JPH02222830A - Si被毒防止用酸素センサ - Google Patents
Si被毒防止用酸素センサInfo
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- JPH02222830A JPH02222830A JP63328993A JP32899388A JPH02222830A JP H02222830 A JPH02222830 A JP H02222830A JP 63328993 A JP63328993 A JP 63328993A JP 32899388 A JP32899388 A JP 32899388A JP H02222830 A JPH02222830 A JP H02222830A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は酸素(0゜)センサ、特に自動車排ガス用酸素
センサに関する。
センサに関する。
[従来の技術及び課題]
従来の02センサの場合、排ガス中に含まれるSi成分
によりセンサの立ち下がり応答は遅くなりかつその制御
時のリーン出力VLが持ち上がる為に大きくリーンシフ
トするという問題が生じた。
によりセンサの立ち下がり応答は遅くなりかつその制御
時のリーン出力VLが持ち上がる為に大きくリーンシフ
トするという問題が生じた。
[課題の解決手段・作用コ
本発明者は、排ガス中のSiに対する被毒は周期律表I
Ia族元素からなる成分(以下、 I”IIa族成分
」という)を、排気ガスにさらされる側の保護層、特に
最外保護層中に入れる事により大きな効果が得られるこ
とを見い出した。即ち、排気ガス中のSi成分がセンサ
の活性点に達する迄に。
Ia族元素からなる成分(以下、 I”IIa族成分
」という)を、排気ガスにさらされる側の保護層、特に
最外保護層中に入れる事により大きな効果が得られるこ
とを見い出した。即ち、排気ガス中のSi成分がセンサ
の活性点に達する迄に。
この保護層にStを吸着反応させる事ができる。
これは、保護層中のna族酸成分排ガス中に含まれるS
jとセンサが使用される状態下の温度で反、応を起こし
低融点の結晶を生成する為、sIが保護層中を侵入して
こなくなり電極を保護すると推定される。特に、Ca又
はMg等を含んだ塩化物、炭酸塩、硝酸塩等は非常に細
かい粒子が形成される為このSi成分が素通りしてしま
う事を防ぐ事ができる上に、このStに対して活性が高
い。
jとセンサが使用される状態下の温度で反、応を起こし
低融点の結晶を生成する為、sIが保護層中を侵入して
こなくなり電極を保護すると推定される。特に、Ca又
はMg等を含んだ塩化物、炭酸塩、硝酸塩等は非常に細
かい粒子が形成される為このSi成分が素通りしてしま
う事を防ぐ事ができる上に、このStに対して活性が高
い。
、更に1本発明者は排ガス中に含まれるSiがエンジン
の低回転つまり温度が低い時に混入した場合にはIIa
族成分によるSiの吸着効果は弱まり未反応のまま保護
層表面にSiが付着してしまう事を確認した。そのため
にセンサが高温にさらされた時そのSiが5lo2等に
変化し保護層に目詰まりを生じてしまう事も起こること
も判明した。
の低回転つまり温度が低い時に混入した場合にはIIa
族成分によるSiの吸着効果は弱まり未反応のまま保護
層表面にSiが付着してしまう事を確認した。そのため
にセンサが高温にさらされた時そのSiが5lo2等に
変化し保護層に目詰まりを生じてしまう事も起こること
も判明した。
そのため2本発明にあっては更に、排気ガスにさらされ
る側の保護層にna族酸成分含有させると共に、ヒータ
を備える事により、この低温時におけるS1表面付着を
防ぐ事もできたものである。つまり保護層表面温度をこ
のヒータにより高め、Ca、Mg等のIIa族成分の吸
着能力を高める事によりSiはこのIIa族成分と反応
しSiのみでの表面付着を少なくさせる事ができる。
る側の保護層にna族酸成分含有させると共に、ヒータ
を備える事により、この低温時におけるS1表面付着を
防ぐ事もできたものである。つまり保護層表面温度をこ
のヒータにより高め、Ca、Mg等のIIa族成分の吸
着能力を高める事によりSiはこのIIa族成分と反応
しSiのみでの表面付着を少なくさせる事ができる。
本発明の酸素センサは、ZrO固体電解質型は勿論、T
iO2に代表される酸化物半導体型酸素センサ、更には
02素子とともにポンプ素子を備えた空燃比センサ(第
13図)など種々の自動車排ガス用酸素センサとして利
用可能である。
iO2に代表される酸化物半導体型酸素センサ、更には
