JPH02215888A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。

〔従来技術〕

現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したＴＮ型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、ＣＲＴなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。ＴＮ型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。

ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のＴＮ型液晶表示素子の１００〜１０
００倍の高速応答が可能で、かつ多安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる（メモリー効果
）ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中で、有、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチッ
クＣ（以下、Ｓ０１と省略する。）相と呼ばれるもので
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

ＳＣ１相を示す液晶化合物（以下、ＳＣ１化合物という
。）はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのＳＣ
１化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 （イ）室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと （ロ）高温域において適当な相系列を有すること （ハ）特にキラルネマチック（以下、Ｎ４と省略する。

）相において長い螺旋ピッチを示すこと（ニ）適当なチ
ルト角を持つこと （ホ）粘性が小さいこと （へ）自発分極がある程度以上大きな値であること さらに （ト）（ロ）及び（ハ）の結果として良好な配向を示す
こと （チ）（ホ）及び（へ）の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られてぃなかった。

そのため、現在では、Ｓ０９相を示す液晶組成物（以下
、ＳＣ”液晶組成物という。）が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。

良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭６１−１
５３６２３号公報等に示されているように、ｓｃ０相の
高温域にＮ０相を有する液晶において、Ｎ１相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にＳ００相とＮ１相の中間の温度域にスメクチッ
クＡ（以下、ＳＡと省略する。）相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。（ネマチック（以下、Ｎと省略する。）液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。）しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。

高速応答性を示すには、例えば、第１２回液晶討論会に
おける特別講演（同討論会予稿集Ｐ、９８）で示されて
いるように、低粘性のスメクチックＣ（以下、ＳＣと省
略する。）相を示す母体の液晶組成物（以下、ＳＣ母体
液晶という、）に、自発分極（以下、Ｐｓと省略する。

）の大きいＳＣ８化合物を添加する方式が優れている。

この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。

また、ＳＣ母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ″８６講演予稿集
（３５２ページ〜）又は特開昭６２−５８３号公報に記
載されている。

（Ｒ，Ｒ’はアキラルなアルキル基を表わす。）（Ｒ，
Ｒ’は上記と同様。） の如く、化合物自身又はその同族体が、ＳＣ相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール（分極）を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、ＳＣ相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとＳＣ相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。

従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。

本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記課題を解決するために、以下に示す中温域
母体液晶、減粘液晶及び高温液晶から成るＳＣ母体液晶
に、−数式（Ａ） して成る室温を含む広い温度範囲でＳＣ＊相を示すＳ０
０液晶組成物を提供する。

一般式（Ａ）において、Ｒ１は炭素原子数２〜１０のア
ルキル基を表わし、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキ
ル基、アルコキシル基又はアルカノイルオキシ基を表わ
し、Ｙ”はフッ素原子又はシアノ基を表わし、Ｙｂは水
素原子、フッ素原子又はシアノ基を表わし、ｍはＯ又は
１を表わし、ｒはθ〜１０の整数を表わし、Ｃ“及びＣ
−は各々独立的に（Ｒ）配置又は（Ｓ）配置の不斉炭素
原子を表わし、Ｚ′及びｚ２は各々独立的に単結合、　
ＣＯＯＯＣＯＣＨｚｏ　　　　０ＣＨｚ−ＣＩＩｇＣＨ
ｚ　　　　ｃ＝ｃ　　　　ｃｏｓ−又は−５ＣＯ−を表
わし、Ｚ３は単結合、−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−−ｏ−・・
・（Ａ） で表わされる光学活性化合物の少なくとも１種を構成成
分として含有するキラルドーパントを添加（ハ）■相→
Ｎ相→ＳＣ相の相系列を有するもＹｌ及びｙｔは水素原
子又はフッ素原子を表わす。

特に好ましくは、−数式（Ａ）において、Ｚｌ及びＺ！
が各々独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−０ＣＯ−であ
り、Ｚコが単結合、−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−又は十であり
、舎及び舎の 一方か−（■→　であり、他方が÷ 本発明で使用するＳＣ母体液晶は、そのＳＣ相の高温側
において、降温時に、 （イ）Ｉ（等方性液体）相→Ｎ相→ＳＡ相→ＳＣ相の相
系列を有するもの （ロ）■相→ＳＡ相→ＳＣ相の相系列を有するもの の 又は （ニ）■相→ＳＣ相の相系列を存するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、（イ）〜（ニ）の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは（イ）であり、キラルドーパン
トのネマチック性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｎ
＊相の温度範囲を広げ、ＳＡ相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ロ）を、キラルドーパントの
スメクチックＡ性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に、Ｓ
Ａ相の温度範囲を広げ、Ｎ＊相の温度範囲を狭くしやす
い傾向）が強い場合には（ハ）を、また、ＳＣ性が弱く
、Ｎ”相やＳＡ相の温度範囲を広げやすい場合などには
（ニ）を用いるのが、最も適している０重要であるのは
５Ｃ１１液晶組成物とした場合の相系列であって、−船
釣には、■→Ｎ＊→ＳＡ→ＳＣ＊の相系列が配向の点で
有利である。一方、■→Ｎ０→ＳＣ＊の相系列も配向制
御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり、
また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホスト
方式などには適している。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、従来用いられてきた
ようなＳＣ相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。

即ち、（１）主として２環構造であり、室温に近い温度
でＳＣ相を示す化合物又はその同族体（アルキル鎖のみ
が異なる化合物）から成る組成物（以下、中温域母体液
晶という。）に、（■）２環構造であり、分子中に極性
基が少なく、低粘性の化合物（以下、減粘液晶という。

