JPH02215006A - 導電性粒子及びその製造方法 - Google Patents
導電性粒子及びその製造方法Info
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- JPH02215006A JPH02215006A JP1036753A JP3675389A JPH02215006A JP H02215006 A JPH02215006 A JP H02215006A JP 1036753 A JP1036753 A JP 1036753A JP 3675389 A JP3675389 A JP 3675389A JP H02215006 A JPH02215006 A JP H02215006A
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- conductive
- powder
- composite oxide
- conductive particles
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電極材料に用いる導電性粒子およびその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術
従来より、導電性粒子と樹脂と溶剤と微量のフリット、
場合によっては、金属酸化物および有機金属化合物とか
らなる導電性塗料が、各種部品の電極材料として広範に
使用されている。上記導電性粒子としては、銀、金、白
金、パラジウムなどの高価な貴金属が用いられており、
電極材料のコスト低減のため貴金属の使用量削減あるい
は卑金属材料への置換などの検討がなされている。
場合によっては、金属酸化物および有機金属化合物とか
らなる導電性塗料が、各種部品の電極材料として広範に
使用されている。上記導電性粒子としては、銀、金、白
金、パラジウムなどの高価な貴金属が用いられており、
電極材料のコスト低減のため貴金属の使用量削減あるい
は卑金属材料への置換などの検討がなされている。
そして、卑金属材料への全面置換に対して銅およびニッ
ケル、一部置換に対して銀−銅合金などが用いられてい
るが、いずれも空気中の焼き付けあるいは放置により、
酸化物が形成され導電性が低下するため、焼き付は雰囲
気の制御や電極表面のコーティングをしなければならず
、製造工程が複雑になるという問題がある。
ケル、一部置換に対して銀−銅合金などが用いられてい
るが、いずれも空気中の焼き付けあるいは放置により、
酸化物が形成され導電性が低下するため、焼き付は雰囲
気の制御や電極表面のコーティングをしなければならず
、製造工程が複雑になるという問題がある。
また、貴金属の使用量削減については、卑金属を基体物
質としてこれに貴金属を被覆する方法が試みられている
(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭60
−100679号公報)。このような貴金属被覆粉末を
用いた導電性塗料をセラミック材料に塗布し空気中で焼
き付けて電極を形成した場合、被覆された貴金属が連続
した状態で焼結されておらず、基体物質が露出し且つ酸
化物が生成されることにより導電性が低下してしまう。
質としてこれに貴金属を被覆する方法が試みられている
(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭60
−100679号公報)。このような貴金属被覆粉末を
用いた導電性塗料をセラミック材料に塗布し空気中で焼
き付けて電極を形成した場合、被覆された貴金属が連続
した状態で焼結されておらず、基体物質が露出し且つ酸
化物が生成されることにより導電性が低下してしまう。
これを防ぐためには貴金属の被覆厚みを厚くしなければ
ならず、コスト低減の効果は抑えられてしまう。また、
基体物質の露出を制御するために貴金属被覆の際のメッ
キ法の改良も行われている(例えば、特公昭61−22
028号公報)。
ならず、コスト低減の効果は抑えられてしまう。また、
基体物質の露出を制御するために貴金属被覆の際のメッ
キ法の改良も行われている(例えば、特公昭61−22
028号公報)。
しかしながら、卑金属粉末を基体物質としてこれに貴金
属を被覆した粉末に関しては、高温で焼き付ける際に基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑えることは基本
的にできないため、基体物質の露出を抑制するためには