02素子とともにポンプ素子を備えた空燃比センサ(第
13図)など種々の自動車排ガス用酸素センサとして利
用可能である。
IIa族成分を少なくとも一種含む保護層について、■
aa元素としてはCa、Mgが良好である。■a族酸成
分組成としては非酸化物1例えばCa CilM g
COa等の塩化物、窒化物、炭化物、炭酸塩、硝酸塩が
良い。但し、ヒータを備えた酸素センサにあっては酸化
物であっても有効である。又、これらの水和物例えばC
a Ci! 22HO1複合化合物例えばcaco −
Mgc03 (ドロマイト)であってもよい。Stの反
応性に富み確実にこの保護層中にてSt防御できる。
aa元素としてはCa、Mgが良好である。■a族酸成
分組成としては非酸化物1例えばCa CilM g
COa等の塩化物、窒化物、炭化物、炭酸塩、硝酸塩が
良い。但し、ヒータを備えた酸素センサにあっては酸化
物であっても有効である。又、これらの水和物例えばC
a Ci! 22HO1複合化合物例えばcaco −
Mgc03 (ドロマイト)であってもよい。Stの反
応性に富み確実にこの保護層中にてSt防御できる。
■a族酸成分第1保護層、第2保護層を構成する耐熱性
金属酸化物とは独立して存在することが好ましい。「独
立して」とは■a族酸成分これら金属酸化物と反応して
M g T i OaのようなSi成分に対して不活性
な化合物を形成していないことをいう。
金属酸化物とは独立して存在することが好ましい。「独
立して」とは■a族酸成分これら金属酸化物と反応して
M g T i OaのようなSi成分に対して不活性
な化合物を形成していないことをいう。
na族酸成分少なくとも一種含む保護層は電極に近接し
て電極を直接保護する耐熱性金属酸化物からなる第1保
護層を有し、この第1保護層のより外側にIra族成分
成分なる第2保護層を存在させるとよい。SLとの反応
がより外側において行われ、Si成分の保護層侵入によ
る電極劣化を確実に防止得る。又、第1保護層が存在し
ないと高温耐久劣化し易い。第1保護層を構成する耐熱
性酸化物としては例えばA、g O、スビネル、B
e O、Z r O2等が挙げられ、特にスピネル(中
でもMgO”AI!203)、Al2O3を主体とする
ものが好ましい。その気孔率は5〜20%程度、その厚
みは 100〜180μl好ましくは150μm程度に
するとよい。この第1保護層中に貴金属を含有させると
よい。排ガス中の未燃成分の酸化、還元を完全に行なう
ことができ、センサにとって更に良好な制御A/Fを示
す。貴金属としては特に白金(Pt)を主体とするもの
例えばP t 80vt%以上からなるものが好ましい
。その担持量は第1保護層の構成材料に対して0.01
〜5wt%にするとよい。第1保護層は単層、又は組成
・気孔率等の異なった複層であっても差支えない。
て電極を直接保護する耐熱性金属酸化物からなる第1保
護層を有し、この第1保護層のより外側にIra族成分
成分なる第2保護層を存在させるとよい。SLとの反応
がより外側において行われ、Si成分の保護層侵入によ
る電極劣化を確実に防止得る。又、第1保護層が存在し
ないと高温耐久劣化し易い。第1保護層を構成する耐熱
性酸化物としては例えばA、g O、スビネル、B
e O、Z r O2等が挙げられ、特にスピネル(中
でもMgO”AI!203)、Al2O3を主体とする
ものが好ましい。その気孔率は5〜20%程度、その厚
みは 100〜180μl好ましくは150μm程度に
するとよい。この第1保護層中に貴金属を含有させると
よい。排ガス中の未燃成分の酸化、還元を完全に行なう
ことができ、センサにとって更に良好な制御A/Fを示
す。貴金属としては特に白金(Pt)を主体とするもの
例えばP t 80vt%以上からなるものが好ましい
。その担持量は第1保護層の構成材料に対して0.01
〜5wt%にするとよい。第1保護層は単層、又は組成
・気孔率等の異なった複層であっても差支えない。
第2保護層は、na族酸成分単独らなってもよいが、A
J O、TiO、スピネル等の耐熱性金属酸化物粉末
との混合物からなってもよい。
J O、TiO、スピネル等の耐熱性金属酸化物粉末
との混合物からなってもよい。
第2保護層は排ガス通過性を阻害しないために多孔質に
する必要がある。その気孔率は30%程度2その厚みは
30/a程度にするとよい。但し、第2保護層の一部な
いしは全部が第1保護層内に含浸ないしは分散して存在
してもよい。
する必要がある。その気孔率は30%程度2その厚みは
30/a程度にするとよい。但し、第2保護層の一部な
