JPH02240819A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 記録、再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上
の努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄
膜を磁気記録層として実用化することが待望されるに至
っている〔アイイーイーイトランザクシロンズ　オン　
マグネティクス（ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮ８ＡＣＴＩＯＮＳ
　ＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）ＶｏｌｏＭＡＧ−２１、
！−３．Ｐ、Ｐ、１２１７〜１２２０（１９８Ｂ））。

強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられ
るが、現実的な可能性が示されているものは少く、Ｃｏ
−Ｃｒ等の垂直磁化膜〔特公昭６８−９１号公報、特開
昭６１−１２０３３１号公報〕やＣｏ−Ｎ１．Ｃｏ−Ｎ
１−０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭４１−１
９３８９号公報。

特開昭５３−４２０１０号公報〕等で、実用化の目的で
最近ではもっばら、保護潤滑層の開発が検肘の中心とな
っている。現状ではポリエチレンテレフタレートフィル
ム等の高分子フィルム上に直接あるいは微粒子などの下
塗りを行った後、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法
で強磁性金属薄膜を配し、その面に直接溶剤に脂肪酸や
パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を溶かした溶液を
塗布乾燥する法〔特開昭５７−１７９９４８号公報。

特開昭６１−１７８７１８号公報〕や、酸化膜を介して
潤滑剤を配する〔特開昭６１−１５１８３０号公号公報
上や、炭素膜とフロロカーボン系の組み合わせ〔特開昭
６１−１４２５２６号公報〕等が提案され、磁気ディス
クではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一部実用化され
、炭素質についても検討が進み硬度を高めることの有用
性〔米国特許４７１７６２２号明細書〕も知られるに至
っている。

発明が解決しようとする課題 上記した従来の技術により構成した磁気記録媒体を用い
てよシ短波長、狭トラツクでの高密度磁気記録を行おう
とした時、耐久性の低下や磁気ヘッドにダメージが発生
し、結果的にＣハが不足することが起る。即ち、微粒子
下地により磁気記録層に凹凸を形成したもので短波長Ｃ
／Ｎ　を大きくするには、微粒子径を小さくする方向に
向い、このことは耐久性の低下をきたすので調整範囲は
狭く、大きな改善は期待できない。一方硬質炭素膜に耐
久性を担わせる方法に於てＣ／Ｎ　を改善するにはスペ
ーシングとなっている硬質炭素膜を薄くすることが必要
となるが、耐久性側の制約から必要な暎厚を無視しての
Ｃ／Ｎ改善は意味がない。

周知のように短波長記録になる程ヘッド磁界をテープと
極力接近させて磁化することが重要で実効的なスペーシ
ングの小さい磁気記録媒体で耐久性を確保することは重
要な課題である。

本発明は、上記した事情に鑑みなされたもので、耐久性
とＣ／Ｎ　を共に改良した磁気記録媒体を提供するもの
である。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上に多孔質微粒子を分散させた潤滑剤を
配したものである。

作　　用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体との間に運動可能な多孔質微粒子が介
在することで、直接摺動による凝着摩耗が起らず、ヘッ
ド面、媒体面はダメージを受けなくなる。この作用効果
は微粒子が多孔質で潤滑剤を十分吸着又は反応吸蔵して
いるので、長時間接続するのと、多孔質粒子の潤滑作用
も良好なので微粒子径を小さくできるのと、固定した微
粒子でないので応力を受けると横へ移動可能なこともあ
って、実効的なスペーシングを小さくでき、耐久性を確
保した上でＣ／Ｎ　を改善できることになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

〔実施例１〕 第１図は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施例の拡大
断面図である。第１図で１は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート。

ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルサルフオン、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリアミドイミド、ポリイミド等の高分子フィルムで、
２は、１４４２０３．　ＣａＣＯ３，Ｓ　ｉｏ□。

ＺｒＯ２ｅ　Ｔ　１０２　、　Ｃｒ２０３ｔ　；ｔ’　
リエス７　／Ｌ／球、ポリイミド球、高分子ラテックス
等の微粒子を配した微粒子塗布層で、微粒子の分散状態
については、特に制約はないが、微粒子の形成する最大
粗さは、後述する波長０．６μｍ以下の短波長Ｃ／Ｎ特
性を改良する狙いから１６０Å以下とすることが好まし
い。又、下塗９層としてミミズ状隆起層などでもよい。

３はＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ　、Ｇｏ−Ｔｉ　、
Ｃ。

−Ｔａ、Ｇｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｒｕ、Ｃｏ−Ｖ
、Ｇｏ−０゜Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、等の
強磁性金属薄膜で電子ビーム蒸着法、イオンブレーティ
ング法、スパッタリング法等によ多形成したもので、強
磁性金属薄膜自身の多層構成化はもとよシ、必要ならチ
タン、ゲルマニウム、クロム等の下地層を配した上で構
成することもできる。

４は、多孔質微粒子で６は潤滑剤である。多孔質微粒子
と潤滑剤を溶液中に分散し、溶液塗布法で強磁性金属薄
膜上に塗布乾燥して得られるもので、潤滑剤６として用
いることのできるものは、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂
肪族アルコール又はそのアルコキシド、多価アルコール
又はそのエステル、硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタン
、変性シリコーンオイル、部分フツ素化変性シリコーン
オイル、パーフルオロポリエーテル類、高級アルキルス
ルホン酸、リン酸エステルアミン塩系極圧潤滑剤、ハロ
ゲン系極圧潤滑剤などからの１種以上である。

多孔質微粒子４として用いることのできるものは、吸着
面積が好ましくは１０倍以上の直径６０人から３００人
でＡｌ２Ｏ３，Ｓ　ｔｏ２．　ＺｒＯ２，ＳｎＯ２゜）
’！！１０２　ｍカーボン等から成るもので、潤滑剤の
塗布量は０．１〜５〔■／コ〕　　の範囲が好ましく、
その中に分散した上記多孔質微粒子は０．１〜１００ケ
／（μｍ）２程度が好ましい。６はバックコート層で樹
脂とフィラー必要なら潤滑剤とを混合分散させたもので
公知技術の範囲で構成すればよく、当然ではあるが磁気
ディスクとして本発明を実施する時は不要で、その代わ
り両面アクセス型であればそれにそった構成とするのは
当然のことである。

以下更に具体的な例で比較例との対比で説明する。

〔実施例１Ａ〕 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレート（平均粗さ
２６人、最大粗さ６０人）フィルム上に、直径１ｍの円
筒キャン（キャン温度３０℃）に沿わせ最小入射角４０
度、酸素分圧７　Ｘ　１０”（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎｉ
　（Ｃｏ　：　８０ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、１６
００人ｔｙ）　Ｃｏ　−Ｎ　ｔ　−０膜ｔ　形成Ｌ、そ
の上に、直径１３０人の多孔質アルミナ（多孔質度２５
　ｖｏＪ％）を平均６ケ／（μｍ）２　　分散したパー
フルオロアラキン酸０．５　（ｖｔｇ／ｖｌ　）　、ジ
ブチルホスフェートラウリルアミン塩０．１（■／Ｒ）
の混合潤滑剤層を形成し、６４μｍのバックコート層を
形成し、８ミリ幅のテープに加工した。

〔実施例１Ｂ〕 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径８０人のＣｒ２Ｏ３微粒子を１０ケ／（７７ｍ）
２配した上に、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｏ：８０ｗｔ％）をター
ゲットにしてＡｔ　４Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）、１３．
５６（！Ｉｋ　）　１．４　（ＩＣＷ）で、ヌパッタリ
ング法によシ、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を１８００人形成
し、その上に直径１６０人の多孔質ジルコニア（多孔質
度２７ｖｏ１％）を平均７ケ／（μｍ）２分散した、パ
ーフルオロポリエーテルとして市販の７オンブリン２−
２６を０．７［：ｍｙ／Ｗ〕形成し、０．４５　μｍの
バックコート層を形成し、８ミリ幅のテープに加工した
。

〔実施例１Ｃ〕 実施例１Ａで用いたポリエチレンテレフタレートフィル
ムに直径８０人のＴｉＯ２を２０ケ／（μｍ）２配して
からＣｏ　−Ｎ　ｉ　−０膜他を実施例１Ａと同等条件
で配した８ミリ幅のテープを得た。