どうしても被覆金属の厚みを厚くしなければならず、や
はり大幅なコスト低減は期待できない。また、基体物質
に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、
二酸化チタンあるいはチタン酸バリウムなどの酸化物を
用いることも検討されている(例えば、特公昭61−2
2029号公報、同48586号公報)。
属を被覆した粉末に関しては、高温で焼き付ける際に基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑えることは基本
的にできないため、基体物質の露出を抑制するためには
どうしても被覆金属の厚みを厚くしなければならず、や
はり大幅なコスト低減は期待できない。また、基体物質
に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、
二酸化チタンあるいはチタン酸バリウムなどの酸化物を
用いることも検討されている(例えば、特公昭61−2
2029号公報、同48586号公報)。
しかし、酸化物を用いた場合、卑金属と比べて貴金属層
への熱拡散は抑制されるが、上記酸化物はいずれも絶縁
体であるため、電極材料としての導電性を保持するため
には、やはり被覆厚みを厚くしなければならず、材料コ
ストの大幅な低減は困難である。
への熱拡散は抑制されるが、上記酸化物はいずれも絶縁
体であるため、電極材料としての導電性を保持するため
には、やはり被覆厚みを厚くしなければならず、材料コ
ストの大幅な低減は困難である。
発明が解決しようとする課題
上記した構成の、卑金属あるいは酸化物を基体物質とし
て貴金属被覆を施した導電性粒子については、高温での
焼き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低
下を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなけれ
ばならない。したがって、貴金属使用量が多くなり、導
電性粒子のコストを大幅に削減できない。また、高温焼
結をすることによる製造コストの増大という問題もある
。
て貴金属被覆を施した導電性粒子については、高温での
焼き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低
下を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなけれ
ばならない。したがって、貴金属使用量が多くなり、導
電性粒子のコストを大幅に削減できない。また、高温焼
結をすることによる製造コストの増大という問題もある
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、導電性
、熱的安定性に優れ、且つ低温による焼結が可能な導電
性粒子を安価に提供することを目的としている。
、熱的安定性に優れ、且つ低温による焼結が可能な導電
性粒子を安価に提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため本発1明の導電性粒子は、導電
性複合酸化物の粒子表面を、10〜6.0重量%のリン
あるいは0.1〜2.5重量%のホウ素を含む貴金属で
被覆するという構造を有したものである。
性複合酸化物の粒子表面を、10〜6.0重量%のリン
あるいは0.1〜2.5重量%のホウ素を含む貴金属で
被覆するという構造を有したものである。
ここで、導電性複合酸化物としては、特に1、a、−1
srxCoO,(o、1≦x≦o、a)、 Pr1.5
rxCoo3(0.2≦x≦0.8 )、 Nd1z8
rxCo05≦x≦0.7)。
srxCoO,(o、1≦x≦o、a)、 Pr1.5
rxCoo3(0.2≦x≦0.8 )、 Nd1z8
rxCo05≦x≦0.7)。
Lal zBaxCoo3(0.1≦I≦0゜5)、P
rl zBazcoQ。
rl zBazcoQ。
(0.2≦x≦0.6)のうちの1種あるいは2種以上
の回答系の組成を有するものあるいは、L!L2 zs
rxCuO4(Q、1≦x≦0.6 )、 La2 、
BaxCub4(0.01≦x≦0.6)のうちの1種
あるいは2種の回答系の組成を有するものさらにはYB
a2(ju507系、Bi Ca Sr Cu 20
!、S系の組成を有スルモノカ好ましい。
の回答系の組成を有するものあるいは、L!L2 zs
rxCuO4(Q、1≦x≦0.6 )、 La2 、