）を加えて粘度を低くし、 （Ｉ［Ｉ）Ｋ粘液晶を加えることによって低下したＳＣ
相の上限温度を高くするために、ＴＣ点（ＳＣ相又はＳ
Ｃ′″相の上限温度を表わす。）が高く、３環以上の環
構造を有する化合物又はその同族体から成る組成物（以
下、高温液晶という。）を加えて成る組成物である。

（１）中温域母体液晶 ここでいう中温域母体液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、２環又は３環構造であ
って、３環構造の場合には、少なくとも１環はシクロヘ
キシル環であって、ＳＣ相を示す化合物又は、そのアル
キル鎖の炭素原子数、形状のみが異った同族体から成り
、その同族体中の少なくとも１種の化合物は１０″Ｃ以
上における任意の１　”Ｃ以上の温度巾の範囲でモノト
ロピックでもよいＳＣ相を示す化合物である。ただし、
３環構造の場合には、ＳＣ相の上限温度が９０°Ｃ未満
である液晶であり、１０℃〜８０°Ｃにおける任意の１
０’Ｃ以上の温度巾でモノトロピックでもよいＳＣ相を
示すものである。

中温域母体液晶として用いられる化合物の代表的なもの
を以下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、
Ｒｒ　、Ｒｚは各々独立的に炭素原子数１〜１８のアル
キル基を表わす。

（１−ａ） （１−ａ−３８） （１−ａ−３９） （１−ａ−４０） （Ｉ　−ａ−４１） （Ｉ　−ａ−４２） （１−ａ−４３） （Ｉ　−ａ−４４） （１−ａ−４５） Ｒｈｏ爬Ｈ伽Ｃ００Ｒ１ ＲＩＣＯＯ＄Ｃ００Ｒ２ Ｒ，Ｃｏｏ爬Ｈ伽Ｃ００Ｒ１ （鵞） Ｒ，○　　　　　ＯＲ。

１鵞伽 Ｒｈｏ　　　　　　　　　　　Ｒ２ （鵞伽 Ｒ，００Ｒ。

Ｒ，−４唇亭ＯＲ。

Ｒ，Ｏ（’：ンシー〈ζら−ＯＲ。

（Ｉ−ｂ） （１−ｃ） （Ｉ　−ｃ−２２） Ｒ，Ｃｏｏ畳ｃｏｏ極温Ｃ０ＯＲ，ｚ （１−ｃ−２４） Ｒ，０ＣＯ（訓ｃｏｏ＋ｃｏｏＲ。

（１−ｃ−２５） Ｒ，０畳ｃｏｏ−曇−ｏｐｚ −Ｎ （１−ｃ−２７） Ｒ，Ｃｏｏ（（防ｃｏｏ面￥ＯＲ。

−Ｎ （■ ｄ） （１−ｅ） （Ｉ　−ｅ−１） （Ｉ ｅ−２） （■ ｆ） 減粘液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、Ｒ＋、
Ｒｚは各々独立的に炭素原子数１〜１２のアルキル基を
表わす。

（Ｕ　−ａ） （ｎ）　　′＄ｉ粘液粘 液光明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は２環構造であ
って必ずしもＳＣ相を示さなくてもよいが、中温域母体
液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与するも
のであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基であ
り、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合物で
あって、分子内に含まれるエステル結合は１個以下であ
ることを特徴とするものである。

（ＩＩ−ｂ） （ＩＩ−ａ−１５） Ｒべ）０００擾ヴｏＲｚ （ＩＩ　−ａ−１６） （Ｉｔ−ａ−１７） （ＩＩ　−ａ−１８） （ＩＩ−ａ−１９） （ＩＩ　−ａ−２０） Ｒ，０イ仝ｃｏｏ会Ｒ鵞 Ｒ，善ｃｏｏ（）ＯＲｔ Ｒ，０−（Ｅ）ＣＯＯ拶輝２ Ｒ，（シＣ００＆ＯＲｚ Ｒ，Ｏイ仝ｃｏｏ会Ｒ２ （ｎ−ａ−２１） Ｒ，イ今Ｃ００（ヴＲ２ （ｎ−ａ−２２） Ｒ１テＣ００（Ｅ）ＯＲ１ （ＩＩ−ｂ−２７） Ｒ，ＣＯＯ舎ＣＨ１Ｏ舎Ｒ２ （ＩＩ−ｂ−３０） Ｒ，舎ｃｔｈｏ合０Ｒ２ （Ｕ　−ｃ） （ｎ−ｄ） （Ｉｆ　−ｃ−１２） （Ｉｆ　−ｃ−１３） Ｒ，（今ｃｔｒ、ｃｔｔ宜（シ０ＣＯＲ。

ＲぺへｔＨｈｃｔｈ依））ｏｃｏＲ。

（ＩＩ　−ｃ−１４） Ｒ，０仝）−ＣＨｚＣＨｚ＋Ｒｚ （Ｕ　−ｃ−１６） ＲｌＯ（Ｅ）−ＣＨＩＣＨ！契トＲ２ （■−ｃ−１７） ＲＩＣＯＯ＋ＣＨｔＣＨｚ合Ｒｚ （ＩＩ　−ｃ−１９） ＲＩＣ００＋ＣＨ２ＣＨｚ＋Ｒ１ （ＩＩ　−ｄ−２３） Ｒ１量バ所Ｒ１ （ｎ　−ｄ−２５） Ｉｅ　Ｒｚ （ＩＩ　−ｄ−２６） 、Ｊ究召）Ｒｚ （ＩＩ　−ｄ−２７） Ｒ，−＠−◇）Ｒｔ （Ｉｆ　−ｅ） （Ｕ　−ｅ−１０） （ＩＩ　−ｅ−１１） Ｒ，−［匁芝←ＣミＣべ５）←Ｒ２ Ｒ＝４−ＣミＣ０８ｔ （ＩＩ　−ｅ−１２） １？、Ｏ畳ｃｃ舎Ｒ□ （ＩＩ　−ｅ−１４） Ｒ，０←Ｃ聾←ＣミＣべ冨）→Ｒ２ （■−ｅ−１５） Ｒｔ擾）ｃ　ｃ舎Ｒ２ ＝ （ＩＩ［）　　高温液晶 ここでいう高温液晶とは、主として３環構造からなるか
、あるいはそれ以上の環からなり、ＳＣ相を示す光学活
性でない化合物、その同族体、又は、これらから成る組
成物であって、ＳＣ相を示す化合物はそのＳＣ相の上限
温度が９０°Ｃ以上であり、かつ、少なくとも５度以上
の温度幅の温度域においてＳＣ相を示すものであり、そ
の同族体においては上限温度が９０°Ｃ未満であっても
よく、温度幅が５度未満であってもよく、あるいはＳＣ
相がモノトロピックであってもよいものであり、組成物
として、ＳＣ相の上限温度が９０°Ｃ以上で、少なくと
も５度以上の温度幅の温度域においてＳＣ相を示すもの
である。

