JPH02248003A - 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造法 - Google Patents

低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造法

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JPH02248003A
JPH02248003A JP1069609A JP6960989A JPH02248003A JP H02248003 A JPH02248003 A JP H02248003A JP 1069609 A JP1069609 A JP 1069609A JP 6960989 A JP6960989 A JP 6960989A JP H02248003 A JPH02248003 A JP H02248003A
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JP
Japan
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voltage
mol
zno
nonlinear resistor
manufacturing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1069609A
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English (en)
Inventor
Tadashi Onomi
忠 小野美
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器などの回路電圧の安定化やサー
ジおよびノイズ吸収などに利用される電圧非直線性抵抗
器に関するもので、特に低電圧回路で用いられる世電圧
用電圧非亘扉性抵仇器の製造法に関するものである。
従来の技術 電圧非直線性抵抗器の代表的なものとして、酸化亜鉛(
ZnO)  を主成分とするZnOバリスタが一般的に
知られている。このZnOバリスタの特徴としては、電
圧非直線性が良い、サージ電流耐量が大きいなどの特徴
を有するものである。その製造方法としては、主成分の
ZnOにBi2O5。
Co2O3,MnO□、TiO□などの副成分を微量添
加し、有機バインダなどと共に混合し、スラリーを作製
する。このスラリーを通常スプレードライヤーなどによ
り造粒し、その造粒粉体を圧縮成形した後、1200〜
1360℃で焼結させるものである。
そして、前記副成分の親類およびその比率により、任意
のバリスタ電圧を得ることができるものである。また、
バリスタ電圧の低い(soV以下)低電圧用バリスタの
場合には、−船釣に副成分としてTiO2を用いる場合
が多い。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の方法では充分に混合を行ってもZnOと
MnO□、TiO2のかさ比重などの差により、混合が
不均一になりやすい。このために特にTiO□を含有す
る低電圧用バリスタについては、焼結中のZnOの粒成
長が大きいため、ZnOと副成分の混合が不均一の場合
、異常粒成長が起きやすく、バリスタ電圧のバラツキや
制限電圧特性の悪化といった課題を有していた。
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、バリス
タ電圧のバラツキが小さく、制限電圧特性に優れた低電
圧用電圧非直線性抵抗器を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の低電圧用電圧非直線
性抵抗器の製造法は少なくとも、ZnO3、05〜3.
00%#%以上、Mn02o、oesモル%以上、T 
1o20.05モルチ以上をあらかじめ混合し、900
℃以上で仮焼後添加するものである。
作用 この方法によれば、ZnOとMnO2,TiO2をあら
かじめ混合し900℃以上で仮焼することにより、Zn
Oとの混合性が改善されることとなり、バリスタ電圧の
バラツキが小さくなり、制限電圧特性の優れた低電圧用
電圧非直線性抵抗器を提供することができる。
実施例 以下、本発明を実施例にしたがって詳細に説明する。
実施例1 ZnOに対し、Bi2O,、Co20.、MnO2゜T
 i 02を下記の第1表に示す割合で調合した。その
後、ZnO1oモル%、MnO2,Tie□全量をあら
かじめ混合し、1000℃で仮焼を行い添加した。この
調合した原料を混合し、バインダなどを加え造粒を行い
、この造粒粉を直径10fl、厚さ1.2111に圧縮
成形後、約1300’Cで約3時間焼成を行った。この
焼結体の両平面に電極を形成して試料とした。各試料に
つき各60個のバリスタ電圧(Voaム/ff)を測定
し、その平均値とバラツキ(σn−1)を第1表に併せ
て示した。また、電圧非直線係数(α)および制限電圧
比(vsム/v11nム)も示した。なお、第1表中の
試料1は従来の仮焼を行わない方法によるものである。
(以下余 臼) しかし、B i 203がO,OSモル俤未満のものは
、制限電圧特性が悪く、また3、QOモモル俤超えるも
のは、αや制限電圧特性が悪くなる。また、Co2O3
がo、osモル%未溝や3.ooモル%を超える場合や
、MnO2が0.05モル%未満や3.00モモル俤超
える場合は、αが極端に悪くなった。
さらに、T i 02が0.1モル俤未満ではバリスタ
電圧がSOW以上であり、2.0モル俤を超える場合に
はαや制限電圧特性が悪くなるという結果となった。
実施例2 ZnOに対し、Bi2O30,5モル% 、Go、、0
50.5(−ル% 、 MnO20,5モル% 、 N
iO0,5%/I/% 、TiO21,0%/l/%、
残量ZnOのうち、ZnO,MnO2,TiO2を下記
の第2表に示す割合で混合し、1000℃で仮焼後添加
し、実施例1と同様にして各試料を作製した。その時の
各特性を第2表に併せて示した。
第2表より明らかなように、ZnO3,Oモル係以上、
MnO20,05モル%、TiO20,05モル係以上
をあらかじめ混合し、仮焼後添加したものは、バリスタ
電圧のバラツキも小さく、制限電圧特性も優れている。
実施例3 Bi2030.5モル係、Co20.o、sモル係。
MnO□0.5モル%、Ni05〜3.0001モ#%
、TiO21,0モルチ、ZnO残量の組成のうち、Z
n010モル%、MnO□ 0.6モル%、Tie□ 
1.0モル係をあらかじめ混合し、各温度で仮焼を行い
、実施例1の手順で各試料を得た。各試料につき、vl
、nム/mのバラツキ(σn−1)と制限電圧比(v5
ム/v、!llム)を確認し、第1図、第2図に示した
第1図、第2図より明らかなように、900℃以上で仮
焼を行ったものは、V1111ム/IIalのバラツキ
(σn−1)が小さく、制限電圧特性も優れた結果とな
った。なお、仮焼温度が1200℃を超えると仮焼物が
固くなり、粉砕が難しくなるため、1200℃以下が望
ましい。
また、ZnOとMnO2,TiO2を仮焼後添加したも
のは、有機バインダなどと混合した時のスラリー粘度が
従来のものに比べ低くなるという利点もある。
発明の効果 以上、このようにあらかじめZnO,MnO2。
T i O2を必要量あらかじめ混合し、900℃以上
で仮焼後添加することにより、ZnOとMnO2゜T 
i O2の混合が均一と・なり、バリスタ電圧のバラツ
キが小さくなり、また制限電圧特性に優れた低電圧用電
圧非直線性抵抗器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を説明するための仮焼温度とバリス
タ電圧のバラツキの関係を示す特性図、第2図は同じく
仮焼温度と制限電圧比の関係を示す特性図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス,コバ
    ルト,マンガン,チタンをそれぞれBi_2O_3,C
    o_2O_3,MnO_2,TiO_2に換算して、B
    i_2O_3,0.05〜3.00モル%,Co_2O
    _30.05〜3.00モル%,Co_2O_30.0
    5〜3.00モル%,TiO_20.1〜2.0モル%
    含有する組成のうち、ZnO3.00モル%以上、Mn
    O_20.05モル%以上、TiO_20.05モル%
    以上をあらかじめ混合し、900℃以上で仮焼後添加す
    ることを特徴とする低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造
    法。
JP1069609A 1989-03-22 1989-03-22 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造法 Pending JPH02248003A (ja)

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