JPH02264942A - マイクロステップタブレットおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロステップタブレットおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02264942A JPH02264942A JP8744089A JP8744089A JPH02264942A JP H02264942 A JPH02264942 A JP H02264942A JP 8744089 A JP8744089 A JP 8744089A JP 8744089 A JP8744089 A JP 8744089A JP H02264942 A JPH02264942 A JP H02264942A
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- Japan
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- resist
- resist layer
- light
- metal
- microstep
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、感光材料の感度および解像力の評価を行う場
合に用いられるマイクロステップタブレットに関するも
のである。
合に用いられるマイクロステップタブレットに関するも
のである。
[従来の技術]
従来、写真感光材料、あるいはフォトリソグラフィーに
用いられる感光材料の感度の評価を行うについては、光
学濃度をステップ状に変えたグレースケールを使用し、
当該グレースケールの各ステップの露光nに応じた光学
濃度、残膜厚等を測定し、それらの測定値を露光量の対
数に対してプロットした特性曲線によって行われている
。
用いられる感光材料の感度の評価を行うについては、光
学濃度をステップ状に変えたグレースケールを使用し、
当該グレースケールの各ステップの露光nに応じた光学
濃度、残膜厚等を測定し、それらの測定値を露光量の対
数に対してプロットした特性曲線によって行われている
。
また、フォトリングラフイー技術を応用した加工や半導
体デバイス、IC1LSI等の製造の際に、その回路パ
ターンのフォトレジストへの露光、転写のための最適条
件は、銀塩写真で製造されているグレースケールとフォ
トマスクパターンとを重ね合わせ、グレースケールの各
ステップによるパターンの解像度の度合を測定すること
で決められていた。
体デバイス、IC1LSI等の製造の際に、その回路パ
ターンのフォトレジストへの露光、転写のための最適条
件は、銀塩写真で製造されているグレースケールとフォ
トマスクパターンとを重ね合わせ、グレースケールの各
ステップによるパターンの解像度の度合を測定すること
で決められていた。
しかし、このような銀塩写真により製造されたグレース
ケールを使用した場合には、グレースケールの各ステッ
プの境界が不鮮明であるため、作業性が劣るものであっ
た。
ケールを使用した場合には、グレースケールの各ステッ
プの境界が不鮮明であるため、作業性が劣るものであっ
た。
それに対して、本出願人は、先に、透明基板上に、シリ
コンと、シリコン酸化膜の混合物を主成分とした着色透
明薄膜に線幅の異なる複数本の線状パターンを1線とす
る複数組のパターンを解像度パターンとして設け、該解
像度パターンの光学濃度が互いに所定濃度だけ異なるよ
うにし、感光材料の解像性と、感光特性を同時に測定で
きるようにしたマイクロステップタブレットを1是案じ
た(例えば、特開昭57−41637号公報参照)。そ
の概略を第2図を参照して説明する。
コンと、シリコン酸化膜の混合物を主成分とした着色透
明薄膜に線幅の異なる複数本の線状パターンを1線とす
る複数組のパターンを解像度パターンとして設け、該解
像度パターンの光学濃度が互いに所定濃度だけ異なるよ
うにし、感光材料の解像性と、感光特性を同時に測定で
きるようにしたマイクロステップタブレットを1是案じ
た(例えば、特開昭57−41637号公報参照)。そ
の概略を第2図を参照して説明する。
第2図において、透明基板11上には、シリコンとシリ
コン酸化物の混合物を主成分とするシリコン系無機レジ
スト膜が真空蒸着等により形成されており、更に、当該
無機レジスト膜には電子線照射装置により、図中12.
13.14.15および16で示す、長さが11程度で
、線幅がそれぞれ1μm12μrrh 3μrl’h
4μms 5μmのパターンを1組(以下、この
組をステップと称す)として複数組のパターンが描画さ
れている。そして、当該パターンを描画するについては
、電子線の照射量は各組毎に変えられている。
コン酸化物の混合物を主成分とするシリコン系無機レジ
スト膜が真空蒸着等により形成されており、更に、当該
無機レジスト膜には電子線照射装置により、図中12.
