JPH02255537A - 二硫化モリブデン微粒子製造方法 - Google Patents

二硫化モリブデン微粒子製造方法

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JPH02255537A
JPH02255537A JP7751889A JP7751889A JPH02255537A JP H02255537 A JPH02255537 A JP H02255537A JP 7751889 A JP7751889 A JP 7751889A JP 7751889 A JP7751889 A JP 7751889A JP H02255537 A JPH02255537 A JP H02255537A
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vessel
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Toshiyuki Oyama
大山 俊之
Kazuo Takeuchi
武内 一夫
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00Compounds of molybdenum
    • C01G39/06Sulfides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、レーザーによる二硫化モリブデン(MO92
)微粒子の製造に関し、詳しくは、ガスブレークダウン
を利用したレーザーによる二硫化モリブデン微粒子の製
造法に関する。
(従来の技術) 一般に種々の材料となる物質は、原子の数が無限側の集
合体であり、その物質の大きさが極端に小さくなると、
特異な性質を示すようになる。物質の粒径が1μm(原
子数にして10I0個)以下のものは微粒子と呼ばれ、
焼結原料、触媒、生物工学等の種々の用途に用いられる
新素材として関心が持たれている。この場合、用いられ
る微粒子に望ましい条件は、化学的純度が高いこと、球
状でありその粒径が小さいこと、粒径が均一であること
等である。このような微粒子の製造法としては、固相反
応法、液相反応法、気相反応法等があるが、上記の条件
に適合した微粒子の製造法としては気相反応法が最適で
ある。
他方、レーザー技術に関する進歩は目覚ましく、広い波
長領域で強力な光を発振するレーザーが開発されている
。とりわけ、典型的な赤外レーザーである炭酸ガスレー
ザーは、その高効率、高出力のため、種々の用途が考え
られている。例えば、パルス発振TEA−Co□レーザ
ーの赤外多光子解離による同位体分離や連続発振CD□
レーザーの熱反応による微粒子製造等が研究されており
、すでに、第4図に示すような気相反応法とレーザー誘
起反応とを組合わせた微粒子生成法(セラミックス:1
9 (1984)、Nα6、p482)が報告されてい
る。これは、反応ガスをCO2レーザーで加熱して、以
下に示す反応によって、5i1SiC13iaN*の超
微粒子を生成するものである。
SiH4(g) −5i(s)+2Hz(g)2SiH
4(g) + C2H4(g)→2SiC(s) + 
6Ha(g)3Si)I4(g) + 4N)Is (
g)→SiJ4(g) + 1282 (g)(発明が
解決しようとする課題) 本発明者等は、レーザ一応用技術を研究した過程で、前
述のC02レーザーの熱反応法に代わって、気体の誘電
破壊(ガスブレークダウン)、すなわち、パルス発振レ
ーザーを気体に照射するとレーザー光の時間的、空間的
な高輝度のために生じる現象を利用して、微粒子を生成
することができることを見い出した。このブレークダウ
ンを利用すると、原料気体にレーザーを照射して種々の
反応を誘起させ粒径の非常に小さい固体生成物を製造す
ることができる。この方法の特長は次のようなものであ
る。(1)照射光の波長領域に吸収帯を有しない物質も
原料として用いることができる。(2)光の吸収効率が
よい。(3)操作圧が高く、反応は連鎖的なので収量が
多い。(4)器壁からの不純物の混入がない。(5)常
温の反応容器で高融点物質が得られる。(6)粒径分布
が狭い微粒子が得られる。(7)反応装置が単純で容易
に行うことができる。本発明は、上記のような特長を有
するレーザーによるブレークダウンを利用したMoS2
の微粒子を製造する方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) モリブデンカルボニル[Mo(CO)s ]二硫化炭素
(CS2)又は硫化水素(H2S)を含む混合ガスにレ
ーザー光を照射して、ガスブレークダウン現象により二
硫化モリブデン(MoS2)の微粒子を生成することを
特徴とする。
照射すべきレーザー光としてはパルス発振C02レーザ
ー光を使用することができる。
(作 用) 以下本発明の詳細な説明する。
粒径の揃った特性の良い微粒子の製法としては、気体原
料を用いる気相法が適しているが、Mo5tの気体の原
料として、モリブデンカルボニルCMo (CD) s
 )と二硫化炭素(CS2)又は硫化水素(H,S)の
混合ガスを用いる。この原料にC02レーザー光を照射