いしは全部が第1保護層内に含浸ないしは分散して存在
してもよい。
IIa族成分を少なくとも1種含む保護層は1種々の方
法によって酸素イオン伝導体の排ガスにさらされる側に
備えられる。
法によって酸素イオン伝導体の排ガスにさらされる側に
備えられる。
第1保護層の形成としては、溶射2特にプラズマ溶射が
好ましい。溶射粉末同志の固着強度が強く、その条件を
適宜変更することにより。
好ましい。溶射粉末同志の固着強度が強く、その条件を
適宜変更することにより。
任意の気孔率、気孔径とすることができる。又。
酸素イオン伝導体材料からなる生シートに貴金属ベース
トにて電極を印刷後、第1保護層材料特にA(203を
更に印刷し、これらを同時焼成してもよい。
トにて電極を印刷後、第1保護層材料特にA(203を
更に印刷し、これらを同時焼成してもよい。
第2保護層の形成は、IIa族の塩化物等を水または溶
剤を加え溶液とし、これを予め形成された第1保護層表
面に塗布または噴霧するとよい。
剤を加え溶液とし、これを予め形成された第1保護層表
面に塗布または噴霧するとよい。
又、IIa族成分成分溶液熱性金属酸化物例えばA、e
O、TiO2の粉末と混合し、この混合物を塗布ま
たは噴霧してもよい。その後、約500〜7(10℃の
非酸化性雰囲気にて熱処理するとよい。これによって、
Slに対して活性なIIa族成分成分属酸化物とからな
る第2保護層を第1保護層の外側に備えることができ、
Siに対する効果が高くなる。金属酸化物粉末の周囲を
■a族酸成分微粒子が囲み、Stを含んだ排気ガスに対
して有効な作用面積を有することになるからである。
O、TiO2の粉末と混合し、この混合物を塗布ま
たは噴霧してもよい。その後、約500〜7(10℃の
非酸化性雰囲気にて熱処理するとよい。これによって、
Slに対して活性なIIa族成分成分属酸化物とからな
る第2保護層を第1保護層の外側に備えることができ、
Siに対する効果が高くなる。金属酸化物粉末の周囲を
■a族酸成分微粒子が囲み、Stを含んだ排気ガスに対
して有効な作用面積を有することになるからである。
具体的には、金属酸化物の(原f4>平均粒径は0.1
〜18mにするとよい。好ましくは0.2〜0.5μm
がよい。又、混合物におけるIIa族成分成分は金属酸
化物に対し1〜3owt%、好ましくは2〜25wt%
にするとよい。lvt%未満ではStに対する効果が薄
れ、 30vt%を越えると細かいIIa族成分成分粒
子り目詰りを生じ、センサの応答性を悪くする。この場
合、■a族酸成分塩化物、炭酸塩。
〜18mにするとよい。好ましくは0.2〜0.5μm
がよい。又、混合物におけるIIa族成分成分は金属酸
化物に対し1〜3owt%、好ましくは2〜25wt%
にするとよい。lvt%未満ではStに対する効果が薄
れ、 30vt%を越えると細かいIIa族成分成分粒
子り目詰りを生じ、センサの応答性を悪くする。この場
合、■a族酸成分塩化物、炭酸塩。
硝酸塩等に水または溶剤を加えて配合するとよい。
第2保護層の形成は、IIa族成分成分中に第1保護層
を浸漬させることにより行なってもよい。
を浸漬させることにより行なってもよい。
これによって、■a族酸成分第1保護層の内部(比較的
外側寄り)に含浸、及び外側に付着させて第2保護層を
備えることができる。IIa族成分成分在量は、第1保
護層の材料に対して0.5〜15vt%、好ましくは1
0vt%以下にするとよい。上記同様な理由に拠る。こ
の場合、IIa族成分成分化物、炭酸塩、硝酸塩等の溶
液で配合するとよい。
外側寄り)に含浸、及び外側に付着させて第2保護層を
備えることができる。IIa族成分成分在量は、第1保
護層の材料に対して0.5〜15vt%、好ましくは1
0vt%以下にするとよい。上記同様な理由に拠る。こ
の場合、IIa族成分成分化物、炭酸塩、硝酸塩等の溶
液で配合するとよい。
[実施例]
本発明の実施例について説明する。
実施例1
以下の工程により第1.2図に示すような保護層を有す
る袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(試料磁1〜
10)を得た。
る袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(試料磁1〜
10)を得た。
(1)素子の製造
工程1:
純度99%以上のZ r 02に純度99.996のY
20 aを5−01%添加し、混合した後。
20 aを5−01%添加し、混合した後。
1300℃で2時間仮焼する。
工程2
水を加えボールミル中にて湿式にて粒子の80%が2.