13.14.15および16で示す、長さが11程度で
、線幅がそれぞれ1μm12μrrh 3μrl’h
4μms 5μmのパターンを1組(以下、この
組をステップと称す)として複数組のパターンが描画さ
れている。そして、当該パターンを描画するについては
、電子線の照射量は各組毎に変えられている。
次に、電子線照射後の基板を適当な腐食液によりエツチ
ング処理し、電子線照射部分を無機レジスト膜によって
パターン化すると、各組のパターンは電子線照射量に応
じて種々の膜厚で残膜することになる。/リコン系無機
レジストの膜厚と光学l】度は、波長が400nm以下
では比例するので、各組のパターンの光学濃度は電子線
照射装置により任意に設定可能であり、例えば、第2図
において8ステツプを形成するとすると、これらステッ
プのパターンの光学濃度を順次0. 2. 0゜6、
1. 0. 1. 4. 1. 8. 2. 2. 2
あ 613.0というようにすることができる。
ング処理し、電子線照射部分を無機レジスト膜によって
パターン化すると、各組のパターンは電子線照射量に応
じて種々の膜厚で残膜することになる。/リコン系無機
レジストの膜厚と光学l】度は、波長が400nm以下
では比例するので、各組のパターンの光学濃度は電子線
照射装置により任意に設定可能であり、例えば、第2図
において8ステツプを形成するとすると、これらステッ
プのパターンの光学濃度を順次0. 2. 0゜6、
1. 0. 1. 4. 1. 8. 2. 2. 2
あ 613.0というようにすることができる。
以上のようにして製造したマイクロステップタブレット
パターンを用いることにより、フォトマスクの製造、あ
るいは半導体デバイス、IC,LSIの製造時に用いる
感光材料の解像性、感度等の特性を正確に把握し、製造
プロセスの条件を迅速、正確に行うことが可能となる。
パターンを用いることにより、フォトマスクの製造、あ
るいは半導体デバイス、IC,LSIの製造時に用いる
感光材料の解像性、感度等の特性を正確に把握し、製造
プロセスの条件を迅速、正確に行うことが可能となる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記のマイクロステップタブレットは、
透明基板上にレジスト膜を形成して製造するために、露
光、転写等の作業時にキズがつきやすく、作業性が劣る
ものであった。
透明基板上にレジスト膜を形成して製造するために、露
光、転写等の作業時にキズがつきやすく、作業性が劣る
ものであった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、透明基板上に形成する膜を、乳剤やレノスト
に代えて、フォトマスク等に用いられる遮光性の金属を
主成分とする薄膜とし、当該薄膜で管理用ゲージを形成
することに゛より、上記の課題を解決するものであって
、乳剤やレジストに比較して傷のつきにくい遮光性の金
属を主成分とする薄膜自体に管理用ゲージの機能を持た
せることを要旨とするものである。
に代えて、フォトマスク等に用いられる遮光性の金属を
主成分とする薄膜とし、当該薄膜で管理用ゲージを形成
することに゛より、上記の課題を解決するものであって
、乳剤やレジストに比較して傷のつきにくい遮光性の金
属を主成分とする薄膜自体に管理用ゲージの機能を持た
せることを要旨とするものである。
本発明では、透明基板上に、順次、遮光性の金属を主成
分とする薄膜(以下、金属薄膜と称す)、第1のレジス
ト層、および第2のレジスト層を形成した基板を用いる
。金属薄膜に用いる金属としては、クロム(Cr)等の
遮光性を宵する金属の金属単体、金属酸化物、金属窒化
物、金属珪化物、もしくはこれらの積層体または混合物
を用いることができる。第1のレジスト層に使用するレ
ジストとしては、ゼラチンとF egosを主成分とし
、K2Orgoフを含宵する光硬化性ネガレジスト、も
しくはジアゾ系レジストを使用することができ、また、
第2のレジスト層に使用するレジストとしては、光感光
性レジストまたは電子線レジストを使用することができ
る。
分とする薄膜(以下、金属薄膜と称す)、第1のレジス
ト層、および第2のレジスト層を形成した基板を用いる
。金属薄膜に用いる金属としては、クロム(Cr)等の
遮光性を宵する金属の金属単体、金属酸化物、金属窒化
