JPH02217479A - 導電性粒子の製造方法 - Google Patents
導電性粒子の製造方法Info
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- JPH02217479A JPH02217479A JP1036751A JP3675189A JPH02217479A JP H02217479 A JPH02217479 A JP H02217479A JP 1036751 A JP1036751 A JP 1036751A JP 3675189 A JP3675189 A JP 3675189A JP H02217479 A JPH02217479 A JP H02217479A
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- Japan
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- conductive
- conductive particles
- powder
- noble metal
- grains
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電極材料に用いる導電性粒子の製造方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来より、導電性粒子、樹脂と溶剤、場合によっては微
量のフリット、金属酸化物及び有機金属酸化物とからな
る導電性塗料が各種部品の電極材料として広範囲に使用
されている。上記導電性粒子としては、金、銀、白金、
パラジウム等の高価な貴会1が用いられてお)、電極材
料のコスト低減のため、貴金属の使用量削減あるいは卑
金属材料への置換などの検討がなされている。
量のフリット、金属酸化物及び有機金属酸化物とからな
る導電性塗料が各種部品の電極材料として広範囲に使用
されている。上記導電性粒子としては、金、銀、白金、
パラジウム等の高価な貴会1が用いられてお)、電極材
料のコスト低減のため、貴金属の使用量削減あるいは卑
金属材料への置換などの検討がなされている。
ここで、卑金嘱材料への全面置換に対して銅及びニッケ
ル、一部置換に対して銀−鋼合金等が用いられているが
、いずれも空気中焼き付け、あるいは放置によシ酸化物
が形成され、導電性が低下するため、焼き付は雰囲気の
制御や電極表面のコーティングをしなければならず、製
造工程が複雑になるという問題がある。
ル、一部置換に対して銀−鋼合金等が用いられているが
、いずれも空気中焼き付け、あるいは放置によシ酸化物
が形成され、導電性が低下するため、焼き付は雰囲気の
制御や電極表面のコーティングをしなければならず、製
造工程が複雑になるという問題がある。
また、貴金属の使用量削減については卑金属粉末を基体
物質としてこれに貴金属を被覆する方法が試みられてい
る。(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭
60−100679号公報) このような貴会4被覆粉末を用いた導電性塗料をセラミ
ック材料に塗布し、空気中で焼き付けて電極を形成した
場合、被覆された貴金属が連続した状態で焼結されてお
らず、基体物質が露出し、かつ酸化物が生成されること
によシ、導電性が低下してしまう。これを防ぐためには
、貴金属の被覆厚みを厚くしなければならず、コスト削
減の効果は抑えられてしまう。また、基体物質の露出を
抑制するためて貴会I!彼覆の際のメッキ法の改良も行
われている(例えば、特公昭61−22028号公報)
。
物質としてこれに貴金属を被覆する方法が試みられてい
る。(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭
60−100679号公報) このような貴会4被覆粉末を用いた導電性塗料をセラミ
ック材料に塗布し、空気中で焼き付けて電極を形成した
場合、被覆された貴金属が連続した状態で焼結されてお
らず、基体物質が露出し、かつ酸化物が生成されること
によシ、導電性が低下してしまう。これを防ぐためには
、貴金属の被覆厚みを厚くしなければならず、コスト削
減の効果は抑えられてしまう。また、基体物質の露出を
抑制するためて貴会I!彼覆の際のメッキ法の改良も行
われている(例えば、特公昭61−22028号公報)
。
しかしながら、卑金属粉末を基体物質としてこれに貴金