〔実施例１Ｄ〕 厚み１０μｍのポリイミドフィルム（表面平均粗さ３０
人、最大粗さ７ｏ人）上に実施例１Ｂと同等の条件でＣ
ｏ　−Ｏｒ垂直磁化膜を２００ＯＡ形成し、大気中で２
８０℃の熱ロールに沿わせて表面にＧｏを酸化した層（
１２０人）を形成し、その上で直径１６０人の多孔質カ
ーボン（多孔質度４０　ｖｏ１％）を８ケ／（７１ｍ）
２分散させた、ミリスチン酸オクチル０．３　Ｃｍｙ／
ｖ１３ステアリルアミンアセテ−）０．２（ＩＦＩνＩ
〕を塗布し、８ミリ幅のテープに加工した。

〔比較例１Ａ〕 実施例１Ａで、多孔質アルミナを通常のアルミナに代え
て他は同じ構成としたテープを得た。

〔比較例１Ｂ〕 実施例１Ｂで多孔質ジルコニアを分散させずに７オンブ
リンｚ−２６を１〔■β〕塗布した以外は同等の条件で
テープ化した。

〔比較例１Ｃ〕 実施例１Ｃで多孔質アルミナを分散させずに潤滑剤を塗
布し、他は同等の条件でテープ化した。

〔比較例１Ｄ〕 実施例１Ｄで、多孔質カーボンを分散させずに潤滑剤を
配し、他は同等の条件でテープ化した。

上記したテープを改造した８ミリビデオによりＣ／Ｎ　
　とスチル特性を比較した。ギャップ長０．２６μｍの
センダストスパッタ膜を用いたメタルインギャップ型ヘ
ッドにより２０μｍトラックで記録再生した。スチル特
性は再生出力が初期よシ３（ｄＢ）低下するまでの時間
で比較した。相対Φ１と耐久性を第１表に示した。

第１表の比較よシ明らかなように、本発明によれば初期
のＣ／Ｎ　をくシ返し使用に於ても維持できると共に、
スチル特性も満足できるものであシ、比較例１Ｂのタイ
プで同等の耐久性を得るにはＣτ２ｏ３微粒子の直径を
３００人〜３６０人にする必要があシ、仮にそうしたと
しても１０（１％）のＣ／Ｎは３．７〜４．０　（ｄＢ
）低下すルコとカラ本発明の有用性がわかる。

〔実施例２〕 第２図は、本発明の磁気記録媒体の第２の実施例の要部
拡大断面図である。第２図で、第１図と同じ構成要素に
ついては同一の番号を付しである。

第２図で６は部分酸化強磁性金属薄膜を構成する柱状微
粒子で、７は多孔質酸化膜で、８は通常の酸化膜である
。９は潤滑剤である。部分酸化強磁性金属薄膜は、Ｇｏ
−Ｎｉ−０，Ｇｏ−Ｔｉ−０，Ｃｏ−Ｔａ−０、Ｇｏ−
Ｃｒ　−０、Ｃｏ−Ｒｕ　−０、Ｃｏ　−Ｂ−０，Ｃｏ
　−Ｖ−Ｏ、Ｇ　ｏ　−Ｍｏ　−０、Ｇ　ｏ−Ｗ−０等
を構成元素とするもので、蒸着中に酸素を導入して、柱
状微粒子の表面全体が酸化膜でおおわれたものは勿論の
こと、蒸着後に表面酸化したものも含まれる。

尚、映の表面側の酸化層を多孔質にするには、電子ビー
ム蒸着法、イオンプレーティラグ法、スパッタリング法
等で製膜する場合、表面側になる位置の近くからガス導
入するようにし、且つ、酸素ガスと共にＸｓ、Ｋｒ等の
原子又はイオンを照射し、製膜後真空中で加熱し、Ｘｓ
、Ｋｒ等を放出させる方法がよい。酸化層の厚みは耐久
性とヌペーシング損失の兼ね合いから１００人〜２００
人の範囲とするのが好ましく、多孔質の目安は体積チで
空孔部が１０〜６０　ｖｏ１％の範囲となるようにする
のが望ましい。

