JPH02237079A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH02237079A JPH02237079A JP1057003A JP5700389A JPH02237079A JP H02237079 A JPH02237079 A JP H02237079A JP 1057003 A JP1057003 A JP 1057003A JP 5700389 A JP5700389 A JP 5700389A JP H02237079 A JPH02237079 A JP H02237079A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機器
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像入力部の
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用される様になり、さらに現在では性能
面での向上ナなはち高速４Ｆ，Ｇ画品質の向上が強く望
まれている．さて、Ｃ ｄｓｘ Ｃ ｄｓ ｅあるい
は固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る光センサは
光電流が大きいのが特長で、このためこのセンサを用い
た密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる
。
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用される様になり、さらに現在では性能
面での向上ナなはち高速４Ｆ，Ｇ画品質の向上が強く望
まれている．さて、Ｃ ｄｓｘ Ｃ ｄｓ ｅあるい
は固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る光センサは
光電流が大きいのが特長で、このためこのセンサを用い
た密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる
。
一方、この先センサは光電流ｊｐの光照射に対する応答
速度が遅く、シかも照射光強度（すなはち原槁からの反
射光強度）Ｌに対する比例性に劣るという二つの欠点が
ある。すなわち、前者ではｊｐの立上がり時間τ２や立
下がり時間τｄが通常使用時のセンサ面強度１００１ｕ
ｘで２〜３■ｓｅｃと長く、後者ではＪｐ Ｌ と
したときのγ値が、５０ 〜１００１ｕｘで０．６〜０
．７５と小さい。
速度が遅く、シかも照射光強度（すなはち原槁からの反
射光強度）Ｌに対する比例性に劣るという二つの欠点が
ある。すなわち、前者ではｊｐの立上がり時間τ２や立
下がり時間τｄが通常使用時のセンサ面強度１００１ｕ
ｘで２〜３■ｓｅｃと長く、後者ではＪｐ Ｌ と
したときのγ値が、５０ 〜１００１ｕｘで０．６〜０
．７５と小さい。
発明が解決しようとする課題
この様に、センサの光電流の立上がり時間や立下がり時
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が４〜５腸ｓ／ｌｉｎｅと制限きれてしまう。ま
たγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる
光電流すなわち出力信号値がこれに比例しないという事
態が生じる。このため中間調の再現に余分の回路処理を
必要とする。
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が４〜５腸ｓ／ｌｉｎｅと制限きれてしまう。ま
たγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる
光電流すなわち出力信号値がこれに比例しないという事
態が生じる。このため中間調の再現に余分の回路処理を
必要とする。
ＣｄＳ．ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主
体として成る半導体薄膜をＣｃｔＣ＋ｓ蒸気中で活性化
熱処理した光導電型センサの場合、γ値を大きくするこ
とは、例えば増感不純物であるＣｕ濃度を高くするなど
の方株によって実現される。ただ同時に光電流の立下が
り時間τ−は小さくなるが、立上がり時間τ、が大きく
なり、全体としての光応答速度が遅くなるとともに光電
流ｊｐも小さくなるという大きな欠点がある。
体として成る半導体薄膜をＣｃｔＣ＋ｓ蒸気中で活性化
熱処理した光導電型センサの場合、γ値を大きくするこ
とは、例えば増感不純物であるＣｕ濃度を高くするなど
の方株によって実現される。ただ同時に光電流の立下が
り時間τ−は小さくなるが、立上がり時間τ、が大きく
なり、全体としての光応答速度が遅くなるとともに光電
流ｊｐも小さくなるという大きな欠点がある。
