JPH02256226A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02256226A JPH02256226A JP7920289A JP7920289A JPH02256226A JP H02256226 A JPH02256226 A JP H02256226A JP 7920289 A JP7920289 A JP 7920289A JP 7920289 A JP7920289 A JP 7920289A JP H02256226 A JPH02256226 A JP H02256226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clean bench
- heat treatment
- tube
- air
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ventilation (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、試料を熱処理装置へ挿入、又は熱処理装置
から引き出しを行うクリーンゾーン（熱処理装置に接続
されたクリーンペンチ）に関するものである。
から引き出しを行うクリーンゾーン（熱処理装置に接続
されたクリーンペンチ）に関するものである。
第２図は従来のクリーンベンチ装置の断面図、第３図は
第２図のクリーンベンチ装置の右側面断面図である。図
において、（１）はクリーンペンチ本体、（２）はフィ
ルター（３ンはファンで、ファン（３）によって空気を
吸い込み、フィルター（２ンを通し、清浄な′！！！気
をクリーンペンチ本体（１）内に送っている。
第２図のクリーンベンチ装置の右側面断面図である。図
において、（１）はクリーンペンチ本体、（２）はフィ
ルター（３ンはファンで、ファン（３）によって空気を
吸い込み、フィルター（２ンを通し、清浄な′！！！気
をクリーンペンチ本体（１）内に送っている。
更にクリーンベンチ装置を設置したクリーンルーム内（
クリーンベンチ本体（１）から出た空気を含む）の空気
も循環清浄化して使用していた。（４）は石英又はＳｉ
Ｃのチューブ、〈５）はステージ、（６）はスカベンジ
ャー、（７）はスカベンジャー（６）に取り付けられた
自動開閉可能なドアー、（８）はパドル又はフォーク、
（９）は試料、α０は試料（９）を置く台である。
クリーンベンチ本体（１）から出た空気を含む）の空気
も循環清浄化して使用していた。（４）は石英又はＳｉ
Ｃのチューブ、〈５）はステージ、（６）はスカベンジ
ャー、（７）はスカベンジャー（６）に取り付けられた
自動開閉可能なドアー、（８）はパドル又はフォーク、
（９）は試料、α０は試料（９）を置く台である。
次に動作ｔこりいて説明する。クリーンペンチ本体（１
）内でセットされた試料（９）はパドル又はフォーク（
８）などによってチューブ（４）：ζ挿入され熱処理さ
れる。チューブ（４）はドアー（７）によって区切られ
、スカベンジャー（６）によって排気される雰朋気に置
かれている。熱処理完了後、試料（９）はクリーンベン
チ本体（１）内に引き出さ・れる。クリーンベンチ本体
（１）内はステージ（５）によって上からゴミなどの落
下を防止する。
）内でセットされた試料（９）はパドル又はフォーク（
８）などによってチューブ（４）：ζ挿入され熱処理さ
れる。チューブ（４）はドアー（７）によって区切られ
、スカベンジャー（６）によって排気される雰朋気に置
かれている。熱処理完了後、試料（９）はクリーンベン
チ本体（１）内に引き出さ・れる。クリーンベンチ本体
（１）内はステージ（５）によって上からゴミなどの落
下を防止する。
従来のクリーンベンチ装置は以上のように構成されてい
るので、特に不純物熱処理の場合にチューブから試料の
引き出し時、ドアを囲くので排気が完全でなく、不純物
粒子が、他の製品に悪影響を及ぼすという問題点があり
、完全に排気できる構造にすることが必要である。また
試料をチューブへ挿入または引き出しの際、チューブ内
外気の回り込みが起こり、試料のしきい電圧の制御が悪
くなる問題があり、より安定したしきい電圧を得るには
外気の回り込みを防止する必要がある。
るので、特に不純物熱処理の場合にチューブから試料の
引き出し時、ドアを囲くので排気が完全でなく、不純物
粒子が、他の製品に悪影響を及ぼすという問題点があり
、完全に排気できる構造にすることが必要である。また
試料をチューブへ挿入または引き出しの際、チューブ内
外気の回り込みが起こり、試料のしきい電圧の制御が悪
くなる問題があり、より安定したしきい電圧を得るには
外気の回り込みを防止する必要がある。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、完全排気又は他からの影響を受けないと共に、
外気のｔｇｌり込みを完全防止できるクリーンベンチ装
置を得ることを目的とする。
もので、完全排気又は他からの影響を受けないと共に、
外気のｔｇｌり込みを完全防止できるクリーンベンチ装
置を得ることを目的とする。
この発明に係るクリーンベンチ装置は、各チューブごと
に熱処理エリアを分離し、自動開閉のシャッターを設け
、他のチューブ、装置への影響防止、他のチューブ、装
置からの影響防止をしたものである。また、各熱処理エ
リア別に専用排気口およびＮ２導入ラインを有し、各熱
処理エリア別にクリーンエアの送風、停止を自由に行え
るようにしたものである。
に熱処理エリアを分離し、自動開閉のシャッターを設け
、他のチューブ、装置への影響防止、他のチューブ、装
置からの影響防止をしたものである。また、各熱処理エ
リア別に専用排気口およびＮ２導入ラインを有し、各熱
処理エリア別にクリーンエアの送風、停止を自由に行え
るようにしたものである。
この発明におけるクリーンベンチ装置は、各熱処理エリ
ア別に密室をつくることにより、完全排気及び外気の影
響防止を行うことができる。
ア別に密室をつくることにより、完全排気及び外気の影
響防止を行うことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はクリーンベンチ装置の断面図である。