高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、Ｒｔ　、
Ｒｔは各々独立的に炭素原子数１〜１８のアルキル基を
表わす。

（Ｉ［Ｉ−ａ） （Ｉｎ−ａ−１８） ＲＩＣＯＯ（か謔寞Ｒ２ 帽 ａ−２１） （Ｉｎ−ａ−２２） Ｒ１−’Ｃ沖のＧＯＣＯＲｚ Ｒ１（？下〉（計ΣΣｅＯｃＯＲ２ （ＩＩＩ−ａ Ｒ，Ｃ００（ｈ舘僚ＯＲｚ （ＩＩＩ−ｂ） （ｍ　−ｃ） （ＩＩＩ−ｄ） （ＩＩＩ−ｅ） （ＩＩＩ−ｇ） （ＩＩＩ　−ｈ） （ＩＩＩ−ｉ） （ＩＩ　−ｊ） （ＩＩＩ−ｋ） （Ｉ［［−Ｉｔ”） （ＩＩＩ−ｍ） 以下に掲げる複素環を有する化合物も高温液晶として使
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。

（ｍ　−ｇ−６５） （ｍ　−５−６６） （■−１６７） （ｍ　−ｒａ−６８＞ （ＩＩＩ−＋１−６９） （ＩＩＩ−＋ｇ−７０） （ＩＩＩ−ｇｇ−７１） （ｍ　−ｍ−１２＞ Ｒ，祖Ｒ或ｃｏｏ（羽０ＣＯＲ１ ＲｔＣ００Ｍ　Ｃ００（）Ｒｔ Ｒ１（バ幣Ｃ００＜　Ｒｚ Ｒ１（ハ幣ｃｏｏ−ＧｏＲ− Ｒ，ｏ（層灸ＣＯＯ＜　Ｒｚ Ｒｏｏ（層像Ｃ００（）ｏＲｔ Ｒ１（層（ハ）Ｃ００−＠；ｒ−ＯｃｏＲ２Ｒ，ｃｏｏ
（バ或Ｃ００（鑞。

（ｍ　−ｎ） （ｌ［−５−９７） （ＩＩＩ　−ｍ−９８） （ｍ　−ｍ−９９） （Ｉｎ　−５−１００） （Ｉｎ　−５−１０１） （Ｉ［［−ｓ−１０２） （ＩＩＩ−ｍ−１０３） （■−ト１０４） １回＋ｃｏｏべ）Ｒ２ Ｒ１℃別）ｃｏｏ（）ＯＲ。

Ｒ１０（双）Ｃ００舎Ｒ２ Ｒ，０ｎＣＯＯ−＠−０Ｒｔ ＲＩ＄　ｃｏｏ−＠−０ＣＯＲｔ Ｒ＋Ｃ００ｍ　Ｃ００＋　Ｒｔ Ｒ１（ｘΦＣＯＯ＋Ｒ２ Ｒ１（ｘ■ＣＯＯ＋ＯＲ２ （ＩＩＩ　−ｎ−２１） （ｍ−ｎ−２２） （ｍ　−ｎ−２３） （ＩＩＩ−ｎ−２４） （ｍ−ｎ−２５） （ｍ−ｎ−２６） （Ｉｆｆ−ｎ−２７） （ｍ　−ｎ−２８） Ｒ，Ｏ■）−＠−ｏｃｏ−４鎮２ Ｒ，Ｏ−＜い５）−ｏｃｏ−＠−ｏＲ。

Ｒ，０やＹ防０ＣＯ−＠−０ＣＯＲ１ Ｒ，ＣＯＯ炉＋ｏｃｏ−＠−Ｒ。

Ｒ，やＸキ０ＣＯｕ　Ｒｚ Ｒ，−Ｃ只５ｏｃｏ−＠）−ＯＲ− Ｒ１０−Ｃ只キ０ＣＯ（）Ｒｔ Ｒ１０（只ｂｏｃｏ（）ＯＲ冨 （ＩＩＩ　−ｏ） （ｍ　−ｏ−４１） Ｃｍ−ｏ−４２） （ＩＩＩ　−ｏ−４３） （■〜ｏ−４４） （Ｉ［［−ｏ−４５） （ＩＩＩ　−ｏ−４６） （ｍ　−ｏ−４７） （Ｉｎ　−ｏ−４８） Ｒ１℃舎Ｃ１１□０（シ０ＣＯＲ１ −Ｃ’＋　　−＠− Ｒ、Ｃｏｏ　○　　　山ＯＲｚ Ｒ，（β−＠−ｃｏ、ｏ（（鍾２ Ｒ，イの一＠−Ｃ”−０−ｅＯＲ− Ｒ，０（、＋ｃｏ、０−＠−Ｒ。

