JPH02270380A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH02270380A JPH02270380A JP1091331A JP9133189A JPH02270380A JP H02270380 A JPH02270380 A JP H02270380A JP 1091331 A JP1091331 A JP 1091331A JP 9133189 A JP9133189 A JP 9133189A JP H02270380 A JPH02270380 A JP H02270380A
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- cds
- semiconductor thin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像入力部の
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになってきた。
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用されるようになってきた。
さて、Ｃｄ５１ ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−Ｃｄ
Ｓｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特
長で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易である。
Ｓｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特
長で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易である。
この光センサはガラスなどの絶縁性基板上にＣｄＳ。
ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅを主体とし、これに
少量のＣｕを含有して成る半導体薄膜を蒸着形成し、こ
れを高温でＣｄＣ１ａの蒸気に暴露、熱処理し光電的に
活性化して後対向電極を設け、さらに保護膜を形成する
方法によって得られる。
少量のＣｕを含有して成る半導体薄膜を蒸着形成し、こ
れを高温でＣｄＣ１ａの蒸気に暴露、熱処理し光電的に
活性化して後対向電極を設け、さらに保護膜を形成する
方法によって得られる。
発明が解決しようとする課題
この様に、センサの活性化熱処理をＣｄＣ１ａ蒸気中で
行うため、実際には基板上に形成したＣｄＳ系半導体薄
膜をアルミナの半密閉容器の中で上向きにセットし、容
器の底部にＣｄＣ１ｅの蒸発源であるＣａｂ： ＣｄＣ
１＠ （約５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っ
ている。この加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過
する方式なので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。そ
のため、基板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に
違いが生じ易いという欠点がある。
行うため、実際には基板上に形成したＣｄＳ系半導体薄
膜をアルミナの半密閉容器の中で上向きにセットし、容
器の底部にＣｄＣ１ｅの蒸発源であるＣａｂ： ＣｄＣ
１＠ （約５重量部）粉末を置いて加熱する方法を採っ
ている。この加熱もトンネル炉を容器がゆっくりと通過
する方式なので完全に均一な加熱冷却が難しくなる。そ
のため、基板中央部のセンサと周辺部のセンサで特性に
違いが生じ易いという欠点がある。
さらに、蒸着形成薄膜中に始めからＣｕあるいはＡｇを
含有していると、得られたセンサの光応答速度が遅いと
いう欠点もある。
含有していると、得られたセンサの光応答速度が遅いと
いう欠点もある。
本発明は、このような従来技術の欠点に鑑み、複雑なる
活性化熱処理プロセスを簡単にし、しかも不純物Ｃｕあ
るいはＡｇを後のプロセスで添加する様にして、特性の
均一性、再現性および高速性に優れた光センナの製造方
法を提供することを目的とする。
活性化熱処理プロセスを簡単にし、しかも不純物Ｃｕあ
るいはＡｇを後のプロセスで添加する様にして、特性の
均一性、再現性および高速性に優れた光センナの製造方
法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の第１の方法は、絶縁性基板上にＣｄ５１ＣｄＳ
ｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を
形成し、前記半導体薄膜をＣｄＣ１ａを溶かした溶液に
浸漬して後、活性化熱処理を施し、対向電極を設け、そ
の後前記半導体薄膜にＣｕあるいはＡｇを付着拡散させ
、さらに保護膜を形成することを特徴とするものである
。
ｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を
形成し、前記半導体薄膜をＣｄＣ１ａを溶かした溶液に
浸漬して後、活性化熱処理を施し、対向電極を設け、そ
の後前記半導体薄膜にＣｕあるいはＡｇを付着拡散させ
、さらに保護膜を形成することを特徴とするものである
。
本発明の第２の方法は、絶縁性基板上にＣｄ５１ＣｄＳ
θあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を
形成し、前記半導体薄膜をＣｄＣｌ２を溶かした溶液に
浸漬して後、活性化熱処理を施し、前記半導体薄膜にＣ
ｕあるいはＡｇを付着拡散させ、その後対向電極を設け
、さらに保護膜を形成することを特徴とするものである
。
θあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を
形成し、前記半導体薄膜をＣｄＣｌ２を溶かした溶液に
浸漬して後、活性化熱処理を施し、前記半導体薄膜にＣ
ｕあるいはＡｇを付着拡散させ、その後対向電極を設け
、さらに保護膜を形成することを特徴とするものである
。
