JPH02231484A - トリオール誘導体とその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトリオール誘導体とその製造法及びこれを用い
るスフィンゴシンの製造方法に間する．詳しくは一般式
（！）、　（ｎ）で示されるトリオ（Ｒは置換ざれた、
まなは非置換のアルキル基．アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アラルキル基を示す．） ール誘導体およびジオール誘導体とこれらを一般式（ｍ
）で示されるホスホン酸エステル誘導体か（Ｒは置換さ
れた、または非置換のアルキル基，アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、アラルキル基を示す．） ら製造する方法並びにこれらの製造工程を含むスフィン
ゴシン誘導体の製造方法に間する．スフィンゴシンはス
フインゴＩＩ！！脂質の必須構造である．スフィンゴ糖
脂質は最近生体内で重要な働きを担っていることが明ら
かになってきている．例えばガングリオシドＧＱ１ｂと
呼ばれるスフインゴ糖脂質は神経ｗＡｌｌ１！の分化と
深く係わフていることが報告されている．しかしながら
これらスフィンゴＩ＠脂質は天然からは極めてＶａ量し
か得られずこれらを医薬として利用するためにはその合
成法の間発が不可欠で既に種々のスフインゴシンの合成
が報告されている＊　　Ｃ　Ｄ．　　Ｓ　ｈ　ａ　ｐ　
ｉ　ｒ　０１″Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　　ｏｆ　　Ｓｐｈ
ｉｎｇｏ　−ｉｐｉｄｓ”：　　Ｈｅｒｍａｎｎ：　　
Ｐａｒｉｓ．Ｆｒａｎｃｅ．　　ｆ９６９：　　Ｈ．　
　Ｎｅｗｍａｎｎ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．．９
５．４０９８（Ｉ９７３）：　　Ｒ．Ｓ．Ｇａｒｉｇｉ
ｐａｔｉａ　　ｎ　　ｄ　　　Ｓ．　　　Ｍ．　　　Ｗ
　　ｅ　　Ｉ　　ｎ　　ｒ　　ｅ　　ｂ，　　　ｉ　　
ｂ　　ｉ　　ｄ．１」Ｌ１．　　　４４９９　　（Ｉ　
　９８３）：　　Ｍ．　　　Ａ．Ｆｉｎｄｅｉｓ　　　
　ａｎｄ　　　　Ｇ．　　　Ｍ．Ｗｈｉｔｅｓｌｄｅｓ
．　Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．５２．　　　２８３８
　　（Ｉ９８７）：　　　Ｋ．　　　Ｋｏｉｋｅ．Ｍ．
　　　Ｎｕｍａｔａ．　　　ａｎｄ　　　Ｔ、　　Ｏｇ
ａｗａ．Ｃａｒｂｏｈｙｄ　　ｒ．　　　Ｒｅｓ．　　
　．　　１」ト１．　　　１　　１　　３（Ｉ９８Ｂ）
：　　Ｍ．　　　Ｋｌｓｏ，　　　Ａ．Ｎａｋａｍｕｒ
ａ．　　　Ｙ．　　　Ｔｏｍｉｔａ．　　　ａｎｄＡ．
　　　Ｈａｓｅｇａｗａ．　　　Ｉｂｌｄ．　　　．　
　１５８．１０１　（Ｉ９８６）．　　参！！Ｉｒ］こ
れらの合成法では立体異性体や幾何異性体の混入が著し
く、特にオレフィン部分の合成では（Ｅ）一オレフィン
体と（Ｚ）一オレフィン体の混合物が得られるため工業
的に優れた方法とは言い難い． 一方、スフィンゴ糖詣貿を医薬等として実用化する場合
には、これらの類縁体の合成が必須である．しかしなが
ら従来の合成法でスフィンゴシンの異性体を製造しよう
とすれば各異性体に対し各々別の原料が必要である． 本発明者らは上記の観点から鋭意研究した結果、特定の
トリオール誘導体を経由すれば目的を達し得ることを知
り本発明に到達した． すなわち本発明の要旨は一穀式（ｍ）で示されるホスホ