図はクリーンベンチ装置の断面図である。
図において、（４）、 （７）は第２図の従来例に示し
たものと同等である。（１ｍ）はクリーンベンチ本体、
（２ａ）はフィルタ、 （５ｍ）は各熱処理エリアを
分離するためのステージ、ａｌ）は自動開閉のシャッタ
ーでステージ（５ａ）と接続して密室を作る。＠は上記
密室内を排気するダクトである。ファン（３ａ）は各熱
処理エリア別にクリーンエアーの送風、停止が行う。
たものと同等である。（１ｍ）はクリーンベンチ本体、
（２ａ）はフィルタ、 （５ｍ）は各熱処理エリアを
分離するためのステージ、ａｌ）は自動開閉のシャッタ
ーでステージ（５ａ）と接続して密室を作る。＠は上記
密室内を排気するダクトである。ファン（３ａ）は各熱
処理エリア別にクリーンエアーの送風、停止が行う。
（至）はＮ、などの不活性ガス導入ラインであり、密閉
時に不活性ガスを流すことによりクリーンベンチ本体（
１ｍ）内を不活性雰囲気にする。
時に不活性ガスを流すことによりクリーンベンチ本体（
１ｍ）内を不活性雰囲気にする。
次に動作について説明する。
不純物熱処理において、シャッター（ロ）を閉にし、ダ
クト■を開にする。この状態でドアー（７）が開になり
、試料がチューブ（４）よりクリーンベンチ本体（１＆
）に引き出される。引き出し時に発生した不純物の微粒
子はクリーンベンチ本体（１ａ）外に出ることなくダク
ト＠にて完全排気され、不純物の微粒子が他の製品に付
着し悪影響を与えることはない。
クト■を開にする。この状態でドアー（７）が開になり
、試料がチューブ（４）よりクリーンベンチ本体（１＆
）に引き出される。引き出し時に発生した不純物の微粒
子はクリーンベンチ本体（１ａ）外に出ることなくダク
ト＠にて完全排気され、不純物の微粒子が他の製品に付
着し悪影響を与えることはない。
また、外気の回り込みの影響を受ける熱処理において、
シャッター＠を閉にし、ファン（３ｍ）を０ＦＦ（クリ
ーンエアーの送風を停止）にすると共に不活性ガス導入
ラインＱ１よりクリーンベンチ本体（１ａ）内にＮ２な
どの不活性ガスを流し、クリーンベンチ本体（１ｍ）内
を不活性状態にし、ドアー（７）を開きチューブ（４）
内に試料を挿入又はチューブ（４）から試料を引き出す
。
シャッター＠を閉にし、ファン（３ｍ）を０ＦＦ（クリ
ーンエアーの送風を停止）にすると共に不活性ガス導入
ラインＱ１よりクリーンベンチ本体（１ａ）内にＮ２な
どの不活性ガスを流し、クリーンベンチ本体（１ｍ）内
を不活性状態にし、ドアー（７）を開きチューブ（４）
内に試料を挿入又はチューブ（４）から試料を引き出す
。
なお、上記実施例では、不活性ガス導入する場合につい
て説明したが、ファン（３ａ）よｌ）Ｓ入してもよく、
また、第１図は４連炉の図面になっているが、１炉のみ
でも、他の連炉であってもよく←ない。上記実施例と同
様の効果を奏する。
て説明したが、ファン（３ａ）よｌ）Ｓ入してもよく、
また、第１図は４連炉の図面になっているが、１炉のみ
でも、他の連炉であってもよく←ない。上記実施例と同
様の効果を奏する。
以上のように、この発明によればクリーンベンチ装置を
密閉可能な構成にしたので、不純物微粒子の付着防止、
外回り込み防止が可能であり、精度の高い半導体素子が
得られる効果がある。
密閉可能な構成にしたので、不純物微粒子の付着防止、
外回り込み防止が可能であり、精度の高い半導体素子が
得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるクリーンベンチ装置
を示す断面図、第２図は従来のクリーンベンチ装置を示
す断面図、第３図は第２図のクリーンベンチ装置の右側
面断面図である。 図において、（１ｍ）はクリーンベンチ本体、（２ｍ）
はフイＪレター、（３ｍ）はファン、（４）はチューブ
、（５ａ）はステージ、（７）はドアー、（ロ）はシャ
ッター、（６）はダクト、（至）は不活性ガス導入ライ
ンである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す断面図、第２図は従来のクリーンベンチ装置を示
す断面図、第３図は第２図のクリーンベンチ装置の右側
面断面図である。 図において、（１ｍ）はクリーンベンチ本体、（２ｍ）
はフイＪレター、（３ｍ）はファン、（４）はチューブ
、（５ａ）はステージ、（７）はドアー、（ロ）はシャ
ッター、（６）はダクト、（至）は不活性ガス導入ライ
ンである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 熱処理装置に接続されたクリーンベンチ装置において、
各熱処理エリアごとに開放、密閉機能とを備え、上記熱
処理エリアごとに排気、不活性ガス導入ラインを備え、
上記熱処理エリアごとにクリーンエアーの送風、停止が
可能なことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7920289A JPH02256226A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7920289A JPH02256226A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256226A true JPH02256226A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=13683369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7920289A Pending JPH02256226A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02256226A (ja) |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP7920289A patent/JPH02256226A/ja active Pending
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