BaxCub4(0.01≦x≦0.6)のうちの1種
あるいは2種の回答系の組成を有するものさらにはYB
a2(ju507系、Bi Ca Sr Cu 20
!、S系の組成を有スルモノカ好ましい。
また、製造コストの低減を図るためには貴金属使用量を
削減する必要があるが、それに伴い焼き付けの際の基体
物質の熱拡散が激しくなるため、それを抑制するために
は、焼き付は温度の低下が望まれる。ここで、ガラスフ
リットを含む導電性塗料を焼き付ける際に、リンまたは
ホウ素がその焼結を促進させることが期待できる。そこ
で本発明は、被覆貴金属にリンまたはホウ素を含有させ
ることにより、焼結温度を低下させ、基体物質の熱拡散
を抑制し、貴金属使用量の削減を図るというものである
。
削減する必要があるが、それに伴い焼き付けの際の基体
物質の熱拡散が激しくなるため、それを抑制するために
は、焼き付は温度の低下が望まれる。ここで、ガラスフ
リットを含む導電性塗料を焼き付ける際に、リンまたは
ホウ素がその焼結を促進させることが期待できる。そこ
で本発明は、被覆貴金属にリンまたはホウ素を含有させ
ることにより、焼結温度を低下させ、基体物質の熱拡散
を抑制し、貴金属使用量の削減を図るというものである
。
作用
本発明は上記した構成により、基体物質が酸化物である
ため被覆貴金属層への拡散が抑制され、また被覆厚みを
薄くしても、低温での焼き付は処理が可能なため、基体
物質が粒子表面に露出するのを抑制することができる。
ため被覆貴金属層への拡散が抑制され、また被覆厚みを
薄くしても、低温での焼き付は処理が可能なため、基体
物質が粒子表面に露出するのを抑制することができる。
また、基体物質が導電性であるため、基体物質が露出し
た場合でも導電性の低下を抑えることができる。
た場合でも導電性の低下を抑えることができる。
そして、基体物質として複合酸化物としたのは、単一金
属元素を含む酸化物に比べて、導電性およびコストの点
で複合酸化物の方が優れているためである。特に、La
1 zsrxICo03 (o、1≦x≦o、s)。
属元素を含む酸化物に比べて、導電性およびコストの点
で複合酸化物の方が優れているためである。特に、La
1 zsrxICo03 (o、1≦x≦o、s)。
pr 1−x Sr z coo 5 (0.2≦x≦
o、a)jNbi −xSrxCoO3(0.5≦x≦
o、7 )、 La1 zBaxCod、(0.1≦x
≦o、s)。
o、a)jNbi −xSrxCoO3(0.5≦x≦
o、7 )、 La1 zBaxCod、(0.1≦x
≦o、s)。
Pr1 、BalCoO3(0.2≦x≦0.6)のう
ちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するもの
、あるいはLa2 zsrzcu04 (0.1≦x≦
o、s ) jLa2−xHaxCu04 (0.01
≦x≦o、s) +7)5?)+7)111tあるいは
2種の固溶系の組成を有するもの、さらにはYBa2C
u3O7系またはBiCaSrCu2O5.5rCu2
055系の組成を有するものは、いずれも導電性に優れ
ており、被覆貴金属厚みが薄くても高い導電性が得られ
るため、導電性粒子のコストを大幅に削減することが可
能である。
ちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するもの
、あるいはLa2 zsrzcu04 (0.1≦x≦
o、s ) jLa2−xHaxCu04 (0.01
≦x≦o、s) +7)5?)+7)111tあるいは
2種の固溶系の組成を有するもの、さらにはYBa2C
u3O7系またはBiCaSrCu2O5.5rCu2
055系の組成を有するものは、いずれも導電性に優れ
ており、被覆貴金属厚みが薄くても高い導電性が得られ
るため、導電性粒子のコストを大幅に削減することが可
能である。
また、基体物質への貴金属の被覆方法としては、電気メ
ッキ法、無電解メッキ法、熱分解法、−蒸着法などがあ
るが、装置規模および量産性の点で無電解メッキ法が最
も優れており、これによって貴金属被覆粉末を安価に作
成することが可能となる。
ッキ法、無電解メッキ法、熱分解法、−蒸着法などがあ
るが、装置規模および量産性の点で無電解メッキ法が最
も優れており、これによって貴金属被覆粉末を安価に作
成することが可能となる。
さらには、被覆貴金属中にリンまたはホウ素を含有する
ことによシ、ガラスフリットの焼結性を向上させ、焼結
温度を低下させることができる。
