JPH02266602A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
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- JPH02266602A JPH02266602A JP1089216A JP8921689A JPH02266602A JP H02266602 A JPH02266602 A JP H02266602A JP 1089216 A JP1089216 A JP 1089216A JP 8921689 A JP8921689 A JP 8921689A JP H02266602 A JPH02266602 A JP H02266602A
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- JP
- Japan
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- switching element
- signal
- high frequency
- power supply
- capacitor
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばテレビジョン受像機等に内蔵される
映像分野の高周波増幅装置に関するものである。
映像分野の高周波増幅装置に関するものである。
近年、例えばテレビジョン受像機に内蔵される高周波増
幅装置は、映像分野の発達につれて益々高性能化が要求
されている。
幅装置は、映像分野の発達につれて益々高性能化が要求
されている。
以下図面を参照しながら、従来の高周波増幅装置の一例
について説明する。
について説明する。
第2図に従来の高周波増幅装置(ダブルバランスミキサ
回路も含む)の−例の回路図を示す。
回路も含む)の−例の回路図を示す。
この第2図の高周波増幅装置は、信号入力端子CからV
HF入力信号がゲートG1に供給されるデュアルゲート
タイプの高周波増幅用の電界効果トランジスタlのドレ
インDをスイッチング素子3とチラークコイルlOとを
この順に介してVHF電源端子已に接続している。また
、信号入力端子BからUHF入力信号がゲートG1に供
給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の電界効
果トランジスタ2のドレインDをスイッチング素子4と
高周波コイル14とチョークコイル11とをこの順に介
してUHFit源端子Fに接続している。
HF入力信号がゲートG1に供給されるデュアルゲート
タイプの高周波増幅用の電界効果トランジスタlのドレ
インDをスイッチング素子3とチラークコイルlOとを
この順に介してVHF電源端子已に接続している。また
、信号入力端子BからUHF入力信号がゲートG1に供
給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の電界効
果トランジスタ2のドレインDをスイッチング素子4と
高周波コイル14とチョークコイル11とをこの順に介
してUHFit源端子Fに接続している。
さらに、スイッチング素子3およびチラークコイル10
の接続点と高周波コイル14およびチョークコイル11
の接続点との間にコンデンサ12および抵抗13の直列
回路を接続している。
の接続点と高周波コイル14およびチョークコイル11
の接続点との間にコンデンサ12および抵抗13の直列
回路を接続している。
なお、高周波増幅装置において、Zは電界効果トランジ
スタlのゲートG2に接続されたへ〇〇信号入力端子、
Yは電界効果トランジスタ2のゲ−)G2に接続された
AGC信号入力端子である。
スタlのゲートG2に接続されたへ〇〇信号入力端子、
Yは電界効果トランジスタ2のゲ−)G2に接続された
AGC信号入力端子である。
5〜8はそれぞれ1氏抗、9はコンデンサである。
そして、高周波増幅装置における高周波コイル14およ
びスイッチング素子4の接続点を高周波コイル15.コ
ンデンサ16.17よりなるフィルタ回路を介してダブ
ルバランスミキサ回路MXの高周波信号入力用のバラン
トランス18の入力端子に接続している。
びスイッチング素子4の接続点を高周波コイル15.コ
ンデンサ16.17よりなるフィルタ回路を介してダブ