Ｒ，０イト＠−ＣＨ−０−＠−０Ｒ− Ｒ，（β（羽ＣＨｔＯ−＠−０ＣＯＲｚＲ，Ｃ００（、
Ｑ）−＜宛ＣＨｚｏ（）Ｒ。

（ｍ　−ｏ−７５） （ｍ−ｏ−７６） Ｒ，Ｏ％　Ｃ８，０（ｏ　）−Ｒｔ Ｒ１Ｏ＄ＣＨ！０挺＞ＯＲ２ （ＩＩＩ　−ｏ−７８） （ｍ　−ｏ−７９） Ｒ，ｃｏｏ＜Ｈは１Ｄｃ）１．ｏゆご ｕ、ｅｃｕ、ｏ（、Ｑ）−Ｒ。

（ＩＩ−ｐ） （ｍ　−ｐ−２９） Ｒ１ｉ奔ＱＣＨ，Ｇ　０ＣＯＲｚ （ＩＩＩ　−ｐ−３０） Ｒ，ＣＯＯや図奔ｏｃｏ、Ｇ　ｐｇ （ＩＩＩ　−ｐ−６１） （■−ρ−６２） （ｍ　−ｐ−６３） （Ｍ　−ｐ−６４） （ＩＩＩ−ｐ−６５） （ＩＩＩ−ｐ−６６） （ＩＩＩ　−ｐ−６７） （ｍ　−ｐ−６８） Ｐ、祖べ灸ＯＣＨ祢）Ｒ２ Ｒ１９０ＣＨｇＧ　ｏｎ。

Ｒ，０祖Ｒφ０ＣＨｔＤ　Ｒｔ Ｒ＋０祖状（ハ）ＯＣｌｈ■Ｏｆ？。

Ｒ６祖べ灸０ＣＨｚＤ　０ＣＯＲｔ Ｒ，ＣＯＯ祖Ｒ灸ｏＣＨ，Ｇ　Ｒ１ Ｒ１に婚０ｃＨ（）Ｒ２ ＲＩり譜ｏＣＨｔ＠−ＯＲｔ （■ ｑ） （ｎ［−ｑ−１７） （ｍ　−ｑ−１８） （ＩＩＩ−ｑ−１９） （ｍ　−ｑ−２０） （ＩＩＩ−ｑ−２１） （ｍ　−ｑ−２２） （ＩＩ　−ｑ−２３） （ＩＩＩ　−ｑ−２４） Ｒｒ　ＭＣＩＩＧＨｚ（）ＯＣＯＲｚ Ｒ，ＣＯＯや＋ＣＩ’ＣＨ−（（鎮。

Ｒ１ｌ　ＣＨｚＣＨｔ−＠−Ｒｚ Ｒ１（Ｘ頑Ｃ１ｌ□ＣＢ撃）ＯＲ２ Ｒ８＜Ｈ猟ＤＣＨｚＧＨｚ（）Ｒｔ Ｒ，０−０菖）Ｃ１１□ＧＯ−（Ｃ羽ＯＲ。

Ｒ，０や＋ＣＨｚＣＨｔ＋０ＣＯＲｚ ＲＩＣＯＯ％　ＣＨｚＣ）ｌｚ（）Ｒｔ（ＩＩＩ　−ｑ
−４９） （ｍ　−ｑ−５０） （ｍ　−ｑ−５１） （ＩＩＩ　−ｑ−５２） （ｎｌ−ｑ−５３） （Ｉｆｆ　−ｑ−５４） （ｍ　−ｑ−５５） （ｍ　−ｑ−５６） Ｒ１（べ灸ＣＨ，ＣＨ撃ＤＲ− Ｒ１＞僚ＣＨ，ＣＩ！−＠−０ＲＩ Ｒ１０（べ灸ＣＨ，ＣＢへＤＲ− Ｒ，０挺べ（ハ）ＣＩ函−＠−０Ｒ− Ｒ１℃￥■ｃｕ、ｃｕｔ（いＣＯＲ＊ Ｒ，ｃｏｏ（＼灸Ｃ）ＩｔｃＨぜＤＲ−金状幣　（） Ｒ＋　　　　　　　　　　　ＣＨｉＣＨｚ　　　　　　
　Ｒｚ登べΦ　（） Ｒ＋　　　　　　　　　　　ＣＨｔＣＩＩ□　　　　　
　ＯＲ。

（ＩＩＩ　−ｑ−８５） （ｍ　−ｑ−８６） （ＩＩＩ−ｑ−８７） （ｍ　−ｑ−８８） Ｒｔ　ｍ　Ｃ”ｔＣＨｗｅ　Ｒ２ Ｒ１や＋ＣＩ鳴◎ａＲｔ Ｒ，０％　ｃｕｚＣＨｚ◎Ｒ２ ＲＩＯｍ　ＣＩＩＣＨｔ◎ＯＲ。

以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式（Ｉ
−ａ）及び式（Ｉ−ｂ）で表わされる化合物が好ましく
、式（Ｉ−ａ−１）、式（１−ａ−２）、式（１−ａ−
５）、式（１−ａ−４１）、式（１−ａ−４２）及び式
（Ｉ−ｂ−１）で表わされる化合物が特に好ましい。減
粘液晶としては、式（■−ａ）及び式（ＩＩ−ｂ）で表
わされる化合物が好ましく、式（■−ａ−１）、式（Ｉ
Ｉ−ａ−６）及び式（ＩＩ−ｂ−１）で表わされる化合
物が特に好ましい。また、高温液晶としては、弐（ＩＩ
Ｉ−ａ）、式（ＩＩＩ−ｂ）及び式（ＩＩＩ−ｃ）で表
わされる化合物が好ましく、式（ＩＩＩ−ａ−１）、式
（Ｉｌｌ−ａ−２）、式（ＩＩ［−ａ　−１３）　、式
（ＩＩＩ−ｂ−１）、式（ＩＩＩ−ｃ−１）及び式（Ｉ
［Ｉ−ｃ−３）で表わされる化合物が特に好ましい。