ことによシ、ガラスフリットの焼結性を向上させ、焼結
温度を低下させることができる。
これによって基体物質の露出が生じた場合でも、それの
セラミック部品への熱拡散をよシ少なくすることが可能
である。
セラミック部品への熱拡散をよシ少なくすることが可能
である。
実施例
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
(実施例1)
L&20s s Sr co31 CO50a を出発
に料トシテ、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900’Cで仮焼した。この仮焼
粉を粉砕後、1100℃で2時間焼成して、La O,
5Sr O,5Coo 5の組成を有する粉末を得た。
に料トシテ、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900’Cで仮焼した。この仮焼
粉を粉砕後、1100℃で2時間焼成して、La O,
5Sr O,5Coo 5の組成を有する粉末を得た。
そして、これを中性タイプのパラジウムイオンヲ含ム活
性化液に浸漬して活性化処理を行い、得られた粉末に以
下の3通シのメッキ処理を施した。(1)塩化パラジウ
ムをエチレンジアミンに溶かし、これにチオジグリコー
ル酸と次亜リン酸ナトリウムを加え、さらにpHを塩酸
により90に調整したパラジウムメッキ液に上記活性化
処理済の粉末を投入して撹拌し、パラジウムをメッキし
た後、デカンテーション法による水洗を行い、乾燥する
ことにより得られたパラジウム被覆粉末。したがって、
パラジウム中にリンを含有する。(2)塩化パラジウム
とエチレンジアミンと水酸化ナトリウムからなるメッキ
液にホウ水素化ナトリウムと上記活性化処理済の粉末を
投入して撹拌し、パラジウムをメッキした後、(1)と
同様に水洗及び乾燥することにより得られたパラジウム
被覆粉末。したがって、パラジウム中にホウ素を含有す
る。(3)塩化パラジウムとアンモニアと塩酸からなる
メッキ液にヒドラジンと上記活性化処理済の粉末を投入
して撹拌し、パラジウムをメッキした後、(1)と同様
に水洗及び乾燥することにより得られたパラジウム被覆
粉末。したがって、パラジウム中にリン、ホウ素共に含
有していない。以上、これら粉末のLao、5 Sr
O,50oos トハラ’) ’7 A 0TLIk
比ハ、スヘて80/20であった。
性化液に浸漬して活性化処理を行い、得られた粉末に以
下の3通シのメッキ処理を施した。(1)塩化パラジウ
ムをエチレンジアミンに溶かし、これにチオジグリコー
ル酸と次亜リン酸ナトリウムを加え、さらにpHを塩酸
により90に調整したパラジウムメッキ液に上記活性化
処理済の粉末を投入して撹拌し、パラジウムをメッキし
た後、デカンテーション法による水洗を行い、乾燥する
ことにより得られたパラジウム被覆粉末。したがって、
パラジウム中にリンを含有する。(2)塩化パラジウム
とエチレンジアミンと水酸化ナトリウムからなるメッキ
液にホウ水素化ナトリウムと上記活性化処理済の粉末を
投入して撹拌し、パラジウムをメッキした後、(1)と
同様に水洗及び乾燥することにより得られたパラジウム
被覆粉末。したがって、パラジウム中にホウ素を含有す
る。(3)塩化パラジウムとアンモニアと塩酸からなる
メッキ液にヒドラジンと上記活性化処理済の粉末を投入
して撹拌し、パラジウムをメッキした後、(1)と同様
に水洗及び乾燥することにより得られたパラジウム被覆
粉末。したがって、パラジウム中にリン、ホウ素共に含
有していない。以上、これら粉末のLao、5 Sr
O,50oos トハラ’) ’7 A 0TLIk
比ハ、スヘて80/20であった。
別途、マグネシウム拳ニオブ酸鉛(Pb(Mg%Nb%
)0.〕を主成分とする誘電体粉末1oo重量部、ポリ
ビニルブチラール樹脂8重量部、ジブチルフタレート4
重量部、トリクロルエタン40重量部、酢酸ブチル25
重量部を加えて、ボールミルで20時間混練した。こう
して得られた誘電体スラリーをリバースロール法にて4
0μmの厚みにシート成形した。次に、市販パラジウム
ペーストを上記誘電体シート上に所望のパターンに印刷
し、これを積層することにより、電極と誘電体とが交互
に積層された積層体を作製した後、所望の寸法に切断し
て1100’C12時間で焼成した。このようにして得
られた焼結体の電極が露出している側面に、それぞれの
方法で作成したパラジウム被覆粉末とガラスフリット、
エチルセルロース、テレピネオールとからなる電極ペー
