JPH02235351A - 半導体チップの組立体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ．産業上の利用分野 本発明は、半導体デバイスのキャリア・テープ、より詳
細に言えば、従来の接合用パッドよりも高密度で配列さ
れた接合用パッドを持つ半導体チップを含む新規なテー
プ結合半導体デバイスと、そのような新規な半導体デバ
イスに対して、より高密度の人／出力用のリード線を有
するキャリア・テープを結合する方法とに関する． Ｂ．従来の技術 半導体産業は、半導体チップと、リード線とを自動的に
接続し組立てる作業の自動化の方向と、半導体チップを
小型に実装する方向とを指向しており、自動的接合用テ
ープを用いる技術（　ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）　，所謂、ＴＡＢ技術を含む製造装置を
使用している。この技術において、ＴＡＢテープは、ポ
リイミドなどの材料から形成された絶縁体キャリアのポ
リイミド・テープの開口中に突出する複数の薄い金属フ
ィルムを担持しており、この金属フイルムは、テープ状
の引き出し線、即ちフインガと称されるリード線を形成
する．この金属フィルムは、通常、銅を基体としており
、卯常に薄く、通常、０．００１２７ミリメートル乃至
０．０７６２ミリメートルの厚さを持っている．このキ
ャリア・テープを形成するために、通常、ポリイミド基
体の上に金属フイルムが被着された後、この金属フィル
ムから、フインガ、即ちリード線が、蝕刻、または他の
適当な形成技術によって形成される．この処理に続いて
、キャリアの部分は、フィンガの内側の先端部及び外側
の先端部の所で、蝕刻等の切断処理によって除去される
．このようにして作られたテープは、半導体チツブ上の
闇連する接合用パッドと、各フインガの内側の先端部と
を正確に整列させた後、加熱／加圧結合（　ｔｈｅｒｍ
ｏ　ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ　ｂｏｎｄｉｎｇ　）によ
って、フインガの先端部を接合用パッドに結合するため
に使用される，ＴＡＢの結合方法において、加熱／加圧
結合は、集団結合法と称される方法によって、単一の結
合装置で行われている．同様に、各フインガの外側の先
端部は、例えば、夫々間運する、所謂、リード・フレー
ムに結合される．このようなリード・フレームは、フイ
ンガより厚い強靭な金属で構成され、パッケージの外部
まで突出しており、それ自身で保持出来るように作られ
ている． 少し前の多くのＴＡＢテープは、絶縁体キャリア・フイ
ルムの１方の面上に設けられた単一の金属薄膜を有する
ものであった．チップの構造が一層複雑になり、接合用
パッドが２列になったので、最近のＴＡＢテープは、チ
ップ上の２列の接合用パッドに対して結合することが出
来るように、絶縁性キャリアの裏面に第２の金属薄膜を
設けることによって対応している．このような装置は、
両方の面の金属薄膜を蝕刻し、キャリアの両面に形成さ
れた金属フインガが、パッドに整列され、適当な距離に
置かれていることを保証するために、複雑なアライメン
ト技術が必要である．このような要求を満足させるテー
プを作ることは、非常に高価であり、技術的にも難しい
問題を含んでいる。

更に、フインガの厚さと、両面式のＴＡＢテープの構造
とのために、半導体チップの内側の列のパッドが外側の
列のパッドの間隔の中間の位置に置かれるように、チッ
プ上の内側の接合用パッドの列と、外側の接合用パッド
の列とを互い違いにした配列（スタガ配列）にすること
が必要である．更に、従来の両面式ＴＡＢテープの構造
は、チップ上の接合用パッドが２列を越えるもの、即ち
３列以上のパッド列には適用することは出来ない．Ｃ．
発明が解決しようとする課題 従来のＴＡＢテープによる自動結合システムにおける上
述のような問題を解決し、高い密度の接合用パッドを持
つ半導体チップに適合することの出来るジステムであっ
て、テープを利用して自動的にリード線が結合出来るシ
ステムが求められている． Ｄ．課題を解決するための手段 本発明は、蝕刻された単一層の第１のＴＡＢテープ・ア
センブリを、半導体チップ上の接合用パッドの外側の列
と、リード・フレーム上の選択されたコンタクトとに結
合することと、蝕刻された少なくとも１つの付加的な単
