JPH02226692A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
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- JPH02226692A JPH02226692A JP1044963A JP4496389A JPH02226692A JP H02226692 A JPH02226692 A JP H02226692A JP 1044963 A JP1044963 A JP 1044963A JP 4496389 A JP4496389 A JP 4496389A JP H02226692 A JPH02226692 A JP H02226692A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000003197 Byrsonima crassifolia Nutrition 0.000 description 1
- 240000001546 Byrsonima crassifolia Species 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000598846 Sciron Species 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工業」Ｊ」ｕＬＬ１
２膜ＥＬの絶縁層を電子ビーム蒸着により形成する方法
において下地に形成されている透明電極のパターンの影
響を防止する方法に関する。
において下地に形成されている透明電極のパターンの影
響を防止する方法に関する。
１釆叫１直
薄膜ＥＬパネルは、その構造を電圧印加方式から種々の
ものがあるが現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプで、各電極が互いに直交する方向にストライ
プ状に形成されたいわゆるドツトマトリクスタイプの表
示パネルを例にとり説明する。第７図にその断面構造を
示す。まずガラス基板！ＯＯ上に透明電極１０１ （
例えばＩＴＯ）第１絶縁層１０２ａ、発光７４１０３
（例えばＺｎＳ ： Ｍｎ ）、第２絶縁層１０２ｂ
、及び背面電極１０４（例えばＭ）を順次積層したもの
となっている。この透明電極１０１と背面電極１０４の
間に外部から交流電圧を印加すると、画電極の交差部分
の発光層１０３が発光する。
ものがあるが現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプで、各電極が互いに直交する方向にストライ
プ状に形成されたいわゆるドツトマトリクスタイプの表
示パネルを例にとり説明する。第７図にその断面構造を
示す。まずガラス基板！ＯＯ上に透明電極１０１ （
例えばＩＴＯ）第１絶縁層１０２ａ、発光７４１０３
（例えばＺｎＳ ： Ｍｎ ）、第２絶縁層１０２ｂ
、及び背面電極１０４（例えばＭ）を順次積層したもの
となっている。この透明電極１０１と背面電極１０４の
間に外部から交流電圧を印加すると、画電極の交差部分
の発光層１０３が発光する。
次に絶縁層について詳しく述べる。絶縁層には諸々の条
件が要求され単一材料で形成されることは少な（、一般
には多層膜が用いられる。そしてその材料・製法等は、
素子のどの部分に用いるかにより要求に合わせて選定さ
れる。主絶縁層として高絶縁性、高誘電率の材料が選定
され、電極と接する側には電極との低反応性、低拡散性
、耐湿性をポイントとして安定な材料が選定され、発光
層と接する側には、発光層に対する付着力、発光層への
キャリア注入効果などが選定のポイントとなる。（大脇
他「高精細Ａ４判１０００Ｘ７００ ドント薄膜ＥＬパ
ネル」テレビシロン学会誌４２−１０１０９７−００３
（１９８８）参照）こうした点を考慮して本願発明者は
、別の出願の特願昭８３−２５８０３８に以下に示す構
造を開示している。その構造を第６図に示す。発光層Ｉ
６を中心にしてその両側に電子ビーム蒸着法で形成され
た酸化物にてなる絶縁物層１５ａ。
件が要求され単一材料で形成されることは少な（、一般
には多層膜が用いられる。そしてその材料・製法等は、
素子のどの部分に用いるかにより要求に合わせて選定さ
れる。主絶縁層として高絶縁性、高誘電率の材料が選定
され、電極と接する側には電極との低反応性、低拡散性
