JPH03215309A - 炭化ホウ素の微粒子製造方法 - Google Patents
炭化ホウ素の微粒子製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザーによる炭化ホウ素（以下、Ｂ．Ｃ
と言う）微粒子の製造に係わり、詳しくは、ガスブレー
クダウンを利用したレーザーによるＢ．Ｃ微粒子の製造
方法に関する。
と言う）微粒子の製造に係わり、詳しくは、ガスブレー
クダウンを利用したレーザーによるＢ．Ｃ微粒子の製造
方法に関する。
（従来技術）
一般に物質の粒径が１μｍ（原子数にして１０１０個）
以下のものは微粒子と呼ばれ、焼結原料、触媒、生物工
学等の用途に用いられる新素材として関心がもたれてい
る。この場合、用いられる微粒子に望ましい条件は、化
学的純度が高いこと、球状かつ粒径が小さいこと、粒径
が均一であること等である。このような微粒子の製造方
法としては、固相反応法、液相反応法、気相反応法等が
あるが、上配の条件に適合した微粒子の製造方法として
は気相反応法が最適である。
以下のものは微粒子と呼ばれ、焼結原料、触媒、生物工
学等の用途に用いられる新素材として関心がもたれてい
る。この場合、用いられる微粒子に望ましい条件は、化
学的純度が高いこと、球状かつ粒径が小さいこと、粒径
が均一であること等である。このような微粒子の製造方
法としては、固相反応法、液相反応法、気相反応法等が
あるが、上配の条件に適合した微粒子の製造方法として
は気相反応法が最適である。
従来、気相反応法とレーザー誘起反応とを組み合わせた
微粒子生成法〔セラミックス：１９（１９８４）、Ｎα
６ ｐ４８２）により、ＳｔｓＳｉＣＳＳｉｓＮｉの
微粒子が得られていた。
微粒子生成法〔セラミックス：１９（１９８４）、Ｎα
６ ｐ４８２）により、ＳｔｓＳｉＣＳＳｉｓＮｉの
微粒子が得られていた。
一方、本発明者等は、上記の００２レーザーの熱反応法
に代わって、気体の誘電破壊（ガスブレークダウン）、
すなわち、パルス発振レーザーを基体に照射するとレー
ザー光の時間的、空間的な高輝度のために生じる現象を
利用した微粒子生成方法を見い出し、既に、特開平１−
２５２５１５号：炭化ケイ素の微粒子製造方法、特開平
１一２５２５１７号：ホウ素の微粒子製造方法、特開平
１−２５２５１８号：チタン化ホウ素の微粒子製造方法
を提案した。特に、ホウ素（Ｂ）の微粒子製造方法の場
合には、原料気体にハロゲン化ホウ素ＢＸ３ （Ｘ＝Ｆ
ＳＣｌｌＳＢｒ）及び水素の混合気体を用い、 Ｂ Ｘ ｓ ＋ Ｈ ２→Ｂ＋ＨＸ−！−ＢＨＸ２の反
応により平均粒子が０．０８μｍのホウ素の微粒子を製
造するものであり、また、チタン化ホウ素（ＴＩＢ２）
の場合には、原料気体にＴｉｉ４とハロゲン化ホウ素Ｂ
Ｘ．（Ｘ＝ＦＳＣｌ、Ｂｒ）を用い、 ＴｉＣＬ＋ ２ ＢＸ３＋ ５ Ｈ２→ＴＩＢ２＋ １
０ ＨＸの反応により平均粒子が０．１６μｍのチタ
ン化ホウ素の微粒子を製造するものであった。
に代わって、気体の誘電破壊（ガスブレークダウン）、
すなわち、パルス発振レーザーを基体に照射するとレー
ザー光の時間的、空間的な高輝度のために生じる現象を
利用した微粒子生成方法を見い出し、既に、特開平１−
２５２５１５号：炭化ケイ素の微粒子製造方法、特開平
１一２５２５１７号：ホウ素の微粒子製造方法、特開平
１−２５２５１８号：チタン化ホウ素の微粒子製造方法
を提案した。特に、ホウ素（Ｂ）の微粒子製造方法の場
合には、原料気体にハロゲン化ホウ素ＢＸ３ （Ｘ＝Ｆ
ＳＣｌｌＳＢｒ）及び水素の混合気体を用い、 Ｂ Ｘ ｓ ＋ Ｈ ２→Ｂ＋ＨＸ−！−ＢＨＸ２の反
応により平均粒子が０．０８μｍのホウ素の微粒子を製
造するものであり、また、チタン化ホウ素（ＴＩＢ２）
の場合には、原料気体にＴｉｉ４とハロゲン化ホウ素Ｂ
Ｘ．（Ｘ＝ＦＳＣｌ、Ｂｒ）を用い、 ＴｉＣＬ＋ ２ ＢＸ３＋ ５ Ｈ２→ＴＩＢ２＋ １
０ ＨＸの反応により平均粒子が０．１６μｍのチタ
ン化ホウ素の微粒子を製造するものであった。
（発明が解決しようとする課題）
上記方法の特長は次のようなものである。（１）照射光
の波長領域に吸収帯を有しない物質も原料として用いる
ことができる。（２）光の吸収効率が良い。
の波長領域に吸収帯を有しない物質も原料として用いる
ことができる。（２）光の吸収効率が良い。
（３）揉作圧が高く、反応は連鎖的なので収量が多い。
（４）器壁からの不純物の混入がない。（５）常温の反
応容器で高融点物質が得られる。（６）粒径分布の狭い
微粒子が得られる。（７）反応装置が単純で容易に行う
ことができる。
応容器で高融点物質が得られる。（６）粒径分布の狭い
微粒子が得られる。（７）反応装置が単純で容易に行う
ことができる。
本発明は、選択された原料気体を用いて、上記のような
特長を有するレーザーによるブレークダウンを利用して
Ｂ．Ｃ の微粒子を製造する方法を提供することを目的
とする。
特長を有するレーザーによるブレークダウンを利用して
Ｂ．Ｃ の微粒子を製造する方法を提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
上記の課題は、ハロゲン化ホウ素、炭化水素、及び水素
とを含む混合気体、またはハロゲン化ホウ素、四塩化炭
素、及び水素を含む混合気体にパルス発振Ｃ Ｏ ２
レーザー光を照射して、ガスプレークダウン現象により
炭化ホウ素の微粒子を生成する本方法によって達成する
ことができる。
とを含む混合気体、またはハロゲン化ホウ素、四塩化炭
素、及び水素を含む混合気体にパルス発振Ｃ Ｏ ２
レーザー光を照射して、ガスプレークダウン現象により
炭化ホウ素の微粒子を生成する本方法によって達成する
ことができる。
（作 用）
以下に本発明を詳しく説明する。
粒径の揃った特性の良い微粒子の製法としては、気体原
料を用いた気相法が適しているが、Ｂ．Ｃの気体原料と
して、ハロゲン化ホウ＊ Ｂ Ｘ ｓＣＸ＝ＦＸＣｌ、
Ｂｒ，■〕、炭化水素Ｃ．Ｈ．、水素Ｈ２から成る混合
気体、またはハロゲン化ホウ素ＢＸ３、四塩化炭素ＣＩ
Ｊ．、水素Ｈ２から成る混合気体を用いる。ここで、炭
化水素Ｃ．Ｈ．とは、鎮式炭化水素であるＣ ． Ｈ
２．，。２、Ｃ − Ｈ ２ ，，、及びＣＲＨ２１１
−２（ｎは整数）、または環式炭化水素であるＣ．Ｈ．
．，、ＣｈＨ．ｌ，−２、及びＣ＋，Ｈｚｈ−ｓ （ｎ
は整数）で表わきれる化合物である。好ましい混合気体
の範囲は、気体原料として・、ハロゲン化ホウ素、炭化
水素、及び水素Ｈ２を用いる場合には、ハロゲン化ホウ
素：炭化水素：水素の比率が（２〜１０）：ｌ： （
１００以下）であり、気体原料？して、ハロゲン化ホウ
素、四塩化炭素、及び水素を用いる場合には、ハロゲン
化ホウ素二四塩化炭素：水素の比率が（２〜１０）：ｌ
： （１００以下）である。また、これらの混合気体
の全圧は２００〜１ ０ ０ ０Ｔｏｒｒであることが
好ましい。この原料に室温でＣＯ■レーザーのパルス光
を照射すると、レーザー光の単位断面積当たりのエネル
ギー（フルエンス）が小さい場合には、レーザー光のエ
ネルギーは混合ガスにほとんど吸収されないが、ある程
度以上の強さのレーザー光の場合、原料気体内でブレー
クダウンが起こって、照射されたレーザーエネルギーの
ほとんどが吸収される。
料を用いた気相法が適しているが、Ｂ．Ｃの気体原料と
して、ハロゲン化ホウ＊ Ｂ Ｘ ｓＣＸ＝ＦＸＣｌ、
Ｂｒ，■〕、炭化水素Ｃ．Ｈ．、水素Ｈ２から成る混合
気体、またはハロゲン化ホウ素ＢＸ３、四塩化炭素ＣＩ
Ｊ．、水素Ｈ２から成る混合気体を用いる。ここで、炭
化水素Ｃ．Ｈ．とは、鎮式炭化水素であるＣ ． Ｈ
２．，。２、Ｃ − Ｈ ２ ，，、及びＣＲＨ２１１
−２（ｎは整数）、または環式炭化水素であるＣ．Ｈ．
．，、ＣｈＨ．ｌ，−２、及びＣ＋，Ｈｚｈ−ｓ （ｎ
は整数）で表わきれる化合物である。好ましい混合気体
の範囲は、気体原料として・、ハロゲン化ホウ素、炭化
水素、及び水素Ｈ２を用いる場合には、ハロゲン化ホウ
素：炭化水素：水素の比率が（２〜１０）：ｌ： （
１００以下）であり、気体原料？して、ハロゲン化ホウ
素、四塩化炭素、及び水素を用いる場合には、ハロゲン
化ホウ素二四塩化炭素：水素の比率が（２〜１０）：ｌ
： （１００以下）である。また、これらの混合気体
の全圧は２００〜１ ０ ０ ０Ｔｏｒｒであることが
好ましい。この原料に室温でＣＯ■レーザーのパルス光
を照射すると、レーザー光の単位断面積当たりのエネル
ギー（フルエンス）が小さい場合には、レーザー光のエ
ネルギーは混合ガスにほとんど吸収されないが、ある程
度以上の強さのレーザー光の場合、原料気体内でブレー
クダウンが起こって、照射されたレーザーエネルギーの
ほとんどが吸収される。
これは、原料気体分子の光エネルギーによるイオン化及
びそれによって生じた電子の光エネルギー吸収に続くイ
オン化の繰り返しによって、それぞれ以下に示す反応が
引き起こされる。
びそれによって生じた電子の光エネルギー吸収に続くイ
オン化の繰り返しによって、それぞれ以下に示す反応が
引き起こされる。
４ ｎＢＸ３ＴＣｎＨｍ＋ Ｉ！Ｈ， →ｎＢ４Ｃ＋
１２ｎ｝ＩＸ４８Ｘ３ ＋ＣＣｊ！ａ ＋ ８Ｈ２
→Ｂ４Ｃ ＋１２ＨＸ ＋４ＨＣｌこの場合、照射に使
用するレーザーの波長は、原料気体の吸収波長に関係な
く、できるだけパルスエネルギーの強い発振波長がよい
。好ましくは９．６μｍである。またＣ０２レーザーの
他にＨＦ，Ｃｏ、ＹＡＧ，エキシマレーザーを用いるこ
ともできる。上記反応によって得られるＢ．Ｃは気相で
均一核生成とその成長によって得られるので、原理的に
球状で粒径も揃う。微粒子の粒径は０．３μｍ以下のも
のが得られ、生成条件の制御によっては得られる微粒子
の特性を変えることも可能である。具体的には微粒子の
粒径は、試料圧力に依存し、圧力増大と共に粒径は比例
的に大きくなる。レーザー光のエネルギーを増加しても
粒径は一定であるが収量は比例して大きくなる。
１２ｎ｝ＩＸ４８Ｘ３ ＋ＣＣｊ！ａ ＋ ８Ｈ２
→Ｂ４Ｃ ＋１２ＨＸ ＋４ＨＣｌこの場合、照射に使
用するレーザーの波長は、原料気体の吸収波長に関係な
く、できるだけパルスエネルギーの強い発振波長がよい
。好ましくは９．６μｍである。またＣ０２レーザーの
他にＨＦ，Ｃｏ、ＹＡＧ，エキシマレーザーを用いるこ
ともできる。上記反応によって得られるＢ．Ｃは気相で
均一核生成とその成長によって得られるので、原理的に
球状で粒径も揃う。微粒子の粒径は０．３μｍ以下のも
のが得られ、生成条件の制御によっては得られる微粒子
の特性を変えることも可能である。具体的には微粒子の
粒径は、試料圧力に依存し、圧力増大と共に粒径は比例
的に大きくなる。レーザー光のエネルギーを増加しても
粒径は一定であるが収量は比例して大きくなる。
実際の微粒子の製造には、回分式または連続流通式の照
射セルを使用し、生成した微粒子の補集にはフィルター
やその他の補集装置を用いることができる。
射セルを使用し、生成した微粒子の補集にはフィルター
やその他の補集装置を用いることができる。
（発明の効果）
このように、゛本発明によって得られたＢ．Ｃ微粒子は
、ほぼ球状でしかも均一であり、また高硬度・高融点セ
ラミックスとして種々の有用な素材に利用できる。現在
、Ｂ．Ｃ微粒子は粉砕法によって製造されているが、硬
度が大であるため能率が悪く、球状の微粒子が得られに
くく、また、粉砕機からの不純物の混入も避けられない
。本法は生成原理も簡単なものであり、現行法よりも著
しく有利である。Ｂ．Ｃ粒子は研磨材、耐摩耗材、電子
材料、原子炉の制御材や遮蔽材等への用途が具体的であ
り、特に高品質が要求される原子炉材として好適である
。
、ほぼ球状でしかも均一であり、また高硬度・高融点セ
ラミックスとして種々の有用な素材に利用できる。現在
、Ｂ．Ｃ微粒子は粉砕法によって製造されているが、硬
度が大であるため能率が悪く、球状の微粒子が得られに
くく、また、粉砕機からの不純物の混入も避けられない
。本法は生成原理も簡単なものであり、現行法よりも著
しく有利である。Ｂ．Ｃ粒子は研磨材、耐摩耗材、電子
材料、原子炉の制御材や遮蔽材等への用途が具体的であ
り、特に高品質が要求される原子炉材として好適である
。
（実施例）
本発明に使用した装置の概略を第１図に示す。
適切な波数の００２レーザー１１のパルス光１２をＢａ
Ｆ２レンズ１３で集光し、照射反応容器１４内のＢ Ｂ
ｒ３とＣＨ．とＨ２の混合気体である試料気体１５に照
射する。尚、図中１６は絞り、１７はＫＢ，窓板、１８
は補集容器をそれぞれ示す。レーヂー照射後、残留及び
生成された副産物のガスを排気除去し、不活性ガスで容
器内を充たした後生成した微粒子を補集容器から取り出
す。
Ｆ２レンズ１３で集光し、照射反応容器１４内のＢ Ｂ
ｒ３とＣＨ．とＨ２の混合気体である試料気体１５に照
射する。尚、図中１６は絞り、１７はＫＢ，窓板、１８
は補集容器をそれぞれ示す。レーヂー照射後、残留及び
生成された副産物のガスを排気除去し、不活性ガスで容
器内を充たした後生成した微粒子を補集容器から取り出
す。
（実施例１）
反応容器内を４ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒの真空度にし
た後、５ ０ＴｏｒｒのＢ Ｂｒ，と１３ＴｏｒｒのＣ
Ｈ．と２ ０ ０ＴｏｒｒのＨ２の混合ガスを導入した
。これに、Ｃ Ｏ ２ レーザーの ９．６μｍ帯のＰ
（２４）、すなわち１ ０ ４ ３ｃｍ−’のパルス光
を、４時間、繰り返し数８００回で照射した。この時の
パルスエネルギーは約２． ５ Ｊ ／ｐｕｌｓｅ ，
使用したレンズの焦点距離は２０ｃｍである。反応式は
、 ４ＢＢｒ，＋Ｃ｝Ｉ４＋ ４Ｈ２ →Ｂ４Ｃ ＋１２
ＨＢｒのように表わすことができる。
た後、５ ０ＴｏｒｒのＢ Ｂｒ，と１３ＴｏｒｒのＣ
Ｈ．と２ ０ ０ＴｏｒｒのＨ２の混合ガスを導入した
。これに、Ｃ Ｏ ２ レーザーの ９．６μｍ帯のＰ
（２４）、すなわち１ ０ ４ ３ｃｍ−’のパルス光
を、４時間、繰り返し数８００回で照射した。この時の
パルスエネルギーは約２． ５ Ｊ ／ｐｕｌｓｅ ，
使用したレンズの焦点距離は２０ｃｍである。反応式は
、 ４ＢＢｒ，＋Ｃ｝Ｉ４＋ ４Ｈ２ →Ｂ４Ｃ ＋１２
ＨＢｒのように表わすことができる。
この反応で０．２ｇの８４Ｃが生成した。
生成した微粒子のＸ線回折図形を第２図に示す。
８４Ｃの既知のデータ値（Ｎａｔ， Ｂｕｒ．Ｓｔａｎ
ｄ， （Ｕ．Ｓ．）Ｍｏｎｏｇｒ，，２１， （１９
８４））と測定したＸ線回折図形を対比し、この図形の
解析から得られる面定数と元素分析の結果から、生成微
粒子はＢ．Ｃであることを確認した。更に、本方法によ
って得られたＢ．Ｃは平均粒径が０．３μｍの比較的均
一な分布を示し、しかも、ほぼ球状の微粒子であること
が走査型電子顕微鏡写真によって確認された。
ｄ， （Ｕ．Ｓ．）Ｍｏｎｏｇｒ，，２１， （１９
８４））と測定したＸ線回折図形を対比し、この図形の
解析から得られる面定数と元素分析の結果から、生成微
粒子はＢ．Ｃであることを確認した。更に、本方法によ
って得られたＢ．Ｃは平均粒径が０．３μｍの比較的均
一な分布を示し、しかも、ほぼ球状の微粒子であること
が走査型電子顕微鏡写真によって確認された。
本実施例では、炭化水素ＣｎＨｍにメタンＣ Ｈ ４を
用いたが、この他エチレンＣ ２ Ｈ − 、アセチレ
ンＣ ２ Ｈ−プロパンＣ ｓ Ｈ ａ、ベンゼンＣ．
Ｈｇ等を用いても良い。
用いたが、この他エチレンＣ ２ Ｈ − 、アセチレ
ンＣ ２ Ｈ−プロパンＣ ｓ Ｈ ａ、ベンゼンＣ．
Ｈｇ等を用いても良い。
（実施例２）
反応容器内を約４ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒの真空度に
した後、１ ０ ０ＴｏｒｒのＢＣｊ’ｓと２５＝Ｔｏ
ｒｒのＣＣｊ！４と３ ０ ０ＴｏｒｒのＨ２の混合ガ
スを導入した。これに、ＣＯ２Ｌ／−ザーの９．６μｍ
帯のＰ（２４）、すなわち１０４３ｃｍ−’のパルス光
を、２時間、繰り返し数４， ０ ０ ０回で照射した
。この時のパルスエネルギーは約２． ５ Ｊ ／ｐｕ
ｌｓｅ 、使用したレンズの焦点距離は２０ｃｍである
。反応式は、 ４Ｂｉｓ＋ＣＣｌ４；８Ｈ２ → ｅ４ｃ ＋１６Ｈ
Ｃｊ！のように表わすことができる。
した後、１ ０ ０ＴｏｒｒのＢＣｊ’ｓと２５＝Ｔｏ
ｒｒのＣＣｊ！４と３ ０ ０ＴｏｒｒのＨ２の混合ガ
スを導入した。これに、ＣＯ２Ｌ／−ザーの９．６μｍ
帯のＰ（２４）、すなわち１０４３ｃｍ−’のパルス光
を、２時間、繰り返し数４， ０ ０ ０回で照射した
。この時のパルスエネルギーは約２． ５ Ｊ ／ｐｕ
ｌｓｅ 、使用したレンズの焦点距離は２０ｃｍである
。反応式は、 ４Ｂｉｓ＋ＣＣｌ４；８Ｈ２ → ｅ４ｃ ＋１６Ｈ
Ｃｊ！のように表わすことができる。
この反応で０．１ｇのＢ．Ｃが生成した。
生成した微粒子のＸ線回折図形をＢ ４ Ｃの既知のデ
ータ値（Ｎａｔ．Ｂｕｒ．Ｓｔａｎｄ．（Ｕ．Ｓ，）Ｍ
ｏｎｏｇｒ，，２１，（１９８４））と測定したＸ線回
折図形を対比し、この図形の解析から得られる面定数と
元素分析の結果から、生成微粒子は８４Ｃであることを
確認した。更に、本方法によって得られたＢ４Ｃ は平
均粒径が０．３μｍの比較的均一な分布を示し、しかも
、ほぼ球状の微粒子であることが走査型電子顕微鏡写真
によって確認された。
ータ値（Ｎａｔ．Ｂｕｒ．Ｓｔａｎｄ．（Ｕ．Ｓ，）Ｍ
ｏｎｏｇｒ，，２１，（１９８４））と測定したＸ線回
折図形を対比し、この図形の解析から得られる面定数と
元素分析の結果から、生成微粒子は８４Ｃであることを
確認した。更に、本方法によって得られたＢ４Ｃ は平
均粒径が０．３μｍの比較的均一な分布を示し、しかも
、ほぼ球状の微粒子であることが走査型電子顕微鏡写真
によって確認された。
第１図は、本発明の実施例に用いた装置の概略図であり
、 第２図は、本発明の実施例１で得られたＢ，Ｃ微粒子の
Ｘ線回折図形である。 （符号の説明） １１・・・・ＣＣｈレーザー １２・・・・レーザー光、 １３・・・・ＢａＦ２レンズ、 １４・・・・照射反応容器、 １５・・・・試料気体
、１６・・・・絞り、 １７、１９・・・・ＫＢｒ窓
板、１８・・・・補集容器、 ２０・・・・コック
。 手 続 補 正 書
、 第２図は、本発明の実施例１で得られたＢ，Ｃ微粒子の
Ｘ線回折図形である。 （符号の説明） １１・・・・ＣＣｈレーザー １２・・・・レーザー光、 １３・・・・ＢａＦ２レンズ、 １４・・・・照射反応容器、 １５・・・・試料気体
、１６・・・・絞り、 １７、１９・・・・ＫＢｒ窓
板、１８・・・・補集容器、 ２０・・・・コック
。 手 続 補 正 書
Claims (1)
- ハロゲン化ホウ素、炭化水素、及び水素とを含む混合気
体、またはハロゲン化ホウ素、四塩化炭素、及び水素と
を含む混合気体にレーザー光を照射して炭化ホウ素の粒
径０．５μｍ以下の微粒子を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006562A JP2561866B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006562A JP2561866B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215309A true JPH03215309A (ja) | 1991-09-20 |
| JP2561866B2 JP2561866B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=11641771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006562A Expired - Lifetime JP2561866B2 (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561866B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2515735A (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-07 | Metal Nanopowders Ltd | Hard Materials |
| RU2648421C2 (ru) * | 2016-07-06 | 2018-03-26 | Акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ") | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
| CN112897528A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-06-04 | 云南华谱量子材料有限公司 | 一种激光烧结合成碳化硼/碳粉体材料的方法 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2006562A patent/JP2561866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2515735A (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-07 | Metal Nanopowders Ltd | Hard Materials |
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