ルバランスミキサ回路MXの高周波信号入力用のバラン
トランス18の入力端子に接続している。
上記のダブルバランスミキサ回路MXは、例えば特開昭
61−15426号公報に記載されてきるように、公知
のもので、混合用の4個の電界効果トランジスタ21〜
24と高周波信号入力用のバラントランス18と中間周
波信号出力用のバラントランス25と局部発振信号入力
用のバラントランス2Bとコンデンサ19,26.27
.29゜30と抵抗20とバイアス電圧■、を有するバ
イアス電源31とで構成されている。Gは例えば+12
vの電圧を加えるバイアス電源端子、Iは局部発振信号
入力端子、Hは950 MHz帯の中間周波信号出力端
子である。
61−15426号公報に記載されてきるように、公知
のもので、混合用の4個の電界効果トランジスタ21〜
24と高周波信号入力用のバラントランス18と中間周
波信号出力用のバラントランス25と局部発振信号入力
用のバラントランス2Bとコンデンサ19,26.27
.29゜30と抵抗20とバイアス電圧■、を有するバ
イアス電源31とで構成されている。Gは例えば+12
vの電圧を加えるバイアス電源端子、Iは局部発振信号
入力端子、Hは950 MHz帯の中間周波信号出力端
子である。
この高周波増幅装置では、VHF信号選択時にスイッチ
ング素子3を導通させるとともにスイッチング素子4を
遮断させ、UHF信号選択時にスイッチング素子4を導
通させるとともにスイッチング素子3を遮断させるよう
にしている。この場合、スイッチング素子3.4である
スイッチングダイオードの導通・遮断は、VHFHF電
源端子上びUHFTa源端子Fに印加する電源電圧を変
化させることで制御するようになっている。
ング素子3を導通させるとともにスイッチング素子4を
遮断させ、UHF信号選択時にスイッチング素子4を導
通させるとともにスイッチング素子3を遮断させるよう
にしている。この場合、スイッチング素子3.4である
スイッチングダイオードの導通・遮断は、VHFHF電
源端子上びUHFTa源端子Fに印加する電源電圧を変
化させることで制御するようになっている。
具体的には、VHF111端子Eへの印加電圧を例えば
+12VにするとともにUHF電源端子Fへの印加電圧
を例えば0■にすることで、スイッチング素子3を導通
させるとともにスイッチング素子4を遮断させる。また
、UHF電源端子Fへの印加電圧を例えば+12Vにす
るとともにVHFHF電源端子上印加電圧を例えばOv
にすることで、スイッチング素子4を導通させるととも
にスイッチング素子3を遮断させる。上記において、V
HFtl源端子EおよびUHF電源端子Fに印加する電
源電圧は、いずれか一方への印加電圧が例えば+12V
となると、他方は必ずOvとなるように設定されている
。
+12VにするとともにUHF電源端子Fへの印加電圧
を例えば0■にすることで、スイッチング素子3を導通
させるとともにスイッチング素子4を遮断させる。また
、UHF電源端子Fへの印加電圧を例えば+12Vにす
るとともにVHFHF電源端子上印加電圧を例えばOv
にすることで、スイッチング素子4を導通させるととも
にスイッチング素子3を遮断させる。上記において、V
HFtl源端子EおよびUHF電源端子Fに印加する電
源電圧は、いずれか一方への印加電圧が例えば+12V
となると、他方は必ずOvとなるように設定されている
。
以上のように構成された高周波増幅装置について、以下
にその動作を説明する。
にその動作を説明する。
まず、VHF入力信号が信号入力端子Cに加えられ、U
HF入力信号が信号入力端子Bに加えられる。
HF入力信号が信号入力端子Bに加えられる。
まず、VHF信号選択時は、VHFHF電源端子上印加
電圧が例えば+12VになるとともにUl(F電源端子
Fへの印加電圧が例えばOvになる。
電圧が例えば+12VになるとともにUl(F電源端子
Fへの印加電圧が例えばOvになる。
この結果、スイッチング素子3が順バイアスとなって導
通し、スイッチング素子4が逆バイアスとなって遮断す
る。したがって、電界効果トランジスタlのみが高周波
増幅動作を行い、VHF入力信号を増幅してなる信号が
スイッチング素子3とコンデンサ12.抵抗13および
高周波コイル14の直列共振回路を通過する。この直列
共振回路は、共振周波数が例えば200MHz帯に設定
され、抵抗13(ダンピング抵抗で、実際には抵抗値が
