JPH03207013A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は全厚の薄い塗布磁性層を磁気記録層とした磁気
記録媒体に関する。

従来の技術 磁気記録を進展させる上でのひとつの要件は、記録時間
の長時間化であり、特に決められたフォーマットで長時
間化の要求に応えていくには、テプ全体の厚みを薄くす
ることが行われるが、般に全厚が薄くなると良好なエン
ベロープを得にくくなることから、ベースフィルムの機
械強度を高める方法や、蒸着膜やスバソタ膜で補強する
方法が採られている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、高密度記録化が進み、記録密度をあげる
ため一層トラック幅が狭くなることで、厚みを薄くでき
る範囲が狭くなう、蒸着膜やスパッタ膜による補強型が
有望視されてきているが強化の為パッキングファクタの
大きいち密な膜としている為くり返し使用で、亀裂が発
生することで、ヘッドとの摺接が初期的に良好であって
も、耐久性能が満足し得ないといった課題があった。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、耐久性の
ある薄型の磁気記録媒体を提供するものである。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
高分子フィルムの両面に斜め蒸着膜を配した上に塗布磁
性層を配するようにしたものである。

作　　用 本発明の磁気記録媒体は上記した構或によシ、斜め蒸着
膜は厚み方向に硬く変形に対し強化の作用を行うものの
、曲げや引っぱりに対してはパッキングフ１クタが小さ
く応力を吸収しクラック発生が殆んどみられない為に強
化作用効果の持続が達或され薄型化を可能にする。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例の拡大断面図である。

第１図で、１はポリエチレンテレフタレート，ポリエチ
レンナフタレート，ポリアミドイミド，ポリエーテルエ
ーテルケトン等の高分子フィルムで、厚みは、８μｍか
ら４μｍ１でか用いられる。２，３は斜め蒸着膜で、こ
こでいう斜め蒸着膜は、回転支持体に沿わせて、９０度
から６０度の範囲の入射角或分を含んだものを意味する
。

斜め蒸着膜は、金属合金，部分酸化膜，部分窒化膜，部
分炭化膜等で、膜厚は、１０００人〜５０００人の範囲
が好壕しい。４は塗布磁性層で、γＦｅ２０３やＦｅ等
のメタル微粒子を樹脂中に分散塗布したもので、カレン
ダリング処理も必要に応じて行うものとする。

塗布磁性層と反対側には必要であれば、バックコート層
を配することもできる。

以下、更に具体的に、本発明の実施例について比較例と
の対比で説明する。

厚み８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ヤ
ング率ＭＤ５２０（匂／ｄ），ＴＤ６６０（Ｋｑ／一）
〕を用い、磁性層配設例と反対側に直径１ｍの円筒キャ
ン（キャン温度、２０℃）に沿わせて、チタンを斜め蒸
着し、その上で、塗布磁性層として、Ｃｏ吸着γ酸化鉄
微粒子を磁性粉としポリウレタンをバインダとした残留
磁束密度１２００（Ｇ），保磁力８３０（Ｏｅ），平均
表面粗さ２００（ホ），膜厚２．３μｍの条件のもの、
バックコート層として直径１０００Ａの炭素粒子を重量
で同じ割合のポリウレタン樹脂中に均一分散させた厚み
０．６μｍ，平均表面粗さ６００ωのものを適宜組み合
わせ％インチ幅のテープをＶＨ　Ｓ−Ｃカセントに巻き
込んで、比較評価した。テープ構戒条件と評価結果を第
１表に示した。評価に用いたＶＣＲは、ＮＶ．−Ｍ９０
（松下電器（至）〕である。

第　　　１　　　表 （注：入射角範囲は左側が蒸着開始側で右側が蒸着完了
側である。

厚み７μｍのポリエチレンナフタレートフィルム〔ヤン
グ率ＭＤ６８０（Ｋ９／ｔｄ），ＴＤ８００（Ｋｇ／ｄ
））の両面に直径６０ｃｒｎの円筒キャンに沿わせて、
入射角９００〜５Ｅｏで、酸素導入量を１．５（ぶ／馴
）として、Ｔｉ，ＡＭ，Ｓｉを電子ビーム蒸着し、膜厚
２０００人を配し先にのべたと同一の磁性層，バックコ
ート層を配し％インチ幅のテープを得た。評価結果を第
２表に示した。比較例は入射角を３００〜０°とした場
合である。