属を被覆した粉末に関しては高温で焼き付ける際K、基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑制することは基
本的にできないため、基体物質の露出を抑制するKはど
うしても被覆貴金属の厚みを厚くしなければならず、や
はり大幅なコスト削減は期待できない。
属を被覆した粉末に関しては高温で焼き付ける際K、基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑制することは基
本的にできないため、基体物質の露出を抑制するKはど
うしても被覆貴金属の厚みを厚くしなければならず、や
はり大幅なコスト削減は期待できない。
また、基体物質に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸f
ヒパナジウム、酸化ジルコニウムあるいはチタン酸バリ
ウムなどの暖化物を用いることも検討されている。(例
えば、特公昭61−22029号公報、aasae号公
報) しかし、酸化物を用いた場合、卑金属と比べて貴金属層
への熱拡散は抑制されるが、上記酸化物はいずれも絶縁
体であるため、電極材料としての導電性を保持するには
、やはシ被覆厚みを厚くしなければならず、材料コスト
の大幅な低減は困難である。また、得られた電極の比抵
抗は基体が絶縁物であることから高くなシ、高周波特性
を必要とする電子部品の電極材料としては利用できない
。
ヒパナジウム、酸化ジルコニウムあるいはチタン酸バリ
ウムなどの暖化物を用いることも検討されている。(例
えば、特公昭61−22029号公報、aasae号公
報) しかし、酸化物を用いた場合、卑金属と比べて貴金属層
への熱拡散は抑制されるが、上記酸化物はいずれも絶縁
体であるため、電極材料としての導電性を保持するには
、やはシ被覆厚みを厚くしなければならず、材料コスト
の大幅な低減は困難である。また、得られた電極の比抵
抗は基体が絶縁物であることから高くなシ、高周波特性
を必要とする電子部品の電極材料としては利用できない
。
発明が解決しようとする課題
上記した構成の卑金属あるいは酸化物を基体物質として
貴会鷹被覆を施した導電性粒子につ−ては、高温での焼
き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低下
を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなければ
ならず、従って貴金属使用量が多くなシ、導電性粒子の
コストを大幅に削減できないという問題がある。
貴会鷹被覆を施した導電性粒子につ−ては、高温での焼
き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低下
を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなければ
ならず、従って貴金属使用量が多くなシ、導電性粒子の
コストを大幅に削減できないという問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、導電性に優
れ、かつ熱的安定性にも優れた導電性粒子を安両に提供
することを目的としている。
れ、かつ熱的安定性にも優れた導電性粒子を安両に提供
することを目的としている。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために1本発明の導電性粒子の製造
方法は、導電性複合酸化物の粒子表面を活性化処理する
ことなく、直接無電解メッキ液中にて貴会4被覆すると
いう構成を備えたものである。
方法は、導電性複合酸化物の粒子表面を活性化処理する
ことなく、直接無電解メッキ液中にて貴会4被覆すると
いう構成を備えたものである。
ここで、導電性複合酸化物としては、特にLa、−,5
rxCoo、(0.1≦X≦o、s ) 、 pr、−
xsrxcoo。
rxCoo、(0.1≦X≦o、s ) 、 pr、−
xsrxcoo。
(0.2≦X≦0.8 ) 、 N(1,−xSrxC
od、(Oβ≦X≦α7)。
od、(Oβ≦X≦α7)。
La、−XBaXCoO、(0.1≦X≦o、s)。
Pr、−XBaXCoO、 (02≦X≦05)のうち
の1種あるいは2種以上の組成を有するもの、あるいは
La、xSrxCub4(o、 1≦X≦o、s)。
の1種あるいは2種以上の組成を有するもの、あるいは
La、xSrxCub4(o、 1≦X≦o、s)。
La、xBaxCuO4(o、o 1≦X≦0.6)の