例えば100程度のものを使用している)により、20
0MHz帯においても利得が向上する。
通し、スイッチング素子4が逆バイアスとなって遮断す
る。したがって、電界効果トランジスタlのみが高周波
増幅動作を行い、VHF入力信号を増幅してなる信号が
スイッチング素子3とコンデンサ12.抵抗13および
高周波コイル14の直列共振回路を通過する。この直列
共振回路は、共振周波数が例えば200MHz帯に設定
され、抵抗13(ダンピング抵抗で、実際には抵抗値が
例えば100程度のものを使用している)により、20
0MHz帯においても利得が向上する。
上記直列共振回路を通過した信号は、さらに高周波コイ
ル15およびコンデンサ16,1.7よりなるフィルタ
回路を通してダブルバランスミキサ回路MXの高周波信
号入力用のバラントランス18の入力端子へ供給される
。この結果、増幅されたVHF信号は、ダブルバランス
ミキサ回路MXで局部発振信号入力端子Iから加えられ
る局部発振信号と混合され、中間周波信号出力端子Hか
ら950MHz帯の中間周波信号が取り出されることに
なる。
ル15およびコンデンサ16,1.7よりなるフィルタ
回路を通してダブルバランスミキサ回路MXの高周波信
号入力用のバラントランス18の入力端子へ供給される
。この結果、増幅されたVHF信号は、ダブルバランス
ミキサ回路MXで局部発振信号入力端子Iから加えられ
る局部発振信号と混合され、中間周波信号出力端子Hか
ら950MHz帯の中間周波信号が取り出されることに
なる。
つぎに、U HF信号選択時は、[J HF電源端子F
への印加電圧が例えば+12VになるとともにVHF電
源端子Eへの印加電圧が例えばOVになる。この結果、
スイッチング素子4が順バイアスとなって導通し、スイ
ッチング素子3が逆バイアスとなって遮断する。したが
って、電界効果トランジスタ2のみが高周波増幅動作を
行い、UHF入力信号を増幅してなる信号がスイッチン
グ素子4を通し、さらに高周波コイル15およびコンデ
ンサ16.17よりなるフィルタ回路を通してダブルバ
ランスミキサ回路MXの高周波信号入力用のバラントラ
ンス18の入力端子へ供給される。
への印加電圧が例えば+12VになるとともにVHF電
源端子Eへの印加電圧が例えばOVになる。この結果、
スイッチング素子4が順バイアスとなって導通し、スイ
ッチング素子3が逆バイアスとなって遮断する。したが
って、電界効果トランジスタ2のみが高周波増幅動作を
行い、UHF入力信号を増幅してなる信号がスイッチン
グ素子4を通し、さらに高周波コイル15およびコンデ
ンサ16.17よりなるフィルタ回路を通してダブルバ
ランスミキサ回路MXの高周波信号入力用のバラントラ
ンス18の入力端子へ供給される。
この結果、増幅されたUHF信号は、V HF信号と同
様に中間周波信号に変換されて中間周波信号出力端子1
1から取り出されることになる。
様に中間周波信号に変換されて中間周波信号出力端子1
1から取り出されることになる。
しかしながら、上記のような構成では、VHF入力信号
を選択した時に、300〜450MHz帯は直列共振回
路のピークから外れるため、300〜450MHz帯の
信号が直列共振回路を通過する際の利得は、200M)
Iz帯の信号の利得に比べて小さくなる。
を選択した時に、300〜450MHz帯は直列共振回
路のピークから外れるため、300〜450MHz帯の
信号が直列共振回路を通過する際の利得は、200M)
Iz帯の信号の利得に比べて小さくなる。
このうえ、バラントランス18ないしコンデンサ26等
で構成されるダブルバランスミキサ回路MXは、電界効
果トランジスタ21〜24のソースのインピーダンスが
抵抗成分ではないため、信号通過線路のインピーダンス
とのマツチング状態により、周波数−振幅特性が変化し
、この従来例では200〜450M1lz帯で利得が低
下するようになる。このため、この帯域でダブルバラン
スミキサ回路MXとの結合の際に損失が増加するという
課題があった。第3図はその状態を示す変換利得の周波
数特性であり、300MHzから450MHzの範囲の
領域Xの部分が特に損失の大きい部分である。
で構成されるダブルバランスミキサ回路MXは、電界効
果トランジスタ21〜24のソースのインピーダンスが
抵抗成分ではないため、信号通過線路のインピーダンス
とのマツチング状態により、周波数−振幅特性が変化し