作 用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかも不純物Ｃｕある
いはＡｇを後のプロセスで添加するようにして、その特
性を均一性、再現性および高速性に優れたものにするこ
とができる。
流値が大きいという特長を損なわずして、複雑なる活性
化熱処理プロセスを簡単にして、しかも不純物Ｃｕある
いはＡｇを後のプロセスで添加するようにして、その特
性を均一性、再現性および高速性に優れたものにするこ
とができる。
実施例
以下に、本発明の詳細な説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上にＣｄ Ｓ ｓ Ｃｄ Ｓ
ｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を真空
蒸着法などの方法によって形成する。 この薄膜をＣｄ
Ｃｌ２を溶かした溶液（水、アルコールなど）に浸漬し
て後乾燥し、中性または少量の酸素を含む雰囲気中３５
０〜５５０℃にて１５ｍ１ｎ以上活性化熱処理を施す。
ｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を真空
蒸着法などの方法によって形成する。 この薄膜をＣｄ
Ｃｌ２を溶かした溶液（水、アルコールなど）に浸漬し
て後乾燥し、中性または少量の酸素を含む雰囲気中３５
０〜５５０℃にて１５ｍ１ｎ以上活性化熱処理を施す。
この半導体薄膜の上にＣｕあるいはＡｇを付着させ、上
記同様の雰囲気中２００〜５５０℃にて１５＋ｇｉｎ以
上拡散熱処理を施す。しかる後Ｎ Ｎ ｉ Ｃｒ／
Ａ ｕの蒸着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシ
リコン樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成し光センサ
を完成する。
記同様の雰囲気中２００〜５５０℃にて１５＋ｇｉｎ以
上拡散熱処理を施す。しかる後Ｎ Ｎ ｉ Ｃｒ／
Ａ ｕの蒸着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシ
リコン樹脂やポリイミドなどの保護膜を形成し光センサ
を完成する。
ＣｕあるいはＡｇの付着は蒸着あるいは化学的付着法に
よる。化学的付着法とは例えばＣｕＣ１＊あるいはＡｇ
Ｃ１を水に溶かした溶液に浸漬後乾燥する方法である。
よる。化学的付着法とは例えばＣｕＣ１＊あるいはＡｇ
Ｃ１を水に溶かした溶液に浸漬後乾燥する方法である。
ＣｕあるいはＡｇの付着拡散は電極形成後でもよい。こ
の場合には拡散熱処理温度は２０θ〜４００℃とする。
の場合には拡散熱処理温度は２０θ〜４００℃とする。
次に具体例を説明する。
ガラス基板（コーニング社、＃７０５９ミ２３０Ｘ２５
Ｘ １．２ｍ＋ａり上に厚さ４０００ＡのＣｄＳ＠、ａ
Ｓｅｓ、Ｊの蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより
主走査方向に島状（９０Ｘ３５Ｇμｍ２）に８ビツト／
Ｉｌ！ｌの割合で１７２８ビツト配置する。この島状の
Ｃｄ５ａ、ａＳｅ＠、ａ膜をｃｄＣｌｍを水に０．０３
〜１モル／ｌの濃度に溶かした溶液中に１ｍＩｎ浸漬し
て後乾燥し、窒素ガス中３５０〜５５０℃で３０１ｎ加
熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にする。
Ｘ １．２ｍ＋ａり上に厚さ４０００ＡのＣｄＳ＠、ａ
Ｓｅｓ、Ｊの蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより
主走査方向に島状（９０Ｘ３５Ｇμｍ２）に８ビツト／
Ｉｌ！ｌの割合で１７２８ビツト配置する。この島状の
Ｃｄ５ａ、ａＳｅ＠、ａ膜をｃｄＣｌｍを水に０．０３
〜１モル／ｌの濃度に溶かした溶液中に１ｍＩｎ浸漬し
て後乾燥し、窒素ガス中３５０〜５５０℃で３０１ｎ加
熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にする。
しかる後、この光導電体膜の上にＣｕあるいはＡｇを蒸
着し、窒素ガス中２００〜５５０℃で３０ｍＩｎ加熱処
理して膜中に拡散させる。ＣｕあるいはＡｇの分量は母
体であるＣｄＳｍ、ａＳｅａ、ａ膜に対して、０．００
５〜０．１モル％とするが、この分量が、０．００５モ
ル％より少ないと効果−が小さく、０．１モル゛％以上
だと立上がり特性が悪くなる。
着し、窒素ガス中２００〜５５０℃で３０ｍＩｎ加熱処
理して膜中に拡散させる。ＣｕあるいはＡｇの分量は母
体であるＣｄＳｍ、ａＳｅａ、ａ膜に対して、０．００
５〜０．１モル％とするが、この分量が、０．００５モ
ル％より少ないと効果−が小さく、０．１モル゛％以上
だと立上がり特性が悪くなる。
その後、その島状の膜の各々に対向電極（ＮＩＣｒ／Ａ
ｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対
向電極のギャップは８０μｍである。その後シリコン樹
脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完
成する。
ｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対
向電極のギャップは８０μｍである。その後シリコン樹
脂やポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完
成する。
これらラインセンサのうちＣ＋Ｊ１度が０．０１モル％
でポリイミド保護膜の場合の結果（１ビツトの特性）を
第１表にまとめる。比較のため、ｃｄＳＬ６Ｓｅｓ、４
： Ｃｕ （０，０１モル％）蒸着膜を通常のＣｄＣ
！２蒸気中５５０°ＣでＩＨ活活性熟熱処理後電極形成
たセンサについても調べである。なお特性は印加電圧Ｄ
ＣＩＯＶ、 光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ、ＩＱ
Ｏｌｕｘ）をＩ Ｈｚ （０，５ｓｅｃずつ）で点滅し
て測定した。応答時間は光電流Ｊｐが、０から飽和値の
５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τｒ、Ｊｐが