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、さらにはYBa2Cu、O,系、 BiCaSrC
u2O5.5rCu20.5系の組成を有するものが好
ましい。
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、さらにはYBa2Cu、O,系、 BiCaSrC
u2O5.5rCu20.5系の組成を有するものが好
ましい。
作用
本発明は上記した構成により、基体物質が導電性酸化物
であるため、被覆貴金属層への拡散が抑制されるととも
に、自己活性の性質があることから、無電解メッキにお
ける活性化処理をなくすことによって工程の簡略化がで
きる。この特徴により、被覆厚みを非常に薄くすること
と工程コストの低減ができるので、コストを大幅に削減
できる。
であるため、被覆貴金属層への拡散が抑制されるととも
に、自己活性の性質があることから、無電解メッキにお
ける活性化処理をなくすことによって工程の簡略化がで
きる。この特徴により、被覆厚みを非常に薄くすること
と工程コストの低減ができるので、コストを大幅に削減
できる。
また、被覆された貴金属層による化学的安定性からくる
特徴として、誘電体材料・磁性材料等のセラミック材料
と高温での焼き付は処理によって基体物質がセラミック
材料と反応し、セラミック材料の誘電特性あるいは磁気
特性を劣化させ、電極としての導電性も劣化することを
抑制することができる。
特徴として、誘電体材料・磁性材料等のセラミック材料
と高温での焼き付は処理によって基体物質がセラミック
材料と反応し、セラミック材料の誘電特性あるいは磁気
特性を劣化させ、電極としての導電性も劣化することを
抑制することができる。
また、基体物質として複合酸化物としたのは、単一金属
元素を含む酸化物に比べて、導電性及びコストの点で複
合酸化物の方が優れているためである。
元素を含む酸化物に比べて、導電性及びコストの点で複
合酸化物の方が優れているためである。
特に、LIL、−xSrx Coo、(o、1≦X≦O
,B ) 。
,B ) 。
Pr、、5rxCoo、 (0.2≦X≦o、a )
。
。
Nd、xSrxCoo、 (0.3Thx≦0.7
) 。
) 。
La、XBaXCoO、 (0.16X l−0.5
)。
)。
Pr、−XBaXCoO、 (0.2≦X≦0.6)
のうちの1種あるいは2種以上の組成を有するもの、あ
るいはLa、、5rxCub4(0.1≦X≦0.5
) 。
のうちの1種あるいは2種以上の組成を有するもの、あ
るいはLa、、5rxCub4(0.1≦X≦0.5
) 。
La2−xBaxCub4(0.01≦X≦0.6)の
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、さらにはYBa2Cu3O7系、 BiCaSrC
u2O5.5rCu20 s、s系の組成を有するもの
はいずれも導電性に優れておシ、被覆貴会属厚みが薄く
ても高い導電性が得られるため、導電性粒子のコストを
大幅に削減することが可能である。
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、さらにはYBa2Cu3O7系、 BiCaSrC
u2O5.5rCu20 s、s系の組成を有するもの
はいずれも導電性に優れておシ、被覆貴会属厚みが薄く
ても高い導電性が得られるため、導電性粒子のコストを
大幅に削減することが可能である。
また、被覆可能な貴金属としては、金、銀、パラジウム
、白金20ジウム、/1/テニウム、あるいはこれらの
合金などを挙げることができる。また。
、白金20ジウム、/1/テニウム、あるいはこれらの
合金などを挙げることができる。また。
貴金属被覆に際して上記2種以上の貴金属を多層被覆す
ることも可能である。
ることも可能である。
実施例
以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
(実施例1)
La O、5rCO,、Go、04 を出発原料とし
て。
て。
各々の必要量を秤量し、エタノール中で12時間混合し
、乾燥後900 ”Cで仮焼した。この仮焼粉を粉砕後
、1100”Cで2時間焼成して。
、乾燥後900 ”Cで仮焼した。この仮焼粉を粉砕後
、1100”Cで2時間焼成して。
La、Sr[L5CjoO,の組成を有する粉末を得た
。
。
一方、メッキ液として塩化パラジウムを濃アンモニア水
Kmかし、これに塩酸を加えてPHを8.5に調整した