潤滑剤は実施例１で用いたもの等適宜選択適用すればよ
い。潤滑剤を塗布する方法としては溶液塗布法は勿論、
真空蒸着法でもよい。

以下、更に具体的な実施例について比較例との対比で説
明する。

〔実施例２Ａ） 厚み１０μのポリエチレンテレフタレートフィルム上に
直径１００人の５ｉｏ２微粒子を１０ケ／（μｍ）２配
し、その上に直径１ｍの円筒キャン（キャン温度２０’
Ｃ）に沿わせて、最小入射角の度、酸素分圧８　Ｘ　１
０−５（Ｔｏｒｒ　）　〜４　Ｘ　１０−５（Ｔｏｒｒ
）でＧｏ−Ｎｉ（Ｃｏ：８０ｗｔ％）を０．１５　ｐｍ
電子ビーム蒸着した。表面酸化層形成部にＫｒイオンを
３ｋｅｙ　〜１０　ｋｅｙ　、　３０〜２２０　ｐＡＡ
−ｒｌ　　で照射し、真空中で１４０’Ｃに加熱し、酸
化層を多孔質化して、その上に潤滑剤をｏ、　ａ　Ｃｍ
ｑｌｉ〕配し、８ミリテープとした。

［実施例２Ｂ］ 厚み１０μｍのポリイミドフィルム上に直径幻入のＣｒ
２Ｏ２微粒子を１８ケ／（μｍ）２配し、その上に直径
６０ｃｒｎの円節キャン〔キャン温度２１０℃〕に沿わ
せて、入射角６度以内でＧｏ−Ｃｒ（Ｇｏ：８０ｗｔ％
）を２００ＯＡ電子ビ一ム蒸着し引き続きｐｂを４　ｋ
ｅｙ　、　２０〜２００１１Ａ７’ｃｄｌ　　でイオン
注入し、０、０５〜０．２　（Ｔｏｒｒ　）の酸素中で
１ｓ、ｓｅ（＆）。

ａ　ｏ　ｏ　（Ｗ）〜１．　ｔｓ　（ＫＷ）　（Ｄりｏ
−放電酸化を行い。

ｐｂの再蒸発と酸化の競合により多孔質の表面酸化層を
形成し、その上に潤滑剤を１．ｓ（ｍｐ伽”〕配し、８
ミリテープとした。

〔比較例〕

比較例として、通常の酸化層を形成した以外は実施例２
八％実施例２Ｂと同じ構成とした８ミリテープを準備し
た。尚いずれも０．４μｍのカーボンを分散させたポリ
ウレタン樹脂のバックコート層を配したものを用いた。

上記したテープを改造した８ミリビデオによシ、ギャッ
プ長α２４μｍのメタルインギャップ型ヘッド（メタル
部はＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系アモルファス合金）で１０（＆
）のＣハを比較した。トラック幅は１０μｍである。主
な構成要件と評洒結果を第２表にまとめて示した。

第２表に示したように、本発明は、従来の表面酸化層に
比べて、多孔質であるという構造面から表面硬度が大き
くなることから耐久性が向上する。

又、多孔質であることから潤滑剤の保持性も良好である
ので、この面からも耐久性が向上する。この両者より、
従来系よりスペーシングに当る酸化層厚みを薄くできる
ことになるからＣ／Ｎは改善される。

〔実施例３〕 第３の実施例は、第２図で潤滑剤９を用いる代りに、多
孔質微粒子を分散させた潤滑剤を配したもので、第２の
実施例より更に、潤滑剤の持続性がよいことから多孔質
酸化膜を薄くしても耐久性が確保されることで、より短
波長記録に適した媒体構成といえる。

更に具体例について比較例との対比で説明する。

実施例２Ａ、２Ｂの条件説明でのべた条件内での調整に
より、多孔質表面酸化層をもつ部分酸化強磁性金属薄膜
を形成し、潤滑剤に多孔質微粒子を分散させ、潤滑剤と
しては１．９〔〜γ〕を配し、バックコート層０．４μ
ｍを配し８ミリテープとした。

尚比較例は実施例２で述べたものを用いた。

主な構成要件と改造した８ミリビデオによりメタルイン
ギャップ型ヘッド（メタル部はセンダストスパッタ暎よ
構成るもの）で１０（＆）のりを比較した結果を第３表
に示す。トラック幅は１０μｍとし、た。

第３表より多孔質微粒子と、多孔質微粒子を分散させた
潤滑剤を組み合わせたものは、酸化層が一般的な膜質の
ものより硬くて耐久性があるので、膜厚を薄くできるの
で、初期値のＣハ　も、〈シ返し使用での耐久性もよシ
改良されることがわかる。