、この従来例では200〜450M1lz帯で利得が低
下するようになる。このため、この帯域でダブルバラン
スミキサ回路MXとの結合の際に損失が増加するという
課題があった。第3図はその状態を示す変換利得の周波
数特性であり、300MHzから450MHzの範囲の
領域Xの部分が特に損失の大きい部分である。
なお、インピーダンスのマツチングを改善するには、信
号線路とアースとの間にマツチング容量を追加すること
が考えられる。このようにすると、200〜450MI
Iz帯(VHF帯)のマツチングを改善することができ
るが、UHF帯受信時のミスマツチングが増加して利得
が低下するという問題がある。
号線路とアースとの間にマツチング容量を追加すること
が考えられる。このようにすると、200〜450MI
Iz帯(VHF帯)のマツチングを改善することができ
るが、UHF帯受信時のミスマツチングが増加して利得
が低下するという問題がある。
この発明の目的は、ミキサ回路への結合の際において、
U HF帯受信時のミスマツチングの増加による利得の
低下を招くことなく、VHF帯のマツチングを改善して
利得を向上させることができる高周波増幅装置を提供す
ることである。
U HF帯受信時のミスマツチングの増加による利得の
低下を招くことなく、VHF帯のマツチングを改善して
利得を向上させることができる高周波増幅装置を提供す
ることである。
この発明の高周波増幅装置は、高周波入力信号をVHF
入力18号およびUHF入力信号の2系統に分配し、V
HF入力信号およびUHF人力信号を個別に増幅して
共通に出力するようにしている。
入力18号およびUHF入力信号の2系統に分配し、V
HF入力信号およびUHF人力信号を個別に増幅して
共通に出力するようにしている。
このために、V )I F入力信号用の第1の増幅用ト
ランジスタの一端を第1のスイッチング素子と第1のチ
ョークコイルとをこの順に介して第1の電源に接続し、
UHF入力信号用の第2の増幅用トランジスタの一端を
第2のスイッチング素子と第1の高周波コイルと第2の
チョークコイルとをこの順に介して第2の電源に接続し
ている。
ランジスタの一端を第1のスイッチング素子と第1のチ
ョークコイルとをこの順に介して第1の電源に接続し、
UHF入力信号用の第2の増幅用トランジスタの一端を
第2のスイッチング素子と第1の高周波コイルと第2の
チョークコイルとをこの順に介して第2の電源に接続し
ている。
また、第1のスイッチング素子および第1のチョークコ
イルの接続点を第1のコンデンサおよび抵抗を介して第
2のチョークコイルおよび第1の高周波コイルの接続点
に接続し、第2のスイッチング素子および第1の高周波
コイルの接続点をミキサ回路の高周波信号入力端バラン
トランスの入力端子に接続し、高周波信号入力側バラン
トランスの入力端子とアースとの間に第3のスイッチン
グ素子を介してインピーダンスマツチング用の第2のコ
ンデンサを接続している。
イルの接続点を第1のコンデンサおよび抵抗を介して第
2のチョークコイルおよび第1の高周波コイルの接続点
に接続し、第2のスイッチング素子および第1の高周波
コイルの接続点をミキサ回路の高周波信号入力端バラン
トランスの入力端子に接続し、高周波信号入力側バラン
トランスの入力端子とアースとの間に第3のスイッチン
グ素子を介してインピーダンスマツチング用の第2のコ
ンデンサを接続している。
この発明の構成においては、VHF入力信号選択時には
、第1および第3のスイッチング素子を導通させるとと
もに第2のスイッチング素子を遮断させる。この場合、
第1のスイッチング素子が導通することで、第1の増幅
用トランジスタが作動してVHF入力信号が高周波増幅
される。また、第3のスイッチング素子の導通により、
第2のコンデンサが高周波信号入力側バラントランスの
入力端子とアースとの間に接続される。この結果、VH
F入力信号の選択時における350MHzから450M
Hzの範囲でのインピーダンスのマツチング状態を改善
することができ、ミキサ回路への結合時の損失を低減す
ることができる。
、第1および第3のスイッチング素子を導通させるとと
もに第2のスイッチング素子を遮断させる。この場合、
第1のスイッチング素子が導通することで、第1の増幅
用トランジスタが作動してVHF入力信号が高周波増幅
される。また、第3のスイッチング素子の導通により、
第2のコンデンサが高周波信号入力側バラントランスの