すると、レーザー光の単位断面接当たりのエネルギー(
フルエンス)が小さい場合には、レーザー光のエネルギ
ーはガスにほとんど吸収されないが、ある程度以上の強
さのレーザー光の場合、原料ガス内でブレークダウンが
起こって、照射されたレーザーエネルギーのほとんどが
吸収される。これは原料ガス分子の光エネルギーによる
イオン化およびそれによって生じた電子の光エネルギー
吸収に続くイオン化の操り返しによって次ぎの反応が引
き起こされる。
Mo(COs)+C3i = Mo5a + 6CD+
CMo(COs)+ 2)+2S=  MO52+  
6Cロ+2H。
この場合、照射に使用するレーザーの波長は、原料ガス
の吸収波長に関係なく、できるだけパルスエネルギーの
強い発振波長が良い。上記の反応によって得られるMo
5sは気相で均一核生成と成長によって生成した粒子状
のもので、原理的に球状で粒径分布が狭く、粒径が0.
1μm以下の微粒子であり、生成条件の制御により得ら
れる微粒子の特性を変えることが可能である。
実際の微粒子の製造には、回分式又は連続流通式の照射
セルを使用し、生成した微粒子はフィルターやその他の
補集装置で補集することができる。
(発明の効果) このように、本発明によって得られたMoS2微粒子は
、粒径が非常に小さくしかも均一であり、また、固体潤
滑剤として利用できる。現在、MO32微粒子は粉砕法
によって製造されているが粒径が小さく均一な微粒子が
得られにくい。また、粉砕機からの不純物の混入も避け
られない。本性では前述のように、生成原理も簡単なも
のであり、現行法よりも著しく有利である。
(実施例) 本発明に使用した装置の概略を第1図に示す。
CO。レーザー11から発生された適切な波数のパルス
状レーザー光12が絞り16を通過した後、BaF2レ
ンズ13で集光される。この集光されたレーザー光はK
Br窓17を通して、照射反応容器14内のMo (C
D) aとC82又はLSの混合気体である試料気体1
5を照射される。照射後、残留および生成ガスを排気除
去し、不活性ガスで容器内を充たした後、補集容器18
に光反応により堆積した微粒子がこの容器から取り出さ
れる。
12TorrのMo (CO) sと200 Torr
のC32の混合ガスにCO2レーザーの9.6.um帯
のP(24)、すなわち10430111−’のパルス
光を照射した、この時のパルスエネルギーは約I J 
/ pulse 、使用したレンズの焦点距離は7.5
 cmである。
第2図は生成した微粒子の粒径の分布を走査型電子顕微
鏡写真を用いて測定した結果のグラフである。本性によ
って得られた平均粒径が0.07μmの比較的均一な分
布を示すMO52微粒子であることが確言忍できた。
また、生成した微粒子のX線回折の解析から得られた固
定数と元素分析の結果から、生成微粒子は非晶質のMo
S2であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例に用いた装置の概略図、 第2図は、本発明の実施例で得られたMo微粒子の粒径
分布を示すグラフ、 第3図は、従来の連続発振C02レーザーを用いた気相
法による微粒子生成法の反応容器の概略図。 (符号の説明) 11・・・・・・0口、レーザー 12・・・・・・レーザー光、 13・・・・・・BaFzレンズ、 ・・・・・・照射反応容器、 ・・・・・・試料気体、 ・・・・・・絞り、 ・・・・・・にBr窓板、 ・・・・・・補集容器。 第1図 第2図 粒径 (pm) 第3図 フィルターへ ↑ 反応ガス導入口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 モリブデンカルボニル〔Mo(CO)_6〕と二硫化炭
    素(CS_2)又は硫化水素(H_2S)とを含む混合
    ガスにレーザー光を照射して二硫化モリブデン(MoS
    _2)の微粒子を製造する方法。
JP7751889A 1989-03-29 1989-03-29 二硫化モリブデン微粒子製造方法 Expired - Lifetime JPH0637304B2 (ja)

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JPH0637304B2 JPH0637304B2 (ja) 1994-05-18

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001038940A3 (en) * 1999-11-24 2002-01-10 Yeda Res & Dev Method for surface patterning using a focused laser

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001038940A3 (en) * 1999-11-24 2002-01-10 Yeda Res & Dev Method for surface patterning using a focused laser

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