JPS62247565A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS62247565A JPS62247565A JP61090441A JP9044186A JPS62247565A JP S62247565 A JPS62247565 A JP S62247565A JP 61090441 A JP61090441 A JP 61090441A JP 9044186 A JP9044186 A JP 9044186A JP S62247565 A JPS62247565 A JP S62247565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- manufacturing
- value
- film
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置や元ディスクなどのＯＡ機器
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種０ム機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿と同一寸
法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像
読取装置が使用され始めており、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれている。
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿と同一寸
法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像
読取装置が使用され始めており、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれている。
さて、ＣｄＳ 、 ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃ
ｄＳ −Ｃａ５ｅ ｆ主体として成る光センサは光電流
が大きいのが特徴で、このためこのセンサを用いた密着
型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる。一方
、この光センサは光電流ＪＰの照射光強度（すなわち原
稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点があ
る。すなわち後者ではＪｐｏｃｌ、としたときのγ値が
、通常の使用時のセンサ面照度６０〜１ｏＯβｕｘで０
．６〜０．７５と小さい。光強度りが太き（２００、３
００１１ｕｘとなるとγはさらに小さくなるので、高光
強度が得られるレンズレス方式の完全密着型ラインセン
サではさらに不都合を生じる。
ｄＳ −Ｃａ５ｅ ｆ主体として成る光センサは光電流
が大きいのが特徴で、このためこのセンサを用いた密着
型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる。一方
、この光センサは光電流ＪＰの照射光強度（すなわち原
稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点があ
る。すなわち後者ではＪｐｏｃｌ、としたときのγ値が
、通常の使用時のセンサ面照度６０〜１ｏＯβｕｘで０
．６〜０．７５と小さい。光強度りが太き（２００、３
００１１ｕｘとなるとγはさらに小さくなるので、高光
強度が得られるレンズレス方式の完全密着型ラインセン
サではさらに不都合を生じる。
発明が解決しようとする問題点
この様にγ値が小さいと例えば第２図に見る様に、セン
サ面での光強度に対して生じる光電流に比例した出力信
号値がγ＝１．０の場合は比例しているのにγ＝０．６
の場合は出力信号値の比例性がひどく劣ることが分る。
サ面での光強度に対して生じる光電流に比例した出力信
号値がγ＝１．０の場合は比例しているのにγ＝０．６
の場合は出力信号値の比例性がひどく劣ることが分る。
このため階調すなわち中間調を必要とする場合には余分
の回路処理を必要とすることになる。
の回路処理を必要とすることになる。
ＣｄＳ 、 ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ −ＣｄＳ
ｅ ｆＣｄＣβ２で活性化した光導電型のセンサの場合
、γ値を大きくする。すなわち１．０に近づける方法と
してはＪｐ ｋ小さくすればよい。例えば■不純物であ
るＣｕ濃度を高くする、■活性化時の温度を高くするな
どの方法によってＪＰｉ小さくすることが出来るためγ
値向上が可能となる。ただ同時に光電流の立下シ時間τ
ｄは小さくなるが立上り時間τｒが大きくなり、全体と
して光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠点が
ある。
ｅ ｆＣｄＣβ２で活性化した光導電型のセンサの場合
、γ値を大きくする。すなわち１．０に近づける方法と
してはＪｐ ｋ小さくすればよい。例えば■不純物であ
るＣｕ濃度を高くする、■活性化時の温度を高くするな
どの方法によってＪＰｉ小さくすることが出来るためγ
値向上が可能となる。ただ同時に光電流の立下シ時間τ
ｄは小さくなるが立上り時間τｒが大きくなり、全体と
して光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠点が
ある。
そこで、本発明は光応答速度を遅くせずしてγ値を大き
くする光センサの製造方法を提供するものである。
くする光センサの製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するため本発明は、絶縁性基板上に、Ｃ
