JPH02292809A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、良好な皮膜修復性を有する7.7.8.8−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る. [従来の技術] 7.7.8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、T
CNQと略す)からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、TCNQをアニ才ン
とするT C N Q II塩(特開昭58−1914
14号)を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質
したものが良く知られている.なお、これらT C N
Q 錯塩のカチオンにおいて、そのN位は炭素数2〜
18までの中で選ばれたアルキル基で置換されている。
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る. [従来の技術] 7.7.8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、T
CNQと略す)からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、TCNQをアニ才ン
とするT C N Q II塩(特開昭58−1914
14号)を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質
したものが良く知られている.なお、これらT C N
Q 錯塩のカチオンにおいて、そのN位は炭素数2〜
18までの中で選ばれたアルキル基で置換されている。
T C N Ql塩を加熱融解し、冷却固化するという
方法は、エッチングを施されたアルミニウム箔あるいは
タンタル焼結体にT C N Q’!塩を融解状態で含
浸することができるので、好ましいものである.しかし
、その反面T C N Q m塩の融解温度が高温度で
あったり、または融解時間が長時間であると、有機半導
体であるT C N Q 錨塩が分解し、絶縁体に変質
してしまうものである.[発明の目的] 一方、本発明は比抵抗値が小さい値を有し,熱的にも安
定である新規有機半導体(新規化合物)としてのN一置
換−1−メチルインドールTCNQ錯塩を固体電解質と
したものである.これにより高性能で信頼性の高い固体
電解コンデンサを提供するものである. [発明の概要] 本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属(例えば、アルミニウム、タンタル,チタンおよ
びこれらの合金)を第1の電極とし、第2の電極(対極
)との間に直接あるいはセバレータを介在させてTCN
QI塩からなる固体電解質を有するものである.TCN
Q錯塩としては上述したようにN一置換−1−メチルイ
ンドールTCNQ錯塩である.ここで、N一置換−1−
メチルインドールTCNQ錯塩の構造式を示すと次のよ
うになる. N一置換−1−メチルインドールTCNQ錯塩の構造式 式[1]中、mは1モルの錯塩に含まれる中性7.7,
8.8−テトラシアノキノジメタンのモル故に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する.RはC.〜Ca
のアルキル基を示す.次に、N−メチル−1−メチルイ
ンドールTCNQ錨塩の合成方法について述べる。0.
0076モルの1−メチルインドールと0.0114モ
ルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜45[℃]に
ウォーターバスで熱して撹拌すると,4級化反応が起こ
る.この溶液を冷却して得られるヨウ化一N−メチル−
1−メチルインドールの0.0037モルをアセトニト
リルに沸騰状態で溶解し.0.0056モルのTCNQ
錯塩を溶解した沸騰状態のアセトニトリル溶液と混合す
る。
方法は、エッチングを施されたアルミニウム箔あるいは
タンタル焼結体にT C N Q’!塩を融解状態で含
浸することができるので、好ましいものである.しかし
、その反面T C N Q m塩の融解温度が高温度で
あったり、または融解時間が長時間であると、有機半導
体であるT C N Q 錨塩が分解し、絶縁体に変質
してしまうものである.[発明の目的] 一方、本発明は比抵抗値が小さい値を有し,熱的にも安
定である新規有機半導体(新規化合物)としてのN一置
換−1−メチルインドールTCNQ錯塩を固体電解質と
したものである.これにより高性能で信頼性の高い固体
電解コンデンサを提供するものである. [発明の概要] 本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属(例えば、アルミニウム、タンタル,チタンおよ
びこれらの合金)を第1の電極とし、第2の電極(対極
)との間に直接あるいはセバレータを介在させてTCN
QI塩からなる固体電解質を有するものである.TCN
Q錯塩としては上述したようにN一置換−1−メチルイ
ンドールTCNQ錯塩である.ここで、N一置換−1−
メチルインドールTCNQ錯塩の構造式を示すと次のよ
うになる. N一置換−1−メチルインドールTCNQ錯塩の構造式 式[1]中、mは1モルの錯塩に含まれる中性7.7,
8.8−テトラシアノキノジメタンのモル故に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する.RはC.〜Ca
のアルキル基を示す.次に、N−メチル−1−メチルイ
ンドールTCNQ錨塩の合成方法について述べる。0.