入力端子とアースとの間に接続される。この結果、VH
F入力信号の選択時における350MHzから450M
Hzの範囲でのインピーダンスのマツチング状態を改善
することができ、ミキサ回路への結合時の損失を低減す
ることができる。
一方、u tt F入力信号選択時には、第2のスイッ
チング素子を導通させるとともに第1および第3のスイ
ッチング素子を遮断させる。この場合、第2のスイッチ
ング素子が導通することで、第2の増幅用トランジスタ
が作動してUHF入力信号が高周波増幅される。また、
第3のスイッチング素子の遮断により、第2のコンデン
サの一端が切り離されることになり、UHF入力信号の
選択時にインピーダンスマツチング用の第2のコンデン
サは機能せず、従来どおりの性能を確保することができ
る。
チング素子を導通させるとともに第1および第3のスイ
ッチング素子を遮断させる。この場合、第2のスイッチ
ング素子が導通することで、第2の増幅用トランジスタ
が作動してUHF入力信号が高周波増幅される。また、
第3のスイッチング素子の遮断により、第2のコンデン
サの一端が切り離されることになり、UHF入力信号の
選択時にインピーダンスマツチング用の第2のコンデン
サは機能せず、従来どおりの性能を確保することができ
る。
(実 施 例)
以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第1図にこの発明の一実施例の高周波増幅装置の回路図
を示す。
を示す。
第1図の高周波増幅装置は、信号入力端子CからVHF
入力信号がゲートGlに供給されるデュアルゲートタイ
プの高周波増幅用の第1の電界効果トランジスタ1のド
レインDを第1のスイッチング素子3と第1のチョーク
コイルlOとをこの順に介してVHF電源端子已に接続
している。この場合、スイッチング素子3を構成するス
イッチングダイオードは、カソードを電界効果トランジ
スタlのドレインDに接続し、アノード°をチョークコ
イルlOに接続している。
入力信号がゲートGlに供給されるデュアルゲートタイ
プの高周波増幅用の第1の電界効果トランジスタ1のド
レインDを第1のスイッチング素子3と第1のチョーク
コイルlOとをこの順に介してVHF電源端子已に接続
している。この場合、スイッチング素子3を構成するス
イッチングダイオードは、カソードを電界効果トランジ
スタlのドレインDに接続し、アノード°をチョークコ
イルlOに接続している。
また、信号入力端子BからU HF入力信号がゲートG
1に供給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の
第2の電界効果トランジスタ2のドレインDを第2のス
イッチング素子4と空心コイルからなる第1の高周波コ
イル14と第2のチョークコイル11とをこの順に介し
てUHF電源端子Fに接続している。この場合、スイッ
チング素子4を構成するスイッチングダイオードは、カ
ソードを電界効果トランジスタ2のドレインに接続し、
アノードを高周波コイル14に接続している。
1に供給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の
第2の電界効果トランジスタ2のドレインDを第2のス
イッチング素子4と空心コイルからなる第1の高周波コ
イル14と第2のチョークコイル11とをこの順に介し
てUHF電源端子Fに接続している。この場合、スイッ
チング素子4を構成するスイッチングダイオードは、カ
ソードを電界効果トランジスタ2のドレインに接続し、
アノードを高周波コイル14に接続している。
また、スイッチング素子3およびチョークコイル1Gの
接続点を第1のコンデンサ12および抵抗13を介して
チョークコイル11および高周波コイル14の接続点に
接続し、スイッチング素子4および高周波コイル14の
接続点を第2の高周波コイル15およびコンデンサ16
.1?よりなるフィルタ回路を介してダブルバランスミ
キサ回路MXの高周波信号入力側バラントランス18の
入力端子に接続し、VHFHF電源端子子−スとの間に
抵抗33および第3のスイッチング素子32をこの順に
接続し、高周波信号入力側バラントランス18の入力端
子と抵抗33およびスイッチング素子32の接続点との
間にインピーダンスマツチング用の第2のコンデンサ(
例えば6pF程度)34を接続している。この場合、ス