パラジウムメッキ液を準備した。
Kmかし、これに塩酸を加えてPHを8.5に調整した
パラジウムメッキ液を準備した。
このパラジウムメッキ液に上記La(L5Sr、5Co
o。
o。
の組成を有する粉末をマグネチックスターラーにて分散
しながら投入した。次に、還元剤としてのヒドラジンを
加え、攪拌することによって粉末表面にパラジウムメッ
キを行った。そして、メッキ処理後、デカンテーシ胃ン
法による水洗を行い。
しながら投入した。次に、還元剤としてのヒドラジンを
加え、攪拌することによって粉末表面にパラジウムメッ
キを行った。そして、メッキ処理後、デカンテーシ胃ン
法による水洗を行い。
乾燥してパラジウム被覆粉末を得た。このようにして得
られた粉末のLIL、5Sr、5G00.とパラジウム
メッキ皮膜との重量比は下記の表1に示す通りであった
。上記パラジウム被覆粉末100重世部。
られた粉末のLIL、5Sr、5G00.とパラジウム
メッキ皮膜との重量比は下記の表1に示す通りであった
。上記パラジウム被覆粉末100重世部。
ガラスフリット6重量部、エチルセルローズ2重量部、
α−テレビノール10重量部からなる混合物を3本ロー
ルにて混練し、電極ペーストとした。
α−テレビノール10重量部からなる混合物を3本ロー
ルにて混練し、電極ペーストとした。
この電極ペーストをアルミナ基板上にスクリーン印刷後
、1000’Cで10分間の焼き付は処理を行った。こ
うして焼き付けられた厚膜の電気抵抗値は表1に示す通
シであり、優れた導電性を示した。一方、LIL15S
r[L5CoO3にパラジウム被覆をしない粉末をm−
て上記条件にて電極ペーストとして評価した。
、1000’Cで10分間の焼き付は処理を行った。こ
うして焼き付けられた厚膜の電気抵抗値は表1に示す通
シであり、優れた導電性を示した。一方、LIL15S
r[L5CoO3にパラジウム被覆をしない粉末をm−
て上記条件にて電極ペーストとして評価した。
これらの結果より、La、5Sr、5Coo、 のみ
にて電極として利用する場合には1反応の安定性という
点において充分な焼結時における安定性を有していない
ことが解る。従って、パラジウム被覆をすることによっ
て粉末の導電性を高めるとともに、基体物質と基板材料
であるアルミナ基板との反応が抑制されるという2つの
効果が相まって、アルミナ基板上に導電性に優れだ厚膜
が形成される。
にて電極として利用する場合には1反応の安定性という
点において充分な焼結時における安定性を有していない
ことが解る。従って、パラジウム被覆をすることによっ
て粉末の導電性を高めるとともに、基体物質と基板材料
であるアルミナ基板との反応が抑制されるという2つの
効果が相まって、アルミナ基板上に導電性に優れだ厚膜
が形成される。
(実施例2)
La20. 、 PF60.、 、 Nd2O,、B
aC0.、5r00. 。
aC0.、5r00. 。
Cjo、04 を出発原料として、実施例1と同様の
方法によ)、La、−xSrxCoo、 、 Pr、
−xSrxCoo、 。
方法によ)、La、−xSrxCoo、 、 Pr、
−xSrxCoo、 。
Ha、xSrICoo、 、 La、−XBaXCo
O、 。
O、 。
Pr、、Ba!OoO,の各組成系のXの異なる粉末を
作成した。これらの粉末を基本物質として、実施例1と
同様の方法によシメッキ処理を行い、基体物質とパラジ
ウムの重量比が1o/1のパラジウム被覆粉末を得た。
作成した。これらの粉末を基本物質として、実施例1と
同様の方法によシメッキ処理を行い、基体物質とパラジ
ウムの重量比が1o/1のパラジウム被覆粉末を得た。
この粉末を用いて、同じ〈実施例1と同様の方法によ多
導体ペーストを作成し、アルミナ基板上に焼き付けて電
気抵抗値を測定した。測定値を01に単位換算した結果
を下記の〔表2〕に示す。
導体ペーストを作成し、アルミナ基板上に焼き付けて電
気抵抗値を測定した。測定値を01に単位換算した結果
を下記の〔表2〕に示す。
(以下余 白)
〔表2〕の結果から、焼き付けられた厚膜の電気抵抗値
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって決められることが解る。ここで、
パラジウムはセラミック材料との反応を防止する役割を
果たすものである。
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって決められることが解る。ここで、
パラジウムはセラミック材料との反応を防止する役割を