5μ−以下の粒径になるまで粉砕する。
5μ−以下の粒径になるまで粉砕する。
工程3:
水溶性バインダを添加し、スプレードライにて平均粒径
70μmの球状の造粒粒子を得る。
70μmの球状の造粒粒子を得る。
工程4:
工程3にて得た粉末をラバープレスし所望の管状(試験
管状)に成形し乾燥後、砥石にて所定の形状に研削する
。
管状)に成形し乾燥後、砥石にて所定の形状に研削する
。
工程5:
外面上に、工程3で得た造粒粒子に水溶性バインダ繊維
素グリコール酸ナトリウム及び溶剤を添加した泥漿を付
着させる。
素グリコール酸ナトリウム及び溶剤を添加した泥漿を付
着させる。
工程6;
乾燥後、 1500℃x 2Hrsにて焼成する。
検出部に対応する部分について、軸方向長さは25mm
、外径約5 +uφ、内径約3 yarsφとした。
、外径約5 +uφ、内径約3 yarsφとした。
工程7:
無電解メツキにより、外面にP t 7IJ11定電極
層を厚さ 0.9−に折着させ、その後1000℃で焼
付する。
層を厚さ 0.9−に折着させ、その後1000℃で焼
付する。
工程8:
Mg0−A、j O(スピネル)の粉末にてプラズマ
溶射して厚さ約150−の第1保護層を形成する。NO
,5〜10.魔15〜27゜k31〜34の試料につい
ては、スピネル粉末に貴金属を含有させた。
溶射して厚さ約150−の第1保護層を形成する。NO
,5〜10.魔15〜27゜k31〜34の試料につい
ては、スピネル粉末に貴金属を含有させた。
工程9:
工程7と同様にして、内面にpt基準電極層を形成した
。
。
工程10:
少なくとも第1保護層をP t 0.05g /βのH
2PtC,N6溶液中に浸し、50〜100s+sHg
減圧下で約5分放置して、第1保護層中に貴金属を含浸
させた。
2PtC,N6溶液中に浸し、50〜100s+sHg
減圧下で約5分放置して、第1保護層中に貴金属を含浸
させた。
工程11;
IIa族の塩化物、炭酸塩、硝酸塩を噴霧器にて第1保
護層上に塗布し、600℃以下の非酸化性雰囲気中にて
処理して、第2保護層を形成した(厚み5〜30μm)
。
護層上に塗布し、600℃以下の非酸化性雰囲気中にて
処理して、第2保護層を形成した(厚み5〜30μm)
。
(2)酸素センサの製造
更に、こうして製造された酸素センサ素子1を用いて、
以下の工程により、酸素センサAを得た。
以下の工程により、酸素センサAを得た。
工程1:
素子1をハウジング8内に挿入した後。
加締用リング9及び滑石等の充填剤10を挿填して、素
子Bをハウシング8内に固定する。
子Bをハウシング8内に固定する。
工程2;
電極2,3に端子を介してリードを接続する。
工程3:
素子B先端部を覆って保護管11を配置し、ハウジング
8先端と保護管11後端とを溶接する。
8先端と保護管11後端とを溶接する。
工程4:
外筒を被せて酸素センサを得る。
実施例2
実施例1の酸素センサ素子の製造工程11に代えて2次
のようにして第2保護層を形成した。即ち、Ha族元素
の塩化物、炭酸塩、硝酸塩に水を加え、平均粒径0.5
μmの八ぶ。03粉末又は平均粒径0.3−のT102
粉末を混合し、噴霧器にて第1保護層上に塗布し、60
0℃以下の非酸化性雰囲気中にて処理した。
のようにして第2保護層を形成した。即ち、Ha族元素
の塩化物、炭酸塩、硝酸塩に水を加え、平均粒径0.5
μmの八ぶ。03粉末又は平均粒径0.3−のT102
粉末を混合し、噴霧器にて第1保護層上に塗布し、60
0℃以下の非酸化性雰囲気中にて処理した。
他は実施例1と同様にして、第1,3図に示すような保
護層を有する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料Na1l〜28)を得た。
護層を有する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料Na1l〜28)を得た。
実施例3
実施例1の酸素センサ素子の工程11に代えて。
次のようにして第2保護層を形成した。即ち。
na族の塩化物、硝酸塩等を水で溶かし、第1保護層を
入れ、50〜10QsmHg減圧下で約5分放置した後
、120″CX 2 Hrs乾燥した。
入れ、50〜10QsmHg減圧下で約5分放置した後
、120″CX 2 Hrs乾燥した。
他は実施例1と同様にして、第1,4図に示すような保
護層を有する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料Nα29〜34)を得た。
護層を有する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料Nα29〜34)を得た。
実施例4
以下の工程により第5図に示すヒータ付酸素センサ(試
料Na35〜41)を得た。
料Na35〜41)を得た。
(1)素子の製造
実施例1〜3と同一
(2)ヒータの製造等
工程1:
A J 203を主成分とするシートを厚み0.8鰭に
ドクターブレード法にて成形した。
ドクターブレード法にて成形した。
工程2ニ
スクリーン印刷法によりWを主成分とし有機バインダと
溶剤を加えたペーストにて、導電性パターンを印刷した
。
溶剤を加えたペーストにて、導電性パターンを印刷した
。
工程3:
更にAで203を主成分とし有機バインダと溶剤を加え
たペーストにて厚30−コーティングした。
たペーストにて厚30−コーティングした。
工程4:
Aで203を主成分とする外径2IIIllの碍管に3
で得たシートを巻きつけ400℃にて24Hrsを樹脂
抜きし、 1550″CX211rsにて焼成した。
で得たシートを巻きつけ400℃にて24Hrsを樹脂
抜きし、 1550″CX211rsにて焼成した。
工程5:
端子部にリード線を銀ロー付けしてヒータを得た。
工程6:
素子を組付ける時に袋状素子の内側に
接触しない様工程5で得たヒータを挿入した。
実施例5
以下の工程により第6.7図に示すような保護層を有す
る板状酸素センサ素子からなる酸素センサ(試料N14
2〜43)を得た。
る板状酸素センサ素子からなる酸素センサ(試料N14
2〜43)を得た。
(1)素子・ヒータの製造
工程l
ZrO2+72035モル96を主成分とするシートを
厚み 0 、8 Ilmにドクターブレード法にて成形
した。
厚み 0 、8 Ilmにドクターブレード法にて成形
した。
工程2
スクリーン印刷法によりPtを主成分とし、有機バイン
ダと溶剤を加えたペーストにて電極を2On厚両面に印
刷した。
ダと溶剤を加えたペーストにて電極を2On厚両面に印
刷した。
工程3:
該電極を被覆する様にAで203を主成分とし、有機バ
インダと溶剤とを加え更に多孔質にする為デンプン等を
少量加えたペーストにて厚み30nコーテイングした(
第1保護層としての多孔質Al2O3層の形成)。
インダと溶剤とを加え更に多孔質にする為デンプン等を
少量加えたペーストにて厚み30nコーテイングした(
第1保護層としての多孔質Al2O3層の形成)。
工程4:
工程1と同様の組成、厚みを有するシート上にAl22
03を主成分とし有機バインダと溶剤とを加えたペース
トを厚み30μmに両面にコーティングした。
03を主成分とし有機バインダと溶剤とを加えたペース
トを厚み30μmに両面にコーティングした。
工程5:
工程2と同様のペーストにて20μmヒータパターンを
印刷した。
印刷した。
工程6:
更に工程4と同様にAl2O3コーティングした(ただ
しヒータパターン上の面のみ)。
しヒータパターン上の面のみ)。
工程7:
工程1と同様の組成、厚みを有するシートをコの字状に
切断してスペーサ用シートとする。第9図に示すt、r
u < 、 このスペーサ用シートを工程1〜3で得た
電極の印刷されたグリーンシートと工程4〜5で得たヒ
ータパターンを内在する対向部用グリーンシートとの間
に配置させ、熱圧着し た。
切断してスペーサ用シートとする。第9図に示すt、r
u < 、 このスペーサ用シートを工程1〜3で得た
電極の印刷されたグリーンシートと工程4〜5で得たヒ
ータパターンを内在する対向部用グリーンシートとの間
に配置させ、熱圧着し た。
工程8:
400℃で24!(rs樹脂抜きした後1500℃×4
8rsの焼成を行なった。
8rsの焼成を行なった。
工程9:
少くとも多孔質Aで203層(第1保護層)をptが0
.05g/j!のH2PtCぶ6溶液中に浸し、50〜
loOmmHg減圧下で約5分放置して、多孔質AI!
203層中に貴金属を含浸させた。
.05g/j!のH2PtCぶ6溶液中に浸し、50〜
loOmmHg減圧下で約5分放置して、多孔質AI!
203層中に貴金属を含浸させた。
工程10:
溶射にてMgO・A j! 203(スピネル)の粉末
を用いて厚さ約150μ―のスピネル保護層(第2保護
層)を形成する。
を用いて厚さ約150μ―のスピネル保護層(第2保護
層)を形成する。
工程11:
IIa族の塩化物、炭酸塩、硝酸塩等に水を加え、スピ
ネル保護層を入れ、50〜10010Os減圧下で約5
分放置した後、120℃x 2 )!rs乾燥した。そ
の後、600℃の非酸化雰囲気で熱処理した。
ネル保護層を入れ、50〜10010Os減圧下で約5
分放置した後、120℃x 2 )!rs乾燥した。そ
の後、600℃の非酸化雰囲気で熱処理した。
工程12:
こうして得られた素子本体の端子側において、第10図
に示すように、その両面に一対の支持部材7をガラスシ
ールによって取付けた。
に示すように、その両面に一対の支持部材7をガラスシ
ールによって取付けた。
(2)酸素センサの製造
実施例1と同じ
実施例6
実施例5の素子・ヒータの製造工程10. tiに代え
て1次のようにして第2保護層を形成した。
て1次のようにして第2保護層を形成した。
即ち、■a族の塩化物、炭酸塩、硝酸塩に水を加え、平
均粒径0.5μ謹のA(203粉末又は平均粒径0.3
μ■のT iO2粉末を混合し、噴霧器にて多孔質A
i 2 Oa層(第1保護層)上に塗布し。
均粒径0.5μ謹のA(203粉末又は平均粒径0.3
μ■のT iO2粉末を混合し、噴霧器にて多孔質A
i 2 Oa層(第1保護層)上に塗布し。
800℃以下の非酸化性雰囲気中にて処理した。
他は実施例5と同様にして、第6,8図に示すような保
護層を存する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料載44〜46)を得た。
護層を存する袋状酸素センサ素子からなる酸素センサ(
試料載44〜46)を得た。
実施例7
以下の工程によりT 102半導体型酸累センサ(試料
N[L47〜50)を得た。
N[L47〜50)を得た。
(1)素子の製造
工程1:
純度9996以上のAl2O390%とMg0Ca O
、S i O2を3.2.5wt%混合し有機バインダ
と溶剤を加え、ドクターブレード法により 0.8+a
+sのグリーンシートを作った。
、S i O2を3.2.5wt%混合し有機バインダ
と溶剤を加え、ドクターブレード法により 0.8+a
+sのグリーンシートを作った。
工程2ニ
グリーンシートの片面にptペーストにより第11図に
示す電極及びヒータパターンをスクリーン印刷した(厚
み30−)。
示す電極及びヒータパターンをスクリーン印刷した(厚
み30−)。
工程3:
厚み250μIのグリーンシートを工程1と同様にして
得、電極部に穴をあけ、第12図の如く積層した。
得、電極部に穴をあけ、第12図の如く積層した。
工程4:
樹脂抜き焼成(1500℃X2Hrs)した。