、耐湿性をポイントとして安定な材料が選定され、発光
層と接する側には、発光層に対する付着力、発光層への
キャリア注入効果などが選定のポイントとなる。（大脇
他「高精細Ａ４判１０００Ｘ７００ ドント薄膜ＥＬパ
ネル」テレビシロン学会誌４２−１０１０９７−００３
（１９８８）参照）こうした点を考慮して本願発明者は
、別の出願の特願昭８３−２５８０３８に以下に示す構
造を開示している。その構造を第６図に示す。発光層Ｉ
６を中心にしてその両側に電子ビーム蒸着法で形成され
た酸化物にてなる絶縁物層１５ａ。
ｔ５ｂ １その外側に五酸化タンタルにてなる絶縁物層
１４ａ 、 １４ｂを数千人形成し、更にその外側に電
極からの電荷注入抑制用のスパッタ法で形成された酸化
物にてなる絶縁物層！３ａ 、 １３ｂを形成した構成
となっている。ところが、このような構成の薄膜ＥＬパ
ネルは輝度・発光効率、更には絶縁耐圧特性においてす
ぐれた性能を有することは、確認できたが、この構成の
ドツトマトリクスタイプの薄ＭＥＬデイスプレィパネル
において、透明電極毎に発光特性のバラツキが生じるこ
とがわかった。
１４ａ 、 １４ｂを数千人形成し、更にその外側に電
極からの電荷注入抑制用のスパッタ法で形成された酸化
物にてなる絶縁物層！３ａ 、 １３ｂを形成した構成
となっている。ところが、このような構成の薄膜ＥＬパ
ネルは輝度・発光効率、更には絶縁耐圧特性においてす
ぐれた性能を有することは、確認できたが、この構成の
ドツトマトリクスタイプの薄ＭＥＬデイスプレィパネル
において、透明電極毎に発光特性のバラツキが生じるこ
とがわかった。
又この発光特性のバラツキに電子ビーム蒸着で形成され
た酸化物層が強く関与していることが実験により確認で
きた。
た酸化物層が強く関与していることが実験により確認で
きた。
本来電子ビーム蒸着法においては、蒸発材料を電子ビー
ムにより加熱し、蒸発又は昇華させて基板上に物理的に
堆積させて薄膜を形成する方法である。しかし蒸発粒子
は電子ビームの照射により全て中性粒子でなくある程度
イオン化していると考えられる。こうした粒子が透明電
極上又は透明電極上の薄膜上に堆積する場合、この透明
電極が接地されているか、否かにより、チャージアップ
量が異なり当然その膜も性質が異なると考えられる。と
ころが、透明電極と駆動回路を接続するために絶縁層、
発光層等の蒸着時は一部マスクされなければならず、そ
の方法は従来メタルマスクが用いられるが、基板上に描
かれた複数の透明電極は、基板、基板ホルダー、メタル
マスク等の平面精度等から均一に全てメタルマスクと接
触してメタルマスク、基板ホルダーを通して接地するよ
うに保持することは不可能である。このことが、個々分
割された透明電極毎に生じる絶縁膜の質、厚みのバラツ
キの原因であり、この現象は、基板が大型になる程、又
透明電極のパターンが高精細になる程顕著になる。
ムにより加熱し、蒸発又は昇華させて基板上に物理的に
堆積させて薄膜を形成する方法である。しかし蒸発粒子
は電子ビームの照射により全て中性粒子でなくある程度
イオン化していると考えられる。こうした粒子が透明電
極上又は透明電極上の薄膜上に堆積する場合、この透明
電極が接地されているか、否かにより、チャージアップ
量が異なり当然その膜も性質が異なると考えられる。と
ころが、透明電極と駆動回路を接続するために絶縁層、
発光層等の蒸着時は一部マスクされなければならず、そ
の方法は従来メタルマスクが用いられるが、基板上に描
かれた複数の透明電極は、基板、基板ホルダー、メタル
マスク等の平面精度等から均一に全てメタルマスクと接
触してメタルマスク、基板ホルダーを通して接地するよ
うに保持することは不可能である。このことが、個々分
割された透明電極毎に生じる絶縁膜の質、厚みのバラツ
キの原因であり、この現象は、基板が大型になる程、又
透明電極のパターンが高精細になる程顕著になる。
この為発光特性のバラツキは主に発光しきい値に現われ
る。すなわち、この発光特性のバラツキは著しく表示品
位を低下させるだけでなく、駆動する場合に変調電圧を
大きくとらなければならず消費電力の増加をまねくこと
にもなる。こうした発光特性のバラツキのない薄膜ＥＬ
パネルを実現しようとするものである。
る。すなわち、この発光特性のバラツキは著しく表示品
位を低下させるだけでなく、駆動する場合に変調電圧を
大きくとらなければならず消費電力の増加をまねくこと
にもなる。こうした発光特性のバラツキのない薄膜ＥＬ
