JPH0223510B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0223510B2 JPH0223510B2 JP61206464A JP20646486A JPH0223510B2 JP H0223510 B2 JPH0223510 B2 JP H0223510B2 JP 61206464 A JP61206464 A JP 61206464A JP 20646486 A JP20646486 A JP 20646486A JP H0223510 B2 JPH0223510 B2 JP H0223510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- carbon material
- coated
- glassy
- thermal decomposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
この発明はシリコンウエハーなどのエピタキシ
ヤル気相成長、その他各種絶縁膜の気相成長や、
多結晶膜の気相成長などの工程におけるサセプタ
ーとして用いられるガラス状炭素被覆炭素材の製
造方法に関する。 (従来の技術) 半導体の製造工程に用いるサセプターは一般に
炭素材の表面に炭化けい素被覆を施したものが広
く用いられて来たが、炭素質素材と炭化けい素と
の間の熱膨張係数の差によつて、サセプターの使
用中に層間亀裂や、はく離が発生し易いため、炭
素質素材中の不純物によりシリコンウエハーへの
汚染を起すうれいがある上、とくに近年要求が強
まりつつあるサセプターの大型化への対応も難し
い。 一方ハロゲン化線状重合体又は天然有機重合体
を不活性雰囲気中で、生成物の炭素原子と水素原
子の原子組成比(以下、C/H比という)が1な
るピツチ状化合物に分解するまで加熱し、得られ
た化合物を芳香族溶剤と混合してスラリーを形成
し、炭素またはセラミツク材料から形成された物
品をそのスラリーで被覆し、被覆がガラス状炭素
に変るまで前記物品を不活性雰囲気中昇温下で焼
成することによつてガラス状炭素被覆物品を製造
する方法が知られている(特公昭52−39684号公
報)。 この方法によれば確かに層間亀裂や、はく離の
発生は改善されたが、ガラス状炭素被覆にピンホ
ールが形成されるという欠点があつた。ピンホー
ルが生ずると基材の炭素材に含まれている不純物
がピンホールを通つて物品の表面に出てくるの
で、その表面に載せたシリコンウエハー等を汚染
することになる。 (発明が解決しようとする問題点) ピンホールをはじめ亀裂やはく離を来たすこと
なく、しかも緻密で平滑な表面性状を有し、半導
体の製造工程でサセプターとして有用な、ガラス
状炭素被覆炭素材の有利な製造方法を与えること
がこの発明の目的である。 (問題点を解決するための手段) 発明者らは上に述べたような欠点を解決するた
め、有機重合体の熱分解の度合いについて鋭意研
究を行つた。その結果、不完全熱分解生成物の炭
素と水素の原子組成比C/Hが1.1以上、20以下
であるものを用いると前記欠点が解消することを
見出し、この発明を完成するに至つた。 すなわち、この発明は有機重合体の不完全熱分
解生成物を有機溶剤に溶解して、炭素材表面に塗
布・乾燥し、不活性環境中で加熱することにより
該炭素材表面にガラス状炭素を被覆させる際に前
記不完全熱分解生成物として、その炭素と水素の
原子組成比C/Hが1.1以上20以下であるものを
用いることを特徴とするガラス状炭素被覆炭素材
の製造法である。 以下、この発明について詳しく説明する。 この発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール、油溶性フエノール樹
脂、アルキルフエノール樹脂、塩素化パラフイ
ン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂また
はポリカーボネート樹脂が好適である。 とくにガラス状炭素被覆炭素材の使途が半導体
製造用サセプターの場合には、不純物の面から上
記のうち塩化ビニル樹脂がとりわけ好ましい。 これら有機重合体の不完全熱分解にはその種類
を問わず粒状品又は粉末を、不活性環境中で200
〜700℃で30分以上加熱して行う。加熱の具体的
な温度・時間は加熱装置および有機重合体の種類
によつて異なるが、不完全熱分解生成物(以下、
PC物質という)の炭素と水素の原子組成比(以
下、C/H比という)が結果的に1.1以上20以下、
