JPH046857A - 紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法 - Google Patents
紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH046857A JPH046857A JP2108381A JP10838190A JPH046857A JP H046857 A JPH046857 A JP H046857A JP 2108381 A JP2108381 A JP 2108381A JP 10838190 A JP10838190 A JP 10838190A JP H046857 A JPH046857 A JP H046857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- cap
- point glass
- high melting
- alumina
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はメモリ素子（以下、ＩＣチップという）が透光
性アルミナキャップにより封止されたメモリカード及び
Ｉ Ｃ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）カー
ド等の薄型メモリ集積回路に好適の紫外線消去型メモリ
集積回路及びその製造方法に関する。
性アルミナキャップにより封止されたメモリカード及び
Ｉ Ｃ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）カー
ド等の薄型メモリ集積回路に好適の紫外線消去型メモリ
集積回路及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
第３図は従来の紫外線消去型メモリ集積回路を示す断面
図である。
図である。
セラミック基板１２にはその上面中央部に凹所が設けら
れており、■ｃチップ１１は電極形成面を上方に向けて
ポリイミド樹脂等の固着部１３によりこの凹所に固着さ
れている。
れており、■ｃチップ１１は電極形成面を上方に向けて
ポリイミド樹脂等の固着部１３によりこの凹所に固着さ
れている。
セラミック基板１２の上面縁部にはリードフレーム１５
が低融点硝子部１７により固着されている。このリード
フレーム１５の前記凹所側の先端部にはボンディングワ
イヤ１４が接合されており、リードフレーム１５はこの
ボンディングワイヤ１４を介してＩＣチップ１１上の電
極に電気的に接続されている。また、リードフレーム１
５の他方の端部側はセラミック基板１２の側方に導出し
ており、先端部がセラミック基板１２の下面と路間−面
上に位置するように折り曲げられている・セラミック基
板１２の上方には透光性アルミナキャップ１６が配置さ
れており、このアルミナキャップ１６は低融点硝子部１
７によりセラミック基板１２に接合されている。
が低融点硝子部１７により固着されている。このリード
フレーム１５の前記凹所側の先端部にはボンディングワ
イヤ１４が接合されており、リードフレーム１５はこの
ボンディングワイヤ１４を介してＩＣチップ１１上の電
極に電気的に接続されている。また、リードフレーム１
５の他方の端部側はセラミック基板１２の側方に導出し
ており、先端部がセラミック基板１２の下面と路間−面
上に位置するように折り曲げられている・セラミック基
板１２の上方には透光性アルミナキャップ１６が配置さ
れており、このアルミナキャップ１６は低融点硝子部１
７によりセラミック基板１２に接合されている。
このようにして、ＩＣチップ１１はセラミック基板１２
及び透光性アルミナキャップ１６と低融点硝子部１７と
により気密的に封止されている。
及び透光性アルミナキャップ１６と低融点硝子部１７と
により気密的に封止されている。
紫外線消去型メモリ集積回路においては、キャップ１２
を介して紫外線をＩＣチップ１１に照射することにより
、ＩＣチップ１１に記憶させたデータを消去することが
できる。
を介して紫外線をＩＣチップ１１に照射することにより
、ＩＣチップ１１に記憶させたデータを消去することが
できる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述した従来の紫外線消去型メモリ集積
回路においては、透光性アルミナキャップ１６が低融点
硝子部１７との封止界面から剥離しやすいという欠点が
ある。つまり、透光性アルミナキャップ１６は紫外線を
透過させる必要上、上面及び下面が平滑に形成されてい
るため、低融点硝子部１７との密着性が低く、剥離しや
すい。
回路においては、透光性アルミナキャップ１６が低融点
硝子部１７との封止界面から剥離しやすいという欠点が
ある。つまり、透光性アルミナキャップ１６は紫外線を
透過させる必要上、上面及び下面が平滑に形成されてい
るため、低融点硝子部１７との密着性が低く、剥離しや
すい。
アルミナキャップ１６と低融点硝子部１７との密着性を
向上させるために、アルミナキャップ１６の表面全体を
粗面化することも考えられるが、そうすると紫外線がキ
ャップ表面で散乱又は屈折するため、アルミナキャップ
１６の紫外線透過率が著しく減少する。これにより、Ｉ
Ｃチップ１１に記憶させたデータを消去することができ
なくなったり、又は消去時間が長くなるという新たな問
題点が発生する。
向上させるために、アルミナキャップ１６の表面全体を
粗面化することも考えられるが、そうすると紫外線がキ
ャップ表面で散乱又は屈折するため、アルミナキャップ
１６の紫外線透過率が著しく減少する。これにより、Ｉ
Ｃチップ１１に記憶させたデータを消去することができ
なくなったり、又は消去時間が長くなるという新たな問
題点が発生する。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