工程5:
純度99.9%からなるT iO2をH2PtCf 液
に潰しく T t O2にptが1 mo1%になる様
にした)、煮沸しながら乾燥した。
に潰しく T t O2にptが1 mo1%になる様
にした)、煮沸しながら乾燥した。
工程6:
200℃にて24 If r s乾燥後1000℃の非
酸化性雰囲気にてptルツボ内にて熱処理した。
酸化性雰囲気にてptルツボ内にて熱処理した。
工程7:
ptブラック粉末を加え、 T 102に対し5■01
%になる様に調合し、有機バインダと溶剤を加え、ペー
ストとした。
%になる様に調合し、有機バインダと溶剤を加え、ペー
ストとした。
工程8:
工程5〜7で得たペーストを工程1〜4で得た積層体の
穴部に注入し、厚み20Onの層を得、800℃の還元
雰囲気にて熱処理した。
穴部に注入し、厚み20Onの層を得、800℃の還元
雰囲気にて熱処理した。
工程9 :
Ai O、MgOをプラズマスプレー
にて50M[層した後、IIa族成分成分む溶液中に潰
し、真空度50〜100mmHg下で含浸させた(試料
に47.48)。
し、真空度50〜100mmHg下で含浸させた(試料
に47.48)。
又、TiO又はAi!203からなる金属酸化物とII
a族成分成分なるスラリを塗布した(30趨)(試料魔
49.50)。
a族成分成分なるスラリを塗布した(30趨)(試料魔
49.50)。
(2)酸素センサの製造
実施例1と同じ
第1〜13図において、Aは酸素センサ、Bは酸素セン
サ素子、Cは一対の電極を有するポンプ素子、1は酸素
イオン伝導体、2は基準電極、3は測定電極、4は第1
保護層、5は第2保護層。
サ素子、Cは一対の電極を有するポンプ素子、1は酸素
イオン伝導体、2は基準電極、3は測定電極、4は第1
保護層、5は第2保護層。
5aは■a族成分、6はヒータ、7は素子支持体、8は
ハウジング、9は加締用リング、 10は充填剤、を夫
々表わす。
ハウジング、9は加締用リング、 10は充填剤、を夫
々表わす。
[試験例]
実施例1〜7について、下記のような試験を行った。
(1)実車にてセンサ初期の制御30 A/Fを測定し
た。
た。
測定方法はマニホールドにセンナを取付け、 gokl
/fir X 8 psの走行状態に固定した時のセン
サによる制御を行い、その排ガスを空燃比針にてA/F
を計測した。
/fir X 8 psの走行状態に固定した時のセン
サによる制御を行い、その排ガスを空燃比針にてA/F
を計測した。
(2)排気管(マニホールド−1m程下流)にセンサを
取付け、更にマニホールド部からSLオイルを5 cc
/ 30分の割合でI Hr(10cc>を注入しなか
ら3000rpmにてエンジンを動かした。雰囲気はλ
ζ1近傍にて行なった。
取付け、更にマニホールド部からSLオイルを5 cc
/ 30分の割合でI Hr(10cc>を注入しなか
ら3000rpmにてエンジンを動かした。雰囲気はλ
ζ1近傍にて行なった。
(3)1の測定を行い、初期と耐久後の^/Fの変化を
求めた。又センサの応答性として高速応答レコーダにて
センサ出力をモニタした(例えば第14図)。そして、
第15図に示すように平均値な直線を結び300.80
0胃V間の時間(T、T)を計LRRL 測した。
求めた。又センサの応答性として高速応答レコーダにて
センサ出力をモニタした(例えば第14図)。そして、
第15図に示すように平均値な直線を結び300.80
0胃V間の時間(T、T)を計LRRL 測した。
(4)又、ヒータ付センサについて同様にして、センサ
の制御状態を観察した(但し、Stオイル注入時のE/
G回転は11000rpとした)。尚、ヒータは400
℃以上に設定する。
の制御状態を観察した(但し、Stオイル注入時のE/
G回転は11000rpとした)。尚、ヒータは400
℃以上に設定する。
その結果を表1〜5.及び第18〜18図に示す。
(以下余白)
表1
1)Na8は他のエンジン耐久(200℃以下〜900
’C以上のサイクル耐久)にて第1保護層にキレを生じ
た。
’C以上のサイクル耐久)にて第1保護層にキレを生じ
た。
2) Gael!、 一部ハカレ
尚1本実施例1と同じ製造工程によって、第1保護層の
金属酸化物としてN1zOsを使用した場合、 Zr(
)2酸素イオン伝導体との熱膨張差により熱サイクル耐
久で問題を生ずる。
金属酸化物としてN1zOsを使用した場合、 Zr(
)2酸素イオン伝導体との熱膨張差により熱サイクル耐
久で問題を生ずる。
表3
1)センサ温度
表4
1)IIa族成分成分は第2保護層の金属酸化物(スピ
ネル、 AbQz 、丁IO□)に対する量であつて■
8族元木(Ca、 Kg3換算値表5 1)IIa族成分成分は第2保護層の金属酸化物(スピ
ネル、 Tl0z、 Al’Jt )に対する量であっ
てIIa族元素(Ca、 lag)換算値2)第1保護
層は丁10i半導体が兼ねる。
ネル、 AbQz 、丁IO□)に対する量であつて■
8族元木(Ca、 Kg3換算値表5 1)IIa族成分成分は第2保護層の金属酸化物(スピ
ネル、 Tl0z、 Al’Jt )に対する量であっ
てIIa族元素(Ca、 lag)換算値2)第1保護
層は丁10i半導体が兼ねる。
[発明の効果]
以上の如(本発明によれば、排気ガス中にSl成分が存
在しても、そのSl成分による電極被毒を防ぎ正確かつ
安全なA/F制御が可能であり。
在しても、そのSl成分による電極被毒を防ぎ正確かつ
安全なA/F制御が可能であり。
かつ応答性も優れる。しかも、エンジンの低回転時にお
いてSi被毒による性能劣化を確実に防止することもで
きる。
いてSi被毒による性能劣化を確実に防止することもで
きる。
第1図は本発明の酸素センサ(袋状酸素センサ素子)の