果たすものである。
そして、優れた導電性を得るだめには基体物質の組成と
して、La、−,5rxCod3(o、1≦X≦O,s
)。
して、La、−,5rxCod3(o、1≦X≦O,s
)。
Pr、−xsrxcoo、 (0.2≦X≦0.8 )
。
。
N(1,−,5rxCoo、 (0.3≦X≦0.7
) 。
) 。
Laf−xBILxCO03(α1≦X≦o、s )
。
。
Pr、−xBaxCod、 (0.2≦X≦0.6)が
適している。
適している。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基体物質として上
記と同様の方法でメッキ処理にてパラジウム被覆し、ペ
ースト化および焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電
気抵抗値を測定した結果。
記と同様の方法でメッキ処理にてパラジウム被覆し、ペ
ースト化および焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電
気抵抗値を測定した結果。
下記の〔表3〕に示すように優れた導電性を確認した。
〔表 3〕
(実施例3)
La20. 、5rCO,、BaC0.、CuOを出発
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後、9oO℃で2時間焼成した後、
aoo℃の酸素中で熱処理して La、xSrxOur4. La2−xBaxCub4
のXを種4に変えた組成を有する粉末を得た。この粉末
を別途塩化白金とアンモニア水と塩酸からなるメッキ液
にヒドラジンと一緒に投入し、攪拌することによって粉
末表面に白金をメッキした。そして、メッキ処理後デカ
ンチーシロン法による水洗を行い、乾燥して白金被覆粉
末を得た。こうして得られた粉末の基体物質と白金との
重量比は7 o/30であった。L記白金メッキ被覆粉
末を用いて、実施例1と同様の方法により導体ペースト
を作成し。
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後、9oO℃で2時間焼成した後、
aoo℃の酸素中で熱処理して La、xSrxOur4. La2−xBaxCub4
のXを種4に変えた組成を有する粉末を得た。この粉末
を別途塩化白金とアンモニア水と塩酸からなるメッキ液
にヒドラジンと一緒に投入し、攪拌することによって粉
末表面に白金をメッキした。そして、メッキ処理後デカ
ンチーシロン法による水洗を行い、乾燥して白金被覆粉
末を得た。こうして得られた粉末の基体物質と白金との
重量比は7 o/30であった。L記白金メッキ被覆粉
末を用いて、実施例1と同様の方法により導体ペースト
を作成し。
アルミナ基板上にeoo’Cの温度で焼き付け、電気抵
抗値を測定した。この測定値をΩ・1に単位換算した結
果を下記の〔表4〕に示す。
抗値を測定した。この測定値をΩ・1に単位換算した結
果を下記の〔表4〕に示す。
(以下余 白)
〔表4〕の結果から、優れた導電性を得るためには、基
体物質の組成として、 LIL、−xSrxCuO。
体物質の組成として、 LIL、−xSrxCuO。
(0.1≦X≦o、s ) 、 La2−xBaxCu
O4(Q01≦X≦06)が適していることが解る。
O4(Q01≦X≦06)が適していることが解る。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基本物質として上
記と同様の方法で白金メッキ、ペースト化及び焼き付は
処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した結果
、下記の〔表6〕に示すように優れた導電性を確認した
。
記と同様の方法で白金メッキ、ペースト化及び焼き付は
処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した結果
、下記の〔表6〕に示すように優れた導電性を確認した
。
〔表5〕
(実施例4)
T O、BaC0、CuO、Bi2’s 、O&CjO
s 。
s 。
SrCO,を出発原料として、各々の必要量を秤量し、
エタノール中で12時間混合し、乾燥後。
エタノール中で12時間混合し、乾燥後。
sso”cで2時間焼成した後、600℃の酸素中で熱
処理して、よりaffiCu、O,及び81Ca8rC
u20a5の組成を有する粉末を得た。一方、シアン化
金とIEDTム(エチレンジアミンテトラアセテート)