好ましくは1.1以上2以下、より好ましくは1.1以
上1.5以下の範囲に入るよう実験により定めれば
よい。C/H比の測定は通常の有機化合物用の元
素分析装置によりCとHの含有率を測定してその
比を求めればよい。 なお、ここにおいて不活性環境とは窒素、アル
ゴンなどの不活性雰囲気または減圧された空気を
意味する。 熱分解生成物のC/H比が1.1未満であると、
有機溶剤には溶解しやすいが、水素原子が多いた
めに炭素化する際に水素ガスが発生し、そのため
ガラス状炭素被覆に気泡が生じ、クラツクやピン
ホールの原因になる。 熱分解生成物のC/H比が20を越えると、その
熱分解生成物は有機溶剤には溶解しなくなり、炭
素材表面へ被覆することができなくなる。 このようにして得られるピツチ状物質に有機溶
剤を加えて溶解させ、濃度10〜300g/の溶液を
作り、これを炭素材表面に塗布する。有機溶剤は
トリクロロエチレン、1,1,1−トリクロロエ
タンなどの脂肪族塩素系溶剤またはベンゼン、ト
ルエンなどの芳香族系溶剤が好ましい。塗布の方
法は超音波含浸、はけ塗り、スプレー、浸漬など
である。塗布した後に比較的低温(50〜100℃て
いど)で乾燥することが好ましい。 塗布後は、不活性環境下で800〜1300℃で30分
以上の加熱を施しPC物質をガラス化し、ガラス
状炭素被覆炭素材を得るわけである。なお、不活
性環境とは前記の通りである。 次に炭素材は好ましくは嵩密度が1.6〜2.0g/
cm3の黒鉛である。嵩密度のより低い炭素材ではそ
の強度が低すぎて耐久性に劣りかつ開気孔率が大
きくなるため塗布溶剤が表面に浸透しにくくピン
ホールの原因にもなりやすいのに反し嵩密度のよ
り高い炭素質素材は、表面の気孔が少なく滑なか
すぎるため、有機重合体の熱分解生成物溶液によ
る塗膜がはがれ易くなる。 (実施例) 実施例 1〜4 塩化ビニル樹脂(電気化学工業(株)製SS−110)
100gを管状炉に入れ、表に示す温度でアルゴン
ガス雰囲気下で90分加熱した。生成したPC物質
のC/H比をCHNコーダーで測定した。 PC物質を乳鉢で粉砕しベンゼンを加えて表に
示す濃度で溶解し、この溶液を等方性で、嵩密度
が1.75g/cm3である炭素材(30mm×50mm×10mm)
に浸漬法で塗布した。 次にアルゴンガス雰囲気中1200℃で1時間加熱
し炭素化した。 塗布及び加熱を数回くり返し、被膜厚が15μm
であるガラス状被覆炭素材を製造した。各製造条
件毎に5枚の炭素材を準備し、それぞれに溶液塗
布と炭素化をくり返し行つた。 得られた製品の評価は、顕微鏡によるピンホー
ル数の観察及び気体透過量の測定(LYSSY製
GPM−200形装置使用)を行つた。ピンホール数
の観察は5枚の試験片全部について行ない、気体
透過量の測定は5枚の試験片に製造した1枚のみ
について行つた。 気体透過量の測定値は、被覆の緻密さの度合い
を示すものであり、値が小さいほど緻密であると
みなされる。 製造した炭素材を評価した結果は表にまとめて
示した通りである。 実施例 5〜8 塩化ビニル樹脂の代りに酢酸ビニル樹脂(電気
化学工業(株)SH−10)、アルキルフエノール樹脂
(日本化成工業(株)製2306N)を用いた他は実施例
1〜4と同様にしてガラス状被覆炭素材を製造し
た。製造条件および製造した炭素材を評価した結
果は表に示した通りである。 比較例 1〜8 PC物質のC/H比が1.1未満のもの、または20
を越えるものを用いた外は実施例1〜8に準拠し
て行なつた。製造条件および製造した炭素材を評
価した結果は表に示した通りである。
ヤル気相成長、その他各種絶縁膜の気相成長や、
多結晶膜の気相成長などの工程におけるサセプタ
ーとして用いられるガラス状炭素被覆炭素材の製
造方法に関する。 (従来の技術) 半導体の製造工程に用いるサセプターは一般に
炭素材の表面に炭化けい素被覆を施したものが広
く用いられて来たが、炭素質素材と炭化けい素と
の間の熱膨張係数の差によつて、サセプターの使
用中に層間亀裂や、はく離が発生し易いため、炭
素質素材中の不純物によりシリコンウエハーへの
汚染を起すうれいがある上、とくに近年要求が強
まりつつあるサセプターの大型化への対応も難し
い。 一方ハロゲン化線状重合体又は天然有機重合体
を不活性雰囲気中で、生成物の炭素原子と水素原
子の原子組成比(以下、C/H比という)が1な
るピツチ状化合物に分解するまで加熱し、得られ
た化合物を芳香族溶剤と混合してスラリーを形成
し、炭素またはセラミツク材料から形成された物