この欠点をなくすため本願発明者等は、半導体薄膜を活
性化熱処理した後、増感不純物としてのＣｕあるいはＡ
ｇを表面に付着させ、ある程度高温で加熱拡散せしめて
後電極を形成し、高速でかつ高γ値の光センサを実現し
た。増感不純物の付着拡散は電極形成後でも良い。ただ
ζ この様にして得られたセンサでもτ，がなおτ−よ
り大きく、その高速性に不満があった。
性化熱処理した後、増感不純物としてのＣｕあるいはＡ
ｇを表面に付着させ、ある程度高温で加熱拡散せしめて
後電極を形成し、高速でかつ高γ値の光センサを実現し
た。増感不純物の付着拡散は電極形成後でも良い。ただ
ζ この様にして得られたセンサでもτ，がなおτ−よ
り大きく、その高速性に不満があった。
本発明は、光電流ｊｐを小さくせずして光応答速度を速
＜シ、シかもγ値を大きくする方法を提供するものであ
る。
＜シ、シかもγ値を大きくする方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段
絶縁性基板上に、ＣｕあるいはＡｇの様な増感不純物を
含有していない、すなわち未ドープのＣａｂ，Ｃｄ’ｓ
あるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣＩ■の蒸気に
暴露し光電的に活性化熱処理した後、少量のＣｕあるい
はＡｇを前記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し
薄膜中に拡散させて後対向電極を設け、さらに保護膜を
形成する光センサの製造方法において、前記絶縁性基板
としてＣｕあるいはＡｇを含有していないものを用いる
。対向電極を設けた後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記
半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄膜中に拡散
させてもよい。
含有していない、すなわち未ドープのＣａｂ，Ｃｄ’ｓ
あるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導
体薄膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣＩ■の蒸気に
暴露し光電的に活性化熱処理した後、少量のＣｕあるい
はＡｇを前記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し
薄膜中に拡散させて後対向電極を設け、さらに保護膜を
形成する光センサの製造方法において、前記絶縁性基板
としてＣｕあるいはＡｇを含有していないものを用いる
。対向電極を設けた後、少量のＣｕあるいはＡｇを前記
半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄膜中に拡散
させてもよい。
作 用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光
応答速度を著しく速くシ、さらにγ値を大きくすること
ができる。ＣｕあるいはＡｇを含有する基板上にＣｄＳ
系半導体薄膜を形成し、Ｃｄｃｌ＊蒸気中で活性化熱処
理すると、基板中のＣｕあるいはＡｇがセンサ膜中に移
行し、膜中に数多くの電子トラップを誘起し、そのため
光照射時の立上がり時間τ，が長くなり、センサの高速
化が損なわれる。ＣｕあるいはＡｇを含有しない基板上
に活性化したＣｄＳ系薄膜を形成し、その上にＣｕある
いはＡｇを付着拡散したセンサはこの様な電子トラップ
が著しく少なくなりｓＣｕあるいはＡｇを含有する基板
上に形成したセンサに較べて、はるかにτ１が小さく、
従って一段と高速である。
流値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光
応答速度を著しく速くシ、さらにγ値を大きくすること
ができる。ＣｕあるいはＡｇを含有する基板上にＣｄＳ
系半導体薄膜を形成し、Ｃｄｃｌ＊蒸気中で活性化熱処
理すると、基板中のＣｕあるいはＡｇがセンサ膜中に移
行し、膜中に数多くの電子トラップを誘起し、そのため
光照射時の立上がり時間τ，が長くなり、センサの高速
化が損なわれる。ＣｕあるいはＡｇを含有しない基板上
に活性化したＣｄＳ系薄膜を形成し、その上にＣｕある
いはＡｇを付着拡散したセンサはこの様な電子トラップ
が著しく少なくなりｓＣｕあるいはＡｇを含有する基板
上に形成したセンサに較べて、はるかにτ１が小さく、
従って一段と高速である。
実施例
以下、本発明の実施例を説明する。
ＣｕあるいはＡｇを含宵していないガラスなどの絶縁性
基板上にＣｄｂ１ ＣｄＳｅあるいはＣｄＳ−Ｃｄｓｅ
を主体として成る半導体薄膜を真空蒸着法などの方法に
よって形成する。この半導体薄膜にもＣｕあるいはＡｇ
なとの増感不純物を添加しない未ドープ模とする。この
薄膜を５００℃程度の高温にてｃｄＣｌ＊の蒸気に暴露