ン酸エステル誘導体とアルデヒドを塩基存在下に反応さ
せ、得られる一般式（■）で示される（４Ｅ）−１．２
−イソブロビリデンー３−オキソー４−アルケン−１．
２−ジオール誘導体と、これを還元させ得られる一般式
（Ｉ）で示さ上の工程とこれらの工程を含むスフィンゴ
シン誘導体の製造方法である． 以下、本発明を詳繍に説明する． まず、一般式（Ｉ１）で示される（４Ｅ）−１．２−イ
ソプロピリデン−３−オキソー４−アルケン−１．２−
ジオール誘導体の製造方法について述べる． 原料となる一般式（ｍ）で示されるホスホン酸エステル
誘導体はイソブロビリデングリセリン酸エステルとメチ
ルホスホン酸ジエステルとから常法により合成すること
ができる． イソブロビリデングリセリン酸エステルとしては周知の
誘導体を使用できる．具体的には対応するメチルエステ
ル、エチルエステル、ベンジルエステル等を挙げること
ができる． メチルホスホン酸エステルも周知の誘導体を使用できる
．具体的にはジメチルエステル、ジエチルエステル、ジ
フエニルエステル、ジベンジルエ芳香族アルデヒドとし
ては、ベンズアルデヒド、ベンジルアルデヒド、フエニ
ルエチルアルデヒド等を挙げることが出来る．また、こ
れらアルデヒドに他の官能基が含まれていても使用でき
ることは言うまでもない． 用いる溶媒としては特に制限はない．具体的にはメタノ
ール、イソブロビルアルコール、ジェチルエーテル、ベ
ンゼン、　トルエン、テトラヒド口フラン、ジクロ口メ
タン、ジオキサン，クロロホルム等を挙げることができ
る．特にアルコール系香族アルデヒドのいずれをも使用
できる．具体的には、脂肪族アルデヒドとして、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、　プロビルアルデヒド
、ブチルアルデヒド、ベンチルアルデヒド、デシルアル
デヒド、　トリデシルアルデヒド、テトラデシルアルデ
ヒド，ペンタデシルアルデヒド、ヘキサデシルアルデヒ
ド等を挙げることが出来る．また、例えば水素化ナトリ
ウム、　トリエチルアミン、水霞化ナトリウム、炭故カ
リウム、炭酸セシウム、ブチルリチウム等を挙げること
が出来る．これらの中でも特に炭酸塩とりわけ炭准セシ
ウムが有効である． 反応させる際、一般式（［［Ｉ）で示されるホスホン酸
エステル誘導体とアルデヒド及び塩基のモル比には特に
制限がない．しかし、通常それぞれ等モルあるいはアル
デヒドを１．１〜１．３等量使用する．またホスホン諧
エステル誘導体やアルデヒドを過剰に用いてもあるいは
各々大過剰使用できることは言うまでもない， 反応温度にも特に制限はないが、通常−１００℃〜６０
℃の範囲である．特に−８０℃〜３０℃の範囲が好まし
い．反応時間は数時間から数十時間の範囲である． 以上の様に合成した１，２−イソプロピリデン−３−オ
キソー４−７ルケンー１．２−ジオールなかった． 次に一般式（＋）で示される（４Ｅ）−１．　　２−イ
ソプロピリデン−４−アルケン−１．　　２．　　３−
トリオール誘導体の製造方法について述べる．上述した
様に合成したー船式（ｎ）で示される（４Ｅ）−１．２
−イソプロピリデン−３−オキソー４−アルケン−１．
　　２−ジオール誘導体のカルボニル基を周知の還元剤
で還元すれば（４Ｅ）−１．２−イソプロピリデン−４
−７ルケンー１，２．３−｝リオール誘導体が得られる
．還元剤としては周知の還兄剤を使用できる．具体的に
は水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリ第２ブチルホウ
禦リチウム、水素化トリ第２ブチルホウ素ナトリウム、