第　　　２　　　表 〔実施例２〕 課題を解決する別の手段は高分子フィルムの少くとも一
方の面に亀裂の入った薄膜を配し、その上に重合膜を介
して塗布層を配するようにしたものである。本発明の磁
気記録媒体は上記した構或により、塗布層の付着強度が
太き〈なｂ１くり返し使用でも薄膜部にも変化がないこ
とから補強効果も持続し、良好なヘッドタノチを確保で
きることになる。第２図は本発明の第２の実施例の磁気
記録媒体の拡大断面図である。第２図で５は亀裂の入っ
た薄膜層で、６は重合膜、７はバックコート層である。

５の薄膜は斜め蒸着膜であっても差し支えないが、一般
に生産性を考えれば、マスクなしで蒸着して得たものが
よい。薄膜の形成はスパッタリング法によってもよいが
、これについても生産性から考えれば電子ビーム蒸着法
，反応性電子ビーム蒸着法で行うのが好１しい。亀裂の
入れ方は熱と応力による方法でもよいが、完戊状態で用
いられる磁気記録再生機器に於で最小の曲率以下の曲げ
応力を加えて生じる亀裂を配してむけば、くシ返し使用
に於で変化を最小にできる。薄膜の膜厚は１０００人か
ら４０００人テＴ　ｉ　，　Ｂ　，Ｍｏ，Ｗ等や部分酸
化膜，部分窒化膜，部分炭化膜等で構或すればよい。６
の重合膜は、プラズマ重合法による形或が電子ビーム蒸
着法の後にプラズマ処理する方法によってもよい。重合
に用いられるモノマーは、炭化水素系，シラン系，シラ
ザソ系等特に限定はないが膜厚は５０人以上３００人以
下が好壕しい。他の要素は先の実施例で示したものの中
から適宜選択すればよい。以下更に具体的な実施例につ
いて、比較例との対比で詳しく説明する。

厚み６μｍの芳香族アミドフィルム〔ＭＤ１０００（　
Ｋｑ／ｙＡ　）　，　Ｔ　Ｄ　１　２０ｏ　（　Ｋｐ／
ｄ　）　〕上に直径５０ｃｒｎの円筒キャンの直下３０
ｃｍに電子ビーム蒸発源を配しマスクなしで１．５Ｘ１
０　　−３Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）　ｏ真空中で８００
０（人／ｓｅｃ　＞で、ＢとＭＯを夫々両面に２０００
人ずつ蒸着し、そのフィルムを直径２．４咽の硬質ロー
ル（ロール温度１１０℃）に沿わせ、亀裂を生じさせて
から、１３．５８（Ｍ円），１．４（ＫＷ）−１．９　
（ＫＷ）圧力０．０７−０．１　２　（　Ｔｏｒｒ　）
の条件でモノマーガスを変えて、プラズマ重合膜を１０
０Ａ形戒し、実施例１と同じ磁性層とバソクコート層を
配し％インテテープを得た。

比較例は、亀裂なしのものと、プラズマ重合膜なしのも
のを用いた。夫々のテープを第１表に示したものと類似
の評価を同じ機器を用い行った。

その結果を第３表に示した。

第 ３ 表 次に厚み４μｍのポリイミ ドフィルム［ＭＤ １ｓｏｏ（Ｋ９／ｄ），ＴＤ１ｅｏｏ（Ｋｐ／ｄ））を
用い、直径６０ｃｒｎの円筒キャンに沿わせ入射角１０
度以内で、Ａｒ＋ＮＨ３＝０．００２　（Ｔｏｒｒ），
Ａｒ：ＮＨ３＝１　：２，４００（Ｋ庵）　，　１　．
０〜１．２（ＫＷ）　　でイオンプレーテイングを行い
、Ｔ　ｉＮ　ｘ　＋　Ａ　Ｒ　Ｎ　ｘ　（夫々！＝０．
７５のものを選んだ）を両面に夫々３０００人形威し、
％インチ幅のテープを同一の磁性層，パックコト層，亀
裂処理，プラズマ重合処理条件で製造した。比較例を含
め、評価結果を第４表に示した。

第 表 発明の効果 以上のように本発明によれば、テープ全厚が小さくなっ
たにもかかわらず、くシ返し使用に於でも良好な画質を
維持できるといったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図，第２図は夫々本発明の実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２，３・・・・・・斜
め蒸着膜、４・・・・・・塗布磁性層、５・・・・・・
亀裂の入った薄膜層、６・・・・・・重合膜、７・・・
・・・バツクコート層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子フィルムの両面に斜め蒸着薄膜を配し、そ
   の斜め蒸着薄膜の少なくとも一方の上面に塗布磁性層を
   配したことを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）高分子フィルムの少くとも一方の面に亀裂の入っ
   た薄膜を配しその上面に、重合膜を介して塗布膜が配さ
   れたことを特徴とする磁気記録媒体。