これらの化合物を用いたＳＣ母体液晶のうち、（１）　
　式（１−ａ−１）又は式（１−ｂ−１）で表わされる
化合物から成る中温域母体液晶、（ＩＩ）　　式（ＩＩ
−ａ−６）又は式（ＩＩ−ｂ−１）で表わされる化合物
から成る減粘液晶及び（Ｉ）　　式（ＩＩＩ　−ａ−１
）、式（ＩＩＩ−ａ−２）、式（ＩＩＩ−ｃ−１）又は
式（ＩＩＩ−ｃ−３）で表わされる化合物から成る高温
液晶の組み合わせから成る組成物が特に好ましい。

中温域母体液晶の配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜９０
重量％が好ましく、５〜７５重量％が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜５０重量％が
好ましく、５〜４０重量％が特に好ましい、高温液晶の
配合割合は、ＳＣ母体液晶の１〜７０重量％が好ましく
、５〜６０重景％が特に好ましい。

ＳＣ母体液晶として、前記の特に好ましい組み合わせか
ら成る組成物の場合には、中温域母体液晶を１０〜７０
重量％、減粘液晶を１０〜４０重量％及び高温液晶を５
〜５０重量％配合することが特に好ましい。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、（１）　
Ｓ　Ｃ”相を示す化合物、（２）　Ｓ　Ｃ”相思外の液
晶相のみを示す化合物又は（３）液晶性を全く示さない
化合物を用いることができるが、（３）の場合には、Ｓ
Ｃ母体液晶に添加して得られるＳ０１液晶組成物の液晶
性が低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を
有する化合物を用いることが好ましい。

キラルドーパントがＳ００液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、特に応答性の面では
自発分極の大きさが重要である。

前述のように、本発明においては、−数式（Ａ）で表わ
される光学活性化合物をキラルドーパントの構成成分と
して特徴的に含有するものである。

全分極を示しうることが知られているが、本発明の一般
式（Ａ）で表わされる化合物においては、他の側鎖とし
て、別の光学活性基であるらに優れた性質を示しうるも
のである。

−数式（Ａ）で表わされる化合物をキラルドーパントの
構成成分として用いることによる利点として以下を挙げ
ることができる。

（１）片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。

即ち、前記化合物と、次の一般式（Ｂ）で表わされると
ころの片側にのみキラル基 ・・・　（Ｂ） ｚ２、ｚ３、ｍ及びＲ２は式（Ａ）におけると同様の意
味を有する） を有する化合物を、それぞれＳＣ母体液晶に添加して、
その外挿値として自発分極を求めると、同一条件下では
一般式（Ａ）の化合物の方が１０〜３０ｎＣ／ｃｍ”あ
るいはそれ以上であり、両側のキラル基による自発分極
の値の単純和よりも大きい値を示すことがわかる。

キラルドーパントとして用いる際には、その誘起する自
発分極が大きい程、その使用量が少量ですむので、粘性
の低いＳＣ母体液晶の割合を多くでき、ＳＣ０液晶組成
物の粘度低下が可能となり、結果として応答性の向上に
つながるものである。

（２）　　Ｎ”相、あるいはＳＣＩ相に誘起する螺旋ピ
ッチが非常に長い化合物、及び、非常に短い化合物など
、螺旋ピッチを調整することが可能である。

前述のように、良好な配向性を得るためには、そのＮ”
相あるいはＳＣ“相における螺旋ピッチが長いことが重
要である。キラルドーパントは全体として、螺旋ピッチ
が調整されていればよいのであって、個々の化合物につ
いては、必ずしもその必要はないが、キラルドーパント
の主成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方がその調
整が容易である。

しかしながら、−数式（Ｂ）の化合物はすべてその螺旋
ピッチは短いものであった。−ａ式（Ａ）活性基を選ぶ
ことにより、その螺旋ピッチを長くすることが可能であ
る。逆に螺旋ピッチの調整を主目的として加える場合に
は、その螺旋ピッチが短い程、その添加量を押えること
ができるので好分極が、２０〜３０ｎＣ／Ｃ１１！以下
の場合には、その向きはほとんど必要がないが、それ以
上の場合には相殺しないようにその向きを揃えることが
望ましい。

本発明において、キラルドーパントの構成成分として、
−数式（Ａ）の化合物に加えて、通常の光学活性液晶性
化合物を用いることもできる。これらの光学活性化合物
としては、通常の液晶中心骨格に片方または両方の側鎖
として、以下に掲げる光学活性な基を有する化合物ある
いは、中央連絡基や環構造中に不斉炭素を有する化合物
などを挙げることができる。

これまで用いられてきた代表的な光学活性基は以下の通
りである。

ＣＨ。

（ｒＶ−ｔ）　　　　−ｆ−ｃｕｔ÷ｒｃｆｌ−ｃｚｕ
ｓ（■夕３） ＣＨ３ ÷ＣＨ，）ｒ−０÷ＣＨｚ　＋ｒＣＨＣｔＨｓ（ＩＶ−
７） ＣＨ３ （−ＣＨｒ÷ｒｃｕ−Ｒ。

ＬＩＶ−１υ） 一〇−に　ｔにＨ，すＴ−ＣＩ−ｔｈ （ＩＶ−２１） ＣＨ３ −Ｓ　＋Ｃ８！−）ｒＣＨ（ＣＨｚ＋−ｒ−ＣＨｓ（Ｉ
Ｖ−１２） ＣＨ３ ＣＩ−Ｒ４ （ＩＶ−１３） ＣＨ３ −ＣＨｚ−ＣＩ　　ＣＨｚ　　０Ｒｓ （ＩＶ−１４） ＣＨ。