水素化ジイソブチルアルミニウム、９一ボラビシク口［
：３．３．１］ノナン等を挙げることが出来る．また、
立体選択性を高める等のため臭化亜鉛、臭化マグネシウ
ム等の添加ｗＲを共存させることもできる． 用いるｍａとしては特に制限がない．具体的には前述し
た有機溶媒を使用できる，特にこれらの中でテトラヒド
口フランが有効である．反応させる還元剤のモル比は特
に制限がない．しかし通常はカルポニル基に対し１．０
〜１０８量の範囲である． 反応温度にも特に制限はないが通常−１００℃〜５０℃
の弯囲である．特に立体遺沢性を高めるためには低温で
行った方が好ましい．たとえば（Ｒ）一イソプａビリデ
ングリセリン酸メテルから誘導した（２Ｒ．４Ｅ）−１
．　　２−イソプロピリデン−３−オキソー４−才クタ
デセン−１．２−ジオール誘導体をテトラヒド口フラン
中、−７８℃で水素化トリ第２ブチルホウ素リチウムを
用い反応させると３Ｒ体が不整収率９０％ｄ．ｅ．で得
られる．また、３Ｓ体を選択的に合成することも可能で
ある． 上述した２つの工程に使用する誘導体の２一位の立体も
特に制限はなく、　（Ｒ）一体、　（Ｓ）一体のいずれ
でも良く、またこれらの混合物でも使用オールからスフ
ィンゴシンへの誘導は既に知られているｅ　　［Ｒ．Ｒ
．Ｓｃｈｍｉｄｔ　　ａｎｄ　　Ｐ．Ｚｉｍｍｅｒｍａ
ｎｎ，　　ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ．．２７．
４８１　（Ｉ９８６）．　　参照］このように本発明方
法はグリセリンの誘導体から一般式（■）で示される（
４Ｅ）−１．２−イソプロピリデン−３−オキソー４−
７ルケンー１，２−ジオール誘導体を経由し、スフィン
ゴシンの製造中間体として知られる一般式（＋）で示さ
れ性体の製造をも可能にしている． 以上述べたように合成した（４Ｅ）−１．２−イソプロ
ピリデン−４−７ルケンー１．　　２．　　３−トリオ
ール誘導体は常法により脱イソブロビリデン化、ペンジ
リデン化すると、　（４Ｅ）−１．　　３−ペンジリデ
ン−４−アルケン−１．　　２．　　３−｝リオールに
誘導できる．この（４Ｆ）−１．３−ペンジリデン−４
−アルケン−１．　　２．　　３−｝リくまた立体異性
体や幾何異性体の混入もほとんどなく製造できるという
利点を有しており加えて立体異性体を作り分けるこども
可能で、その工業的ｆ５ｌｌＩ！は大である．　　以下
、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが本
発明はその要旨を協えない限り、以下の実施例等により
何等の制限を受けるものではない． 参考例　１ メチルホスホン厳ジメチル５０６．８■（４．０Ｅｌｍ
ｍｏ＋）をテトラヒド口フラン５１に溶解させ、−７８
℃に冷却し、これに１．５Ｍブチルリチウム／ヘキサン
溶液を滴下した．次いで（Ｒ）１．２−イソブロビリデ
ングリセリン酸メチル５１１屹（３．２３ｍｍｏｌ＞を
加えた．反応温度を一夜かけて室温まであげ、常法によ
り酢酸エチルで抽出した．溶媒を減圧留去しシリカゲル
カラムクロマトにより精製したところ（Ｒ）−１．２−
イソ参考例！で合成したホスホン酸エステル１４５ｓｔ
：（０．５７ｍｍｏ＋）、塩化リチウム２９．３．（０
．６　９ｍｍｏ　Ｉ　）、モレキュラーシーブス３Ａ粉
末をテトラヒド口フラン５．３ＦＩ！に懸濁させ、これ
にトリエチルアミン０．０８８ｉ　（０．６３ｍｍｏ１
）及びベンズアルデヒド０．０５８ｎｌ（０．５７　ｍ
　ｍ　ｏ　ｌ　）を加え一夜反応させた．常法により酢