パネルを実現しようとするものである。
の
上記課題を解決するために本発明は電子ビーム蒸着で絶
縁物層を形成する際にセラミック等の絶縁物で作られた
マスクを用いるか、又は、金属箔細かく凹凸状にしたも
のをマスクと基板の間に挿入するかのいずれかの方法で
基板上に描かれた複数の透明電極が全て絶縁されるか、
短絡されるかいずれか一方の状態においてＮＭすること
を提案するものである。
縁物層を形成する際にセラミック等の絶縁物で作られた
マスクを用いるか、又は、金属箔細かく凹凸状にしたも
のをマスクと基板の間に挿入するかのいずれかの方法で
基板上に描かれた複数の透明電極が全て絶縁されるか、
短絡されるかいずれか一方の状態においてＮＭすること
を提案するものである。
作且
本発明の提案の方法によれば、基板上に描かれた複数の
透明電極は、全て他の導電体より絶縁されるか、同電位
に短絡されるかに統一される。こうした状態に基板を保
持した上で電子ビーム蒸着法により絶縁物層を蒸着すれ
ば、透明電極全てが等電位に保たれているのでチャージ
アップ蛍モ一定となり膜質も均一となる。そのため、透
明電極毎の発光特性のバラツキは解消され、表示品位の
低下、消費電極の増加を来たすことはなくなる。
透明電極は、全て他の導電体より絶縁されるか、同電位
に短絡されるかに統一される。こうした状態に基板を保
持した上で電子ビーム蒸着法により絶縁物層を蒸着すれ
ば、透明電極全てが等電位に保たれているのでチャージ
アップ蛍モ一定となり膜質も均一となる。そのため、透
明電極毎の発光特性のバラツキは解消され、表示品位の
低下、消費電極の増加を来たすことはなくなる。
炎五肚上
本発明に用いた薄膜ＥＬ素子の作製方法についてその工
程毎に順を追って先に示した第６図を参照にしながら詳
しく説明する。図において１１はガラス基板であり、こ
のガラス基板ｌｌ上に電子ビーム蒸着法で約２０００人
形成されたＩＴＯより成る透明電極！２が形成される。
程毎に順を追って先に示した第６図を参照にしながら詳
しく説明する。図において１１はガラス基板であり、こ
のガラス基板ｌｌ上に電子ビーム蒸着法で約２０００人
形成されたＩＴＯより成る透明電極！２が形成される。
その上に電荷注入抑制用の絶縁物層１３ａとしてＲＦマ
グネトロンスパッタ法により５１０２やＡｅＯ＋などの
安定な酸化物が１００〜５００人の厚さに形成され続い
て同じ方法で第１絶縁層１４ａとしてＴａ２０５を３０
００〜５０００人の厚さに形成する。次いで電荷注入用
の酸化物よりなる絶縁物層１５ａを電子ビーム蒸着によ
り形成するわけであるが、これは内部に浮遊電子を多く
含んだ誘電率のある程度高い酸化物が適しておりＹ２Ｏ
３やＴａ２０５などの材料を用い、これも３００〜５０
０人の範囲で形成する。この電荷注入用の絶縁物層＋５
ａを形成する際の基板の保持方法について第１図及び第
２図に示す。第１図は、ガラス基板１、透明電極２、マ
スク３、基板ホルダー４を平面的に見た位置関係を表し
ている。この時の基板の保持方法として第２図に示すよ
うに従来のメタルマスクに替えてセラミックマスク３ａ
を用いる。この方法によれば全ての透明電極２が接地電
位であるホルダー４と完全に絶縁されるため、複数の透
明電極２の状態は均一になる。以上説明した様に基板を
保持した上で電荷注入用の絶縁物層１５ａを電子ビーム
蒸着で形成する。次に発光層１６としてマンガンを含む
硫化亜鉛（ＺｎＳ二Ｍｎ）などが５０００人程度形成さ
れるが電子ビーム蒸着法又は抵抗線加熱蒸着法が用いら
れるので電荷注入用の絶縁物層１５ａを形成した後、真
空をやぶらずに連続して形成することが可能である。更
にその上に形成される電荷注入用の酸化物１５ｂも同一
材料を使用して連続で形成される。その後、先に示した
ものと全く同一材料で同一方法で第２絶縁層４ｂ、電荷
注入抑制用の絶縁物層３ｂが順次積層される。最後に背
面電極１７としてＭなどの金属が２０００人程度０厚み
に電子ビーム蒸着法で形成され薄膜ＥＬが形成される。
グネトロンスパッタ法により５１０２やＡｅＯ＋などの
安定な酸化物が１００〜５００人の厚さに形成され続い
て同じ方法で第１絶縁層１４ａとしてＴａ２０５を３０
００〜５０００人の厚さに形成する。次いで電荷注入用
の酸化物よりなる絶縁物層１５ａを電子ビーム蒸着によ
り形成するわけであるが、これは内部に浮遊電子を多く
含んだ誘電率のある程度高い酸化物が適しておりＹ２Ｏ