ｄＳ 、 ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅを主体として成る薄膜を形成し、該薄膜を高温
でＣａＧ１２の蒸気に暴露し光電的に活性化して後対向
電極を設け、さらに保護膜を形成し、前記対向電極を形
成後、高温で前後保護膜形成の前に前記光センサに一定
光量以上の光を照射するものである。
ｄＳ 、 ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃｄ５−
ＣｄＳｅを主体として成る薄膜を形成し、該薄膜を高温
でＣａＧ１２の蒸気に暴露し光電的に活性化して後対向
電極を設け、さらに保護膜を形成し、前記対向電極を形
成後、高温で前後保護膜形成の前に前記光センサに一定
光量以上の光を照射するものである。
作用
この方法により本発明は、光導電型光センサの光電流値
が大きいという特長を損わずして、しかもその光電流の
光応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができ
る。
が大きいという特長を損わずして、しかもその光電流の
光応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができ
る。
実施例
以下実施例により本方法とその効果の詳細について述べ
る。
る。
実施例１
絶縁性基板（コーニング社、９７０６９．２３０×２５
×１．２−）上に０．０１モル％のＯｕを含んだ厚さ４
０００人のＣａＳα６Ｓｅα４の蒸着膜を形成し、フォ
トエツチングにより主走査方向に島状（ｅ。
×１．２−）上に０．０１モル％のＯｕを含んだ厚さ４
０００人のＣａＳα６Ｓｅα４の蒸着膜を形成し、フォ
トエツチングにより主走査方向に島状（ｅ。
×３６ｏμｒｒｆ）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８
ビツト配置する。この島状のＣｄＳα６Ｓｅα４膜を５
００°ＣでＣａＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電
的に活性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に
対向電極（ＮｉＣｒ／ムＵ蒸着膜）すなわち共通電極と
個別電極を形成する。対向電極のギャップは６０μｍで
ある。その後空気中１７６°Ｃにおいてセンサに表面で
の光強度２０００ ｊＢｕｘの可視光（Ｗ−βａｍｐ
）を照射する。
ビツト配置する。この島状のＣｄＳα６Ｓｅα４膜を５
００°ＣでＣａＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電
的に活性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に
対向電極（ＮｉＣｒ／ムＵ蒸着膜）すなわち共通電極と
個別電極を形成する。対向電極のギャップは６０μｍで
ある。その後空気中１７６°Ｃにおいてセンサに表面で
の光強度２０００ ｊＢｕｘの可視光（Ｗ−βａｍｐ
）を照射する。
その後低温処理で形成可能な有機絶縁物すなわちシリコ
ン樹脂を塗布し、９０″Ｃで加熱し保護膜を形成する。
ン樹脂を塗布し、９０″Ｃで加熱し保護膜を形成する。
このラインセンサのうち、１素子の特性が光照射時間と
共に変る様子を第１表にまとめる。なお特性は印加電圧
ＤＣ１０Ｖ、光照射は緑色ＬＥＤ光（ｓ７ｏｎｍ、 １
ｏＯＪｕｘ ）を１Ｈｚ（０，５ｓｅｃずつ）で点滅し
て測定した。応答時間は光電流ＪＰが０から飽和値の６
０％に上がるまでの時間を立上シ時間τｒｓ ＪＰが飽
和値からその６０％に下がるまでの時間を立下り時間τ
ｄとした。
共に変る様子を第１表にまとめる。なお特性は印加電圧
ＤＣ１０Ｖ、光照射は緑色ＬＥＤ光（ｓ７ｏｎｍ、 １
ｏＯＪｕｘ ）を１Ｈｚ（０，５ｓｅｃずつ）で点滅し
て測定した。応答時間は光電流ＪＰが０から飽和値の６
０％に上がるまでの時間を立上シ時間τｒｓ ＪＰが飽
和値からその６０％に下がるまでの時間を立下り時間τ
ｄとした。
またγは６０〜１００βｕｘ間での平均値である。
（以下余白）
時間、すなわち露光量の増大と共にＪＰが減少し、γが
増大することが分る。ただ過度に露光するとＪＰが小さ
くなってしまうのでＪＰは５μＡ以上であることが好ま
しい。
増大することが分る。ただ過度に露光するとＪＰが小さ
くなってしまうのでＪＰは５μＡ以上であることが好ま
しい。
一方、光照射時の温度を１００ないし４００″Ｃと変え
た場合の結果を第２表にまとめである。
た場合の結果を第２表にまとめである。
１００°Ｃ以下では効果が小さく、４００’Ｃ以上では
電極（ＮｉＣｒ−Ａｕ ）が剥離することがある。この
時の光強度は同じ＜ ２０００βｕｘで処理時間は３０
分および６０分である。
電極（ＮｉＣｒ−Ａｕ ）が剥離することがある。この
時の光強度は同じ＜ ２０００βｕｘで処理時間は３０
分および６０分である。
（以下金 白）
この様にγ値を大きくすることができる。この光照射時
の雰囲気は空気中だけでなく、Ｎ２やＡｒなどの中性雰
囲気でも良い。
の雰囲気は空気中だけでなく、Ｎ２やＡｒなどの中性雰
囲気でも良い。
実施例２
本出願人の特願昭５９−２５００２９号に示したレンズ
レス方式ラインセンサを作製した。すなわちガラス基板
１（コーニング社、＄７０５９．２３０Ｘ２５Ｘ１，２
Ｊ）上に遮光膜（Ｏｒ ）（１ｏｏｏ人蒸着）２、金属
酸化膜や窒化膜からなる拡散防止膜３、高融点材料より
なる拡散防止膜４を形成し、その上に絶縁性ガラス積１
膜（ａｏｏｏ人スパッタ）６を形成し、その上に０．０
１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳα６Ｓ