一層のＴＡＢテープ・アセンブリを、半導体チップ上の
接合用パッドの内側の列と、リード・フレーム上の選択
されたコンタクトとに結合することとを含んでいる．必
要に応じて、半導体チップの組立体の機械的な強度を増
加し、且つその電気的特性を改善するために、前のＴＡ
Ｂテープ・アセンブリに対して、次のＴＡＢテープ・ア
センブリを接着することが出来る．更に、１枚以上の金
属の接地カバー・シートを半導体チップ組立体に与えて
もよい． 本発明によって、チップ上の接合用パッドの従来のジグ
ザグ的な配列を必要とせず、接合用パツドの間の間隔を
極めて狭くすることが出来、しかも顕著にコストを低下
することが出来る．Ｅ，実施例 Ｅｌ．従来技術の説明 第７図は、半導体チツブ１３の接合用パツド１１及び１
２に結合された従来の両面式のＴＡＢテープ・アセンブ
リ１０を示す図である，ＴＡＢテープ・アセンブリＩＱ
は、一群の上部金属フインガ１５と、一群の下部金属フ
インガ１６とを担持する絶縁性基休１４で構成されてい
る．基体１４は、一群の上部の金属フインガと、一群の
下部金属フインガとが短絡しないように、適当な安定性
と、絶縁性の品質とを持っている．一般に、これらの金
属フインガ１５、１６は、ポリイミドのような補助基体
（　ｕｎｄｅｒｌｙ１ｎｇ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　）上
に被着された金属層によって形成されている．これらの
金属層は、例えば基板上に電子的に彼着された金属によ
って、基板上に固着して形成されている．加えて、これ
らの金属層は、次の処理で使用するための他の金属がメ
ッキされている．金属薄膜が基板に被着された後、第８
図に示された個々のフインガ１５ａ及び１６ａは、例え
ば写真蝕刻などの公知の適当な切除技術によって形成さ
れる。代表的な例として述べると、フインガの幅は、０
．０５０８ミリメートルで、エッジとエッジ間の間隔は
、０．０３８１ミリメートルである．フインガ群１５、
１６が形成された後、各フインガ群１５及び１６の端部
１５ａ及びｌｅａの間にある基板の部分は蝕刻などの適
当な処理で除去される．チップ上の夫々の半導体パッド
に個々のフインガの先端部１５ａ及び１６ａを結合する
ために、最も広く用いられている方法は、フインガ及び
チップのパッドに金メッキを施すことである．各フイン
ガ群のメッキされたフインガの先端部は、接合用パッド
の関連する列に整列され、そして加熱／加圧結合が、す
べてのフインガの先端部と、その下側にある接合用パッ
ドに同時に加熱／加圧（代表例では、５００℃乃至５５
０℃の温度で、毎平方センチメートル当り約２．１乃至
３．５キログラムの圧力）を与える集団結合処理装置に
よつて行われる．第７図及び第８図に示されているよう
に、フインガ群１６の先端部ｌｅａは、パツド１１に結
合され、フインガ群１５の先端部１５．ａは、パツド１
２に結合される．このため、フインガ群１５及び１６の
間の絶縁体１４の部分を除去することが必要であり、且
つフインガの各群の個々のフインガの先端部は、下側の
パッドに対して加圧されなければならないので、フイン
ガの各群の個々のフインガは、他のフインガから、夫々
独立し、且つ異なった長手方向軸に位置付けねばならな
い．従って、フインガ群１５の各フインガは、長手方向
軸Ｌ１５上に位置付けられねばならず、また、フインガ
群１６の各フインガは、長手方向軸Ｌ１６上に位置付け
られねばならない．このようにして、同じ群中の任意の
１つのフインガの長手方向軸は、異なった群のフインガ
の間の間隔Ｓの２倍の値に、フインガの両方の群の幅Ｗ
を加えた大きさによって、同じ群中の任意の隣接したフ
インガから隔離される． 接合用パッドの数が大きいデバイスに対して、上述の銅
／ポリイミドのＴＡＢテープ・アセンブリを使用する時
、各デバイス用に割当てられた専用の回路のフレームを
持つテープが、リールに巻かれた形式で作られる．この
ようなテープの代表例は、幅が３５ミリメートル以上で
あり、各セグメントは、連続したテープを形成するため
に１つづつ連結される．結合処理工程が終了すると、半
導体チップには、リード線が設けられ、リード線の他の
端部は、自由端であり、第２のレベルのキャリア（図示
せず）（通常は、リード・フレ．−ム、印刷回路゜カー
ド、またはキャリア基板など）に対して装着するために