物、金属珪化物、もしくはこれらの積層体または混合物
を用いることができる。第1のレジスト層に使用するレ
ジストとしては、ゼラチンとF egosを主成分とし
、K2Orgoフを含宵する光硬化性ネガレジスト、も
しくはジアゾ系レジストを使用することができ、また、
第2のレジスト層に使用するレジストとしては、光感光
性レジストまたは電子線レジストを使用することができ
る。
上記の基板に対して、電子線または光により1回目の露
光、現像を行うことにより第2のレジスト層にパターン
を形成し、次いで、第1のレジスト層を光にて、露光量
を種々に変えて2回目の露光、現像を行って第1のレジ
スト層に膜厚差のあるパターンを形成し、次いで、エツ
チングにより金属薄膜に膜厚差のあるパターンを形成す
る。即ち、第1のレジスト層に形成されたパターンには
膜厚差を生じているので、当該膜厚差によってエツチン
グ液の浸透性に差が生じ、金属薄膜には膜厚差のあるパ
ターンが形成されることになるのである。
光、現像を行うことにより第2のレジスト層にパターン
を形成し、次いで、第1のレジスト層を光にて、露光量
を種々に変えて2回目の露光、現像を行って第1のレジ
スト層に膜厚差のあるパターンを形成し、次いで、エツ
チングにより金属薄膜に膜厚差のあるパターンを形成す
る。即ち、第1のレジスト層に形成されたパターンには
膜厚差を生じているので、当該膜厚差によってエツチン
グ液の浸透性に差が生じ、金属薄膜には膜厚差のあるパ
ターンが形成されることになるのである。
なお、第1のレジスト層に使用するレジストの感度と、
第2のレジスト層に使用するレジストの感度は異ならせ
る必要がある。例えば、第1のレジスト層に使用するレ
ジストの感度を、第2のレジスト層に使用するレジスト
の感度より低くすることにより、1回目の露光の際に、
第1のレジスト裔のレジストへの影響を小さくすること
ができるものである。
第2のレジスト層に使用するレジストの感度は異ならせ
る必要がある。例えば、第1のレジスト層に使用するレ
ジストの感度を、第2のレジスト層に使用するレジスト
の感度より低くすることにより、1回目の露光の際に、
第1のレジスト裔のレジストへの影響を小さくすること
ができるものである。
上記のパターンを、解像度パターンおよびステップタブ
レットパターンとすることにより、それぞれが所定の光
学濃度を宵する複数の解像度パターンおよびステップタ
ブレットを透明基板上に形成することができる。
レットパターンとすることにより、それぞれが所定の光
学濃度を宵する複数の解像度パターンおよびステップタ
ブレットを透明基板上に形成することができる。
[作用コ
上述したように、不発 においては、透明基板上に形成
した金属薄膜で管理用ゲージパターンを形成するため、
傷がつきにくく丈夫であり、且つ、各ステップの境界が
鮮明である。
した金属薄膜で管理用ゲージパターンを形成するため、
傷がつきにくく丈夫であり、且つ、各ステップの境界が
鮮明である。
しかも、複数の所定の光学濃度を有する解像度パターン
およびステップタブレットを形成できるために、感光材
料の解像性と感光特性とを同時に測定することができる
。
およびステップタブレットを形成できるために、感光材
料の解像性と感光特性とを同時に測定することができる
。
[実施例コ
上記の本発明の実施例を図面を参照して、更に詳細に説
明する。
明する。
まず、本発明に用いられる基板は、第1図(a)に示す
ように、透明基板1上に、金属薄膜2、水溶性レジスト
層3および電子線レジスト層4により構成される。ここ
で、透明基板1としては膨張係数の低い石英ガラスを使
用した。金属薄膜2は、スパッタ法により成膜したC
r x Ov + Crの遮光層であり、膜厚は100
OAである。また、水溶性レジスト層3は、ゼラチンの
中にFegosを90%以上含有したものと、K2Or
aovを混合し、塗布したフォトレジスト層で、膜厚は
20μmである。電子線レジスト層4は、ノボラック系
高分子を主成分とするレジスト(商品名二富士ハント製
LMR−33)を、スピンナー塗布した後、60℃、3
0分間プリベーキングして形成した層であり、膜厚は0
. 5μmである。
ように、透明基板1上に、金属薄膜2、水溶性レジスト
層3および電子線レジスト層4により構成される。ここ
で、透明基板1としては膨張係数の低い石英ガラスを使