〔実施例４〕 第３図は本発明の第４の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、実施例１〜３と同一の構成でよいものについて
は同一の番号を付しである。第３図で１０は硬質模で５
ｉｎ２．　Ｓｉ３Ｎ４．　ＢＮ　、　ＴｔＮ　、カーボ
ン等でヌープ硬度１６００〜３０００Ｋｐ７−のものが
好ましく、膜厚は、スペーシング損失の面からの制約を
受は高々２００人までとすべきである。

製法は、反応性スパッタリング法、反応性蒸着法、等特
に制約はない。１１は樹脂粒子でポリ酢酸ビニル、ポリ
アクリル酸エステル、ポリ９レタン。

スチレン・ブタジェン共重合体、ポリイソプレン。

アクリロニトリル・ブタジェン共重合体、ポリスチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリア
クリロニトリル、セルローストリアセテート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリイミド等から成り、直径
１００人から５００人が好ましく、潤滑剤１２中に分散
する量は、０．１〜６０ケ／（μｍ）２が好ましい。又
潤滑剤１１は、これまで述べた中での選択で十分である
が適量としてＱ６〜３．６　Ｃ号曾）の範囲が望ましく
、塗布法は自由である。

以下、更に具体的に、本発明の実施例について比較例と
の対比で説明する。

〔実施例４Ａ］ 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に高さ１００人のＴ　１０２微粒子を１５ケ／（μｍ）
２配したフィルムを用い直径１ｍの円筒キャンに沿わせ
て、酸素分圧ｅｓｘ１ｏ　　（’ｒｏｒｒ）　。

最小入射角６０度で（！ｏ　−Ｎ　ｉ　（Ｃｏ　：　８
０ｗｔ　％　）を電子ビーム蒸着し、ＳＳＯ人の第１磁
性層を形成し、巻き戻し、第２磁性層を同じ条件で８６
０人蒸漬し、計１７００人の２層構成の強磁性金属薄膜
を形、成、その上に、スパッタリング法でヌープ硬度と
材質を変えた硬質膜を配し、その上に樹脂粒子を分散さ
せた潤滑剤を配し、バックコート層０．４μｍを配し８
ミリテープとした。

〔実施例４Ｂ］ 厚み１０μｍのポリイミドフィルム上に直径１００人の
Ｃｒ　２０３微粒子を１８ケ／（μｍ）２配し、直径６
ｏｅＩ１Ｍの円筒キャン（キャン温度２２０℃）に沿わ
せ、７Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）で、入射角１６度以内で
Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｏ：８０ｗｔＪ）をα１ｓｐｒｎ電子ビ
一ム蒸着し、垂直磁化模を形成し、その上に、高周波ス
パッタリング法で硬質膜を配した上で、樹脂微粒子を分
散させた潤滑剤を配し、バックコート層をα６μｍ配し
、８ミリテープとした。

〔実施例４Ｃ］ 実施例２Ａ、２Ｂの条件説明でのべた条件内での調整に
より、多孔質表面酸化層をもつ部分酸化強磁性金属薄膜
を形成し、その上に高周波スパッタリング法で硬質膜、
樹脂粒子を分散させた潤滑剤を配し、α４μｍのバック
コート層を配し、８ミリテープとした。

夫々のテープの主な構成要件と、改造した８ミリビデオ
により評価した結果を表にまとめて示した。センダスト
スパッタ膜を用いたメタルインギャップ型のヘッドで１
０μトラツク、１０（ｌＩＩ）のＣハの相対値と、ＰＣ
Ｍのエラー率の値を第４−１．第４−２表に示した。エ
ラー率はＬＰモードで、環境は５でｓ　ｏ　％　ＲＨと
した。

第４−１．第４−２表よシ明らかなように、本発明によ
れば、よシ高い信頼性と、Ｃ／Ｎ　が得られる。即ち、
硬質膜を薄くしても樹脂粒子が応力を吸収し、直接硬質
膜に大きな応力がかからないようになることから、耐久
性を確保した上でスペーシング損失を減少し、Ｃ／Ｎ改
善に役立つことになる。又、樹脂粒子と潤滑剤でヘッド
に対しても良好な潤滑作用をもつので、ヘッドをいため
ないことになシ、ヘッド面のダメージによるＣ／Ｎ低下
もなくなるのでより良好なＣ／Ｎ　が得られる。