酸エチルで抽出し、溶媒を無水ＴｉＩｔｗｉナトリウム
上で一夜乾燥した．溶媒を減圧留去し調整用シリｏ１：
９Ｂ％）得られた．’Ｈ　　ＮＭＲ　（ＣＤＣＩ１）８
　１．　　４２（３Ｈ，　　　ｓ）．　　　１．　　４
８（３Ｈ．　　　ｓ）３．　　　３３（２Ｈ．　　　ｄ
ｄ．　　　Ｊ＝９．　　　２２Ｈｚ）．３．　　　７８
（６Ｈ，　　　ｄ，　　　Ｊ＝１１Ｈｚ），　　　４．
　　　１０（２Ｈ．ｄ），４．５３（Ｉ１｛．　　ｔ）
：　　比旋光度［αコ”＋７７．８’　（ｃｌ．６．　
　ＣＨＣＩｓ）一フエニル−４−ベンテン−１．２−ジ
オールが４３　．　７　Ｍ　（　０　．　１　９　ｍ　
ｍ　ｏ　Ｉ　；　　３　３％）得られた．目Ｃ　　ＮＭ
Ｒ　（ＣＤＣ　Ｉ３）δ２５．４．２Ｂ．１，６６．８
，７９．９，　　１１１．０．　　１２０．９．　　１
２８．６．１２８．９，１３０．８，　　１３４．６，
　　１４４．５，　　１９８．３ 実施例　１ 実施例　２ 参考例１で合成したホスホン酸エステル！２６．１ｎ　
（０．４８ｍｍｏ　ｌ）と炭酸セシウム１６２．２１１
ＩＣをイソブロビルアルコール１．５Ｈに懸濁させ、こ
れにブチルアルデヒド３６．９■（０．５１ｍｍｏｌ）
を加え一夜反応させた．以下実施例１と同様に行ったと
ころ（２Ｒ，４Ｅ）−１．２−イソプロピリデン−３−
オキソー４一ノネンー１．２一ジオールが４７．４弓（
５０％）得られた　Ｉ｝｛ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）δ０．
９４（３Ｈ．ｔ），１．３ｍｓをイソブロビルアルコー
ル１．５ｍｌに懸濁させ、これにブチルアルデヒド３８
．９ｍｓ（０．５１ｍｍｏｌ）を加え一夜反応させた．
以下実施例１と同様に行ったところ（２Ｒ．４Ｆ）−１
．２−イソブロビリデンー３−オキソー４−ノネンー１
．２−ジオールが６６．７■（７３％）得られた．実施
例　４ １３）δ　１３．７，　　２１．３．　　２５．４，　
　２６．１，　　３４．７，　　６６．７，　　７９．
６，　　　１１０．９，　　　１２５．３，１５０．０
．　　　１９８．１ 実施例　３ 参考例ｌで合成したホスホン酸エステル１１６．１ｍｇ
　（０．４６ｍｍｏ　ｌ）と炭酸セシウム１６３．２ｍ
をイソブロビルアルコール６１に懸濁させ、これに８０
％テトラデシルアルデヒド２　０　６　．　１　ｍｓ（
０．５４ｍｍｏ＋）を加え一夜反応させた．以下実施例
ｌと同様に行ったところ（　２　Ｒ．　　４　Ｅ　）１
．２−イソブロビリデンー３−オキソー４−オクタデセ
ン−１．２−ジオールが１２８．９鴫（７５％〉得られ
た．”Ｃ　　ＮＭＲ　（ＣＤＣ　Ｉｓ）δ１４．１．２
２．７，２５．４，２６．１．２Ｂ．１．２９．３〜２
９．７　（ｍ）．３２．０．６Ｂ．７．７９．６．１１
０．９，　　　１２５．０，　　　１５０．１．　　　
１９８．０：比旋光度［ａ］Ｊ”＋７７．６゜　（ｃｌ
．８．ｃＨＣ　　ｈ）＋７．７　　゜　　（ｃｌ．３．
　　　ＥｔＯＨ）２２．７．　　　２５．４．　　　２
Ｂ．９．　　　２９．１　　〜　２　９．　　７（ｍ）
．　　　３２．０．　　　３２．４．　　　６Ｂ．１．
　　　７４．４．７５．７，　　　７９．　　　３，　
　　１２７．９，　　　１３５．３３−Ｓ体：　　１２
７．４，　　１３４．４実施例　５ 実施例４で合成したジオール誘導体２．１０ｇ（６．２
ｍｍｏ＋）をテトラヒド口フラン７０ｍに溶解させ、−
７８℃で１．１Ｍ水素化トリ第２プテルホウ素リチウム
／テトラヒド口フラン溶ｆ１６．８ｍ実施例　６ 実施例４で合成したジオール誘導体２０３．１■（０．
６ｍｍｏｌ）と臭化マグネシウムエーテラー｝　１　６
