JPH02244660A - 紫外線消去型メモリｉｃ - Google Patents
紫外線消去型メモリｉｃInfo
- Publication number
- JPH02244660A JPH02244660A JP1064813A JP6481389A JPH02244660A JP H02244660 A JPH02244660 A JP H02244660A JP 1064813 A JP1064813 A JP 1064813A JP 6481389 A JP6481389 A JP 6481389A JP H02244660 A JPH02244660 A JP H02244660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- chip
- glass
- melting point
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
本発明は透光性アルミナを紫外線照射用キャップに使っ
たメモリＩＣにかかり、とくにメモリカードやＩＣカー
ド用薄型構造の紫外線消去型メモリＩＣに関するもので
ある。
たメモリＩＣにかかり、とくにメモリカードやＩＣカー
ド用薄型構造の紫外線消去型メモリＩＣに関するもので
ある。
〔従来の技術Ｊ
従来、この種のメモリＩＣは第３図に示すように、ＩＣ
チップ３１がセラミック基板３２にポリイミド樹脂３３
を介して固着し、ＩＣチップ３１の電極はＡβ（アルミ
）ワイヤ３４を介してｊＪ−ドフレーム３５により外部
に導出し、透光性アルミナキャップ３６がＩＣチップ３
１全体を覆い、低融点硝子３７によりセラミック基板３
２．リードフレーム３５．透光性アルミナキャップ３６
を気密封止した構造となっていた。
チップ３１がセラミック基板３２にポリイミド樹脂３３
を介して固着し、ＩＣチップ３１の電極はＡβ（アルミ
）ワイヤ３４を介してｊＪ−ドフレーム３５により外部
に導出し、透光性アルミナキャップ３６がＩＣチップ３
１全体を覆い、低融点硝子３７によりセラミック基板３
２．リードフレーム３５．透光性アルミナキャップ３６
を気密封止した構造となっていた。
上述した従来のメ％ｌＪ ＩＣにおいては、透光性アル
ミナキャップ３６が低融点硝子３７との封止界面３８か
ら剥離しやすいという欠点がある。これは、透光性アル
ミナキャップ３６は紫外線を通す必要性からその表面全
体が平滑に出来でおり、封止界面３８における両者の密
着性が悪いためである。
ミナキャップ３６が低融点硝子３７との封止界面３８か
ら剥離しやすいという欠点がある。これは、透光性アル
ミナキャップ３６は紫外線を通す必要性からその表面全
体が平滑に出来でおり、封止界面３８における両者の密
着性が悪いためである。
剥離対策として透光性アルミナキャップ３６表面全体を
粗くし、低融点硝子３７との密着性を上げる方法がある
。しかし、この方法では封止界面３８以外の紫外線照射
部も粗になるために、紫外線がキャップ表面で散乱・屈
折し紫外線透過率が著しく下がる悪影響が出る。紫外線
透過率が下がるとＩＣチップ３１に書込んだメモリーを
消去する際の消去時間が長くなる、あるいは消去できな
くなるという問題が生じる。
粗くし、低融点硝子３７との密着性を上げる方法がある
。しかし、この方法では封止界面３８以外の紫外線照射
部も粗になるために、紫外線がキャップ表面で散乱・屈
折し紫外線透過率が著しく下がる悪影響が出る。紫外線
透過率が下がるとＩＣチップ３１に書込んだメモリーを
消去する際の消去時間が長くなる、あるいは消去できな
くなるという問題が生じる。
」一連した従来のメモリＩＣに対し、本発明は透光性ア
ルミナキャップの低融点硝子との封止界面側に、低融点
硝子と接着性が良くかつ接合強度の大きい加工膜を設け
ているという相違点を有する。
ルミナキャップの低融点硝子との封止界面側に、低融点
硝子と接着性が良くかつ接合強度の大きい加工膜を設け
ているという相違点を有する。
本発明のメモリＩＣは、ＩＣチップを固着したセラミッ
ク基板とＩＣチップの電極を外部に導出するリードフレ
ームとＩＣチップを覆う透光性アルミナキャップの王者
を低融点硝子で気密封止したＩＣにおいて、前記透光性
アルミナキャップの封止面に低融点硝子と接着性がよく
かつ接合強度の大きい加工膜を設けている。ここで加工
膜はアルミ （１）膜とくに蒸着によるアルミ （、ｌ
）膜であることが好ましい。又、加工膜はチタニウム（
Ｔｉ）蒸着膜を用いることも出来る。さらに２７゜ これらの膜の膜厚を０．４μｍ〜４．０μｍ（＃＃；ン
）とするととくに本発明の効果が顕著となる。
ク基板とＩＣチップの電極を外部に導出するリードフレ
ームとＩＣチップを覆う透光性アルミナキャップの王者
を低融点硝子で気密封止したＩＣにおいて、前記透光性
アルミナキャップの封止面に低融点硝子と接着性がよく
かつ接合強度の大きい加工膜を設けている。ここで加工
膜はアルミ （１）膜とくに蒸着によるアルミ （、ｌ
）膜であることが好ましい。又、加工膜はチタニウム（
Ｔｉ）蒸着膜を用いることも出来る。さらに２７゜ これらの膜の膜厚を０．４μｍ〜４．０μｍ（＃＃；ン
）とするととくに本発明の効果が顕著となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
ＩＣチップをセラミック基板１２にポリイミド樹脂１３
を介して固着し、ｉＣチップ１１の電極はＡβワイヤ１
４を介してリードフレーム１５により外部に導出し、透
光性アルミナキャップ１６がＩＣチップ１１全体を覆い
、低融点硝子１７によりセラミック基板１２．リードフ
レーム１５．透光性アルミナキャップ１６を気密封止し
ている。
を介して固着し、ｉＣチップ１１の電極はＡβワイヤ１
４を介してリードフレーム１５により外部に導出し、透
光性アルミナキャップ１６がＩＣチップ１１全体を覆い
、低融点硝子１７によりセラミック基板１２．リードフ
レーム１５．透光性アルミナキャップ１６を気密封止し
ている。
透光性アルミナキャップ１６は、その低融点硝子１７と
の封止界面１８の全幅にわたり０．５μｍ〜４μｍ厚の
Ａρ蒸着膜１９が形成しである。このＡｐ蒸着膜１９は
透光性アルミナキャップ１６の封止界面１８に連続して
全周囲に形成しである。
の封止界面１８の全幅にわたり０．５μｍ〜４μｍ厚の
Ａρ蒸着膜１９が形成しである。このＡｐ蒸着膜１９は
透光性アルミナキャップ１６の封止界面１８に連続して