品をそのスラリーで被覆し、被覆がガラス状炭素
に変るまで前記物品を不活性雰囲気中昇温下で焼
成することによつてガラス状炭素被覆物品を製造
する方法が知られている(特公昭52−39684号公
報)。 この方法によれば確かに層間亀裂や、はく離の
発生は改善されたが、ガラス状炭素被覆にピンホ
ールが形成されるという欠点があつた。ピンホー
ルが生ずると基材の炭素材に含まれている不純物
がピンホールを通つて物品の表面に出てくるの
で、その表面に載せたシリコンウエハー等を汚染
することになる。 (発明が解決しようとする問題点) ピンホールをはじめ亀裂やはく離を来たすこと
なく、しかも緻密で平滑な表面性状を有し、半導
体の製造工程でサセプターとして有用な、ガラス
状炭素被覆炭素材の有利な製造方法を与えること
がこの発明の目的である。 (問題点を解決するための手段) 発明者らは上に述べたような欠点を解決するた
め、有機重合体の熱分解の度合いについて鋭意研
究を行つた。その結果、不完全熱分解生成物の炭
素と水素の原子組成比C/Hが1.1以上、20以下
であるものを用いると前記欠点が解消することを
見出し、この発明を完成するに至つた。 すなわち、この発明は有機重合体の不完全熱分
解生成物を有機溶剤に溶解して、炭素材表面に塗
布・乾燥し、不活性環境中で加熱することにより
該炭素材表面にガラス状炭素を被覆させる際に前
記不完全熱分解生成物として、その炭素と水素の
原子組成比C/Hが1.1以上20以下であるものを
用いることを特徴とするガラス状炭素被覆炭素材
の製造法である。 以下、この発明について詳しく説明する。 この発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール、油溶性フエノール樹
脂、アルキルフエノール樹脂、塩素化パラフイ
ン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂また
はポリカーボネート樹脂が好適である。 とくにガラス状炭素被覆炭素材の使途が半導体
製造用サセプターの場合には、不純物の面から上
記のうち塩化ビニル樹脂がとりわけ好ましい。 これら有機重合体の不完全熱分解にはその種類
を問わず粒状品又は粉末を、不活性環境中で200
〜700℃で30分以上加熱して行う。加熱の具体的
な温度・時間は加熱装置および有機重合体の種類
によつて異なるが、不完全熱分解生成物(以下、
PC物質という)の炭素と水素の原子組成比(以
下、C/H比という)が結果的に1.1以上20以下、
好ましくは1.1以上2以下、より好ましくは1.1以
上1.5以下の範囲に入るよう実験により定めれば
よい。C/H比の測定は通常の有機化合物用の元
素分析装置によりCとHの含有率を測定してその
比を求めればよい。 なお、ここにおいて不活性環境とは窒素、アル
ゴンなどの不活性雰囲気または減圧された空気を
意味する。 熱分解生成物のC/H比が1.1未満であると、
有機溶剤には溶解しやすいが、水素原子が多いた
めに炭素化する際に水素ガスが発生し、そのため
ガラス状炭素被覆に気泡が生じ、クラツクやピン
ホールの原因になる。 熱分解生成物のC/H比が20を越えると、その
熱分解生成物は有機溶剤には溶解しなくなり、炭
素材表面へ被覆することができなくなる。 このようにして得られるピツチ状物質に有機溶
剤を加えて溶解させ、濃度10〜300g/の溶液を
作り、これを炭素材表面に塗布する。有機溶剤は
トリクロロエチレン、1,1,1−トリクロロエ
タンなどの脂肪族塩素系溶剤またはベンゼン、ト
ルエンなどの芳香族系溶剤が好ましい。塗布の方
法は超音波含浸、はけ塗り、スプレー、浸漬など
である。塗布した後に比較的低温(50〜100℃て
いど)で乾燥することが好ましい。 塗布後は、不活性環境下で800〜1300℃で30分
以上の加熱を施しPC物質をガラス化し、ガラス
状炭素被覆炭素材を得るわけである。なお、不活
性環境とは前記の通りである。 次に炭素材は好ましくは嵩密度が1.6〜2.0g/
cm3の黒鉛である。嵩密度のより低い炭素材ではそ
の強度が低すぎて耐久性に劣りかつ開気孔率が大
きくなるため塗布溶剤が表面に浸透しにくくピン
ホールの原因にもなりやすいのに反し嵩密度のよ
り高い炭素質素材は、表面の気孔が少なく滑なか
すぎるため、有機重合体の熱分解生成物溶液によ
る塗膜がはがれ易くなる。 (実施例) 実施例 1〜4 塩化ビニル樹脂(電気化学工業(株)製SS−110)
100gを管状炉に入れ、表に示す温度でアルゴン
ガス雰囲気下で90分加熱した。生成したPC物質