０．Ｏｇ　（０．６ｍｍｏ　＋）をテトラヒドロルで抽
出した．有機層を無水硫酸ナトリウム上乾燥させ、減圧
留去しシリカゲル力ラムクロマトで精製したところ（２
Ｒ，４Ｅ）−１．２−イソブロビリデンー４−オクタデ
セン−１　．２　．３　−　｝リオールが１．８５ｇ（
８８％）得られた．目Ｃ　　ＮＭＲより求めた３一位の
立体化学はＲ体が９５％、Ｓ体が５％であった．　（不
整収率は９０％ｄ．ｅ．）３−Ｒ体：　　１３Ｃ　　Ｘ
ＭＲ　　（ＣＤＣ　Ｉｉ）　　δ１４．１．ラン溶液０
．６８ｎｌ　（０．７２ｍｍｏ　＋）を滴下した．反応
温度を一夜かけて室温まであげ、常法によりジエチルエ
ーテルで抽出した．有機層を無水硫酸ナトリウム上屹燥
させ、減圧留去しシリカゲル力ラムクロマトで精製した
ところ（２Ｒ．　　４Ｅ）−１．２−イソブロビリデン
ー４−オクタデセン−１　．２　．３　−　｝リオール
が１５２．５■（７５％）得られた．口Ｃ　　ＮＭＲよ
り求めた３一位の立体化学はＲ体が９５％、Ｓ体が５％
であった．　（不整収率は９０％ｄ．ｅ．） 実施例　７ 実施例４で合成したジオール誘導体２０３．１ｍｎ（０
．８ｍｍｏｌ）をテトラヒド口フラン６１に溶解させ、
−７８℃で１．０Ｍ水素化ジイソブチルアルミニウム／
テトラヒド口フラン溶液０．７２’ｎ（実施例　８ 実施例４で合成したジオール誘導体２０３．１．（０．
６ｍｍｏ＋）をテトラヒド口フラン８１に溶解させ、−
７８℃で０．５Ｍ．９−ボラビシクロ［３．３．１１ノ
ナン／テトラヒド口フラン溶液１．４４ｒ｛　（０．７
２ｍｍｏ　＋）を滴下した．反応温度を一夜かけて室温
まであげ、常法によりジエチルエーテルで抽出した．有
機層を無水硫酸ナトリウム上屹燥させ、減圧留去しシリ
カゲル力ラムクロマトで精製したところ（２Ｒ，４Ｅ）
−１．２−イで抽出した．有機層を無水硫酸ナトリウム
上乾燥させ，減圧留去しシリカゲル力ラムクロマトで精
製したところ（２Ｒ．４Ｅ）−１．２−イソブロビリデ
ンー４−オクタデセン−１．２．３−｝リオールが１５
２．１５■（７６％）得られた６　　１１Ｃ　　ＮＭＲ
より求めた３一位の立体化学はＲ体が９０％、Ｓ体がｌ
Ｏ％であった．　（不整収率は８０％ｄ．ｅ．）実施例
　９ 実施例４で合成したジオール誘導体２　０　３　．１　
ｎ（０．６ｍｍｏ＋）をテトラヒド口フラン３１に溶解
させ、Ｏ℃で水素化ホウ嚢ナトリウム２２．７ｍｇ（０
．６ｍｍｏｌ）を加えた．３０分後メタノール５１を加
え反応を停止し、常法によりジエチルエ一テルで抽出し
た．有機層を無水ｒｉＩｔｍナトリウム上乾燥させ、減
圧留去したところ（２Ｒ．４Ｅ）−１．２−イソブロビ
リデンー４−オクタデセン−１．２．３−｝リオールの
粗生成物が１９７．４■（９７％）得られた．次いで常
法により水素化ナトリウムと臭化ベンジルでベンジル化
し調整用シリカゲル薄層クロマトで精製したところ（２
Ｒ．４Ｅ）−１．２−イソブロビリデンー４−オクタデ
セン−１．２．３−１リオールの３−ベンジル体のＲ体
が７６．７■（３０％）、またＳ体が８７．Ｃ）ｇＣ２
７％＞ｍらｈた．　　Ｒ体：　　ＩＩｃ　　ＮＭＲ　（
ＣＤＣｌｚ）δ１４．１．２２．７．２５．５．２６．
０．３２．４１　　６６．１．６９．９．７Ｂ．０，８
１．０．　　１０９．７．　　１　２６．０．　　ｆ　
２７．４　〜！　３７．４　（ｍ）１３８．７ 実施例　ｌ０ 実＊ｆＮ５　〜７テ合成ｔ，，た（２Ｒ．３Ｒ．４Ｅ）
１　．２　．３　−　｝リオール３０６．５ｍｇ　（０
．９ｍｍｏｌ）をメタノール、テトラヒド口フラン各３
．６１の混合溶媒に溶解し、これにＩＮ塩酸０　．６　