用した。金属薄膜2は、スパッタ法により成膜したC
r x Ov + Crの遮光層であり、膜厚は100
OAである。また、水溶性レジスト層3は、ゼラチンの
中にFegosを90%以上含有したものと、K2Or
aovを混合し、塗布したフォトレジスト層で、膜厚は
20μmである。電子線レジスト層4は、ノボラック系
高分子を主成分とするレジスト(商品名二富士ハント製
LMR−33)を、スピンナー塗布した後、60℃、3
0分間プリベーキングして形成した層であり、膜厚は0
. 5μmである。
次に、本発明のマイクロステップタブレットの製造方法
を説明する。
を説明する。
第1図(a)に示す基板に電子線描画により所定のパタ
ーンを描画し、宵機アルカリ系の現像液に2分間浸漬し
て現像し、その後、純水にて30秒浸漬してリンスし、
第1図(b)に示す電子線レジストパターンを得た。
ーンを描画し、宵機アルカリ系の現像液に2分間浸漬し
て現像し、その後、純水にて30秒浸漬してリンスし、
第1図(b)に示す電子線レジストパターンを得た。
次に第1図(b)に示す基板を、350nm〜400n
mの間に主波長のある紫外線により、露光時間を変え、
種々の露光量にて露光した後、40℃の温湯で現像し、
温風乾燥することによって、第1図(C)に示すような
膜厚差のある水溶性レジストパターンを形成した。この
ように水溶性レジストパターンに膜厚差が生じるのは、
水溶性レジストに含まれているKsCreovの作用に
より、露光部は、露光量、露光時間によって光硬化反応
がコントロールされ、未露光部は、現像温度、現像時間
によって溶解量がコントロールされるからである。
mの間に主波長のある紫外線により、露光時間を変え、
種々の露光量にて露光した後、40℃の温湯で現像し、
温風乾燥することによって、第1図(C)に示すような
膜厚差のある水溶性レジストパターンを形成した。この
ように水溶性レジストパターンに膜厚差が生じるのは、
水溶性レジストに含まれているKsCreovの作用に
より、露光部は、露光量、露光時間によって光硬化反応
がコントロールされ、未露光部は、現像温度、現像時間
によって溶解量がコントロールされるからである。
次に、第1図(C)に示す基板を、硝酸第2セリウムア
ンモンを主成分とするエツチング液を用いて浸漬エツチ
ングし、第1図(d)に示すように、水溶性レジストパ
ターンの膜厚差に応じた膜厚ををする金属薄膜パターン
を形成した。このように金属薄膜に膜厚差が生じるのは
、エツチングを進行させると、水溶性レジストの膜厚差
によりエツチング液の浸透に時間差が生じるためである
。
ンモンを主成分とするエツチング液を用いて浸漬エツチ
ングし、第1図(d)に示すように、水溶性レジストパ
ターンの膜厚差に応じた膜厚ををする金属薄膜パターン
を形成した。このように金属薄膜に膜厚差が生じるのは
、エツチングを進行させると、水溶性レジストの膜厚差
によりエツチング液の浸透に時間差が生じるためである
。
最後に、第1図(d)に示す基板を、酸素プラズマアッ
シングまたは75°CのHe S Osに10分浸漬す
ることにとって、電子線レジスト層4および水溶性レジ
スト層3を除去、剥離し、第1図(e)に示すマイクロ
ステップタブレットのパターンを形成した。なお、第1
図(e)において、5で示すパターン部には、光学濃度
が同じで線幅のみが異なる3つのパターン5++ 5
t、 Stが形成されており、同図の6および7で示
すパターン部にも同様に、光学濃度が同じで線幅のみが
異なる3つのパターン61.62.63.71.72.
73がそれぞれ形成されている。そして、同じ添字が付
されているパターン、即ち、5++ 6++ Lの
線幅は等しくなされている。このようなパターンにより
、感光材料の解像度と感光特性とを同時に測定できるも
のである。
シングまたは75°CのHe S Osに10分浸漬す
ることにとって、電子線レジスト層4および水溶性レジ
スト層3を除去、剥離し、第1図(e)に示すマイクロ
ステップタブレットのパターンを形成した。なお、第1
図(e)において、5で示すパターン部には、光学濃度
が同じで線幅のみが異なる3つのパターン5++ 5
t、 Stが形成されており、同図の6および7で示
すパターン部にも同様に、光学濃度が同じで線幅のみが
異なる3つのパターン61.62.63.71.72.