−ＣＨＣＨ２０Ｒｓ （ＩＶ−３２） ＣＨ３ −０−ＣＨ−Ｒ。

（■−５３） ＣＨ３ ＨＯＲｓ （ＩＶ−５５） ＯＣＨｚ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−６２） ＣＦ３ −０−ＣＩ−Ｒｓ （ＩＶ−６９） ＣＩ。

−ＣＯＯＣＨｚ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−６４） ＣＨ３ ０ＣＨｚ　　ＣＨＣＨｚ　　０Ｒｓ （ＩＶ−７０） ＣＩ（３ １・ −ＯＣＨｌ　　ＣＩ　　ＣＨｚ　　０ＣＯＲｓ（ＩＶ−
７１） ＣＩ３ １・ ＯＣＨＣＨｚ　　ＯＣ０Ｒｓ （ＩＶ−６５） ＣＨ３ ０ＣＨＣＨｚ　　０Ｒｓ （Ｉｌｉ／−７２） ＣＨ３ ０ＣＨＣ１ｈ（ＣＨｚ）ＴＯｃＯＲｓ （Ｉ￥−６６） ＣＨｌ １・ ０　＋ＣＨ１−ｈ−ＣＨ−ＣＣＨ２）ｉ−ＯＲ５（ＩＶ
−７３） ＣＨｌ ＯＣＨｚ−ＣＩ（（Ｃ１ｈ）ＴＯｃＯＲｓ（ＩＶ−６７
） −ＣＯＯＣＪ　　ＣＨにｔｌ　　Ｌ；ｚｔｌｓ（ＩＶ−
７４） −Ｃ−０−ＣＨｌ−Ｌ；Ｈ−ｕＨｓ （ＩＶ−７５） ＣＨ。

ＯＣＲ１ＣＨ０Ｒ５ （ＩＶ−８２） ＣＩ　　Ｒｓ （ＩＶ−７６） ＣＨ３ １・ −５−ＣＨ−Ｒ５ （ＩＶ−８３） ＨＩＣＮ Ｃｏｏ−ＣＨｇ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−８４） ＣＨ，ＣＮ ＯＣ）ｌ！　　ＣＩ　　Ｒ５ （ＩＶ−７８） ｔＨ５ Ｏ−ＣＩ（、−ＣＨ−０Ｒ６ （ＩＶ−８１） ＣＮ ＯＣＨｚ　　ＣＩ　　Ｒｓ （ＩＶ−８８） ０　　Ｃ１ｈ　　ＣＨＣＨＲｓ ｃｏ、　　Ｃ）１３ 上記各−数式において、ｍは１〜４の整数を表わし、ｎ
は１〜１０の整数を表わし、Ｒ５は炭素原子数３〜８の
アルキル基を表わし、Ｒ４は炭素原子数２〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ３は炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表わし、Ｒ５は炭素原子数１〜４のアルキル基を表
わす。

このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。

（Ｖ ０ｃｏ（）ｃｏｏ（） （Ｖ−５４） ◇ト■■） （Ｖ−１７４） 召）−ｏｃｕ、−Ｑｏバ夢 （Ｖ−２４６） 夕べ今０ＣＲ１（） （Ｖ−４８７） ※ヒ込 Ｎ （Ｖ−５２０） ［相］擾Ｘ込 （Ｖ−５２１） 召項Ｙ込 上記のうち、式（Ｖ−１）〜式（Ｖ−２７４）で表わさ
れる基本骨格、及びそれらのベンゼン環にフッ素が置換
したものが好ましく、式（Ｖ−１）〜式（Ｖ−３）、式
（Ｖ−７）〜式（Ｖ−９）、式（Ｖ−１７）、（Ｖ−１
８）、式（Ｖ−２１）、式（Ｖ−２２）、式（Ｖ−２５
）〜式　（■−２７４）で表わされる基本骨格が特に好
ましい。

具体的には、以下の化合物を挙げることができる。

上記各基本骨格のベンゼン環にフッ素原子、塩素原子、
臭素原子、メチル基、メトキシ基、シアノ基又はニトロ
基が置換した各基本骨格も使用できる。特にフッ素原子
が置換した各基本骨格が好ましい場合が多い。また、上
記各基本骨格のうち、左右非対称なものについては、左
右が逆のものも同様に使用可能である。

上記中、Ｃは結晶相、Ｎ＊はキラルネマチック相、ＳＡ
はスメクチックＡ相、■は等方性液体相を表わす。転移
温度が未記載のものについては急冷上液晶相が観察され
るが結晶化のため、転移温度の測定ができなかったこと
を示しており、式（ＩＶ−３）、式（ＩＶ−５）〜式（
ＩＶ−８）で表わされる化合物にいたっては液晶相の存
在は確認できるが、その同定すら困難であった。

上記のキラルドーパントは、ＳＣ母体液晶中に１〜６０
重量％の割合で添加してＳＣ＊液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは２〜５０重量％の
割合で添加することが好ましい、キラルドーパントの添
加割合が６０重量％より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、Ｓ００液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラル
ドーパントの添加割合が１重量％より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。

Ｓ００液晶組成物の自発分極の値は、３〜３０ｎ　Ｃ／
　Ｃ１１”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加
割合を調整することが好ましく、Ｓ００相を示すキラル
ドーパントの場合、単独で１００託／１！程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合は１０〜４０重量％の範囲が好ましく、３００　ｎ
Ｃ７ｃｍ”以上の強い自発分極を示すキラルドーパント
の場合、キラルドーパントの添加割合は、２〜２５重量
％の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発
分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが
、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパントで
はその添加割合が１重量％を下回ることはない。