0076モルの1−メチルインドールと0.0114モ
ルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜45[℃]に
ウォーターバスで熱して撹拌すると,4級化反応が起こ
る.この溶液を冷却して得られるヨウ化一N−メチル−
1−メチルインドールの0.0037モルをアセトニト
リルに沸騰状態で溶解し.0.0056モルのTCNQ
錯塩を溶解した沸騰状態のアセトニトリル溶液と混合す
る。
その後、約lo時間、5℃で放置することにより、N−
メチル−1−メチルインドールTCNQ錯塩の針状結晶
が得られる。この結晶を少量のアセトニトリルで洗浄し
、さらにメタノールで洗液が着色しなくなるまで洗浄し
た後、エーテルで洗浄し、乾燥し、固体電解コンデンサ
に適用する.このN−メチル−1−メチルインドールT
CNQ錯塩の比抵抗値は6.70[Ω・cm]であった
. この合成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化
エチル、ヨウ化プロビル、ヨウ化ブチル・・・を使用す
れば、それぞれN一エチル−1−メチルインドールTC
NQ錯塩、N − n−プロビルーl−メチルインドー
ルTCNQ鐵塩、N一n−ブチルー1−メチルインドー
ルT C N Qt!塩・を得る. [実施例] 次に、上述のようにして得たN一置換−1−メチルイン
ドールTCNQ錯塩を電解コンデンサに適用した実施例
について述べる. (実施例1) N−メチル−1−メチルインドールTCNQI塩をアセ
トニトリル中に溶解し、飽和溶液とする.次に、この溶
液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後50〜60[”
C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリルを飛散さ
せた.この操作な3回繰返し行なった。コンデンサ素子
は電極として表面を約lO倍にエッチングしたアルミニ
ウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸化皮膜を形
成したものである.電解質の含浸後にコロイグルカーボ
ンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、リード線を
ハンダ付けし、外装することにより定格容量1.0[μ
F]の陽極に対して容量1.0[μFl.損失3.9[
%]の固体電解コンデンサを得た. 上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
(定格25 [V] − 1.0 [μF] )(7
)寿命特性比較を第1表に示す.第1表中,静電容量値
および損失角の正接は周波数が120[Hz ]での値
である.漏れ電流は、定格電圧(25 [V] )印加
1分後に測定した値である.引続き、本発明の他の実施
例について述べる9(実施例2) N−メチル−1−メチルインドールTCNQ錯塩とラク
トン系化合物、例えばγ−プチロラクトンの化合物40
[mg]を直径5.0 [mm]のアルミニウムケース
に充填し、L50[’C]まで約10秒で加熱し、溶解
した.その中にアルミニウム箔からなる陽極箔と陰極箔
をセパレー夕を介して巻回した巻取コンデンサ素子を浸
漬し、浸漬後約12秒で冷却した.なお、電解質の含浸
に先立ち、コンデンサ素子は150[”C]の温度まで
上昇させておいた.これにより、定格容N1.0[μF
]の陽極に対して容量1.0[μF]、損失3. 1
[%]の固体電解コンデンサを得た。
メチル−1−メチルインドールTCNQ錯塩の針状結晶
が得られる。この結晶を少量のアセトニトリルで洗浄し
、さらにメタノールで洗液が着色しなくなるまで洗浄し
た後、エーテルで洗浄し、乾燥し、固体電解コンデンサ
に適用する.このN−メチル−1−メチルインドールT
CNQ錯塩の比抵抗値は6.70[Ω・cm]であった
. この合成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化
エチル、ヨウ化プロビル、ヨウ化ブチル・・・を使用す
れば、それぞれN一エチル−1−メチルインドールTC
NQ錯塩、N − n−プロビルーl−メチルインドー
ルTCNQ鐵塩、N一n−ブチルー1−メチルインドー
ルT C N Qt!塩・を得る. [実施例] 次に、上述のようにして得たN一置換−1−メチルイン
ドールTCNQ錯塩を電解コンデンサに適用した実施例
について述べる. (実施例1) N−メチル−1−メチルインドールTCNQI塩をアセ
トニトリル中に溶解し、飽和溶液とする.次に、この溶
液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後50〜60[”
C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリルを飛散さ
せた.この操作な3回繰返し行なった。コンデンサ素子
は電極として表面を約lO倍にエッチングしたアルミニ
ウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸化皮膜を形
成したものである.電解質の含浸後にコロイグルカーボ
ンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、リード線を
ハンダ付けし、外装することにより定格容量1.0[μ
F]の陽極に対して容量1.0[μFl.損失3.9[
%]の固体電解コンデンサを得た. 上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
(定格25 [V] − 1.0 [μF] )(7
)寿命特性比較を第1表に示す.第1表中,静電容量値
および損失角の正接は周波数が120[Hz ]での値
である.漏れ電流は、定格電圧(25 [V] )印加
1分後に測定した値である.引続き、本発明の他の実施
例について述べる9(実施例2) N−メチル−1−メチルインドールTCNQ錯塩とラク
トン系化合物、例えばγ−プチロラクトンの化合物40
[mg]を直径5.0 [mm]のアルミニウムケース
に充填し、L50[’C]まで約10秒で加熱し、溶解
した.その中にアルミニウム箔からなる陽極箔と陰極箔
をセパレー夕を介して巻回した巻取コンデンサ素子を浸
漬し、浸漬後約12秒で冷却した.なお、電解質の含浸
に先立ち、コンデンサ素子は150[”C]の温度まで
上昇させておいた.これにより、定格容N1.0[μF
]の陽極に対して容量1.0[μF]、損失3. 1
[%]の固体電解コンデンサを得た。
[効果]
以上にて述べた本発明に係るN一置換−1−メチルイン
ドールT C N Q 錯塩は、熱安定性が高く、また
比抵抗値も小さい値の有機半導体を提供できるものであ
る,さらに、このN−置換−1−メチルインドールT
C N Q 8B塩を固体電解コンテンサの電解質とし
て用いた場合,第1表から分かるように寿命特性が優れ
た固体電解コンデンサを提供できるものである.
ドールT C N Q 錯塩は、熱安定性が高く、また
比抵抗値も小さい値の有機半導体を提供できるものであ
る,さらに、このN−置換−1−メチルインドールT
C N Q 8B塩を固体電解コンテンサの電解質とし
て用いた場合,第1表から分かるように寿命特性が優れ
た固体電解コンデンサを提供できるものである.
Claims (1)
- (1)電解質としてN−置換−1−メチルインドール・
7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン錯塩を用い
たことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11442789A JPH02292809A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11442789A JPH02292809A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292809A true JPH02292809A (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14637446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11442789A Pending JPH02292809A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02292809A (ja) |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11442789A patent/JPH02292809A/ja active Pending
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