる。しかし、下地膜３は、
成膜する時の諸条件によって結晶状態が変化するため、
実際の磁気記録媒体を量産製造する時は、装置によって
条件の調整が必要である。本実施例における磁気記録媒
体の下地膜３の条件は以下の様にした。スパッタ用ター
ゲットと基板との距離は９０ｍｍ５スパツタリング方式
は直流方式、成膜速度は７００Ｘ／ｍｉｎ、基板温度は
２０℃とした。これらの諸条件はそれぞれの装置によっ
て異なるので使用する装置ごとに条件の調整が必要であ
る。
以上の様に本実施例によれば、下地膜を酸化しにくいＣ
ｏ−Ｎ１５ｏをターゲットとしてＮ２ガス中で成膜した
事により、スパッタ時の真空の度合をあまり高くしなく
てもよいので、生産性を向上させる事ができる。また、
従来の様に基板を加熱しなくてもよいので、例えばアル
ミ板の上にＮｉ２膜を形成した基板を用いた場合、Ｎｉ
２膜が結晶化して磁化する事等を防止する事ができる。
ｏ−Ｎ１５ｏをターゲットとしてＮ２ガス中で成膜した
事により、スパッタ時の真空の度合をあまり高くしなく
てもよいので、生産性を向上させる事ができる。また、
従来の様に基板を加熱しなくてもよいので、例えばアル
ミ板の上にＮｉ２膜を形成した基板を用いた場合、Ｎｉ
２膜が結晶化して磁化する事等を防止する事ができる。
また、スパッタ用ターゲットとして安価なＣｏ−Ｎ１Ｊ
金を用いるのでコストダウンになる。尚、本発明の実施
例では非磁性基板としてＮ１−Ｐメツキを施したＡ１合
金基板を使用したが、その他にガラス基板、プラスチッ
ク基板、セラミックス基板等を使用しても同等の結果を
得た。
金を用いるのでコストダウンになる。尚、本発明の実施
例では非磁性基板としてＮ１−Ｐメツキを施したＡ１合
金基板を使用したが、その他にガラス基板、プラスチッ
ク基板、セラミックス基板等を使用しても同等の結果を
得た。
発明の効果
本発明は、非磁性基板上に非磁性コバルト系合金窒化膜
でできた下地膜を介して、コバルト系合金磁性薄膜でで
きた磁性膜を形成した事より、下地膜及び磁性膜を常温
で作成する事ができるので、従来の様に非磁性基板を加
熱する必要はなく、量産性を向上させる事ができる。ま
た、下地膜を酸素と親和力の弱いものにしたので、スパ
ッタ時の真空の度合をあまり高くする必要がなく、真空
引きする時間を短か（する事ができ、生産性を向上させ
る事ができる。また、下地膜を形成する時のスパッタ用
ターゲットはＣｏ−Ｎｉ合金であるので、従来の様なＣ
ｒターゲットに比べると安価であるので、コストダウン
をする事ができる。
でできた下地膜を介して、コバルト系合金磁性薄膜でで
きた磁性膜を形成した事より、下地膜及び磁性膜を常温
で作成する事ができるので、従来の様に非磁性基板を加
熱する必要はなく、量産性を向上させる事ができる。ま
た、下地膜を酸素と親和力の弱いものにしたので、スパ
ッタ時の真空の度合をあまり高くする必要がなく、真空
引きする時間を短か（する事ができ、生産性を向上させ
る事ができる。また、下地膜を形成する時のスパッタ用
ターゲットはＣｏ−Ｎｉ合金であるので、従来の様なＣ
ｒターゲットに比べると安価であるので、コストダウン
をする事ができる。
第１図は本発明の一実施例における磁気記録媒体を示す
部分断面図、第２図は下地膜を成膜する時のＮユガス圧
力Ｐと磁性膜の保磁力Ｈｅの関係を示すグラフ、第３図
は下地膜の膜厚に対する磁性膜の保磁力Ｈｅの関係を示
すグラフである。 １・・・・・・’Ａ Ｉ合金基板 ２・・・・・・ＮｉＰメツキ膜 ３・・・・・・下地膜 ４・・・・・・磁性膜 ５・・・・・・保護膜 ６・・・・・・潤滑膜 第１図 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第２図
部分断面図、第２図は下地膜を成膜する時のＮユガス圧
力Ｐと磁性膜の保磁力Ｈｅの関係を示すグラフ、第３図
は下地膜の膜厚に対する磁性膜の保磁力Ｈｅの関係を示
すグラフである。 １・・・・・・’Ａ Ｉ合金基板 ２・・・・・・ＮｉＰメツキ膜 ３・・・・・・下地膜 ４・・・・・・磁性膜 ５・・・・・・保護膜 ６・・・・・・潤滑膜 第１図 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第２図
Claims (2)
- （１）非磁性基板の上に非磁性コバルト系合金窒化膜で
できた下地膜を介してコバルト系合金磁性薄膜を形成し
た事を特徴とする磁気記録媒体。 - （２）非磁性コバルト系合金窒化膜が非磁性コバルト・
ニッケル合金窒化膜である特許請求の範囲第１項記載の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171203A JPH0221417A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171203A JPH0221417A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221417A true JPH0221417A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15918933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171203A Pending JPH0221417A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63171203A patent/JPH0221417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
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