３やＴａ２０５などの材料を用い、これも３００〜５０
０人の範囲で形成する。この電荷注入用の絶縁物層＋５
ａを形成する際の基板の保持方法について第１図及び第
２図に示す。第１図は、ガラス基板１、透明電極２、マ
スク３、基板ホルダー４を平面的に見た位置関係を表し
ている。この時の基板の保持方法として第２図に示すよ
うに従来のメタルマスクに替えてセラミックマスク３ａ
を用いる。この方法によれば全ての透明電極２が接地電
位であるホルダー４と完全に絶縁されるため、複数の透
明電極２の状態は均一になる。以上説明した様に基板を
保持した上で電荷注入用の絶縁物層１５ａを電子ビーム
蒸着で形成する。次に発光層１６としてマンガンを含む
硫化亜鉛（ＺｎＳ二Ｍｎ）などが５０００人程度形成さ
れるが電子ビーム蒸着法又は抵抗線加熱蒸着法が用いら
れるので電荷注入用の絶縁物層１５ａを形成した後、真
空をやぶらずに連続して形成することが可能である。更
にその上に形成される電荷注入用の酸化物１５ｂも同一
材料を使用して連続で形成される。その後、先に示した
ものと全く同一材料で同一方法で第２絶縁層４ｂ、電荷
注入抑制用の絶縁物層３ｂが順次積層される。最後に背
面電極１７としてＭなどの金属が２０００人程度０厚み
に電子ビーム蒸着法で形成され薄膜ＥＬが形成される。
また１８は、薄膜ＥＬを保護するガラス製の保護カバー
でありその内部には絶縁性保護流体が充填されている。
でありその内部には絶縁性保護流体が充填されている。
実１１舛２−
電荷注入用の絶縁物層を電子ビーム蒸着法で形成する際
の基板の保持方法の別の例を第３図を参照して説明する
。実施例１との相違はマスク３ｂと透明電極２の形成さ
れたガラス基板１との間に凹凸状にしたＡＲ＋ Ｃｕな
どの金属箔５を挿入した点である。こうすることにより
、ガラス基板１上に描かれた複数の透明電極２は電気的
に全て短絡されることになり、同電位に保つことができ
る。又、この場合のマスク３ｂは、実施例１に示したセ
ラミックマスクでも従来のメタルマスクでもいずれでも
よい。全透明電極が接地電位に保たれるか、又はアース
と絶縁されるかのいずれかだけの問題であり、複数の透
明電極間に電位差が生じることはない。
の基板の保持方法の別の例を第３図を参照して説明する
。実施例１との相違はマスク３ｂと透明電極２の形成さ
れたガラス基板１との間に凹凸状にしたＡＲ＋ Ｃｕな
どの金属箔５を挿入した点である。こうすることにより
、ガラス基板１上に描かれた複数の透明電極２は電気的
に全て短絡されることになり、同電位に保つことができ
る。又、この場合のマスク３ｂは、実施例１に示したセ
ラミックマスクでも従来のメタルマスクでもいずれでも
よい。全透明電極が接地電位に保たれるか、又はアース
と絶縁されるかのいずれかだけの問題であり、複数の透
明電極間に電位差が生じることはない。
光朋ｊ弓１１
第４図のａ、ｂに、従来のメタルマスク法と本発明の実
施例１に示した方法で作製した薄膜ＥＬパネルの近接し
た位置にある画素２点の印加電圧−輝度特性を示す。ａ
が従来のメタルマスク法によるもので近接した画素２点
の発光しきい値が透明電極の電位により約＋５Ｖも差が
ある。ところがｂに実施例１に示したセラミックマスク
の方法ではＩＶ程度の差であり、効果は明らかである。
施例１に示した方法で作製した薄膜ＥＬパネルの近接し
た位置にある画素２点の印加電圧−輝度特性を示す。ａ
が従来のメタルマスク法によるもので近接した画素２点
の発光しきい値が透明電極の電位により約＋５Ｖも差が
ある。ところがｂに実施例１に示したセラミックマスク
の方法ではＩＶ程度の差であり、効果は明らかである。
又参考のか、めに第４図ａ、ｂに示した薄膜ＥＬパネル
の発光しきい値付近での発光状態の写真を第５図ａ、
ｂに示す。従来ａに於いては電極に対応した発光ムラが
あるが本発明のｂに於いては−様な発光となっている。
の発光しきい値付近での発光状態の写真を第５図ａ、
ｂに示す。従来ａに於いては電極に対応した発光ムラが
あるが本発明のｂに於いては−様な発光となっている。
以上説明したように本発明の薄膜ＥＬパネルは高輝度・
高効率で絶縁耐圧が高い上に表示品位をおとすことなく
消費電力を増加させることもないものである。
高効率で絶縁耐圧が高い上に表示品位をおとすことなく
消費電力を増加させることもないものである。
第１図は、蒸着時の基板とホルダーの平面図で第２図、
第３図は本発明の実施例１、実施例２それぞれの場合の