ストを塗布し、760℃で焼き付けした。これにより得
られた積層チップコンデンサの静電容量値は、いずれも
誘電体の誘電率(ε=12,000)から計算された設
計値とよく一致しており、パラジウム被覆をしたLa
o、5 Sr o、5 Coo 5 を用いた電極の実
用性が確認された。
)0.〕を主成分とする誘電体粉末1oo重量部、ポリ
ビニルブチラール樹脂8重量部、ジブチルフタレート4
重量部、トリクロルエタン40重量部、酢酸ブチル25
重量部を加えて、ボールミルで20時間混練した。こう
して得られた誘電体スラリーをリバースロール法にて4
0μmの厚みにシート成形した。次に、市販パラジウム
ペーストを上記誘電体シート上に所望のパターンに印刷
し、これを積層することにより、電極と誘電体とが交互
に積層された積層体を作製した後、所望の寸法に切断し
て1100’C12時間で焼成した。このようにして得
られた焼結体の電極が露出している側面に、それぞれの
方法で作成したパラジウム被覆粉末とガラスフリット、
エチルセルロース、テレピネオールとからなる電極ペー
ストを塗布し、760℃で焼き付けした。これにより得
られた積層チップコンデンサの静電容量値は、いずれも
誘電体の誘電率(ε=12,000)から計算された設
計値とよく一致しており、パラジウム被覆をしたLa
o、5 Sr o、5 Coo 5 を用いた電極の実
用性が確認された。
次に、これらの積層チップコンデンサをプリント配線基
板に半田付し、外部電極固着力試験を行うと、上記被覆
粉末(1)の場合は1.2kg、被覆粉末(2)の場合
は11kgの力を加えても端子電極の剥離が生じなかっ
たが、被覆粉末(3)の場合はoakgの力を加えると
端子電極の剥離が生じた。さらK、上記被覆粉末(1)
、 (2)のメッキ浴について条件を色々変えて検討
した結果を下記のく表1〉〈表2〉に示す。
板に半田付し、外部電極固着力試験を行うと、上記被覆
粉末(1)の場合は1.2kg、被覆粉末(2)の場合
は11kgの力を加えても端子電極の剥離が生じなかっ
たが、被覆粉末(3)の場合はoakgの力を加えると
端子電極の剥離が生じた。さらK、上記被覆粉末(1)
、 (2)のメッキ浴について条件を色々変えて検討
した結果を下記のく表1〉〈表2〉に示す。
く表1〉
く表2〉
これらの結果は、被覆貴金属中にリンあるいはホウ素を
含有させたことにより、電極と誘電体との界面での焼結
が促進され、固着力が向上したことによると考えられ、
これにより、被覆貴金属中にリンあるいはホウ素を含む
導電性粒子の優位性が認められた。また、リンおよびホ
ウ素の含有量については、メッキ条件を種々検討した結
果、上記表中の範囲のものしか良好な結果を得ることが
できなかった。
含有させたことにより、電極と誘電体との界面での焼結
が促進され、固着力が向上したことによると考えられ、
これにより、被覆貴金属中にリンあるいはホウ素を含む
導電性粒子の優位性が認められた。また、リンおよびホ
ウ素の含有量については、メッキ条件を種々検討した結
果、上記表中の範囲のものしか良好な結果を得ることが
できなかった。
(実施例2)
La2 o、 I Pr6011 * Nd20S e
” ”3 jSr”3 #Co3O4を出発原料とし
て上記(実施例1)と同様の方法によシ、La1 zs
rxCo03 、Pr1−1srzco03゜Nd1
zsr、CoO3,La1 zBazcoo3.Prl
zBaxCoQ3の各組成系のXの異なる粉末を作成
した。これらの粉末を基体物質として、(実施例1)の
被覆粉末(1)と同様の方法によシメッキ処理を行い、
基体物質とパラジウムの重量比が75 / 25のパラ
ジウム被覆粉末を得た。
” ”3 jSr”3 #Co3O4を出発原料とし
て上記(実施例1)と同様の方法によシ、La1 zs
rxCo03 、Pr1−1srzco03゜Nd1
zsr、CoO3,La1 zBazcoo3.Prl
zBaxCoQ3の各組成系のXの異なる粉末を作成
した。これらの粉末を基体物質として、(実施例1)の
被覆粉末(1)と同様の方法によシメッキ処理を行い、
基体物質とパラジウムの重量比が75 / 25のパラ
ジウム被覆粉末を得た。
この粉末を用いて、同じく(実施例1)と同様の方法に
より導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に焼き付け
て電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・cmに単位
