JPH0639327B2 - チタン化ホウ素の微粒子製造方法 - Google Patents
チタン化ホウ素の微粒子製造方法Info
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- JPH0639327B2 JPH0639327B2 JP7922588A JP7922588A JPH0639327B2 JP H0639327 B2 JPH0639327 B2 JP H0639327B2 JP 7922588 A JP7922588 A JP 7922588A JP 7922588 A JP7922588 A JP 7922588A JP H0639327 B2 JPH0639327 B2 JP H0639327B2
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- JP
- Japan
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- fine particles
- laser
- gas
- tib
- particle size
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/02—Boron; Borides
- C01B35/04—Metal borides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、レーザーによるTiB2微粒子の製造に関
し、詳しくは、ガスブレークダウンを利用したレーザー
によるTiB2微粒子の製造法に関する。
し、詳しくは、ガスブレークダウンを利用したレーザー
によるTiB2微粒子の製造法に関する。
(従来の技術) 一般に種々の材料となる物質は、原子の数が無限個の集
合体であり、その物質の大きさが極端に小さくなると、
特異な性質を示すようになる。物質の粒径が1μm(原
子数にして1010個)以下のものは微粒子と呼ばれ、
焼結原料、触媒、生物工学等の種々の用途に用いられる
新素材として関心が持たれている。この場合、用いられ
る微粒子に望ましい条件は、化学的純度が高いこと、球
状でありその粒径が小さいこと、粒径が均一であること
等である。このような微粒子の製造法としては、固相反
応性、液相反応法、気相反応法等があるが、上記の条件
に適合した微粒子の製造法としては気相反応法が最適で
ある。
合体であり、その物質の大きさが極端に小さくなると、
特異な性質を示すようになる。物質の粒径が1μm(原
子数にして1010個)以下のものは微粒子と呼ばれ、
焼結原料、触媒、生物工学等の種々の用途に用いられる
新素材として関心が持たれている。この場合、用いられ
る微粒子に望ましい条件は、化学的純度が高いこと、球
状でありその粒径が小さいこと、粒径が均一であること
等である。このような微粒子の製造法としては、固相反
応性、液相反応法、気相反応法等があるが、上記の条件
に適合した微粒子の製造法としては気相反応法が最適で
ある。
他方、レーザー技術に関する進歩は目覚ましく、広い波
長領域で強力な光を発振するレーザーが開発されてい
る。とりわけ、典型的な赤外レーザーである炭酸ガスレ
ーザーは、その高効率、高出力のため、種々の用途が考
えられている。例えば、パルス発振TEA−CO2レー
ザーの赤外多光子解離による同位体分離や連続発振CO
2レーザーの熱反応による微粒子製造等が研究されてお
り、すでに、第6図に示すような気相反応法とレーザー
誘起反応とを組合わせた微粒子生成法(セラミックス:
19(1984)、NO.6、p482)が報告されてい
る。これは、反応ガスをCO2レーザーで加熱して、以
下に示す反応によって、Si、SiC、Si3N4の超
微粒子を生成するものである。
長領域で強力な光を発振するレーザーが開発されてい
る。とりわけ、典型的な赤外レーザーである炭酸ガスレ
ーザーは、その高効率、高出力のため、種々の用途が考
えられている。例えば、パルス発振TEA−CO2レー
ザーの赤外多光子解離による同位体分離や連続発振CO
2レーザーの熱反応による微粒子製造等が研究されてお
り、すでに、第6図に示すような気相反応法とレーザー
誘起反応とを組合わせた微粒子生成法(セラミックス:
19(1984)、NO.6、p482)が報告されてい
る。これは、反応ガスをCO2レーザーで加熱して、以
下に示す反応によって、Si、SiC、Si3N4の超
微粒子を生成するものである。
SiH4(g)→Si(s)+2H2(g) 2SiH4(g)+C2H4(g)→2SiC(s)+
6H2(g) 3SiH4(g)+4NH3(g)→Si3N4(s)
+12H2(g) (発明が解決しようとする課題) 本発明者等は、レーザー応用技術を研究する過程で、前
述のCO2レーザーの熱反応法に代わって、気体の誘導
破壊(ガスブレークダウン)、すなわち、パルス発振レ
ーザーを気体に照射するとレーザー光の時間的、空間的
な高輝度のために生じる現象を利用して、微粒子を生成
することができることを見い出した。このブレークダウ
ンを利用すると、原料気体にレーザーを照射して種々の
反応を誘起させ粒径の非常に小さい固体生成物を製造す
ることができる。この方法の特長は次のようなものであ
る。(1)照射光の波長領域に吸収帯を有しない物質も
原料として用いることができる。(2)光の吸収効率が
よい。(3)操作圧が高く、反応は連鎖的なので収量が
多い。(4)器壁からの不純物の混入がない。(5)常
温の反応容器で高融点物質が得られる。(6)粒径分布
が狭い微粒子が得られる。(7)反応装置が単純で容易
に行うことができる。本発明は、上記のような特長を有
するレーザーによるブレークダウンを利用した高融点物
質TiB2の微粒子を製造する方法を提供することを目
的とする。
6H2(g) 3SiH4(g)+4NH3(g)→Si3N4(s)
+12H2(g) (発明が解決しようとする課題) 本発明者等は、レーザー応用技術を研究する過程で、前
述のCO2レーザーの熱反応法に代わって、気体の誘導
破壊(ガスブレークダウン)、すなわち、パルス発振レ
ーザーを気体に照射するとレーザー光の時間的、空間的
な高輝度のために生じる現象を利用して、微粒子を生成
することができることを見い出した。このブレークダウ
ンを利用すると、原料気体にレーザーを照射して種々の
反応を誘起させ粒径の非常に小さい固体生成物を製造す
ることができる。この方法の特長は次のようなものであ
る。(1)照射光の波長領域に吸収帯を有しない物質も
原料として用いることができる。(2)光の吸収効率が
よい。(3)操作圧が高く、反応は連鎖的なので収量が
多い。(4)器壁からの不純物の混入がない。(5)常
温の反応容器で高融点物質が得られる。(6)粒径分布
が狭い微粒子が得られる。(7)反応装置が単純で容易
に行うことができる。本発明は、上記のような特長を有
するレーザーによるブレークダウンを利用した高融点物
質TiB2の微粒子を製造する方法を提供することを目
的とする。
(課題を解決するための手段) 四塩化チタン(TiC4)と三ハロゲン化ホウ素と水
素(H2)とを含む混合ガスにパルス発振CO2レーザ
ー光を照射してガスブレークダウン現象によりチタン化
ホウ素(TiB2)の微粒子を生成することを特徴とす
る。
素(H2)とを含む混合ガスにパルス発振CO2レーザ
ー光を照射してガスブレークダウン現象によりチタン化
ホウ素(TiB2)の微粒子を生成することを特徴とす
る。
(作用) 以下本発明を詳しく説明する。
粒径の揃った特性の良い微粒子の製法としては、気体原
料を用いる気相法が適しているが、TiB2の気体の原
料として、TiC4とハロゲン化ホウ素BX3(X=
F、C、Br)および水素の混合ガスを用いる。この
原料にCO2レーザーのパルス光を照射すると、レーザ
ー光の単位断面積当たりのエネルギー(フルエンス)が
小さい場合には、レーザー光のエネルギーは混合ガスに
ほとんど吸収されないが、ある程度以上の強さのレーザ
ー光の場合、原料ガス内でブレークダウンが起こって、
照射されたレーザーエネルギーのほとんどが吸収され
る。これは原料ガス分子の光エネルギーによるイオン化
およびそれによって生じた電子の光エネルギー吸収に続
くイオン化の繰り返しによって次ぎの反応が引き起こさ
れる。
料を用いる気相法が適しているが、TiB2の気体の原
料として、TiC4とハロゲン化ホウ素BX3(X=
F、C、Br)および水素の混合ガスを用いる。この
原料にCO2レーザーのパルス光を照射すると、レーザ
ー光の単位断面積当たりのエネルギー(フルエンス)が
小さい場合には、レーザー光のエネルギーは混合ガスに
ほとんど吸収されないが、ある程度以上の強さのレーザ
ー光の場合、原料ガス内でブレークダウンが起こって、
照射されたレーザーエネルギーのほとんどが吸収され
る。これは原料ガス分子の光エネルギーによるイオン化
およびそれによって生じた電子の光エネルギー吸収に続
くイオン化の繰り返しによって次ぎの反応が引き起こさ
れる。
TiC4+2BX3+5H2→TiB2+10HX この場合、照射に使用するレーザーの波長は、原料ガス
の吸収波長に関係なく、できるだけパルスエネルギーの
強い発振波長が良い。上記の反応によって得られるTi
B2は気相で均一核生成と成長によって生成した粒子状
のもので、原理的に球状で粒径分布が狭く、粒径が1μ
m以下の微粒子であり、生成条件の制御により得られる
微粒子の特性を変えることが可能である。
の吸収波長に関係なく、できるだけパルスエネルギーの
強い発振波長が良い。上記の反応によって得られるTi
B2は気相で均一核生成と成長によって生成した粒子状
のもので、原理的に球状で粒径分布が狭く、粒径が1μ
m以下の微粒子であり、生成条件の制御により得られる
微粒子の特性を変えることが可能である。
実際の微粒子の製造には、回分式又は連続流通式の照射
セルを使用し、生成した微粒子はフィルターやその他の
補集装置で補集することができる。
セルを使用し、生成した微粒子はフィルターやその他の
補集装置で補集することができる。
(発明の効果) このように、本発明によって得られたTiB2微粒子
は、球状でしかも均一であり、また、高硬度、高融点金
属として種々の有用な素材に利用できる。現在、TiB
2微粒子は粉砕法によって製造されているが、硬度が大
であるため能率が悪く、球状の微粒子が得られにくい。
また、粉砕機からの不純物の混入も避けられない。生成
原理も簡単なものである。本法では前述のように、現行
法よりも著しく有利である。更に、TiB2微粒子は、
切削用工具や素材等への用途が具体的であり、特に素材
としてほかのセラミックス等の硬脆材料に比べ導電性を
有するため放電加工が可能な利点がある。
は、球状でしかも均一であり、また、高硬度、高融点金
属として種々の有用な素材に利用できる。現在、TiB
2微粒子は粉砕法によって製造されているが、硬度が大
であるため能率が悪く、球状の微粒子が得られにくい。
また、粉砕機からの不純物の混入も避けられない。生成
原理も簡単なものである。本法では前述のように、現行
法よりも著しく有利である。更に、TiB2微粒子は、
切削用工具や素材等への用途が具体的であり、特に素材
としてほかのセラミックス等の硬脆材料に比べ導電性を
有するため放電加工が可能な利点がある。
(実施例) 本発明に使用した装置の概略を第1図に示す、適切な波
数のCO2レーザー11のパルス光12をBaF2レン
ズ13で集光し、照射反応容器14内のTiC4とB
C3とH2の混合気体である試料気体15に照射す
る。なお、図中16は絞り、17はKBr窓板、18は
補集容器をそれぞれ示す。照射後、残留および生成ガス
を排気除去し、不活性ガスで容器内を充たした後、生成
した微粒子を補集容器から取り出す。
数のCO2レーザー11のパルス光12をBaF2レン
ズ13で集光し、照射反応容器14内のTiC4とB
C3とH2の混合気体である試料気体15に照射す
る。なお、図中16は絞り、17はKBr窓板、18は
補集容器をそれぞれ示す。照射後、残留および生成ガス
を排気除去し、不活性ガスで容器内を充たした後、生成
した微粒子を補集容器から取り出す。
8TorrのTiC4と16TorrのBC3と40Torrの
H2の混合ガスにCO2レーザーの9.6μm帯のP(2
4)、すなわち1043cm-1のパルス光を照射した、こ
の時のパルスエネルギーは約1J/pulse、使用したレ
ンズの焦点距離は7.5cmである。
H2の混合ガスにCO2レーザーの9.6μm帯のP(2
4)、すなわち1043cm-1のパルス光を照射した、こ
の時のパルスエネルギーは約1J/pulse、使用したレ
ンズの焦点距離は7.5cmである。
第2図は生成した微粒子の粒径の分布を走査型電子顕微
鏡写真を用いて測定した結果のグラフである。本法によ
って得られたTiB2は平均粒径が0.16μmの比較的均
一な分布を示し、しかも球状の微粒子であることが確認
できた。
鏡写真を用いて測定した結果のグラフである。本法によ
って得られたTiB2は平均粒径が0.16μmの比較的均
一な分布を示し、しかも球状の微粒子であることが確認
できた。
生成した微粒子のX線回折図形を第3図に示す。TiB
2の既知のデータ値と測定したX線回折図形を対比し、
該図形の解析から得られる面定数と元素分析の結果か
ら、生成微粒子はTiB2であることを確認した。
2の既知のデータ値と測定したX線回折図形を対比し、
該図形の解析から得られる面定数と元素分析の結果か
ら、生成微粒子はTiB2であることを確認した。
第4図には、原料ガスのTiC4、BC3、H2の
割合を8:25:400に一定にして、原料圧力の全圧
を変化させた時の生成粒子の粒子径を調べた結果を示
す。全圧が増加すると粒子径も増加することが分かっ
た。また、第5図にはレーザー光のエネルギーと粒子径
の関係を調べた結果を示す。この場合、粒子径はレーザ
ー光のエネルギーに依存しないことが判明した。
割合を8:25:400に一定にして、原料圧力の全圧
を変化させた時の生成粒子の粒子径を調べた結果を示
す。全圧が増加すると粒子径も増加することが分かっ
た。また、第5図にはレーザー光のエネルギーと粒子径
の関係を調べた結果を示す。この場合、粒子径はレーザ
ー光のエネルギーに依存しないことが判明した。
第1図は、本発明の実施例に用いた装置の概略図、 第2図は、本発明の実施例で得られたTiB2微粒子の
粒径分布を示すグラフ、 第3図は、本発明の実施例で得られたTiB2微粒子の
X線回折図形を示す、 第4図は本発明に用いた原料ガス圧力を変化させた時の
生成粒子径の変動を示すグラフ、 第5図は本発明に用いたレーザー光のエネルギーと生成
粒子径の変動を示すグラフ、 第6図は、従来の連続発振CO2レーザーを用いた気相
法による微粒子生成法の反応容器の該略図。 (符号の説明) 11……CO2レーザー、 12……レーザー光、 13……BaF2レンズ、 14……照射反応容器、 15……試料気体 16……絞り、 17……KBr窓板、 18……補集容器、 19……KBr窓板、 20……コック。
粒径分布を示すグラフ、 第3図は、本発明の実施例で得られたTiB2微粒子の
X線回折図形を示す、 第4図は本発明に用いた原料ガス圧力を変化させた時の
生成粒子径の変動を示すグラフ、 第5図は本発明に用いたレーザー光のエネルギーと生成
粒子径の変動を示すグラフ、 第6図は、従来の連続発振CO2レーザーを用いた気相
法による微粒子生成法の反応容器の該略図。 (符号の説明) 11……CO2レーザー、 12……レーザー光、 13……BaF2レンズ、 14……照射反応容器、 15……試料気体 16……絞り、 17……KBr窓板、 18……補集容器、 19……KBr窓板、 20……コック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西澤 博 東京都小平市小川東町2602―24 (72)発明者 石井 忠浩 東京都日野市平山1―6―5
Claims (1)
- 【請求項1】四塩化チタン(TiC4)と三ハロゲン
化ホウ素と水素(H2)とを含む混合ガスにレーザー光
を照射してチタン化ホウ素(TiB2)の微粒子を製造
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7922588A JPH0639327B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | チタン化ホウ素の微粒子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7922588A JPH0639327B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | チタン化ホウ素の微粒子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252518A JPH01252518A (ja) | 1989-10-09 |
| JPH0639327B2 true JPH0639327B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=13683964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7922588A Expired - Lifetime JPH0639327B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | チタン化ホウ素の微粒子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639327B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7922588A patent/JPH0639327B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01252518A (ja) | 1989-10-09 |
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