利用される．第２のレベルのキャリアに対するＴＡＢテ
ープ・アセンブリの自由端を結合するのは、通常、はん
だ付けによる低温度の結合で行われる． 半導体チップ上の高密度パッドに対しては、コストを低
下させるために、半導体チップのサイズを小さくして、
非常に小さなフインガを狭い間隔に配列することが望ま
しい．例えば、チップが４４０個のＩ／Ｏパッドを必要
とし、且つＩ／Ｏパツドが、従来の両面式のテープで使
用されているように、四角形のタイの外側を取り囲んで
スタガ配列にされている場合、即ち互い違いに２列に配
列されている場合、ダイのサイズは、接合用パッドのピ
ッチによって、即ちチップ上のパッドの列中で隣接した
接合用パッドの中心点の間の距離によって決められる．
０．１５２４ミリメートル（６ミル）のピッチに対して
、チップのサイズは、約９．３ミリメートル四方の大き
さであり、０．１０１６ミリメートル（４ミル）のピッ
チにおいては、チップのサイズは６．２ミリメートル四
方の大きさである．チップの接合用パッドの直径は、通
常、０．０５０８ミリメートル乃至０．０７６２ミリメ
ートル（２乃至３ミル）であり、加熱／加圧結会処理に
よって上面が僅かに潰される．更に、このパッド・ピッ
チは、個々のフインガ１５及び１６の幅（Ｗ）と、他方
の群のフインガ（例えば１６）に対して、１方の群のフ
インガ（例えば１５）の間隔（Ｓ）によって影響される
．従って、．従来の両面式テープの利点を最大限に発揮
させ、小さなダイ・サイズと高い密度とを得るために、
従来の技術は、パッドの列１１及び１２の両方のピッチ
が、符合Ｐｌｌ及びＰ１２で表わされている第８図に示
されているように、ダブル・スタガ配列を使用している
．このダブル・スタガ配列の接合用パッドを使用したチ
ップにおいて、各列、即ちＰ１１、またはＰ１２のピッ
チは、間隔Ｓの２倍と、両方の群のフインガの幅（Ｗ）
との和よりも小さくし得ないことには注意を払う必要が
ある．換言すれば、各列のピッチは、Ｐ１１＝Ｗ　　＋
２５＋Ｗ，５、そして、Ｐ１２＝Ｗ　＋２８＋Ｗ１６で
ある． テープの両面にリード線を設けた方式のテープは、密度
及び性能に或る程度の利益を与え、半導体チップのサイ
ズを小さくすることが出来るけれども、チップ上のＩ／
Ｏパッドの数が増加すると、チップのすべてのパッドに
対して、すべてのフインガを同時に結合するための圧力
が直線的に増加するので、ダイの破損が生じる可能性が
増大し、特に、フインガの配列に間する上述の制限があ
り、また、ＴＡＢテープの製造コストが非常に高価にな
る． Ｅ２．本発明の実施例の説明 本発明は、半導体チップに対して個々に、且つ順次に結
合する複数の単一層テープを使用するものである． 第１図及び第２図は、コストを低下させ、パッド密度を
従来のダブル・スタガ配列のピッチのほぼ２倍に増加し
、上述の問題点を解決した本発明のテープの実施例を示
す図である．第１図及び第２図に示゛した本発明の実施
例は、チツブ３０の接合用パッドに結合される２つの単
一層テープ２０及び２１を使用することを含んでいる．
テープ２０は、一群の独立した導電性フインガ２０ａ及
び絶縁層２４を含み、そして、テープ２０とは分離した
テープ２１は、一群の独立した導電性フインガ２１ａ及
び絶縁層２３を含んでいる．当業者には明らかなように
、とのよ，うなテープは、例えば絶縁層の表面に金属層
を被着した後、絶縁層上にフインガの端部な形成するよ
うに、金属層を蝕刻することによって作られる．本発明
に従って、第１の単一層テープ２０は、フインガ２０ａ
の先端部が、チップ３０上の外側列として配列されてい
る関連入／出力（Ｉ／Ｏ）パツド２６と整合するように
作られている．次に、この下側のテープ２０は、第１の
結合処理によって、この外側列のパッド２６に整列され
、結合される．次に、フインガ２１ａの先端部が、チッ
プ３０上に第２の内側列として配列され関連するＩ／Ｏ
パツド２７と整合するように、第２のテープ２１が形成
される．フインガ２１ａの先端部は、第２の結合処理に
おいて、Ｉ／Ｏパッドのこの内側列のパツド２７に整列
され、結合される．結合している時か、または結合後に
、第２群のフインガ２１の下側のポリイミド層２３が、
適当なエボキシ樹脂の接着剤２３ａによって、テープ２
１の下側のテープ２０の第１群のフインガ２０ａに固着
される．層２３及び２４が、例えばカプトンの商標名で