換算した結果を下記のく表3〉に示す。
より導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に焼き付け
て電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・cmに単位
換算した結果を下記のく表3〉に示す。
く表3〉の結果から、焼き付けられた厚膜の電気抵抗値
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって影響を受けることが解る。そして
、優れた導電性を得るためには基体物質の組成として、
La1 zsrICjo05(0.1≦x≦0.8 )
、 Prl zsrxOo03(0.2≦x≦0.8)
。
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって影響を受けることが解る。そして
、優れた導電性を得るためには基体物質の組成として、
La1 zsrICjo05(0.1≦x≦0.8 )
、 Prl zsrxOo03(0.2≦x≦0.8)
。
Nd1zsrxCoo、 ≦x≦0.7 )、 La1
zBaxCo05(0.1≦x≦0.6 )、 Pr
1 zBaxCoo3(0.2≦x≦0.5)が適して
いる。
zBaxCo05(0.1≦x≦0.6 )、 Pr
1 zBaxCoo3(0.2≦x≦0.5)が適して
いる。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基体物質として上
記と同様の方法でパラジウムメッキ、ペースト化および
焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定
した結果、下記のく表4〉に示すように優れた導電性を
確認した。
記と同様の方法でパラジウムメッキ、ペースト化および
焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定
した結果、下記のく表4〉に示すように優れた導電性を
確認した。
(以 下金 白)
〈表4〉
(実施例3)
La20.、5r(j03. BaO05,CuOを出
発原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で
12時間混合し、乾燥後900℃で12時間焼成した後
、600’Cの酸素中で熱処理してLa2−1srzc
uo4゜La2 zBazcu04 のXを種々に変え
た組成を有する粉末を得た。
発原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で
12時間混合し、乾燥後900℃で12時間焼成した後
、600’Cの酸素中で熱処理してLa2−1srzc
uo4゜La2 zBazcu04 のXを種々に変え
た組成を有する粉末を得た。
そして、塩化第一スズを含む活性化液に上記粉末を浸漬
して活性化処理を行い、別途シアノ銀ナトリウムとシア
ン化ナトリウムとホウ水素化ナトリウムを純水に溶解し
、水酸化ナトリウムによりpHを13.0に調整し、銀
メッキ浴を作製した。
して活性化処理を行い、別途シアノ銀ナトリウムとシア
ン化ナトリウムとホウ水素化ナトリウムを純水に溶解し
、水酸化ナトリウムによりpHを13.0に調整し、銀
メッキ浴を作製した。
このメッキ浴に先の活性化処理済の粉末を投入し、撹拌
することによって粉末表面に銀をメッキした。
することによって粉末表面に銀をメッキした。
このメッキ処理後、デカンチーシラン法による水洗を行
い、乾燥して銀被覆粉末を得た。このようにして得られ
た粉末の基体物質と銀の重量比はa o / 20であ
った。
い、乾燥して銀被覆粉末を得た。このようにして得られ
た粉末の基体物質と銀の重量比はa o / 20であ
った。
上記銀粉末を用いて、実施例1と同様の方法により導体
ペーストを作成し、アルばす基板上に850℃の温度で
焼き付け、電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・c
mに単位換算した結果を下記のく表6〉に示す。
ペーストを作成し、アルばす基板上に850℃の温度で
焼き付け、電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・c
mに単位換算した結果を下記のく表6〉に示す。
(以 下 余 白)
く表6〉の結果から、優れた導電性を得るためには、基
体物質の組成として、La2 zsrxOu04(0.