の4N液と塩酸からなるメッキ液を作成し、このメッキ
液に上記粉末とアスコルビン酸ナトリウムとを同時に投
入し、攪拌することによって粉末表面に金メッキを付着
させた。こうして得られた粉末の基体物質と金の重量比
は60 / 40であった。
処理して、よりaffiCu、O,及び81Ca8rC
u20a5の組成を有する粉末を得た。一方、シアン化
金とIEDTム(エチレンジアミンテトラアセテート)
の4N液と塩酸からなるメッキ液を作成し、このメッキ
液に上記粉末とアスコルビン酸ナトリウムとを同時に投
入し、攪拌することによって粉末表面に金メッキを付着
させた。こうして得られた粉末の基体物質と金の重量比
は60 / 40であった。
上記金被覆粉末を用いて、実施例1と同様の方法″−よ
り、導体ペーストを作成し、アルミナ基板上二850’
Cの温度で焼き付け、電気抵抗値を測定、た。その結果
、基本物質がYBa、Cu、O,の場合電気抵抗値は8
X 10−’Ω・1.1casrcu20cL5
の場合は8X10−’Ω・1であり、優れた導電性を確
認した。
り、導体ペーストを作成し、アルミナ基板上二850’
Cの温度で焼き付け、電気抵抗値を測定、た。その結果
、基本物質がYBa、Cu、O,の場合電気抵抗値は8
X 10−’Ω・1.1casrcu20cL5
の場合は8X10−’Ω・1であり、優れた導電性を確
認した。
(実施例6)
マグネシウム・ニオブ酸鉛(P b (M g 1/3
Nb2A)03 )を主成分とする誘電体粉末100
重量部、ポリビニルブチラー/I/樹脂8重量部、ジブ
チルフタレート4重置部、トリクロルエタン40重量部
、酢酸ブチル26重量部を加えて、ボールミル した。こうして得られた誘電体スラリーをリバースロー
μ法にて40μmの厚みにシート成形した。
Nb2A)03 )を主成分とする誘電体粉末100
重量部、ポリビニルブチラー/I/樹脂8重量部、ジブ
チルフタレート4重置部、トリクロルエタン40重量部
、酢酸ブチル26重量部を加えて、ボールミル した。こうして得られた誘電体スラリーをリバースロー
μ法にて40μmの厚みにシート成形した。
次に,実施例1と同様の方法によシLa,5Sr,5C
oo。
oo。
粒子表面をパラジウムで被覆した粉末( Laas,k
r,scOOsとパラジウムの重量比:so/so)を
作成し。
r,scOOsとパラジウムの重量比:so/so)を
作成し。
これにエチルセルロースとα−テレピノールヲ加えて三
本ロールで混練して電極ペーストを作成した。この電極
ペーストを上記誘電体シートに所望の寸法に切断して1
100’C2時間にて焼成した。
本ロールで混練して電極ペーストを作成した。この電極
ペーストを上記誘電体シートに所望の寸法に切断して1
100’C2時間にて焼成した。
こうして得られた焼結体の電極が露出している側面に,
実施例1と同様の方法で作成したパラジウムで被覆した
La,5Sr,5Coo,( LallL5Sra5C
oo,とパラジウムの重量比ニア0/30)とガラスフ
リット、エチルセルロース、αーテレビノールトからな
る電極ペーストを塗布し,8oO℃で焼き付けた。この
ようにして得られた積層チップコンデンサの静電容量値
は誘電体の誘電率(ε=1’2000)から計算された
設計値とよく一致しており,パラジウム被覆されたL&
,5SrI15Coo,を用いた電極の実用性が確認さ
れた。本実施例以外にも,貴金属被覆をした導電性複合
酸化物粒子がチップ抵抗,チップインダクタ、バリスタ
、圧電素子,さらにはセラミック多層配線基板等の電極
としての実用性があることはいうまでもない。
実施例1と同様の方法で作成したパラジウムで被覆した
La,5Sr,5Coo,( LallL5Sra5C
oo,とパラジウムの重量比ニア0/30)とガラスフ
リット、エチルセルロース、αーテレビノールトからな
る電極ペーストを塗布し,8oO℃で焼き付けた。この
ようにして得られた積層チップコンデンサの静電容量値
は誘電体の誘電率(ε=1’2000)から計算された
設計値とよく一致しており,パラジウム被覆されたL&
,5SrI15Coo,を用いた電極の実用性が確認さ
れた。本実施例以外にも,貴金属被覆をした導電性複合
酸化物粒子がチップ抵抗,チップインダクタ、バリスタ
、圧電素子,さらにはセラミック多層配線基板等の電極
としての実用性があることはいうまでもない。
本発明が対象とする複合酸化物は,いずれも通常は酸素