し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣｕあるいはＡ
ｇを前記半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素
を含む雰囲気中２５０〜５５０℃にて１５ｍＩｎ以上熱
処理し膜中に拡散させる。
基板上にＣｄｂ１ ＣｄＳｅあるいはＣｄＳ−Ｃｄｓｅ
を主体として成る半導体薄膜を真空蒸着法などの方法に
よって形成する。この半導体薄膜にもＣｕあるいはＡｇ
なとの増感不純物を添加しない未ドープ模とする。この
薄膜を５００℃程度の高温にてｃｄＣｌ＊の蒸気に暴露
し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣｕあるいはＡ
ｇを前記半導体薄膜に付着せしめ中性または少量の酸素
を含む雰囲気中２５０〜５５０℃にて１５ｍＩｎ以上熱
処理し膜中に拡散させる。
しかる後、ＮＩＣｒ／Ａｕの蒸着形成膜などで対向電極
を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなどの保護
膜を形成し光センサを完成する。ＣｕあるいはＡｇの付
着拡散を対向電極の形成後、保ｍＷＸの形成前に行って
も良い。
を形成し、さらにシリコン樹脂やポリイミドなどの保護
膜を形成し光センサを完成する。ＣｕあるいはＡｇの付
着拡散を対向電極の形成後、保ｍＷＸの形成前に行って
も良い。
ＣｕあるいはＡｇの付着は真空蒸着法や化学的付着法に
よる。化学的付着法とは例えばＣｕイオンイオンを含む
水溶液に半導体薄膜を浸漬し、半導体薄膜表面にＣｕを
付着させる様な方法である。
よる。化学的付着法とは例えばＣｕイオンイオンを含む
水溶液に半導体薄膜を浸漬し、半導体薄膜表面にＣｕを
付着させる様な方法である。
さて、絶縁性基板として例えばＣｕ含有のガラス基板（
コーニング社、＃７０５θ、Ｃｕ含有量０．０００５重
量％）を用いた場合、このガラス上に半導体薄膜を形成
すると、その形成時に特にＣｄＣＩ．の蒸気中で活性化
熱処理する際に基板中のＣｕが半導体薄膜に移行する現
象が起こる。一種の抽出効果であり、ガラス基板中のＣ
ｕ含脊量が僅か０．０００５重量％であっても活性化熱
処理後には半導体薄膜中にｏ．ｏｏｓモル％も含有する
様になる。この活性化熱処理後に半導体薄膜上にＣｕあ
るいはＡｇを付着拡散させて電極形成、さらに保護膜を
形成するか、あるいは活性化熱処理後に電極形成し、半
導体薄膜上にＣｕあるいはＡｇを付着拡散させて、さら
に保ＩＮを形成してセンサを完成するが、ガラス基板中
にＣｕを含有しない場合、ｊｐの立上がり時間τ，が非
常に小さく、その立下がり時間τ−に近い値になるのに
較べて、ガラス基板中にＣｕを含有している場合は、τ
，がτ−よりずっと大きくなる。
コーニング社、＃７０５θ、Ｃｕ含有量０．０００５重
量％）を用いた場合、このガラス上に半導体薄膜を形成
すると、その形成時に特にＣｄＣＩ．の蒸気中で活性化
熱処理する際に基板中のＣｕが半導体薄膜に移行する現
象が起こる。一種の抽出効果であり、ガラス基板中のＣ
ｕ含脊量が僅か０．０００５重量％であっても活性化熱
処理後には半導体薄膜中にｏ．ｏｏｓモル％も含有する
様になる。この活性化熱処理後に半導体薄膜上にＣｕあ
るいはＡｇを付着拡散させて電極形成、さらに保護膜を
形成するか、あるいは活性化熱処理後に電極形成し、半
導体薄膜上にＣｕあるいはＡｇを付着拡散させて、さら
に保ＩＮを形成してセンサを完成するが、ガラス基板中
にＣｕを含有しない場合、ｊｐの立上がり時間τ，が非
常に小さく、その立下がり時間τ−に近い値になるのに
較べて、ガラス基板中にＣｕを含有している場合は、τ
，がτ−よりずっと大きくなる。
ガラス基板中にＡｇを含有していても同様の現象が見ら
れるのでＡｇを含有していない基板を用いることによっ
て上記と同様な効果が得られる。ＣｕあるいはＡｇを含
有していない基板上に形成した本発明のセンサは先願発
明のセンサよりもすうとτ，が小さく高速性が一段と優
れている。
れるのでＡｇを含有していない基板を用いることによっ
て上記と同様な効果が得られる。ＣｕあるいはＡｇを含
有していない基板上に形成した本発明のセンサは先願発
明のセンサよりもすうとτ，が小さく高速性が一段と優
れている。
次ぎに具体例を説明する。
ガラス基板（Ｓ Ｉｏｎ ４８．５重量％、ＢａＯ ２
５．３重量％、Ｂ＊Ｏｓ １５，２重量％、ＡＩｔｏｓ
１１．０重量％、ＣｕあるいはＡｇの含何なし、２３
０Ｘ２５Ｘ１．２ｍ＠り上に厚さ４０００Ａの未ドープ
のＣｄＳ＠．＠Ｓｅｓ．４の蒸着膜を形成し、フォトエ
ッチングによ主走査方向に島状（ ９０Ｘ ３５Ｇμ■
りに８ビット／■鵬の割合で菫７２８ビット配置する。
５．３重量％、Ｂ＊Ｏｓ １５，２重量％、ＡＩｔｏｓ
１１．０重量％、ＣｕあるいはＡｇの含何なし、２３