本発明のＳＣ＄液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてＮ“相、次いでＳＡ相を経てＳＣ８相へと
相転移するが、その際Ｎ＊相からＳＡ相への相転移温度
（以下Ｎ”−３Ａ点という、）から、該Ｎ“−３Ａ点の
１度高温側までにおけるＮ０相に出現する螺旋のピッチ
が３μｍ以上であるＳＣ＊液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが１０８ｍ以上であり、Ｎ”−３Ａ点に
近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなるＳ
０９液晶組成物が特に好ましい。

−数式（Ａ）の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
によって、Ｎ１相に誘起される螺旋の向きが互いに逆で
あるような化合物では、その誘起する螺旋ピッチはかな
り長いため、このような化合物をキラルドーパントの主
成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調整が不要であ
るか、あるいは容易であることが多いが、−船釣には以
下のようにして螺旋ピッチを長く調整することができる
。

複数の光学活性化合物を含むＳＣ＊液晶組成物のＮ０相
に出現する螺旋のピッチＰ（μｍ）は各光学活性物質の
濃度をＣｉ、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをＰｉ　
　（μｍ）とするとおり、（ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。）、これを用いてＳＣ＊
液晶組成物の５Ａ−Ｎ”点Ｔ０におけるＰ’をｐ、ｉ　
とする時、となるようにＣ３を選べばよい。ここでＰｉ
はＮ相を有する該ＳＣ母体液晶に各光学活性化合物を単
位濃度添加することにより測定が可能である。

実際にはＴｏは各Ｃ３によって変化するが、各光学活性
化合物を該ＳＣ母体液晶中に、濃度、ΣＣｉだけ添加し
たときの５Ａ−Ｎ”点の変化などから、かなり正確に類
推できることが多く、推定値Ｔ、　１とそれを用いて選
ばれた組成物のＴｏとが大きく異なる場合にはＴｏｌに
換えてＴｏを用いて再度測定すればよい。

本発明のＳＣ８液晶組成物のＮ１相を示す温度範囲は、
３度以上３０度未満の範囲が好ましい。

Ｎ１相を示す温度範囲が、３未満である場合、降温時に
すみやかにＳＡ相に相転移するため、Ｎ０相で液晶分子
を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくない
。また、Ｎ＊相を示す温度範囲が３０度以上である場合
、Ｓ００液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液晶
材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼす
傾向にあるので好ましくない。

キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、ＳＣ母体液晶に添加した場合に、 （１）　　Ｎ”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は （２）Ｎ″′相を示す温度範囲を縮小する傾向にあるも
の など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のＳＣ
＊液晶組成物のＮ０相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、（１）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が狭いＳＣ母体液晶、又は、Ｎ相を示さないＳＣ
母体液晶を用いればよく、（２）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が広いＳＣ母体液晶を用いればよい。この方法は
、Ｎ“相に限らず、ＳＡ相及びＳ０１相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
ＳＣ”液晶組成物のＳＡ相のみを拡大し、Ｎ０相及びＳ
ＣＩ相を縮小するような場合には、ＳＣ母体液晶として
、ＳＣ相の上限温度が高く、Ｎ相の温度範囲が広く、か
つ、ＳＣ相→Ｎ相→■相の相系列を有するもの、又はＳ
Ａ相の温度範囲が狭＜ｓｃ相→ＳＡ相→Ｎ相→Ｉ相の相
系列を有するものを用いればよい。

このようなキラルドーパントの傾向は、ＳＣ母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるＳＣ０液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、ＳＣＩ液晶組成
物における各相、特にＮ＊相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。

本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
ＳＡ母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極（以下、Ｐ、と省略する。）を誘起することが
必要である。

前述の如く、Ｓ００液晶組成物としては、そのＰ、の値
が、特に室温付近で３〜３０　ｎＣ／　Ｃ１”の範囲に
なるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい
。しかしながら、キラルドーパントが誘起するＰ、の値
が小さい場合には、その添加量がＳＣ母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってＳ００液晶組成物の粘性が大
きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向
にあるので好ましくない。従って、本発明で使用するキ
ラルドーパントとしては、ＳＣ母体液晶にＩＯ重重量添
加した場合に１．０　ｎＣ／　ｃｔａ”以上のＰ、を誘
起できるものが好ましく、５重量％添加した場合に０、
５　ｎＣ７ｃｍ”以上のＰ、を誘起できるものが特に好
ましい。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例により限定
されるものではない。なお、実施例中、「％」は重量％
を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調節
ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳ
Ｃ）を併用して行った。

実施例１　（ＳＣ母体液晶の調製） 中温域母体液晶として前記式（１−ａ−１）の化合物、
減粘液晶として前記式（ＩＩ−ａ−６）の化合物、及び
高温液晶として前記式（ＩＩＩ−ａ−１）の化合物を以
下の割合で用いてＳＣ母体液晶を調製した。

（１−ａ−１） （ＩＩ−ａ−６） （ＤＩ−ａ−１） 二のＳＣ母体液晶は、融点−３℃であり、４３°Ｃまで
ＳＣ相、６５℃までＳＡ相、７６．５°ＣまでＮ相を各
々示し、７６．５°Ｃ以上でＩ相となる低粘性の組成物
であった。

実施例２ ＳＣ母体液晶に添加してＳ００液晶組成物とした際に、
Ｎ“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 （この化合物を実施例１のＳＣ母体液晶に１０％添加し
た際にＮ”相に出現させる螺旋のピッチは６０°Ｃにお
いて１．３μｍである。）の化合物５０％と、左巻きの
螺旋を出現させる化合物として、−数式（Ａ）で表わさ
れる化合物であって式 （この化合物をＳＣ母体液晶に１０％添加した際にＮ”
相に出現させる螺旋のピッチは６０°Ｃにおいて１．３
μｍである。） の化合物５０％とを混合して、Ｎ０相に出現させる螺旋
のピッチが調整されたキラルドーパントを調製した。