73がそれぞれ形成されている。そして、同じ添字が付
されているパターン、即ち、5++ 6++ Lの
線幅は等しくなされている。このようなパターンにより
、感光材料の解像度と感光特性とを同時に測定できるも
のである。
[発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、金属
薄膜上にマイクロステップタブレットのパターンを形成
するため、■各ステップの境界が鮮明である、■金属薄
膜であるため、傷もつきにくい、■段階的な光学濃度を
有する超微細なパターンを形成できる、■パターン形成
のための露光光源が限定されず、紫外線、電子線、・X
線等任意の光源を使用できる、という利点を有するもの
である。
薄膜上にマイクロステップタブレットのパターンを形成
するため、■各ステップの境界が鮮明である、■金属薄
膜であるため、傷もつきにくい、■段階的な光学濃度を
有する超微細なパターンを形成できる、■パターン形成
のための露光光源が限定されず、紫外線、電子線、・X
線等任意の光源を使用できる、という利点を有するもの
である。
第1図は本発明に係るマイクロステップタブレットの製
造方法を示す断面図、第2図は従来のマイクロステップ
タブレットおよびその製造方法を説明するための図であ
る。 1・・・透明基板、2・・・金属薄膜、3・・・水溶性
レジスト層、4・・・電子線レジスト層。 第2図 出 願 人 大日本印刷株式会社
造方法を示す断面図、第2図は従来のマイクロステップ
タブレットおよびその製造方法を説明するための図であ
る。 1・・・透明基板、2・・・金属薄膜、3・・・水溶性
レジスト層、4・・・電子線レジスト層。 第2図 出 願 人 大日本印刷株式会社
Claims (5)
- (1)透明基板上に形成した遮光性の金属を主成分とす
る金属薄膜の膜厚に差を設け、互いに異なる所定の光学
濃度を有する複数組の解像度パターンおよびステップタ
ブレットを形成することを特徴とするマイクロステップ
タブレット。 - (2)前記金属薄膜が、遮光性を有する金属の金属単体
、金属酸化物、金属窒化物、金属珪化物、もしくはこれ
らの積層体または混合物であることを特徴とする請求項
1記載のマイクロステップタブレット。 - (3)次の工程よりなるマイクロステップタブレットの
製造方法。 イ、透明基板上に、遮光性の金属を主成分とする金属薄
膜を形成する第1の工程 ロ、前記遮光性の金属を主成分とする金属薄膜上に水溶
性レジストからなる第1のレジス ト層を形成する第2の工程 ハ、前記第1のレジスト層上に光感光性レジストまたは
電子線レジストからなる第2のレ ジスト層を形成する第3の工程 ニ、所定の波長の光または電子線により所定のパターン
を露光し、前記第2のレジスト層 のみを現像して、前記第2のレジスト層に のみ所定のパターンを形成する第4の工程 ホ、前記第4の工程で得た第2のレジスト層のパターン
をマスクとして、前記第1のレジ スト層を所定の波長の光により、種々の露 光量で露光した後、現像して、前記露光量 の差に応じた膜厚差を有するパターンを前 記第1のレジスト層に形成する第5の工程 へ、前記第5の工程で得た基板を所定のエッチング液で
エッチングすることにより、前記 第1のレジスト層の膜厚差に応じた膜厚を 有するパターンを前記遮光性の金属を主成 分とする金属薄膜に形成する第6の工程 - (4)前記第1の工程の遮光性の金属を主成分とする金
属薄膜の形成は、スパッタ法または蒸着法により行うこ
とを特徴とする請求項3記載のマイクロステップタブレ
ットの製造方法。 - (5)前記第1のレジスト層は、ゼラチンとFe_2O
_3を主成分とし、K_2Cr_2O_7を含有する光
硬化型ネガレジストまたはジアゾ系レジストを塗布後、
プリベークすることにより形成されることを特徴とする
請求項3または4記載のマイクロステップタブレットの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744089A JPH02264942A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マイクロステップタブレットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8744089A JPH02264942A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マイクロステップタブレットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264942A true JPH02264942A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13914918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8744089A Pending JPH02264942A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | マイクロステップタブレットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02264942A (ja) |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8744089A patent/JPH02264942A/ja active Pending
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