０Ｘ２５Ｘ１．２ｍ＠り上に厚さ４０００Ａの未ドープ
のＣｄＳ＠．＠Ｓｅｓ．４の蒸着膜を形成し、フォトエ
ッチングによ主走査方向に島状（ ９０Ｘ ３５Ｇμ■
りに８ビット／■鵬の割合で菫７２８ビット配置する。
この島状のＣｄＳｓ．ｓＳｅ−．４膜を５００℃でＣｄ
Ｃｌｍの飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化して
光導電体膜にした後、母体であるＣｄＳｓ．ｓＳｅｓ．
ｎ膜に対して０．００５ 〜０．１モル％のＣｕあるい
はＡｇを蒸着拡散させる。ＣｕあるいはＡｇの分量が０
．００５モル％より少ないと効果が小さ＜、０．１モル
％以上だと立上がり特性が悪くなる。
Ｃｌｍの飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化して
光導電体膜にした後、母体であるＣｄＳｓ．ｓＳｅｓ．
ｎ膜に対して０．００５ 〜０．１モル％のＣｕあるい
はＡｇを蒸着拡散させる。ＣｕあるいはＡｇの分量が０
．００５モル％より少ないと効果が小さ＜、０．１モル
％以上だと立上がり特性が悪くなる。
ＣｕあるいはＡｇ蒸着後さらに中性または少量の酸素を
含む雰囲気中、２５０〜５５０℃で３０ｍＩｎの加熱処
理を施す。この加熱温度が５５０℃を超えるとセンサは
低抵抗となり光感度を示さなくなる。その後、その島状
の膜の各々に対向電極（ＮｆＣｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわ
ち共通電極と個別電極を形成する。対向電極のギャップ
は８０μ麿である。その後シリコン樹脂やポリイミドな
どの保護膜を形成しラインセンサを完成する。これらラ
インセンサのうち１ビットの特性を調べＣｕあるいはＡ
ｇ蒸着時の基板温度が１５０℃でポリイミド保！ａｌｌ
の場合の結果を第１表（Ｃｕ）と第２表（Ａｇ）にまと
める。比較のため、通常のガラス基板（コー二冫グ社．
＃７０５θ、ガラスの主成分は先のガラスと同じｓＣｕ
含有量ｏ ．ｏｏｏｓ重量％）上に上記同様に形成した
センサについても調べた。なお特性は印加電圧ＤＣ１０
ｖ１ 光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｓ．１００１ｕ
ｘ）をＩＨｚ（０．５ｓｅｃずつ）で点滅して測定した
。応答時間は光電流ＪｐがＯから飽和値の５６％に上が
るまでの時間を立上がり時間τｒ、ＪＰが飽和値からそ
の５０％に下がるまでの時間を立下がり時間τ−とした
。またγ値は５０〜１００１ｕｘ間での平均値である。
含む雰囲気中、２５０〜５５０℃で３０ｍＩｎの加熱処
理を施す。この加熱温度が５５０℃を超えるとセンサは
低抵抗となり光感度を示さなくなる。その後、その島状
の膜の各々に対向電極（ＮｆＣｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわ
ち共通電極と個別電極を形成する。対向電極のギャップ
は８０μ麿である。その後シリコン樹脂やポリイミドな
どの保護膜を形成しラインセンサを完成する。これらラ
インセンサのうち１ビットの特性を調べＣｕあるいはＡ
ｇ蒸着時の基板温度が１５０℃でポリイミド保！ａｌｌ
の場合の結果を第１表（Ｃｕ）と第２表（Ａｇ）にまと
める。比較のため、通常のガラス基板（コー二冫グ社．
＃７０５θ、ガラスの主成分は先のガラスと同じｓＣｕ
含有量ｏ ．ｏｏｏｓ重量％）上に上記同様に形成した
センサについても調べた。なお特性は印加電圧ＤＣ１０
ｖ１ 光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｓ．１００１ｕ
ｘ）をＩＨｚ（０．５ｓｅｃずつ）で点滅して測定した
。応答時間は光電流ＪｐがＯから飽和値の５６％に上が
るまでの時間を立上がり時間τｒ、ＪＰが飽和値からそ
の５０％に下がるまでの時間を立下がり時間τ−とした
。またγ値は５０〜１００１ｕｘ間での平均値である。
（以下余白）
第１表（ Ｃ ｕ）
第２表
（Ａｇ）
この様に、光電流を数μＡ以上と太き《保ったまま立下
がり時間τ−を０．５膳ｓｅｃ程度にまで小さく、γ値
も０ ．７ ０以上、多くは０ ．８ ０以上と大きく
できる。一方光電流の立上がり時間τ，は、通常基板上
に形成したセンサの場合よりはるかに小さくできる。実
際にラインセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存
在する反射光（少な《とも３％はある）がバイアス光と
なり、これが常時セ冫サに照射されるため、実効的立上
がり時間τ，はさらに小さくなる。その効果を第３表に
て示す。
がり時間τ−を０．５膳ｓｅｃ程度にまで小さく、γ値
も０ ．７ ０以上、多くは０ ．８ ０以上と大きく
できる。一方光電流の立上がり時間τ，は、通常基板上
に形成したセンサの場合よりはるかに小さくできる。実