販売されているポリイミドで作られている場合には、接
着剤は、例えば商標名、ロジャース（　Ｒｏｇｅｒｓ　
）　８　９　７０で販売されているフェノール・ブチル
の加熱式接着剤でよい。他の案として、この層２３ａは
、厚さが約０．１２７ミリメートル（５ミル）迄の重合
性の材料でもよく、この材料は、加熱／加圧式結合装置
で加熱された時、フインガ２０ａの囲りに流れて、フイ
ンガ２０ａと下側の絶縁層２４とを接着する．必要に応
じて、上側のテープ２１のリード線は、重合性の密封材
料で彼覆を施すのが好ましい．密封材料としては、シリ
コン、エボキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド及びシ
リコン・ポリイミドなどがある． 層２３ａとして重合性の材料を使用し、フインガ２２ａ
の周囲にこの材料を流動させ、絶縁層２４と接着するこ
とによって、リードＩＮ！２０ａの間のバイアスで誘起
される銅のマイクレーションが減少され、物理的な強度
が増加し、そしてテープの巻き癖が軽減される． ２つの分離したフインガ群を使用することと、それらの
７インガを別々に適用することとによって、下側のパッ
ド２６及び２７の密度を増加することが出来る．第２図
に示されたように、各リード線の長手方向の軸が同じ位
置に置かれているので、各群のフインガの間のピッチは
同じであ４。

本発明において、下側の第１のテープがパッドの外側の
列に独立して結合され、次に上側のテープが、内側の列
のパッドに独立して結合されるので、この著しいピッチ
の減少が可能となった．このようにして、各テープの開
連するフインガは、同じ長手方向の軸と重複する． 本発明のフインガの幅は、従来のテープのフインガの幅
゜と同じであるけれども、本発明は、従来の両面式のテ
ープにより必要とするピッチの半分のピッチにすること
が出来る． 本発明は第３のテープを付加することによって更に拡張
することが出来る．この実施例において、第３のテープ
は、前の２つのパッドの列に対して内側の第３のパッド
の列に結合することによって、チップのサイズに著しい
影響を与えることなく、チップ上で利用可能なパッドの
数を増加することが出来る．第３のパッドの列にどのよ
うにしてフインガを結合させるかについて、従来技術は
、まったく考えていない． ３層構造の実施例は第３図及び第４図に示されている．
第３図は、本発明の３層式の実施例が一連のパッド列３
２、３３及び３４を介して半導体チツブ３１に結合され
ていることを示す断面図であり、第６図は、この３層式
の実施例の平面図である． 第３図において、３枚の独立した単一面テープ３６、３
７及び３８が使用され、各テープは絶縁体の面上に形成
された一群の独立したフインガを持っている．即ち、テ
ー１３６は、独立したフイシガ３８ａ及び絶縁層４０を
持っており、テープ３７は、独立したフインガ３７ａ及
び絶縁層４１を持っており、そしてテー１３８は、独立
したフインガ３８ａ及び絶縁層４２を持っている．これ
らのフインガ群の各独立したフインガは、同じ長手方向
軸Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４上に重なる。

この３層構造は、第１の結合処理よって、パツド３２に
対してテープ３６上のフインガ３６ａの先端部を載置し
た後、結合し、次に、テープ３６の上にテープ３７を載
せて、パツド３３に対してフインガ３７ａの先端部を結
合して、テープ８６に絶縁層４１を固着し、最後に、テ
ープ３７の上にテープ３８を載せて、バツド３４に対し
てフインガ３８ａを結合して、テープ３７にテープ３８
を固着する．この複数層のテープ構造は、各テープが同
じ長手方向の軸Ｌ３２、３３、３４上に位置する各テー
プのフインガを持っているので、第１図及び第２図のも
のよりも高い密度を持っていることには注意を喚起する
必要がある．各テープ３７及び３８は、第１図に閲して
説明したような接着剤の層か、または重合性材料の層を
与えることが出来、これにより、下側のフインガ３６ａ
及び３７ａが効果的に密封出来ることは理解されるべき
である．同様に、フインガ３８ａも、第１図で説明した
ような密閉材料で被覆することが出来る． 若し、必要ならば、中間のテープ３７は、そのフインガ
を信号用のパッドに接続することが出来、他方、テープ
３６及び３８は、接地用パッドに接続することが出来る