全周囲に形成しである。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図であり、透光性
アルミナキャップ２６の封止界面全幅にわたり、０．５
μｍ〜４μｍ厚のチタニウム（Ｔｉ）蒸着膜２９を形成
した例である。
アルミナキャップ２６の封止界面全幅にわたり、０．５
μｍ〜４μｍ厚のチタニウム（Ｔｉ）蒸着膜２９を形成
した例である。
以上説明したように本発明は、紫外線消去型メモリＩＣ
において透光性アルミナキャップの低融点硝子との封止
界面にＡｊ７蒸着膜あるいはＴｉ蒸着膜を形成している
。ＡβあるいはＴｉと低融点硝子は非常になじみがよく
、両者の接着強度は強い。このため透光性アルミナキャ
ップと低融点硝子との接着強度が向上するので、従来の
メモリＩＣに見られた透光性アルミナキャップの剥離故
障はなくなる。更に、本発明では透光性アルミナキャッ
プの紫外線照射部は従来通り平滑なままであるので、従
来と同様の紫外線透過率が維持されている。
において透光性アルミナキャップの低融点硝子との封止
界面にＡｊ７蒸着膜あるいはＴｉ蒸着膜を形成している
。ＡβあるいはＴｉと低融点硝子は非常になじみがよく
、両者の接着強度は強い。このため透光性アルミナキャ
ップと低融点硝子との接着強度が向上するので、従来の
メモリＩＣに見られた透光性アルミナキャップの剥離故
障はなくなる。更に、本発明では透光性アルミナキャッ
プの紫外線照射部は従来通り平滑なままであるので、従
来と同様の紫外線透過率が維持されている。
なお実施例ではｌ蒸着膜、Ｔｉ蒸着膜の例を述べたが低
融点硝子との接着を強固なものにすることが期待できる
金属元素あるいは化合物、たとえばＯｒ（クロニウム）
、Ｃｕ（銅）、５ｉＯ２（シリコン酸化膜）でもよい。
融点硝子との接着を強固なものにすることが期待できる
金属元素あるいは化合物、たとえばＯｒ（クロニウム）
、Ｃｕ（銅）、５ｉＯ２（シリコン酸化膜）でもよい。
また加工膜の形成は蒸着のみによらず、スパッター等信
の方法で形成してもよい。
の方法で形成してもよい。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の実施例の縦断面
図であり、第３図は従来のメモリＩＣを示す断面図であ
る。 １１、．３１・・・・・・ＩＣチップ、１２．３２・・
・・・・セラミック基板、１３．３３・・・・・・ポリ
イミド樹脂、１４．３４・・・・・・Ａβワイヤ、１５
．３５・・・・・・リードフレーム、１６，２６．３６
・・・・・・透光性アルミナキャップ、１７．３７・・
・・・・低融点硝子、１８゜３８・・・・・・封止界面
、１９・・・・・・ｌ蒸着膜、２９・・・・・・Ｔｉ蒸
着膜。 代理人 弁理士 内 原 音
図であり、第３図は従来のメモリＩＣを示す断面図であ
る。 １１、．３１・・・・・・ＩＣチップ、１２．３２・・
・・・・セラミック基板、１３．３３・・・・・・ポリ
イミド樹脂、１４．３４・・・・・・Ａβワイヤ、１５
．３５・・・・・・リードフレーム、１６，２６．３６
・・・・・・透光性アルミナキャップ、１７．３７・・
・・・・低融点硝子、１８゜３８・・・・・・封止界面
、１９・・・・・・ｌ蒸着膜、２９・・・・・・Ｔｉ蒸
着膜。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (2)
- （１）ＩＣチップを固着したセラミック基板と、前記Ｉ
Ｃチップの電極を外部に導出するリードフレームと、前
記ＩＣチップを覆う透光性アルミナキャップとの三者を
低融点硝子で気密封止したＩＣにおいて、前記透光性ア
ルミナキャップの封止面に低融点硝子と接着性がよくか
つ接合強度の大きい加工膜を設けていることを特徴とす
る紫外線消去型メモリＩＣ。 - （２）前記加工膜はアルミニウム膜よりなることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の紫外線消去型メ
モリＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064813A JPH02244660A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 紫外線消去型メモリｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064813A JPH02244660A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 紫外線消去型メモリｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244660A true JPH02244660A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13269061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064813A Pending JPH02244660A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 紫外線消去型メモリｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351845U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759364A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6222459A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1064813A patent/JPH02244660A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759364A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6222459A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351845U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 |
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