際にラインセンサとして用いる場合には原稿黒字でも存
在する反射光（少な《とも３％はある）がバイアス光と
なり、これが常時セ冫サに照射されるため、実効的立上
がり時間τ，はさらに小さくなる。その効果を第３表に
て示す。
この程度のバイアス光照射による他の特性（ＪＰ１τ−
、γ）の変化は殆どない。
、γ）の変化は殆どない。
第３表
発明の効果
本発明によれば、光電流値が大きいままで光応答速度が
著しく速く、γ値が大なる光センサを実現することが可
能となる。これより、中間調再現に優れた、高速の画像
読取装置ができる。
著しく速く、γ値が大なる光センサを実現することが可
能となる。これより、中間調再現に優れた、高速の画像
読取装置ができる。
代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名この様に未
ドープのｃｄＳｓ．●Ｓｅ●．４蒸着膜のＣｄｃｌ黛蒸
気中での活性化熱処理後ＣｕあるいはＡｇを付着拡散さ
せる際ＣｕあるいはＡｇを含有しない基板をもちいるこ
とにより優れた特性が得られる。
ドープのｃｄＳｓ．●Ｓｅ●．４蒸着膜のＣｄｃｌ黛蒸
気中での活性化熱処理後ＣｕあるいはＡｇを付着拡散さ
せる際ＣｕあるいはＡｇを含有しない基板をもちいるこ
とにより優れた特性が得られる。
本実施例ではＣｄ’ｓ．●Ｓｅｓ．＊を例にとったがＣ
ｄ Ｓｓ Ｃ ｄ Ｓ ｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
ｄ Ｓｓ Ｃ ｄ Ｓ ｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
Claims (3)
- （１）絶縁性基板上に未ドープのＣｄＳ、ＣｄＳｅある
いは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導体薄
膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴
露し光電的に活性化熱処理した後、少量のＣｕあるいは
Ａｇを前記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄
膜中に拡散させて後対向電極を設け、さらに保護膜を形
成する光センサの製造方法において、前記絶縁性基板と
してＣｕあるいはＡｇを含有していないものを用いるこ
とを特徴とする光センサの製造方法。 - （２）絶縁性基板上に未ドープのＣｄＳ、ＣｄＳｅある
いは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る半導体薄
膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴
露し光電的に活性化熱処理し、対向電極を設けた後、少
量のＣｕあるいはＡｇを前記半導体薄膜に付着せしめ、
高温で熱処理し薄膜中に拡散させて後、さらに保護膜を
形成する光センサの製造方法において、前記絶縁性基板
としてＣｕあるいはＡｇを含有していないものを用いる
ことを特徴とする光センサの製造方法。 - （３）付着ＣｕあるいはＡｇの分量が母体の半導体に対
して０．００５〜０．１モル％であることを特徴とする
請求項１または２記載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057003A JPH0612832B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057003A JPH0612832B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237079A true JPH02237079A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0612832B2 JPH0612832B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=13043296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057003A Expired - Fee Related JPH0612832B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612832B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1057003A patent/JPH0612832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612832B2 (ja) | 1994-02-16 |
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