アルミナキャップの剥離を回避することができると共に
、アルミナキャップの紫外線透過率が高く、信頼性が高
い紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法を提供
することを目的とする。
アルミナキャップの剥離を回避することができると共に
、アルミナキャップの紫外線透過率が高く、信頼性が高
い紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る紫外線消去型メモリ集積回路は、メモリ素
子と、このメモリ素子が搭載されたセラミック基板と、
透光性アルミナキャップと、このキャップを前記基板に
接着する低融点硝子部と、この低融点硝子部と前記キャ
ップとの間に介在する高融点硝子層とを有することを特
徴とする。
子と、このメモリ素子が搭載されたセラミック基板と、
透光性アルミナキャップと、このキャップを前記基板に
接着する低融点硝子部と、この低融点硝子部と前記キャ
ップとの間に介在する高融点硝子層とを有することを特
徴とする。
本発明に係る紫外線消去型メモリ集積回路の製造方法は
、透光性アルミナキャップの一方の面の縁部に沿って高
融点硝子を付着させる工程と、この高融点硝子を焼成す
ることにより高融点硝子層を形成する工程と、メモリ素
子が搭載されたセラミック基板に前記キャップを前記高
融点硝子層の所定部分とセラミック基板との間に低融点
硝子を介在させて接合する工程とを有することを特徴と
する。
、透光性アルミナキャップの一方の面の縁部に沿って高
融点硝子を付着させる工程と、この高融点硝子を焼成す
ることにより高融点硝子層を形成する工程と、メモリ素
子が搭載されたセラミック基板に前記キャップを前記高
融点硝子層の所定部分とセラミック基板との間に低融点
硝子を介在させて接合する工程とを有することを特徴と
する。
［作用コ
本発明においては、透光性アルミナキャップとセラミッ
ク基板とが低融点硝子部及び高融点硝子層により接合さ
れている。高融点硝子は透光性アルミナに高温で接合す
ることにより、強固な接着性が得られる。また、高融点
硝子と低融点硝子とは硝子同士であるため、良好な接着
性が得られる。
ク基板とが低融点硝子部及び高融点硝子層により接合さ
れている。高融点硝子は透光性アルミナに高温で接合す
ることにより、強固な接着性が得られる。また、高融点
硝子と低融点硝子とは硝子同士であるため、良好な接着
性が得られる。
従って、本発明においては、透光性アルミナキャップを
セラミック基板に低融点硝子で接合する場合に、透光性
アルミナキャップと低融点硝子部との間に高融点硝子層
を介在させる。これにより、アルミナキャップと基板と
の密着が従来に比して著しく向上し、キャップの剥離を
回避することができる。この場合に、アルミナキャップ
の面は平滑で良いため、紫外線透光率が高い。
セラミック基板に低融点硝子で接合する場合に、透光性
アルミナキャップと低融点硝子部との間に高融点硝子層
を介在させる。これにより、アルミナキャップと基板と
の密着が従来に比して著しく向上し、キャップの剥離を
回避することができる。この場合に、アルミナキャップ
の面は平滑で良いため、紫外線透光率が高い。
また、本発明方法においては、予め透光性アルミナキャ
ップの一方の面の縁部に高融点硝子を付着させ、焼成す
ることにより高融点硝子層を形成する。そして、この高
融点硝子層を有するアルミナキャップをメモリ素子が搭
載されているセラミック基板に低融点硝子で接合する。
ップの一方の面の縁部に高融点硝子を付着させ、焼成す
ることにより高融点硝子層を形成する。そして、この高
融点硝子層を有するアルミナキャップをメモリ素子が搭
載されているセラミック基板に低融点硝子で接合する。
従って、メモリ素子を高温に曝す必要がなく、アルミナ
キャップと基板とを強固に接合させることができる。
キャップと基板とを強固に接合させることができる。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る紫外線消去型メモ
リ集積回路を示す断面図である。
リ集積回路を示す断面図である。
本実施例が従来と異なる点はアルミナキャップ１６と低
融点硝子部１７との間に高融点硝子層１９が設けられて
いることにあり、その他の構造は基本的には従来と同様
であるので、第１図において第３図と同一物には同一符
号を付してその部分の詳しい説明は省略する。
融点硝子部１７との間に高融点硝子層１９が設けられて
いることにあり、その他の構造は基本的には従来と同様
であるので、第１図において第３図と同一物には同一符
号を付してその部分の詳しい説明は省略する。
本実施例においては、上述の如く、低融点硝子部１７と
透光性アルミナキャ・ツブ１６との間に高融点硝子層１
９が形成されている。高融点硝子は透光性アルミナキャ
ップ１６に高温で接合するため、低融点硝子に比して透
光性アルミナとの接合力が高いと共に、同種の低融点硝
子に対しても高い接合力を有している。このため、アル
ミナキャップ１６の剥離を防止することができる。また
、アルミナキャップ１６に粗面化等の処理を施す必要が
ないため、アルミナキャップ１６の紫外線透光率は、従
来と同様に高い。
透光性アルミナキャ・ツブ１６との間に高融点硝子層１
９が形成されている。高融点硝子は透光性アルミナキャ
ップ１６に高温で接合するため、低融点硝子に比して透
光性アルミナとの接合力が高いと共に、同種の低融点硝
子に対しても高い接合力を有している。このため、アル
ミナキャップ１６の剥離を防止することができる。また
、アルミナキャップ１６に粗面化等の処理を施す必要が
ないため、アルミナキャップ１６の紫外線透光率は、従
来と同様に高い。
次に、本実施例に係る紫外線消去型メモリ集積回路の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
