JPH02216829A - 集積回路装置の配線法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は集積回路装置の配線法に関する。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、ａ、１μｍ巾程度以下
の極めて細い電極配線が困難であると云う課題がありた
。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、集積回路装
置の配線法に関し、（Ｌ１μ鶏巾、程度以下の極めて細
い電極配線を容易に得る事が出来る配線法を提供する事
を目的とする。

ｃ＊題を解決するための手段］ 上記１１題を解決するために１本発明は、集積回路装置
の配線法に関し、絶縁膜に設けられたトレンチ内壁の少
くとも一側面に電極膜を形成する手段をとる事、及び、
該電極膜をタングステンとする手段をとる挙である。

［従来の技術］ 従来、集積回路装置における電極の形成法としては、絶
縁膜等の上Ｋｌ極膜を形成後、該電極膜をホト・エツチ
ングする方法が用いられていた。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳述す、る。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
要部・の断面図を配線工程順に示したちのｔある。すな
わち、′８１基板１０表面に、拡散層。

２ｐ８１’ｔｇ５及び’１’１１９１膜４が形成され、
更にその上にｏｖｎｓｉｏ、膜やホトレジスト膜等から
成る絶縁膜５を形成し、配線部にトレンチ構造を形成し
た後、スパッタ法やＯＶＤ法によりＷ電極膜６を形成し
、次で、少くとも前記、絶、縁膜５の表面露出部のＷ電
極膜を除去すべ（、本例では、斜めイオン・エツチング
処理を施すことにより、Ｗ配線７を形成したものである
。本例の場合、曽配線７は一側面にのみ残存させても良
く、又、その後、絶縁膜５をエツチング除去しても良い
。更に、Ｗ配ＩＷ７は、ホト・エツチングにより絶縁［
５の表両露出部に一部残存せしめる事もでき、又、トレ
ンチ内の全側面に残存さ°せても良い。更に、第２のＷ
配線を施すべく％　Ｗｆｌ！線７を含む表面に第２の絶
縁膜を形成後、該第２の絶縁膜のトレンチ部に前記例と
同様の方法によりＷ配線をｌＩｃ２の絶縁膜に形成した
トレンチ部の少（とも−側面を含む側面に残存さ、せて
形成することもでき、又該第２の絶縁膜を配線形成後エ
ツチング除去して配線をエアー・アイソレージ璽ンする
こともできる。更に、絶縁膜５等は、後程エツチング除
去するのであれば必ずしも絶縁膜である必要はなく、エ
ツチング除去し易い金属、例えばＡｔ等であっても良い
。

［発明の効果］ 本発明により、集積回路装置の配線法に関し、α１μｍ
巾程度以下の極めて細い電極配線を容易に形成すること
ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

ｇ１図（α＞ｅ＜ｂ＞は本発明の一実施例を示す半導体
集積回路装置の要部の断面図を配線工程順に示した図で
ある。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ５−、・・・・・ＳｔＯ，膜 ４・・・・・・・・−ＴｉＳ１膜 ５・・・・・・・・・絶縁膜 ６・・・・・・・−Ｗ電極膜 ７・・・・・・・・・Ｗ配線 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁膜に設けられたトレンチ内壁の少くとも一側
   面に電極膜を形成して成る事を特徴とする集積回路装置
   の配線法。
2. （２）電極膜をタングステンとなす事を特徴とする請求
   項１記載の集積回路装置の配線法。