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気特性を制御するために、主成分元素以外の金
属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加してもよ
い。さらに、上記実施例で用いた複合凌化物粉末は、0
.1〜5、0μm の範囲の粒子径を有していたが、粒
子径及び粒子形状について特に規定されることはない。
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気特性を制御するために、主成分元素以外の金
属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加してもよ
い。さらに、上記実施例で用いた複合凌化物粉末は、0
.1〜5、0μm の範囲の粒子径を有していたが、粒
子径及び粒子形状について特に規定されることはない。
一方,被覆貴金属として上記実施例に加えて無電解メッ
キ被覆が可能な銀・ロジウム・イリジウム・ルテニウム
及びこれらの合金を用いてもよいことはいうまでもない
。
キ被覆が可能な銀・ロジウム・イリジウム・ルテニウム
及びこれらの合金を用いてもよいことはいうまでもない
。
発明の効果
以上のように本発明は,導電性複合酸化物の粒子表面を
活性化処理することなく,直接無電解メッキ液中にて貴
金属被覆した構成の導電性粒子であシ、導電性に優れ,
且つ熱的,化学的安定性に優れた導電性粒子を安国に製
造せしめることができ,実用上の両値は非常に大きいも
のである。
活性化処理することなく,直接無電解メッキ液中にて貴
金属被覆した構成の導電性粒子であシ、導電性に優れ,
且つ熱的,化学的安定性に優れた導電性粒子を安国に製
造せしめることができ,実用上の両値は非常に大きいも
のである。
Claims (5)
- (1)導電性複合酸化物の粒子表面を活性化処理するこ
となく、直接無電解メッキ液中にて貴金属被覆したこと
を特徴とする導電性粒子の製造方法。 - (2)導電性複合酸化物がLa_1_−_XSr_XC
oO_3(0.1≦X≦0.8)、Pr_1_−_XS
r_XCoO_3(0.2≦X≦0.8)、Nd_1_
−_XSr_XCoO_3(0.3≦X≦0.7)、L
a_1_−_XBa_XCoO_3(0.1≦X≦0.
6)、Pr_1_−_XBa_XCoO_3(0.2≦
X≦0.6)のうちの1種あるいは2種以上の固溶系の
組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電性粒
子の製造方法。 - (3)導電性複合酸化物がLa_2_−_XSr_XC
uO_4(0.1≦X≦0.5)、La_2_−_XB
a_XCuO_4(0.01≦X≦0.5)のうちの1
種あるいは2種以上の固溶系の組成を有することを特徴
とする請求項1記載の導電性粒子の製造方法。 - (4)導電性複合酸化物がYBa_2Cu_3O_7系
の組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電性
粒子の製造方法。 - (5)導電性複合酸化物がBiCaSrCu_2O_5
_._5系の組成を有することを特徴とする請求項1記
載の導電性粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036751A JPH02217479A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036751A JPH02217479A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217479A true JPH02217479A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12478438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036751A Pending JPH02217479A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217479A (ja) |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036751A patent/JPH02217479A/ja active Pending
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