先ず、ポリイミド樹脂等の固着部１３により、セラミッ
ク基板１２の上面の凹所にＩＣチ・ツブ１１を固着する
。その後、セラミ、ンク基板１２の上面縁部に、低融点
硝子によりリードフレーム１５を固着する。そして、こ
のリードフレーム１５の凹所側先端部とＩＣチップ１１
上に形成された電極とをボンディングワイヤ１４により
電気的に接続する。
ク基板１２の上面の凹所にＩＣチ・ツブ１１を固着する
。その後、セラミ、ンク基板１２の上面縁部に、低融点
硝子によりリードフレーム１５を固着する。そして、こ
のリードフレーム１５の凹所側先端部とＩＣチップ１１
上に形成された電極とをボンディングワイヤ１４により
電気的に接続する。
一方、透光性アルミナキャップ１６の下面縁部にスクリ
ーン印刷により高融点硝子を被着し、その後高温で焼成
して高融点硝子層１９を形成する。
ーン印刷により高融点硝子を被着し、その後高温で焼成
して高融点硝子層１９を形成する。
次いで、このアルミナキャップ１６をセラミ・ツク基板
１２上に低融点硝子により接合する。これにより、上述
の実施例に係る紫外線消去型メモリ集積回路を製造でき
る。
１２上に低融点硝子により接合する。これにより、上述
の実施例に係る紫外線消去型メモリ集積回路を製造でき
る。
第２図は本発明の第２の実施例に係る紫外線消去型メモ
リ集積回路を示す断面図である。
リ集積回路を示す断面図である。
本実施例が第１の実施例と異なる点はＩＣチップ１１の
直上域を除くアルミナキャップ１６の底面全体に高融点
硝子層１９ａが設けられていることにあり、その他の構
造は基本的には第１の実施例と同様であるので、第２図
において第１図と同一物には同一符号を付してその詳し
い説明は省略する。
直上域を除くアルミナキャップ１６の底面全体に高融点
硝子層１９ａが設けられていることにあり、その他の構
造は基本的には第１の実施例と同様であるので、第２図
において第１図と同一物には同一符号を付してその詳し
い説明は省略する。
本実施例においては、アルミナキャップ１６の下面のＩ
Ｃチップ１１の直上域を除く領域に、広く高融点硝子層
１９ａが形成されている。このため、第１の実施例と同
様の効果を得ることができるのに加えて、アルミナキャ
ップ接合時に低融点硝子部１７の封止幅にバラツキが発
生しても透光性アルミナキャップ１６の接合強度を確保
することができ、ＩＣチップ１１を確実に封止すること
ができる。
Ｃチップ１１の直上域を除く領域に、広く高融点硝子層
１９ａが形成されている。このため、第１の実施例と同
様の効果を得ることができるのに加えて、アルミナキャ
ップ接合時に低融点硝子部１７の封止幅にバラツキが発
生しても透光性アルミナキャップ１６の接合強度を確保
することができ、ＩＣチップ１１を確実に封止すること
ができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、透光性アルミナキ
ャップとセラミック基板とが高融点硝子層及び低融点硝
子部を介して接合されているから、本発明に係る紫外線
消去型メモリ集積回路はアルミナキャップと基板との接
合が強固であり、アルミナキャップの剥離を防止でき、
信頼性が高い。
ャップとセラミック基板とが高融点硝子層及び低融点硝
子部を介して接合されているから、本発明に係る紫外線
消去型メモリ集積回路はアルミナキャップと基板との接
合が強固であり、アルミナキャップの剥離を防止でき、
信頼性が高い。
そして、アルミナキャップの面は平滑でよいため、紫外
線透光率も高い。
線透光率も高い。
また、本発明方法によれば、予め透光性アルミナキャッ
プに高融点硝子層を形成しておき、このアルミナキャッ
プをメモリ素子が搭載されている基板に低融点硝子で接
合するから、メモリ素子を高温に曝す必要がなく、上述
の信頼性が高い紫外線消去型メモリ集積回路を容易に製
造することができる。
プに高融点硝子層を形成しておき、このアルミナキャッ
プをメモリ素子が搭載されている基板に低融点硝子で接
合するから、メモリ素子を高温に曝す必要がなく、上述
の信頼性が高い紫外線消去型メモリ集積回路を容易に製
造することができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係る紫外線消去型メモ
リ集積回路を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施
例に係る紫外線消去型メモリ集積回路を示す断面図、第
３図は従来の紫外線消去型メモリ集積回路を示す断面図
である。 １１；ＩＣチップ、１２；セラミック基板、１３；固着
部、１４；ボンディングワイヤ、１５；リードフレーム
、１６；アルミナキャップ、１７；低融点硝子部、１９
，１９ａ；高融点硝子層比願人 日本電気株式会社
リ集積回路を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施
例に係る紫外線消去型メモリ集積回路を示す断面図、第
３図は従来の紫外線消去型メモリ集積回路を示す断面図
である。 １１；ＩＣチップ、１２；セラミック基板、１３；固着
部、１４；ボンディングワイヤ、１５；リードフレーム
、１６；アルミナキャップ、１７；低融点硝子部、１９
，１９ａ；高融点硝子層比願人 日本電気株式会社
Claims (2)
- （１）メモリ素子と、このメモリ素子が搭載されたセラ
ミック基板と、透光性アルミナキャップと、このキャッ
プを前記基板に接着する低融点硝子部と、この低融点硝
子部と前記キャップとの間に介在する高融点硝子層とを
有することを特徴とする紫外線消去型メモリ集積回路。 - （２）透光性アルミナキャップの一方の面の縁部に沿っ
て高融点硝子を付着させる工程と、この高融点硝子を焼
成することにより高融点硝子層を形成する工程と、メモ
リ素子が搭載されたセラミック基板に前記キャップを前