．他の案として、各テープの選択されたフインガを信号
用パッド、電圧供給用パッド、または接地用パッドの何
れかに接続することが出来る．実際問題として、３つの
層のフインガを同軸ケーブル的な配列とするために、各
信号伝達用フインガを取り巻くようにアース用フインガ
を組み合わせることが出来、これにより、組立体の信号
伝達特性を向上することが可能である．本発明の他の実
施例が第５図及び第６図に示されている． 第５図は、一連の信号パツド５１を持つ半導体チツブ５
０が示されており、この半導体チツブ５０には、絶縁性
層５３と複数個の金属フインガ５４とを含む単一層のテ
ープ５２が装着されている．上述したように、テープ５
２のフインガの先端が、パツド５１に結合された後、平
坦な導電性カバー・シート、即ち金属薄１９１５６がテ
ープ５２と、チツプ５０の動作面、即ちパツド５１を担
持するチップの面に固着される．このようなカバー・シ
ート５６は、図示の実施例では、平坦な面、即ち連続面
であると同時に、厚さが均一であるが、これは必ずしも
必要なことではない。

このような金属カバー・シート５６を接地面として使用
すれば、チップの信号伝送特性が改善される． 第６図には、絶縁層６３によって分離されている金属フ
インガ６１及び６２の２つのクルーブを含む多層テープ
６０が７示されている。フインガ６１及び６２は、チッ
プのパツド６５及び６６に夫々結合される．フインガ６
２の上側には、上述のような適当な絶縁層６８によって
フインガ６２から絶縁され、固着されている平坦な第１
の金属カバー・シート６７が設けられている．また、フ
インガ６１の下側に第２の金属面、即ち金属カバー・シ
一ト６９が設けられ、これは、上述したような材料の適
当な絶縁層７０によってフインガ６１から絶縁され、固
着されている． 金属カバー・シ一ト５６と、第７図に示された金属カバ
ー・シート６７及び６９とは、夫々の補助テープ（　ｕ
ｎｄｅｒｌｙｉｎｇ　ｔａｐｅ　）がチップ上のパッド
に固着された後、上述した接着剤、または加熱接着など
の適当な固着方法によって、夫々の補助テープに固着す
ることが出来る． また、金属シ一ト６７及び６９の両方は、厚さが均一で
も、不均一でも何れでもよく、また、チップの本体の上
まで拡張することが出来るのは注意を要する． 金属シート６７及び６９は、フインガ６１及び６２が信
号用のリード線として用いられた時には、デバイスの伝
送特性を改善する． これらの金属シートを設けることによって、リード線の
間の電子マイグレーションを減少すること、機械的な強
度を増加すること、積極的な電気的絶縁が計れること、
熱的性能が向上すること、テープの巻き癖が少ない、即
ち平坦面を与えることが出来ることなどの多くの利点が
生じる．また、これらの金属カバー・シートは、信号線
のクロストークを減少することにより、チップに対して
、より良い電気的性能を与え、デバイスの電磁的特性や
、高周波遮蔽特性の改善を与える。

Ｆ．発明の効果 本発明は、極めて密度の高い接合用パッドを有する半導
体チップの組立体及びその製造方法を提供する． また、従来の両面式テープにおける両面の蝕刻のアライ
メントの問題を回避し、従って、２つの金属層の間のポ
リイミドを蝕刻すること、即ち除去する必要がなく、チ
ップ上のパッドをスタガ配列にする必要がなく、チップ
上で３列以上のパッドの列にも適用することが出来、チ
ップ上の接合用パッドの密度を９０％増加することが可
能で、その結果、チップのサイズを著しく小さくするこ
とが出来る．従って、本発明は、両面写真蝕刻の必要性
をなくし、コストを逓減するばかりでなく、支持されて
いないフインガの長さを短くすることが出来る． また、本発明は、従来よりも秀れた、容量性ノイズを減
少するために、独特な構造により、より完全な電圧シー
ルド、または接地シールドを与える． 更に、本発明によって、チップ上の接合用パッドの間隔
を極めて狭くすることが出来、しかも顕著にコストを低
下することが出来る．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体チップ組立体の一部の側面を示
す断面図、第２図は第１図を上から見た平面図、第３図
は本発明に従った３列の接合用パッドを持った半導体チ
ップに本発明を適用した第２の実施例の側面を示す断面
図、第４図は第３図の半導体チップの組立体を上方から