このキラルドーパントを、実施例１で得たＳＣ母体液晶
に１０％添加して得たＳＣ＊液晶組成物の２５°Ｃにお
ける自発分極の値は１０ｎＣ／ｃｍ”であった。

このＳＣ＊液晶組成物は５１″ＣまでＳＣＩ相、６１．
５°ＣまでＳＡ相、７０°ＣまでＮ１相を示し、それ以
上の温度で等方性液体（１）相となった。

また、その融点は明確でなかった。このＳ０１液晶組成
物の６２°ＣにおけるＮ＊相の螺旋ピッチは２０μｍ以
上であり、配向処理を施したセルに充填して■和から徐
冷すると極めて良好な配向性を示した。このセルに電界
強度１０　ＶＰ−Ｐ／μｍの５０Ｈｚの矩形波を印加し
て、その電気光学応答速度を測定したところ、２５℃で
４９μ秒という高速応答性が確認できた。このときのチ
ルト角は２２．９°であった。

次にこのキラルドーパントの割合を１２％としたところ
、５　’１．５℃までｓｃ”相、６１．５“ＣまでＳＡ
相、６９°ＣまでＮ１相を示し、２５°Ｃにおいて４４
μ秒とさらに高速の応答性を示した。このときの自発分
極は１３．７　ｎＣ／ｃｍ！、チルト角は２３．２°で
あった。

さらに、このキラルドーパントの割合を１６％としたと
ころ６３°ＣまでＳＣ＊相を、７０°ＣまでＮ”相を示
し、２５°Ｃにおける応答速度は４４μ秒、この時の自
発分極は３９．４　ｎＣ／　ｃ＋ａ”、チルト角は３２
．４”であった。

実施例３ Ｎ１相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として式 とＮ１相に左巻きの螺旋を・出現させる化合物として、
−数式（Ａ）で表わされる化合物のうち、式を混合して
、Ｎ＊相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキラル
ドーパントを調製した。

このキラルドーパント１１％と実施例１の母体液晶８９
％からなるＳ０８液晶組成物を調製したところ、４７℃
までＳＣ＊相を、６１．５℃までＳＡ相を、６９．５°
ＣまでＮ”相を示し、それ以上の温度でＩ相となった。

このＳＣ９液晶組成物の６２°ＣにおけるＮ＊相の螺旋
ピッチは２０μｍ以上であり、配向処理を施したセルに
充填し、■相から徐冷すると極めて良好な配向性を示し
た。実施例２と同様にして、その電気光学応答速度を測
定したところ、２５゛Ｃで５４μ秒という高速応答性が
確認できた。このときの自発分極は９，５ｎＣ／ｅｌｌ
”、チルト角は２３．５　’であった。

次にキラルドーパントの量を１６％としたところ、４７
°Ｃまでｓｃ”相を、５９．５°ＣまでＳＡ相、６６°
ＣまでＮ“相、それ以上の温度でＩ相と、転移温度はあ
まり変化がなかったが、２５°Ｃで３６μ秒というさら
に高速の応答性が確認できた。このときの自発分極は２
１．５　ｎＣ／ａａ”　、チルト角は２３．７°であっ
た。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。

従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチンク液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、中温域母体液晶、減粘液晶及び高温液晶を含有し、
   スメクチックＣ相を示す液晶組成物にキラルドーパント
   を添加して成る強誘電性液晶組成物であって、キラルド
   ーパントが一般式（Ａ）▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ 〔式中、Ｒ＾１は炭素原子数２〜１０のアルキル基を表
   わし、Ｒ＾２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、炭素
   原子数１〜１０のアルコキシル基又はアルカノイルオキ
   シ基を表わし、Ｙ＾ａはフッ素原子又はシアノ基を表わ
   し、Ｙ＾ｂは水素原子、フッ素原子又はシアノ基を表わ
   し、ｍは０又は１を表わし、ｌは０〜１０の整数を表わ
   し、Ｃ＾＊及びＣ＾＊＾＊は各々独立的に（Ｒ）配置又
   は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わし、Ｚ＾１及びＺ＾
   ２は各々独立的に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−
   ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−
   、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＳ−又は−ＳＣＯ−を表わし、Ｚ
   ＾３は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、又は
   −Ｓ−を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼及
   び▲数式、化学式、表等があります▼は各々独立的に ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、Ｙ＾
   １及びＹ＾２は水素原子又はフッ素原子を表わす。〕 で表わされる化合物を含有することを特徴とする、室温
   を含む広い温度範囲でキラルスメクチックＣ相を示す強
   誘電性液晶組成物。 ２、Ｚ＾１及びＺ＾２が各々独立的に単結合、−ＣＯＯ
   −又は−ＯＣＯ−であり、Ｚ＾３が単結合、−ＣＯＯ−
   、−ＯＣＯ−又は−Ｏ−であり、▲数式、化学式、表等
   があります▼及び▲数式、化学式、表等があります▼の
   一方が▲数式、化学式、表等があります▼であり、他方 が▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
   式、表等があります▼であ る請求項１記載の強誘電性液晶組成物。 ３、等方性液体状態からの冷却時において、３度以上３
   ０度未満の温度幅を有するキラルネマチック相を経由し
   、該キラルネマチック相からより低温側の相に相転移す
   る温度から、該相転移温度の１度高温側までにおける温
   度域において、該キラルネマチック相における螺旋ピッ
   チが３μｍ以上である請求項１又は２記載の強誘電性液
   晶組成物。 ４、キラルネマチック相からの冷却時において、１度以
   上３０度未満の温度幅を有するスメクチックＡ相を経由
   し、キラルスメクチックＣ相に相転移する請求項３記載
   の強誘電性液晶組成物。