記高融点硝子層の所定部分とセラミック基板との間に低
融点硝子を介在させて接合する工程とを有することを特
徴とする紫外線消去型メモリ集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108381A JPH046857A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108381A JPH046857A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046857A true JPH046857A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14483331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2108381A Pending JPH046857A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302852A (en) * | 1992-02-27 | 1994-04-12 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a low profile structure and high strength |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168247A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Nec Kansai Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
| JPH01130548A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP2108381A patent/JPH046857A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168247A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Nec Kansai Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
| JPH01130548A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302852A (en) * | 1992-02-27 | 1994-04-12 | Nec Corporation | Semiconductor device package having a low profile structure and high strength |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20030201507A1 (en) | Image sensor semiconductor package with castellation | |
| JP3869860B2 (ja) | チップカードのための電子モジュール | |
| JPH0997888A (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
| JPH0883869A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06227189A (ja) | Ｉｃカード用モジュールの製造方法 | |
| JPH08156470A (ja) | 集積回路カードおよびその製造方法 | |
| JPS58207645A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH046857A (ja) | 紫外線消去型メモリ集積回路及びその製造方法 | |
| JPH0793390B2 (ja) | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ | |
| JPS6361282A (ja) | 平面表示素子の製造方法 | |
| JP2668995B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN1624718B (zh) | 无接触芯片卡或辨识系统的模块 | |
| JPH06268246A (ja) | 光結合装置 | |
| JP2574559B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPH01261247A (ja) | 低融点ガラス接着による接合体の製造方法，及び接着体 | |
| JPS61267363A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0620627A (ja) | 蛍光表示管 | |
| JP2544940B2 (ja) | 螢光表示管 | |
| JPH05109914A (ja) | 紫外線消去型半導体装置 | |
| JPH05182999A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4606007B2 (ja) | 光学装置の製造方法 | |
| JP2004172511A (ja) | 半導体光センサー | |
| JPH03203355A (ja) | 紫外線消去型半導体装置 | |
| JPH04162734A (ja) | 半導体装置及びその形成方法 | |
| JP2001085654A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |