JPH02256219A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH02256219A JPH02256219A JP7749689A JP7749689A JPH02256219A JP H02256219 A JPH02256219 A JP H02256219A JP 7749689 A JP7749689 A JP 7749689A JP 7749689 A JP7749689 A JP 7749689A JP H02256219 A JPH02256219 A JP H02256219A
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- JP
- Japan
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- electrolyte
- complex salt
- electrolytic capacitor
- capacitor
- guanidium
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、良好な皮膜修復性を有する７、７゜８．８−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
［従来の技術］
７．７．８．８−テトラシアノキノジメタン（以下、Ｔ
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴ ＣＮ Ｑｔ！塩（特開昭５８−１９１４１４
号）を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質した
ものが良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ錯塩の
カチオンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの中
で選ばれたアルキル基で置換されている。
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴ ＣＮ Ｑｔ！塩（特開昭５８−１９１４１４
号）を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質した
ものが良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ錯塩の
カチオンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの中
で選ばれたアルキル基で置換されている。
ＴＣＮＱｉ塩を加熱融解し、冷却固化するという方法は
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にＴＣＮＱ錯塩を融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面ＴＣ
ＮＱ鑵塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱ錯塩が
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にＴＣＮＱ錯塩を融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面ＴＣ
ＮＱ鑵塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱ錯塩が
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。
［発明の目的］
一方、本発明は比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのアミノ
グアニジウムＴＣＮＱ錯塩を固体電解質としたものであ
る。これにより高性能で信頼性の高い固体電解コンデン
サを提供するものである。
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのアミノ
グアニジウムＴＣＮＱ錯塩を固体電解質としたものであ
る。これにより高性能で信頼性の高い固体電解コンデン
サを提供するものである。
［発明の概要］
本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
ＱＣＮ上らなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮ
ＱＣＮ上しては上述したようにアミノグアニジウムＴ
ＣＮ Ｑ ｍ塩である。ここで、アミノグアニジウムＴ
ＣＮＱ錯塩の構造式を示すと次のようになる。
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
ＱＣＮ上らなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮ
ＱＣＮ上しては上述したようにアミノグアニジウムＴ
ＣＮ Ｑ ｍ塩である。ここで、アミノグアニジウムＴ
ＣＮＱ錯塩の構造式を示すと次のようになる。
アミノグアニジウムＴＣＮＱ錯塩の構造式式［１］中、
ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７．７．８．８−テト
ラシアノキノジメタンのモル数に対応する正の数（０，
５〜１．５）を意味する。
ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７．７．８．８−テト
ラシアノキノジメタンのモル数に対応する正の数（０，
５〜１．５）を意味する。
次に、アミノグアニジウムＴ ＣＮ Ｑｔａ塩の合成方
法について述べる。水５０ｍ１中に０．１モルのヨウ化
水素酸（４７％水溶液）を入れ、これに０．１モルのア
ミノグアニジン重炭酸塩を加え、過熱し１反応させるこ
とにより、アミノグアニジン−ヨウ化水素酸塩を合成し
た。このアミノグアニジン−ヨウ化水素酸塩の０．００
６７モルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し、０゜０
０５０モルのＴＣＮＱＣＮ上溶解した沸騰状態のアセト
ニトリル溶液と混合する。その後、約１０時間。
法について述べる。水５０ｍ１中に０．１モルのヨウ化
水素酸（４７％水溶液）を入れ、これに０．１モルのア
ミノグアニジン重炭酸塩を加え、過熱し１反応させるこ
とにより、アミノグアニジン−ヨウ化水素酸塩を合成し
た。このアミノグアニジン−ヨウ化水素酸塩の０．００
６７モルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し、０゜０
０５０モルのＴＣＮＱＣＮ上溶解した沸騰状態のアセト
ニトリル溶液と混合する。その後、約１０時間。
５℃で放置することにより、アミノグアニジウムＴＣＮ
Ｑ錯塩の針状結晶が得られる。この結晶を少量のアセト
ニトリルで洗浄し、さらにメタノールで洗液が着色しな
くなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し、乾燥し、固
体電解コンデンサに適用する。
Ｑ錯塩の針状結晶が得られる。この結晶を少量のアセト
ニトリルで洗浄し、さらにメタノールで洗液が着色しな
くなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し、乾燥し、固
体電解コンデンサに適用する。
アミノグアニジウムＴＣＮＱｍ塩の比抵抗値は７．７１
［Ω・０℃コであった。
［Ω・０℃コであった。
［実施例］
次に、上述のようにして得たアミノグアニジウムＴＣＮ
Ｑ錯塩を電解コンデンサに適用した実施例について述べ
る。
Ｑ錯塩を電解コンデンサに適用した実施例について述べ
る。
アミノグアニジウムＴＣＮＱ錯塩をアセトニトリル中に
溶解し、飽和溶液とする１次に、この溶液中にコンデン
サ素子を浸漬し、その後５０〜６０［”Ｃ］で真空乾燥
を行い、溶媒のアセトニトリルを飛散させた。この操作
を３回繰返し行なった。コンデンサ素子は電極として表
面を約１０倍にエツチングしたアルミニウム箔を用い、
さらに表面を化成処理した酸化皮膜を形成したものであ
る。電解質の含浸後にコロイダルカーボンを塗布し、そ
の後に銀ペーストを塗布し、リード線をハンダ付けし、
外装することにより定格１．０［μＦ］の陽極に対して
１，１ ［μＦ］、損失４゜１ ［％］の固体電解コン
デンサを得た。
溶解し、飽和溶液とする１次に、この溶液中にコンデン
サ素子を浸漬し、その後５０〜６０［”Ｃ］で真空乾燥
を行い、溶媒のアセトニトリルを飛散させた。この操作
を３回繰返し行なった。コンデンサ素子は電極として表
面を約１０倍にエツチングしたアルミニウム箔を用い、
さらに表面を化成処理した酸化皮膜を形成したものであ
る。電解質の含浸後にコロイダルカーボンを塗布し、そ
の後に銀ペーストを塗布し、リード線をハンダ付けし、
外装することにより定格１．０［μＦ］の陽極に対して
１，１ ［μＦ］、損失４゜１ ［％］の固体電解コン
デンサを得た。
上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
（定格２５ ［Ｖ］ −１，０［ｕＦ］ ）（７）寿
命特性比較を第１表に示す、第１表中、静電容量値およ
び損失角の正接は周波数が１２０［Ｈｚ］での値である
。漏れ電流は、定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に
測定した値である。
（定格２５ ［Ｖ］ −１，０［ｕＦ］ ）（７）寿
命特性比較を第１表に示す、第１表中、静電容量値およ
び損失角の正接は周波数が１２０［Ｈｚ］での値である
。漏れ電流は、定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に
測定した値である。
Claims (1)
- （１）電解質としてアミノグアニジウム・７，７，８，
８−テトラシアノキノジメタン錯塩を用いたことを特徴
とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7749689A JPH02256219A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7749689A JPH02256219A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256219A true JPH02256219A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=13635584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7749689A Pending JPH02256219A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02256219A (ja) |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP7749689A patent/JPH02256219A/ja active Pending
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