ｅα４の蒸着膜６を形成し、フォトエツチングにより主
走査方向に島状（３０Ｘ６０μｒｎ”）に８ピット／ｍ
ｍの割合で１７２８ビツト配置する。その後実施例１と
同様に活性化し電極形成を行ない、２１０’Ｃで３０分
および６０分間可視光照射を行ない、シリコン樹脂の保
護膜アを形成した。８は照明光、９は照明光、１０け読
み取り原慝である、蕊着１［ｓの対向電極のギャップは
３０μｍである。光照射時の強度は２０００ ｌｕｘの
可視光（Ｗ −＃ａｍｐ ） で温度は実施例１より
若干高温の２１０’Ｃとした。このレンズレス方式のラ
インセンサは実施例１よりも光強度が約３倍と高く得ら
れＪｐが大きくなるのでγ値はそれに従って小さくなる
。そのために光照射温度を少し高めで処理しＪＰを少し
小さ目にするためである。得られたラインセンサの１素
子の特性を第３表にまとめる。測定条件はセンサ面光強
度を３ Ｑ ＯｌｕＸとしたほかは、実施例１と同じで
ある。γ値は１５０〜３００ ｊｌｕｘでの平均値であ
る。
レス方式ラインセンサを作製した。すなわちガラス基板
１（コーニング社、＄７０５９．２３０Ｘ２５Ｘ１，２
Ｊ）上に遮光膜（Ｏｒ ）（１ｏｏｏ人蒸着）２、金属
酸化膜や窒化膜からなる拡散防止膜３、高融点材料より
なる拡散防止膜４を形成し、その上に絶縁性ガラス積１
膜（ａｏｏｏ人スパッタ）６を形成し、その上に０．０
１モル％のＣｕを含んだ厚さ４０００人のＣｄＳα６Ｓ
ｅα４の蒸着膜６を形成し、フォトエツチングにより主
走査方向に島状（３０Ｘ６０μｒｎ”）に８ピット／ｍ
ｍの割合で１７２８ビツト配置する。その後実施例１と
同様に活性化し電極形成を行ない、２１０’Ｃで３０分
および６０分間可視光照射を行ない、シリコン樹脂の保
護膜アを形成した。８は照明光、９は照明光、１０け読
み取り原慝である、蕊着１［ｓの対向電極のギャップは
３０μｍである。光照射時の強度は２０００ ｌｕｘの
可視光（Ｗ −＃ａｍｐ ） で温度は実施例１より
若干高温の２１０’Ｃとした。このレンズレス方式のラ
インセンサは実施例１よりも光強度が約３倍と高く得ら
れＪｐが大きくなるのでγ値はそれに従って小さくなる
。そのために光照射温度を少し高めで処理しＪＰを少し
小さ目にするためである。得られたラインセンサの１素
子の特性を第３表にまとめる。測定条件はセンサ面光強
度を３ Ｑ ＯｌｕＸとしたほかは、実施例１と同じで
ある。γ値は１５０〜３００ ｊｌｕｘでの平均値であ
る。
第３表
この様に高い照度域でのγ値の改善が著しい。
発明の効果
本発明は、光電流値が大きく、かつ光応答速度を遅くせ
ずしてγ値の大なる光センナを実現することが可能とな
る。
ずしてγ値の大なる光センナを実現することが可能とな
る。
第１図は本発明の一実施例の元センサの断面図、第２図
は光センサにおける光電流と光強度の関係を示す図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・Ｃｄ５Ｓｅ
蒸着膜。
は光センサにおける光電流と光強度の関係を示す図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、６・・・・・・Ｃｄ５Ｓｅ
蒸着膜。
Claims (4)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれら
の固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る薄膜を形成
し、前記薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露し光電
的に活性化して後対向電極を設け、前記対向電極を形成
後、前記保護膜形成の前に特定光量以上の光を照射する
ことを特徴として成る光センサの製造方法。 - （２）光照射時の温度が１００〜４００℃であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光センサの製造
方法。 - （３）保護膜が１００℃以下の低温処理で形成可能な絶
縁物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光センサの製造方法。 - （４）可視光の光量が１０＾６ｌｕｘ・ｓｅｃ以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光セン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090441A JPS62247565A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090441A JPS62247565A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247565A true JPS62247565A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=13998702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090441A Pending JPS62247565A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247565A (ja) |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090441A patent/JPS62247565A/ja active Pending
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