飽和値からその５０％に下がるまでの時間を立下がり時
間τｄとした。
でポリイミド保護膜の場合の結果（１ビツトの特性）を
第１表にまとめる。比較のため、ｃｄＳＬ６Ｓｅｓ、４
： Ｃｕ （０，０１モル％）蒸着膜を通常のＣｄＣ
！２蒸気中５５０°ＣでＩＨ活活性熟熱処理後電極形成
たセンサについても調べである。なお特性は印加電圧Ｄ
ＣＩＯＶ、 光照射は緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ、ＩＱ
Ｏｌｕｘ）をＩ Ｈｚ （０，５ｓｅｃずつ）で点滅し
て測定した。応答時間は光電流Ｊｐが、０から飽和値の
５０％に上がるまでの時間を立上がり時間τｒ、Ｊｐが
飽和値からその５０％に下がるまでの時間を立下がり時
間τｄとした。
（以下余白）
第１表
また、この立上がり時間τ、は、実際には通常センサに
較べはるかに小さくできる。それはラインセンサとして
もちいる場合には原稿黒地でも存在する反射光（少なく
とも３％はある）がバイアス光となり、これが常時セン
サに照射されるため、実効的な立上がり時間τ１°はさ
らに小さくなるからである。その効果を表中最右欄に示
丈。この程度のバイアス光照射による他の特性（Ｊｌｈ
τｄ）の変化は殆どない。
較べはるかに小さくできる。それはラインセンサとして
もちいる場合には原稿黒地でも存在する反射光（少なく
とも３％はある）がバイアス光となり、これが常時セン
サに照射されるため、実効的な立上がり時間τ１°はさ
らに小さくなるからである。その効果を表中最右欄に示
丈。この程度のバイアス光照射による他の特性（Ｊｌｈ
τｄ）の変化は殆どない。
この様にＣｄＳ ＠、＊ Ｓ ｅｓ、４蒸着膜をＣｄＣ
１ａを溶かした溶液に浸漬後活性化熱処理し、しかる後
ＣｕあるいはＡｇを付着拡散したものは従来のＣｄ５５
．ａ３ｅ＠、４： Ｃｕ（あるいはＡｇ）蒸着膜をＣ
ｄＣ１ｅ蒸気中で活性化熱処理したものに較べて著しく
高速性に優れた特性が得られる。
１ａを溶かした溶液に浸漬後活性化熱処理し、しかる後
ＣｕあるいはＡｇを付着拡散したものは従来のＣｄ５５
．ａ３ｅ＠、４： Ｃｕ（あるいはＡｇ）蒸着膜をＣ
ｄＣ１ｅ蒸気中で活性化熱処理したものに較べて著しく
高速性に優れた特性が得られる。
なお、実施例ではＣｄＳ・、１ｌｓｅＱｉを例にとった
がＣｄ５１ ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５−Ｃ
ｄＳｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセンサ
は従来のセンサに較べて均一性においても優れている。
がＣｄ５１ ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５−Ｃ
ｄＳｅでも同様の効果が得られる。また本発明のセンサ
は従来のセンサに較べて均一性においても優れている。
すなわち、例えば従来のセンサ（表、−番下）と本発明
のセンサ（表、下から３番目）の特性を比較した場合、
その光電流Ｊｐは平均値が３６と４４μＡとであり、従
来のセンサではそのバラツキが±１０％以内であったが
、本発明センサでは±５％以内であった。
のセンサ（表、下から３番目）の特性を比較した場合、
その光電流Ｊｐは平均値が３６と４４μＡとであり、従
来のセンサではそのバラツキが±１０％以内であったが
、本発明センサでは±５％以内であった。
発明の効果
本発明の光センサの製造方法によれば、光電流値が大き
いという特性を損なわずして、光応答が高速であり、し
かもそのバラツキを小さく、かつ製造プロセスを簡単に
することが出来る。
いという特性を損なわずして、光応答が高速であり、し
かもそのバラツキを小さく、かつ製造プロセスを簡単に
することが出来る。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体
ＣｄＳ−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記半導
体薄膜をＣｄＣｌ＿２を溶かした溶液に浸漬して後、活
性化熱処理を施し、対向電極を設け、その後前記半導体
薄膜にＣｕあるいはＡｇを付着拡散させ、さらに保護膜
を形成することを特徴とする光センサの製造方法。 - （２）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体
ＣｄＳ−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記半導
体薄膜をＣｄＣｌ＿２を溶かした溶液に浸漬して後、活
性化熱処理を施し、前記半導体薄膜にＣｕあるいはＡｇ
を付着拡散させ、その後対向電極を設け、さらに保護膜
を形成することを特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091331A JPH0719902B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091331A JPH0719902B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270380A true JPH02270380A (ja) | 1990-11-05 |
| JPH0719902B2 JPH0719902B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14023464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091331A Expired - Lifetime JPH0719902B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719902B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091331A patent/JPH0719902B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719902B2 (ja) | 1995-03-06 |
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