1≦x≦0.5 ) 、 LIL2−1BaICub4
(0.01≦x≦0.6)が適していることが解る。
体物質の組成として、La2 zsrxOu04(0.
1≦x≦0.5 ) 、 LIL2−1BaICub4
(0.01≦x≦0.6)が適していることが解る。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基体物質として、
上記と同様の方法で銀メッキ、ペースト化および焼き付
は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した結
果、下記のく表6〉に示すように、優れた導電性を確認
した。
上記と同様の方法で銀メッキ、ペースト化および焼き付
は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した結
果、下記のく表6〉に示すように、優れた導電性を確認
した。
〈表6〉
(実施例4)
Y2O2,BaCO3,Cub、 Bi2O3,CaC
O3,F3rO05を出発原料として、各々の必要量を
秤量し、エタノール中で12時間混合し、乾燥後850
’Cで12時間焼成した後、6oo℃の酸素中で熱処理
して、YBa2Cu2O7およびBiCaSrCu2O
5.5rCu205.s の組成を有する粉末を得た
。
O3,F3rO05を出発原料として、各々の必要量を
秤量し、エタノール中で12時間混合し、乾燥後850
’Cで12時間焼成した後、6oo℃の酸素中で熱処理
して、YBa2Cu2O7およびBiCaSrCu2O
5.5rCu205.s の組成を有する粉末を得た
。
そして、中性タイプのパラジウムイオンを含む活性化液
に上記粉末を投入し活性化処理を行い、別途シアン金(
1)カリウムとシアン化カリウムと水素化カリウムから
なるメッキ液を作成し、このメッキ液にホウ水素化ナト
リウムと活性化処理済の粉末を投入し、撹拌することに
よって粉体表面に金をメッキした。このメッキ処理後デ
カンテーション法による水洗を行い、乾燥して金被覆粉
末を得た。このようにして得られた粉末の基体物質と金
との重量比は76/25であった。
に上記粉末を投入し活性化処理を行い、別途シアン金(
1)カリウムとシアン化カリウムと水素化カリウムから
なるメッキ液を作成し、このメッキ液にホウ水素化ナト
リウムと活性化処理済の粉末を投入し、撹拌することに
よって粉体表面に金をメッキした。このメッキ処理後デ
カンテーション法による水洗を行い、乾燥して金被覆粉
末を得た。このようにして得られた粉末の基体物質と金
との重量比は76/25であった。
上記金被覆粉末を用いて、(実施例1)と同様の方法に
より導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に850’
Cで焼き付け、電気抵抗値を測定した。ここで、基体物
質がYBa2Cu2O7の場合の電気抵抗値は6×10
Ω番cm、 BiCaSrCu2O5.5rCu20
!L5の場合は8×10 Ω・CIl+であり、優れた
導電性を確認した。
より導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に850’
Cで焼き付け、電気抵抗値を測定した。ここで、基体物
質がYBa2Cu2O7の場合の電気抵抗値は6×10
Ω番cm、 BiCaSrCu2O5.5rCu20
!L5の場合は8×10 Ω・CIl+であり、優れた
導電性を確認した。
本実施例以外にも、貴金属被覆をした導電性複合酸化物
粒子がチップ抵抗、チップインダクタ、バリスタ、圧電
素子、さらにはセラミック多層配線基板などの電極とし
ての実用性があることはいうまでもない。
粒子がチップ抵抗、チップインダクタ、バリスタ、圧電
素子、さらにはセラミック多層配線基板などの電極とし
ての実用性があることはいうまでもない。
本発明が対象とする複合酸化物は、いずれも通常は酸素
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気的特性を制御するために、主成分元素以外の
金属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加しても
よい。さらに、上記実施例で用いた複合酸化物粉末は、
01〜S、O8型の範囲の粒子径を有していたが、粒子
径および粒子形状については特に規定されることはない
。
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気的特性を制御するために、主成分元素以外の
金属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加しても
よい。さらに、上記実施例で用いた複合酸化物粉末は、
01〜S、O8型の範囲の粒子径を有していたが、粒子
径および粒子形状については特に規定されることはない
。
一方、被覆貴金属として上記実施例に加えて、無電解メ
ッキが可能な白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム
、およびこれらの合金などを用いることができる。また
、貴金属被覆に際して上記2種以上の貴金属を多層被覆
することも可能であるO 発明の効果 以上のように本発明は、導電性複合酸化物の粒子表面を
、1.o〜e、o重量係のリンあるいは0.1〜2.6
重量%のホウ素を含む貴金属で被覆した構成の酸化物で
あシ、さらに貴金属被覆の方法として無電解メッキ法を
用いるものである。よって、本発明は導電性に優れ、且
つ熱的、化学的安定性に優れた導電性粒子を安価に製造
せしめることができ、実用上の価値は非常に大きいもの
である。
ッキが可能な白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム
、およびこれらの合金などを用いることができる。また
、貴金属被覆に際して上記2種以上の貴金属を多層被覆
することも可能であるO 発明の効果 以上のように本発明は、導電性複合酸化物の粒子表面を
、1.o〜e、o重量係のリンあるいは0.1〜2.6
重量%のホウ素を含む貴金属で被覆した構成の酸化物で
あシ、さらに貴金属被覆の方法として無電解メッキ法を
用いるものである。よって、本発明は導電性に優れ、且
つ熱的、化学的安定性に優れた導電性粒子を安価に製造
せしめることができ、実用上の価値は非常に大きいもの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)導電性複合酸化物の粒子表面を、1.0〜6.0
重量%のリンあるいは0.1〜2.5重量%のホウ素を
含む貴金属で被覆したことを特徴とする導電性粒子。 (2)導電性複合酸化物が、La_1_−_xSr_x
CoO_3(0.1≦x≦0.8),Pr_1_−_x
Sr_xCoO_3(0.2≦x≦0.8),Nd_1
_−_xSr_xCoO_3(0.3≦x≦0.7),
La_1_−_xBa_xCoO_3(0.1≦x≦0
.5),Pr_1_−_xBa_xCoO_3(0.2
≦x≦0.5)のうちの1種あるいは2種以上の固溶系
の組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電性
粒子。 (3)導電性複合酸化物が、La_2_−_xSr_x
CuO_4(0.1≦x≦0.8),La_2_−_x
BaCuO_4(0.01≦x≦0.5)のうちの1種
あるいは2種の固溶系の組成を有することを特徴とする
請求項1記載の導電性粒子。 (4)導電性複合酸化物が、YBa_2Cu_3O_7
系の組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電
性粒子。 (6)導電性複合酸化物が、BiCaSrCu_2O_
5_._5系の組成を有することを特徴とする請求項1
記載の導電性粒子。 (6)導電性複合酸化物の粒子表面を、メッキ液にリン
あるいはホウ素を含む無電解メッキ法により、貴金属で
被覆することを特徴とする導電性粒子の製造方法。 (7)請求項1記載の導電性粒子を用いたことを特徴と
する電子部品用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036753A JPH02215006A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036753A JPH02215006A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215006A true JPH02215006A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12478498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036753A Pending JPH02215006A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215006A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719802B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-18 | 제일모직주식회사 | 이방 전도 접속용 고신뢰성 전도성 미립자 |
| JP2009286664A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粒子粉末及びその製造方法 |
| CN110444413A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-11-12 | 青岛科技大学 | 一种基于金属-有机框架物的双金属纳米氢氧化物与氧化物复合物及其超级电容器应用 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036753A patent/JPH02215006A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719802B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-18 | 제일모직주식회사 | 이방 전도 접속용 고신뢰성 전도성 미립자 |
| WO2007074962A1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Cheil Industries Inc. | Conductive particles for anisotropic conductive interconnection |
| JP2009286664A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粒子粉末及びその製造方法 |
| CN110444413A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-11-12 | 青岛科技大学 | 一种基于金属-有机框架物的双金属纳米氢氧化物与氧化物复合物及其超级电容器应用 |
| CN110444413B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-12-03 | 青岛科技大学 | 一种双金属纳米氢氧化物与氧化物复合物的制备方法 |
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