又酸化層が多孔質化した場合は、酸化層の膜厚が薄くで
きるのと、その上に配する硬質膜も多孔質膜にかみ合っ
た様に形成されるので付着強度が大きくなり、やはシ薄
くすることができるので、スペーシング損失は減少する
。従ってよシ記録波長が短かくなる領域での有用性が大
きくなるといえるものである。

〔実施例６〕 特許環１．３，４．５に記載した磁気記録媒体は、潤滑
剤を配する前に極薄のプラズマ重合膜を配することでス
ペーシング損失を増やさずに更に耐久性を改善すること
ができる。プラズマ重合膜の形成に当っては特に制約は
ないが、膜厚は薄膜として均一に構成されたと仮定して
３〜２０人の範囲であるようなものを極薄として定義す
る領域とする必要がある。３Å以下では後述する改善効
果がのぞめず２０λ以上では、環境によってドロップア
ウトやエラー率が不安定になるからである。

プラズマ重合膜を配することで顕著な改善効果がみられ
るのは、高温多湿地域、温泉地域などでの実使用に於て
みられ、ムービーとして広い範囲の環境で使用され、か
つ、ポーズ状態でくシ返し同一トラックを高速摺動され
てる状態での耐久信頼性を改善できることになる。

プラズマ重合に用いることのできるモノマーガスはＣＦ
４．　Ｃ２Ｆ４．　Ｃ２Ｈ２Ｆ　、　０２Ｆ６．　ＣＦ
３Ｎｏ　等のフッ素含有化合物、ジメチルアミン、エチ
ルアミン。

トリエチルアミン、ラウリルアミン、アミノアセタール
等の有機アミン化合物、トリメチルメトキシシラン、ア
リルトリエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン
及びこれらの加水分解縮合物としてのオルガノシロキサ
ン等の有機ケイ素化合物、テトラメチルシクロジシラザ
ン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘキサメトキシ
ジシラザン等のシラザン系化合物、エチレン、アリルア
ルコール、マレイン酸９１９２−ブタジェン、スチレン
、ベンゼン、ナフタリン等の有機不飽和化合物等が適し
ている。

以下、更に具体的な実施例について比較例との対比で説
明する。

［実施例ｓＡ］ 実施例３に於て述ぺたもののうち、酸化層６０人、多孔
質２４（マ０１ｆｂ）の多孔質酸化層をもったＣｏ−Ｎ
ｉ−０膜上に、１ａ、ｃｓａ（１４ｋ　）　、　ｏ、ｅ
　〜１．２（Ｋ司、真空度０．０１〜０．１　（Ｔｏｒ
　ｒ　）の範囲のプラズマ重合条件で、モノマーとして
、　０２Ｆ、を用い、均一厚み換算で６（入）プラズマ
重合膜を配したものを（ｅｓＡ−１）とし、アラニンを
モノマーとした８（人）のプラズマ重合膜を配したもの
を（ｓＡ−２）とし、シクロペンテンを七ツマ−とした
４情）のプラズマ重合膜を配したものを（５Ａ−３）と
し、夫々に、直径８０人、多孔質度３０（ｖｏ／％）の
多孔質ＡＩ！２０３微粒子を平均で６ケ／（μｍ）２分
散させたパーフルオロポリエーテル（７オンプリンＺ−
２５）を１　、５　（ｍｙ／ｖ／）塗布し、バックコー
ト層を０．４μｍ配した８ミリテープを試作した。

〔実施例ａＢ］ 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に高さ７０人のＥｕ２Ｏ３微粒子を１００ケ／（μｍ）
２配したフィルムを用い、直径１ｍの円筒キャンに沿わ
せて、酸素分圧５Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）。