−例を示す半断面図。 第2〜4図は第1図のn−IV拡大断面の模式図であっ
て、第2図は実施例1に係るもの、第3図は実施例2に
係るもの、第4図は実施例3に係るもの。 第5図は袋状素子にヒータを備えた実施例4に係る酸素
センサを示す模式断面図。 第6図は本発明の酸素センサ素子の他の例(板状)を示
す平面図。 第7〜8図は第6図の■、■拡大断面の模式図であって
、第7図は実施例5に係るもの、第8図は実施例6に係
るもの。 第9図は実施例5,6の工程7を説明するための図。 第10図は実施例5,6の工程13を説明するための図
。 第11.12図は実施例7の工程2.3を示す図。 第13図は本発明の一例としての空燃比センサを示す断
面図。 i14.15図はセンサ出力の波形の一例及び計測時間
(T、T)を規定する図。 LRRL 第18図は初期及び耐久後の^/Fの変化を示すグラフ
。 第17図はテスト後における制御中の出力を示す波形の
略図、そして 第18図は初期及び耐久後の間(T、T)のLRRL 変化を示すグラフ を夫々表わす。 A・・・酸素センサ ト・・酸素イオン伝導体 2・・・基準電極 4・・・第1保護層 5a・・・IIa族成分 成分・・酸素センサ素子 3・・・測定電極 5・・・第2保護層
−例を示す半断面図。 第2〜4図は第1図のn−IV拡大断面の模式図であっ
て、第2図は実施例1に係るもの、第3図は実施例2に
係るもの、第4図は実施例3に係るもの。 第5図は袋状素子にヒータを備えた実施例4に係る酸素
センサを示す模式断面図。 第6図は本発明の酸素センサ素子の他の例(板状)を示
す平面図。 第7〜8図は第6図の■、■拡大断面の模式図であって
、第7図は実施例5に係るもの、第8図は実施例6に係
るもの。 第9図は実施例5,6の工程7を説明するための図。 第10図は実施例5,6の工程13を説明するための図
。 第11.12図は実施例7の工程2.3を示す図。 第13図は本発明の一例としての空燃比センサを示す断
面図。 i14.15図はセンサ出力の波形の一例及び計測時間
(T、T)を規定する図。 LRRL 第18図は初期及び耐久後の^/Fの変化を示すグラフ
。 第17図はテスト後における制御中の出力を示す波形の
略図、そして 第18図は初期及び耐久後の間(T、T)のLRRL 変化を示すグラフ を夫々表わす。 A・・・酸素センサ ト・・酸素イオン伝導体 2・・・基準電極 4・・・第1保護層 5a・・・IIa族成分 成分・・酸素センサ素子 3・・・測定電極 5・・・第2保護層
Claims (11)
- (1)排気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサにお
いて、排気ガスにさらされる側に周期律表IIa族元素か
らなる成分(以下、「IIa族成分」という)を少なくと
も一種含む保護層を備えたことを特徴とする酸素センサ
。 - (2)IIa族元素が主にCa又はMgである請求項1記
載の酸素センサ。 - (3)酸素イオン伝導体の両面に一対の電極を備え、排
気ガス中の酸素濃度を検知する酸素センサにおいて、 酸素イオン伝導体の排気ガスにさらされる側に、少なく
とも電極を被覆してIIa族成分を少なくとも一種含む保
護層を備えたことを特徴とする酸素センサ。 - (4)IIa族成分が非酸化物である請求項3記載の酸素
センサ。 - (5)保護層が、電極に近接して電極を直接保護し、耐
熱性金属酸化物からなる第1保護層と、該第1保護層と
は独立して存在し、IIa族成分からなる第2保護層とか
らなる請求項3記載の酸素センサ。 - (6)酸素イオン伝導体の排ガスにさらされる側の電極
保護処理について、少なくとも次の各工程:(a)スピ
ネル、Al_2O_3等の耐熱性金属酸化物にて第1保
護層を形成する工程、 (b)IIa族成分からなる組成物を第2保護層として形
成する工程、 を含むことを特徴とする酸素センサの製造方法。 - (7)酸素イオン伝導体の排ガスにさらされる側の電極
保護処理について、少なくとも次の各工程:(a)スピ
ネル、Al_2O_3等の耐熱性金属酸化物にて第1保
護層を形成する工程、 (b)IIa族成分及び耐熱性金属酸化物粉末を配合して
スラリを形成し、該スラリにて第2保護層を形成する工
程、 を含むことを特徴とする酸素センサの製造方法。 - (8)酸素イオン伝導体の排ガスにさらされる側の電極
保護処理について、少なくとも次の各工程:(a)スピ
ネル、Al_2O_3等の耐熱性金属酸化物にて第1保
護層を形成する工程、 (b)IIa族成分を含む第1保護層を浸漬処理して第2
保護層を形成する工程、 を含むことを特徴とする酸素センサの製造方法。 - (9)排気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサにお
いて、そのセンサ素子を加熱する為のセラミックヒータ
を備え、かつ、排気ガスにさらされる側にIIa族成分を
少なくとも一種含む保護層を備えたことを特徴とする酸
素センサ。 - (10)酸素センサがZrO_2固体電解質からなる請
求項9記載の酸素センサ。 - (11)酸素センサが酸化物半導体からなる請求項9記
載の酸素センサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328993A JPH0810210B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-12-28 | Si被毒防止用酸素センサ |
| EP89120196A EP0369238B1 (en) | 1988-11-01 | 1989-10-31 | Oxygen sensor and method for producing same |