ｎｌを加えた．室温で一夜反応させ溶媒を減圧留去した
．次いでジメチルホルムアミド３−に再溶解させペンズ
アノレデヒドジメチノレアセタール１５０．７ｍｇ（０
．９９ｍｍｏｌ）、　ｐ一トルエンスルホン酸０．５ｎ
　（０．００２４ｍｍｏ　Ｉ　）を加えた．減圧下６０
℃で２．５時間反応させ、常法により酢酸エチルで抽出
し調整用シリカゲル薄層クロマトで精製しが１８３．６
■（４７％）得られた．　　”Ｃ　　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
３）　　δ　１４．１．　　　２２．７．　　　２９．
０　　〜　２９．７（ｍ）．　　　３２．０．　　　３
２．３，　　　３２．５．　　　６１．８．　６Ｂ．５
，　７２．５．　７８．８．　８０．７．　８２．８，
　　　１０１．５，　　　１０３．６，　　　１２６．
１，　　　１２８．３．　　　１２８．４，　　　１２
９．０．　　　１２９．３，　　　１３５．１，　　　
１３６．８，　　　．１３８．１−１．２−イソプロピ
リデン−４−才クタデセンー１． 事件の表示 昭和６３年 特許願 第５７９６４号 ３， 補正をする者 ４． 補正命令の日付 平成１年８月２９日 ５． 補正の対象 明細書の発明の名称の欄 ６． 補正の内容

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）で示される（４Ｅ）−１，２−イソ
   プロピリデン−４−アルケン−１，２，３−トリオール
   誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｒは置換された、または非置換のアルキル墓、アルケ
   ニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基を示
   す。） ２、一般式（II）で示される（４Ｅ）−１，２−イソプ
   ロピリデン−３−オキソ−４−アルケン−１，２−ジオ
   ール誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （Ｒは置換された、または非置換のアルキル基、アルケ
   ニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基を示
   す。） ３、特許請求の範囲第２項記載のジオール誘導体を還元
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトリ
   オール誘導体の製造方法。 ４、一般式（III）で示されるホスホン酸エステル誘導
   体とアルデヒドを塩基存在下に反応させることを特徴と
   する特許請求の範囲第２項記載のジオール誘導体の製造
   方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （Ｒは置換された、または非置換のアルキル基、アルケ
   ニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基を示
   す。） ５、塩基として炭酸セシウムを用いることを特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載の製造方法。 ６、特許請求の範囲第４項記載のホスホン酸エステル誘
   導体から特許請求の範囲第２項記載のジオール誘導体と
   し、次いで特許請求の範囲第１項記載のトリオール誘導
   体とする工程を含むことを特徴とするスフィンゴシン誘
   導体の製造方法。