基板保持方法、第４図は従来の方法と、本発明実施例１
の方法で作製した薄膜ＥＬパネルの印加電圧−輝度特性
、更に第５図は第４図に示したパネルの発光状態の写真
、第６図は本発明に用いた薄膜ＥＬパネルの構成断面図
、第７図は一般的な二重絶縁構造の薄膜ＥＬパネルの概
略構造を表す断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・マスク、 ３ａ・・・セラミックマスク、 ３ｂ・・・マスク、 ４・・・マスクホルダー １５ａ 、 ＋５ｂ・・・電子ビーム蒸着法で形成され
た絶縁層。 ９− Ｂ’暫７Ｄ回 しｕ＝ｎａｎｃｅ （ａｒｂ、ｕｒ＋ Ａ守吋七圓 第 ５ ｉい 心〔史、 手続補正書（方式） 発明の名称 薄膜ＥＬパネルの製造方法 補正をする者 事件の関係 特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号関西日本電気
株式会社 補正の対象 第 図 第 自 １Ｑ○ ６、補正の内容 （１）発明の詳細な説明の欄を下記の通り訂正する。 （１−１）第２頁第１７行目の「第７図」を「第６図」
に訂正する。 （１−２）第３頁第２０行目の「第６図」を「第５図」
に訂正する。 （１−３）第７頁第６行目の「第６図」を「第５図」に
訂正する。 （ト４）第１０頁第９行目から第１２行目の「又参考の
ために・・・第５図ａ＋ｂに示す。」を抹消する。 （２）図面の簡単な説明の欄を下記の通り訂正する。 （２−１）第１１頁第３行目から第４行目の「更に第５
図は第４図に示したパネルの発光状態の写真、」を抹消
する。 （２−２）抛１１頁第４行目の「第６図」を「第５図」
に訂正する。 （２−３）第１１頁第５行目の「第７図」を「第６図」
に訂正する。 （３）図面を下記の通り訂正する。 （３−１）第５図を抹消する。 「第６図」 の図番を 「第５図」 に訂正する。 「第７図」 の図番を 「第６図」 に訂正する。 第 図 第 図
第３図は本発明の実施例１、実施例２それぞれの場合の
基板保持方法、第４図は従来の方法と、本発明実施例１
の方法で作製した薄膜ＥＬパネルの印加電圧−輝度特性
、更に第５図は第４図に示したパネルの発光状態の写真
、第６図は本発明に用いた薄膜ＥＬパネルの構成断面図
、第７図は一般的な二重絶縁構造の薄膜ＥＬパネルの概
略構造を表す断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・マスク、 ３ａ・・・セラミックマスク、 ３ｂ・・・マスク、 ４・・・マスクホルダー １５ａ 、 ＋５ｂ・・・電子ビーム蒸着法で形成され
た絶縁層。 ９− Ｂ’暫７Ｄ回 しｕ＝ｎａｎｃｅ （ａｒｂ、ｕｒ＋ Ａ守吋七圓 第 ５ ｉい 心〔史、 手続補正書（方式） 発明の名称 薄膜ＥＬパネルの製造方法 補正をする者 事件の関係 特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号関西日本電気
株式会社 補正の対象 第 図 第 自 １Ｑ○ ６、補正の内容 （１）発明の詳細な説明の欄を下記の通り訂正する。 （１−１）第２頁第１７行目の「第７図」を「第６図」
に訂正する。 （１−２）第３頁第２０行目の「第６図」を「第５図」
に訂正する。 （１−３）第７頁第６行目の「第６図」を「第５図」に
訂正する。 （ト４）第１０頁第９行目から第１２行目の「又参考の
ために・・・第５図ａ＋ｂに示す。」を抹消する。 （２）図面の簡単な説明の欄を下記の通り訂正する。 （２−１）第１１頁第３行目から第４行目の「更に第５
図は第４図に示したパネルの発光状態の写真、」を抹消
する。 （２−２）抛１１頁第４行目の「第６図」を「第５図」
に訂正する。 （２−３）第１１頁第５行目の「第７図」を「第６図」
に訂正する。 （３）図面を下記の通り訂正する。 （３−１）第５図を抹消する。 「第６図」 の図番を 「第５図」 に訂正する。 「第７図」 の図番を 「第６図」 に訂正する。 第 図 第 図
Claims (4)
- １． 透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上
に少なくとも一層以上の絶縁物層とその他の層を形成し
て成る薄膜ＥＬパネルの前記絶縁物層の少なくとも一層
が、電子ビーム蒸着法で基板表面に設置したマスクによ
り部分的に蒸着される製造方法に於いて、 前記複数の電極を等電位に保って蒸着を行なうことを
特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。 - ２． 前記マスクの材質もしくは設置方法により、前記
複数の電極のすべてが、他の導体と電気的に絶縁され、
等しい電位状態であることが特徴である特許請求の範囲
第１項記載の製造方法。 - ３． 前記複数の電極すべてを電気的に接続して、等電
位とすることが特徴である特許請求の範囲第１項記載の
製造方法。 - ４． 前記複数の電極があらかじめ接続された状態で形
成され、前記絶縁物層の蒸着後マスクにより蒸着されて
いない部分で分離することが特徴である特許請求の範囲
第１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044963A JP2773773B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044963A JP2773773B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226692A true JPH02226692A (ja) | 1990-09-10 |
| JP2773773B2 JP2773773B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12706137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044963A Expired - Lifetime JP2773773B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773773B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068590A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
| JPS61188890A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体膜の形成方法 |
| JPS61188892A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体膜の形成方法 |
| JPS62295391A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-22 | 日立マクセル株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS6343293A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS63134496U (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044963A patent/JP2773773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068590A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
| JPS61188890A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体膜の形成方法 |
| JPS61188892A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体膜の形成方法 |
| JPS62295391A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-22 | 日立マクセル株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS6343293A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS63134496U (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773773B2 (ja) | 1998-07-09 |
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