| DE68927087T DE68927087T2 (de) | 1988-11-01 | 1989-10-31 | Sauerstoffempfindlicher Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US08/408,132 US5849165A (en) | 1988-11-01 | 1995-03-21 | Oxygen sensor for preventing silicon poisoning |
| HK9997A HK9997A (en) | 1988-11-01 | 1997-01-23 | Oxygen sensor and method for producing same |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27674488 | 1988-11-01 | ||
| JP63-276744 | 1988-11-02 | ||
| JP63-276302 | 1988-11-02 | ||
| JP27630288 | 1988-11-02 | ||
| JP63328993A JPH0810210B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-12-28 | Si被毒防止用酸素センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222830A true JPH02222830A (ja) | 1990-09-05 |
| JPH0810210B2 JPH0810210B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=27336336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63328993A Expired - Lifetime JPH0810210B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-12-28 | Si被毒防止用酸素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810210B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344659U (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-25 | ||
| JP2009519446A (ja) * | 2005-12-14 | 2009-05-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサー素子ならびに該センサー素子を製造するための方法および薬剤 |
| JP2013011523A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Toyota Motor Corp | ガスセンサ素子とガスセンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520423A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-13 | Toyota Motor Corp | Oxygen sensor element |
| JPH02276956A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-11-13 | Ngk Insulators Ltd | 酸素センサおよびその製造方法ならびに被毒防止方法 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63328993A patent/JPH0810210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520423A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-13 | Toyota Motor Corp | Oxygen sensor element |
| JPH02276956A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-11-13 | Ngk Insulators Ltd | 酸素センサおよびその製造方法ならびに被毒防止方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344659U (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-25 | ||
| JP2009519446A (ja) * | 2005-12-14 | 2009-05-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサー素子ならびに該センサー素子を製造するための方法および薬剤 |
| JP2013011523A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Toyota Motor Corp | ガスセンサ素子とガスセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810210B2 (ja) | 1996-01-31 |
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