JPH02242515A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器組成
物に関するものである。

従来の技術 従来から誘電体磁器組成物として下記のような系が知ら
れている。

−Ｌａ２Ｏ３−２Ｔｉ０２−　ＧａＴｉＯ３−２Ｍｇ０
−　ＴｉＯ２系−ＴｉＯ２−ＢａＴｉ０５−　Ｂｉ２０
ｓ−Ｌａ２ｏ３系・ＢａＴｉＯｓ系 ・５ｒＴｉ○３系 ＧａＴｉＯｘ系 ・ＭｇＴｉ０５系 −５ｒＴｉ０５−ＣａＴｉ○３系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの一つの組成物が高い誘電率、小さい温
度係数、及びすぐれた良好度Ｑの全てを満足することは
不可能である。

さらに、Ｂｉ２Ｏ５を含んでいるものは、積層セラミッ
クコンデンサの内部′成極として、Ｐｄを用いることが
できないといつ課題があった。

本発明は誘電率、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の小さい誘電体磁器を得
ることを目的とするものである。

課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組成物１
は、一般式ｘＳｒＯ　−ｙＧａ○−ｚＴｉｏ　２と表わ
した時（ただし、ｘ＋ｙｌ−ｚ＝１．ｏｏ）、ｘ＋　Ｖ
　＋２が以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモ
ル比の範囲を主成分とする組成物に対し、副成分として
Ｔ？Ｌ２０５０．１〜１０．０重量％を含有することを
特徴とするものである。

第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図
を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域とＣ領域で
は温度係数が一側に大きくなり過ぎて、実用的でなくな
る。また、Ｂ領域とＤ領域では焼結困難となり、誘電率
、良好度Ｑ。

絶縁抵抗が低下する。

また、第２図は第１図に示す主成分に対し、副成分とし
てのＴａ２０５含有の効果を示すグラフであり、Ｔａ２
Ｑ５の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しながら
説明する。第２図に示すように’ｒａ、、ｏｓを含有す
ることにより、破壊電圧を増大する効果５７、 を有し、その含有量が主成分に対し０４重量％未満では
含有効果・けなく、一方１０．○重量Φを超えると良好
度Ｑが低下し、温度係数が一側に大きくなり実用的でな
くなる。

本発明はさらに、上記主成分と副成分に対し、マンガン
、クロム、鉄、ニッケル、コバ／ｌ’）及ｉ１．ｌ’ケ
イ素の酸化物からなる群の中から選ばれた少なくとも１
種類を、それぞれＭｎＯ２、Ｇｒ２０５　、　Ｆｅｄ。

ＮｉＯ、Ｃｏｏ　、　５ｉ０２に換算して上記主成分の
０．０５〜１．００重量％１添加亡しめた構成とするこ
とができる。これらの添加物は、磁器の焼結性を向上さ
せる効果を有し、その添加量が０．０５重量％未満では
添加効果・１−ｉ、なく、一方１．００重量％を超える
と誘電率が低下する。

作用 本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率、絶縁抵抗及
び絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係
数の小さい誘電体磁器組成物を得ることができる。

実施例 以下、本発明を具体的実施例により説明する。

（実施例１） 出発原料には化学的に高純度の５ｒＧＯ３、（ａｃＯ５
。

ＴｉＯ２、ＺｒＯ２及びＴａ７０５粉木を下記の第１表
に示す組成になるように秤量し、めのうボールを備えた
ゴム内張り１〜たボールミルに純水とともに入れ、２０
時間、湿式混合した。次いで、この混合物を脱水乾燥後
、１０００℃で２時間仮焼成した。粗粉砕後、再度、め
のうボールを備えたゴム内張りしたボールミル 湿式粉砕を行った。この粉砕物を脱水乾燥した後、粉本
にバインダーとして濃度５％のポリビニールアルコール
水溶液を９重量％添７＋ｏして均質とした後、３２メツ
シユのふるいを通して整粒した。次に、整粒粉体を金型
と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／，４で直径１
６ｍｍ，厚みＯ　−　４　［ＩＴｍに成形し、成形物を
Ｚｒ０２粉を敷いた高純度のアルミナ匣鉢中に入れ、空
気中において下記の第１表に示す温度で２時間焼成し、
第１表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。

これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼き
付け、誘電率、良好層Ｑ、温度係数・はＹＨＰ社製デジ
タｗＬＧＲメータモアｙ’　／ｌｚ　４２７５　Ａを使
用し、測定温度２０ＩＣ、測定電圧１．ｏ　Ｖｒｍｓ測
定周波数１Ｍ　ｆｉｚによる測定で求めた。なお、温度
係数は２０℃における容量値を基準とし、次式より求め
た。

温度係数−（Ｃ８５・。−ｃ２ｏ’。）／（Ｃ２ｏ−ｃ
Ｘ６６）Ｘ１０６（＋）１）ｍｚ’ｃ）また、絶縁抵抗
はＹＨＰ社製ＨＲメータモデル４３２９Ａを使用し、測
定電圧り、Ｃ１５０Ｖ　、測定時間１分間による測定で
求めた。さらに、絶縁破壊電圧は菊水電子工業（株）高
電圧電源ＰＨ３３５に一３形を使用し、昇圧速ｒ１５ｏ
　Ｖ　／　ｓｅｃにより求めた絶縁破壊電圧を素子厚み
で除算し、単位長さ当たりの絶縁破壊重圧値とした。試
験条件及び結果を第１表に併せて示す。

（以　下　余　白） （実施例２） 出発原料には化学的に高純度のＳｒＣＯ３、ＧａＣ０＝
Ｔｉ０２　、　Ｔａ２０５　、　ＭｎＯ２、Ｇｒ２０３
．　ＦｅＯ、ＮｉＯ、Ｃｏ。

及び５１０２粉木を下記の第２表に示す組成になるよう
に秤量し、それ以後は実施例１の場合と同様に処理して
第２表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。

これらの試料の試験方法′＃ｉ実施例１と同一であり、
試験条件及び結果を第２表に併せて示す。

（以　下　余　白） なお、これらの実施例における誘電体１器組成物の製造
方法で（は、５ｒＧＯ５、ＣａＣＯ２、ＴｉＯ２。

Ｔａ２０５を使用し製造したが、この方法に限定される
ものではなく、所望の、組成化になるように、５ｒＴｉ
０３　、　ＣａＴｉＯ３などの化合′吻を使用し製造し
ても実施例と同程度の特性を得ることができる。

また、実施例２において、ＭｎＯ２、Ｇｒ２０５．　Ｆ
ｅｄ。

Ｎｉ○、Ｃ００及び５１０２を使用し製造したが、この
方法に限定されるもので７・まな（、Ｍｎ（ＣＯｓｈ　
。

Ｍｎ（ＯＨ）４　　などの炭酸塩、水酸化物を使用して
製造しても実施例と同程度の・特性を得ることができる
。

発明の効果 以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗及び絶
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、かつ温度係数の
小さい誘電体磁器を得ることがでキル。マタ、マンガン
、クロム、鉄、ニッケルコバルト及びケイ素の酸化物の
添加により焼成温度を低下させることができる。

さらて、得られた誘電体磁器゛は高誘電率であるため、
素体をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に
治効であり、特に薄板状にして積層セラミックコンデン
サ、ハイブリッド微小回路などの用途に適している。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明にかかる主成分の組成範囲を説明する二
元図、第２図は本発明にかかる主成分の一般式をｘＳｒ
Ｏ　−ｙｃａｏ−ｚＴｉＯ２と表わした時、Ｘ−０，３
０、Ｙ　＝　Ｏｊ９　、　Ｚ　＝　０．６１とし、副成
分子ａ２０５の含有量を１６重量％丑で変化させた時の
特性の変化を示すグラフである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ｘＳｒＯ−ｙＣａＯ−ｚＴｉＯ＿２と表わした時（ただ
   し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表わ
   す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比の範囲を主成分
   とする組成物に対し、副成分としてＴａ＿２Ｏ＿５　０
   ．１〜１０．０重量％を含有することを特徴とする誘電
   体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
2. （２）マンガン，クロム，鉄，ニッケル，コバルト及び
   ケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれた少なくとも
   １種を、それぞれＭｎＯ＿２，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＦｅＯ
   ，ＮｉＯ，ＣｏＯ及びＳｉＯ＿２に換算して、主成分の
   ０．０５〜１．００重量％添加含有したことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。