のC/H比をCHNコーダーで測定した。 PC物質を乳鉢で粉砕しベンゼンを加えて表に
示す濃度で溶解し、この溶液を等方性で、嵩密度
が1.75g/cm3である炭素材(30mm×50mm×10mm)
に浸漬法で塗布した。 次にアルゴンガス雰囲気中1200℃で1時間加熱
し炭素化した。 塗布及び加熱を数回くり返し、被膜厚が15μm
であるガラス状被覆炭素材を製造した。各製造条
件毎に5枚の炭素材を準備し、それぞれに溶液塗
布と炭素化をくり返し行つた。 得られた製品の評価は、顕微鏡によるピンホー
ル数の観察及び気体透過量の測定(LYSSY製
GPM−200形装置使用)を行つた。ピンホール数
の観察は5枚の試験片全部について行ない、気体
透過量の測定は5枚の試験片に製造した1枚のみ
について行つた。 気体透過量の測定値は、被覆の緻密さの度合い
を示すものであり、値が小さいほど緻密であると
みなされる。 製造した炭素材を評価した結果は表にまとめて
示した通りである。 実施例 5〜8 塩化ビニル樹脂の代りに酢酸ビニル樹脂(電気
化学工業(株)SH−10)、アルキルフエノール樹脂
(日本化成工業(株)製2306N)を用いた他は実施例
1〜4と同様にしてガラス状被覆炭素材を製造し
た。製造条件および製造した炭素材を評価した結
果は表に示した通りである。 比較例 1〜8 PC物質のC/H比が1.1未満のもの、または20
を越えるものを用いた外は実施例1〜8に準拠し
て行なつた。製造条件および製造した炭素材を評
価した結果は表に示した通りである。
【表】
【表】
(発明の効果)
この発明により得られるガラス状被覆炭素材
は、ピンホールがほとんど皆無であり、またヘリ
ウムガスを用いた気体透過量が1×10-10c.c./
cm2・sec以下と優れた気体不浸透性を示す。
は、ピンホールがほとんど皆無であり、またヘリ
ウムガスを用いた気体透過量が1×10-10c.c./
cm2・sec以下と優れた気体不浸透性を示す。
Claims (1)
- 1 有機重合体の不完全熱分解生成物を有機溶剤
に溶解して、炭素材表面に塗布・乾燥し、不活性
環境中で加熱することにより該炭素材表面にガラ
ス状炭素を被覆させる際に、前記不完全熱分解生
成物として、その炭素と水素の原子組成比C/H
が1.1以上20以下であるものを用いることを特徴
とするガラス状炭素被覆炭素材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206464A JPS6364965A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ガラス状炭素被覆炭素材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206464A JPS6364965A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ガラス状炭素被覆炭素材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364965A JPS6364965A (ja) | 1988-03-23 |
| JPH0223510B2 true JPH0223510B2 (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=16523811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206464A Granted JPS6364965A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ガラス状炭素被覆炭素材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364965A (ja) |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206464A patent/JPS6364965A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364965A (ja) | 1988-03-23 |
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Legal Events
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