見た平面図、第５図は本発明を適用して、金属カバー・
シートと、単一層のテープとを持つ半導体チップ組立体
の一部を示す側面の断面図、第６図は本発明を適用して
、最低面と最上面に金属カバー・シートを持ち、２層の
テープを含む本発明の他の実施例のドＩＪｉ）、２３、
２４、５３、５５、６３、６８、７０・・・・絶縁層、
２３ａ・・・・接着剤の層、２６・・・・外側列の接合
用パッド、２７・・・・内側列の接合用パッド、３０・
・・・半導体チップ、５１、６５、６６・・・・接合用
パッド、５２・・・・単一層のテープ、５６、６７、６
９・・・・金属カバー・シート。 出　願　人　　インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーポレーション 代　理　人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１
名）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）次の要件からなる半導体チップの組立体。 （ａ）表面に接合用パッドの複数の列を持つ半導体チッ
   プ。 （ｂ）第１の導電性リード線担持用テープであって、上
   記導電性リード線の端部は上記テープから離れているこ
   と。 （ｃ）上記第１のテープの上記リード線の選択された端
   部は、上記パッドの第１の選択された列の夫々のパッド
   に固着されていること。 （ｄ）導電性層を有する第２のテープが上記第１のリー
   ド線担持用テープの上に重ねられること。
2. （２）半導体チップの表面上にある関連する接合用パッ
   ドに固着されている複数個の導電性リード線と、チップ
   面上及びチップに固着されているリード線の面上に延び
   ており、上記リード線に対して絶縁され、固着されてい
   る導電性のカバー・シートとを有する半導体チップの組
   立体。
3. （３）半導体チップの表面上にある関連する接合用パッ
   ドに固着された複数個のリード線を被うテープと、上記
   接合用パッドに固着されたリード線の上側及び下側に絶
   縁されて固着している上部及び下部導電性シートとを有
   する半導体チップの組立体。
4. （４）次の工程からなる半導体チップの組立て方法。 （ａ）第１のテープに担持され、結合されるべき各導電
   性リード線が、半導体チップ上の接合用パッドの外側の
   第１の列の接合用パッドに整列されるように、半導体チ
   ップの接合用パッドの第１の列に対して、リード線を担
   持している絶縁性の第１のテープのリード線の先端部を
   位置付ける工程。 （ｂ）上記第１の列中の関連するパッドに対して、上記
   第１のテープの上記リード線の先端部を結合する工程。 （ｃ）第２のテープのリード線の先端部が、半導体チッ
   プ上の接合用パッドの第２の列の接合用パツドに整列さ
   れるように、半導体チップの接合用パッドの第２の列に
   対して、導電性リード線を担持している絶縁性の第２の
   テープのリード線の先端部を位置付ける工程。 （ｄ）第２の列中の関連するパッドに対して、上記第２
   のテープの上記リード線の先端部を結合する工程。
5. （５）次の工程からなる半導体チップの組立て方法。 （ａ）第１のテープに担持され、結合されるべき金属リ
   ード線が、半導体チップ上の接合用パッドの第１の列の
   接合用パッドに整列されるように、半導体チップの接合
   用パッドの第１の列に対して、リード線を担持している
   絶縁性の第１のテープのリード線の先端部を位置付ける
   工程。 （ｂ）上記第１のテープの各リード線を関連する長さ方
   向の軸上に位置付ける工程。 （ｃ）上記第１列中の関連する接合用パッドに対して上
   記第１のテープの上記リード線の先端部を結合する工程
   。 （ｄ）付加的なテープのリード線の先端部が、半導体チ
   ップ上のボンデング・パッドの付加的な列の接合用パッ
   ドに整列されるように、半導体チップの接合用パッドの
   付加的な列に対して、導電性リード線を担持している絶
   縁性の付加的なテープのリード線の先端部を位置付ける
   工程。 （ｅ）上記接合用パッドの列中の関連する接合用パッド
   に対して上記付加的なテープの上記リード線の先端部を
   結合する工程。