最小入射角６４度でＣｏ　−Ｎ　ｉ　（Ｃｏ　：８０ｗ
ｔ％）を電子ビーム蒸着し、８６０人の第１磁性層を蒸
着し、巻き戻し、同じ条件で、９６０人の第２磁性層を
蒸着し、計１８０ＯＡの２層構成の強磁性金属薄膜を形
成し、その上で、高周波スパッタリング法で、ヌープ硬
度２６００（ＫＩＦメー〕のダイヤモンド状硬質炭素膜
を８０人配し、その上に２００ｋ）ｈ　、　０．５〜１
、３　（ＫＷ）　、真空度０バ）５〜０．２　（Ｔａｒ
　ｒ　）の範囲のプラズマ重合条件で、モノマーガスと
して。

ＣＦ、Ｎｏを用い、均一膜厚換算で６（Ａ）のプラズマ
重合膜を配しくａＢ−１１たもの、ｎ−ヘキシルアミン
をモノマーとしたものを６（人）配したも０（５Ｂ−２
）、シクロペンテンを七ノマートシたものを６（Ａ）配
したものを（ｓＢ−ａｌ準備しその上に、直径１００人
のポリサルフォン微粒子を平均１０ケ／（μｍ）２分散
させたパーフルオロポリエーテル１フオンブリンｚ−２
６”ヲ０．７〔〜ｈ口塗布し、０．４μｍのバックコー
ト層を配し、夫々８ミリテープとした。

［実施例５Ｃ］ 厚み７μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に直
径５０ＡのＦｅ３Ｏ４微粒子を８０が（μｍ）２配し、
その上に、直径１ｍの円筒キャンに沿わせ、Ｇｏ−Ｎｉ
（Ｃｏ：８０ｗｔ％）を実施例２Ｂの蒸着条件で多孔質
酸化膜（酸化層厚み９ａ人、多孔質度２４　ｖｏ１％　
）を表面に配した強磁性金属薄膜を０．１８μｍ形成し
、その上に実施例６Ｂと同じ条件で硬質膜、プラズマ重
合膜を配し、樹脂粒子を直径９０Ａのポリイミド微粒子
に変えて、平均１０ケ／（μｍ）２分散させたＫＲｙ　
ＴＯＸ−１５７Ｆ　ＳＭ　（デュポン社）を１．３１：
ｑ／ｍ〕塗布し、同様な８ミリテープを準備した。テー
プ基は、５Ｂ−１、６Ｂ−２。

６Ｂ−３に夫々対応し６Ｃ−１、５Ｃ−２、５Ｃ−３と
した。

夫々のテープを改造した８ミリビデオにより特性比較し
た。ギャップ長０．２μｍの積層合金型（合金部はＣｏ
−Ｚｒアモルファス合金）ヘッドで、ＬＰモード、７（
＆）のＣハ　と、初期のＰＣＭエラー率と、保存後のＰ
ＣＭエラー率の変化率を評価した結果を第６表に示した
。

表よシ明らかなように、本発明によれば、保存信頼性が
極めて良好なものを実現できる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、耐久性、Ｃハ。

ＰＣＭエラーレイト等の優れた磁気記録媒体が得られる
といったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は本発明の磁気記録媒体の拡大
断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、３・・・・・・強磁性
金属薄膜。 ４・・・・・・多孔質微粒子、６・・・・・・潤滑剤、
６・・・・・・柱状微粒子、７・・・・・・多孔質酸化
膜、８・・・・・・酸化膜、１゜・・・・・・硬質膜、
１１・・・・・・樹脂粒子、１２・・・・・・潤滑剤。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名鶴１
図 Ｅ２ 図 ３−・・ 高分子フィルム ！ＩＩ磁蝶食凰書鏝 ％ＬＷ＊ｍ子 ｊｌｌ　ｍ　ｌ’Ｊ −ｓｔｅｗ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性金属薄膜上に多孔質微粒子を分散させた潤
   滑剤を配したことを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）部分酸化強磁性金属薄膜を構成する柱状微粒子の
   表面酸化層が多孔質であることを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. （３）多孔質微粒子を分散させた潤滑剤を配したことを
   特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
4. （４）強磁性金属薄膜上に硬質膜を介して樹脂粒子を分
   散させた潤滑剤を配したことを特徴とする磁気記録媒体
   。
5. （５）硬質膜を介して樹脂粒子を分散させた潤滑剤を配
   したことを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
6. （６）極薄のプラズマ重合膜を介して、微粒子を分散さ
   せたことを特徴とする請求項３、４または５記載の磁気
   記録媒体。