イッチング素子32を構成するスイッチングダイオード
としては、例えばビンダイオードが用いられ、アノード
を抵抗33に接続し、カソードをアースに接続している
。
接続点を第1のコンデンサ12および抵抗13を介して
チョークコイル11および高周波コイル14の接続点に
接続し、スイッチング素子4および高周波コイル14の
接続点を第2の高周波コイル15およびコンデンサ16
.1?よりなるフィルタ回路を介してダブルバランスミ
キサ回路MXの高周波信号入力側バラントランス18の
入力端子に接続し、VHFHF電源端子子−スとの間に
抵抗33および第3のスイッチング素子32をこの順に
接続し、高周波信号入力側バラントランス18の入力端
子と抵抗33およびスイッチング素子32の接続点との
間にインピーダンスマツチング用の第2のコンデンサ(
例えば6pF程度)34を接続している。この場合、ス
イッチング素子32を構成するスイッチングダイオード
としては、例えばビンダイオードが用いられ、アノード
を抵抗33に接続し、カソードをアースに接続している
。
そして、VHF信号選択時にスイッチング素子3.32
を導通させるとともにスイッチング素子4を遮断させ、
UHF信号選択時にスイッチング素子3.32を遮断さ
せるとともにスイッチング素子4を導通させるようにし
ている。この場合、スイッチング素子3.4.32の導
通・遮断は、VHFHF電源端子子びUHF電源端子F
に印加する電源電圧を変化させることで制御するように
なっている。具体的には、VHFHF電源端子子印加電
圧を例えば+12VにするとともにUHF電源端子Fへ
の印加電圧を例えば0■にすることで、スイッチング素
子3,32を導通させるとともにスイッチング素子4を
遮断させる。また、VHF電源端子Eへの印加電圧を例
えば0■にするとともにUHFifa、端子Fへの印加
電圧を例えば+12Vにすることで、スイッチング素子
3,32を遮断させるとともにスイッチング素子4を導
通させる。上記において、VHF’l源端子EおよびU
HFii源端子Fに印加する電源電圧は、いずれか一方
への印加電圧が例えば+12Vとなると、他方は必ずO
vとなるように設定されている。
を導通させるとともにスイッチング素子4を遮断させ、
UHF信号選択時にスイッチング素子3.32を遮断さ
せるとともにスイッチング素子4を導通させるようにし
ている。この場合、スイッチング素子3.4.32の導
通・遮断は、VHFHF電源端子子びUHF電源端子F
に印加する電源電圧を変化させることで制御するように
なっている。具体的には、VHFHF電源端子子印加電
圧を例えば+12VにするとともにUHF電源端子Fへ
の印加電圧を例えば0■にすることで、スイッチング素
子3,32を導通させるとともにスイッチング素子4を
遮断させる。また、VHF電源端子Eへの印加電圧を例
えば0■にするとともにUHFifa、端子Fへの印加
電圧を例えば+12Vにすることで、スイッチング素子
3,32を遮断させるとともにスイッチング素子4を導
通させる。上記において、VHF’l源端子EおよびU
HFii源端子Fに印加する電源電圧は、いずれか一方
への印加電圧が例えば+12Vとなると、他方は必ずO
vとなるように設定されている。
上記以外の構成は第2図の従来例と同様である。
以上のように構成された高周波増幅装置について、以下
にその動作を説明する。
にその動作を説明する。
まず、VHF入力信号が信号入力端子Cに加えられ、U
HF入力信号が信号入力端子Bに加えられる。
HF入力信号が信号入力端子Bに加えられる。
まず、VHF信号選択時は、VHF電源端子Eへの印加
電圧が例えば+12VになるとともにUHF電源端子F
への印加電圧が例えばOVになる。
電圧が例えば+12VになるとともにUHF電源端子F
への印加電圧が例えばOVになる。
この結果、スイッチング素子3.32が順バイアスとな
って導通し、スイッチング素子4が逆バイアスとなって
遮断する。この場合、スイッチング素子3が導通ずるこ
とで、電界効果トランジスタ1が作動してVHF入力信
号が高周波増幅される。
って導通し、スイッチング素子4が逆バイアスとなって
遮断する。この場合、スイッチング素子3が導通ずるこ
とで、電界効果トランジスタ1が作動してVHF入力信
号が高周波増幅される。
また、スイッチング素子32の導通により、コンデンサ
34が高周波信号入力側バラントランス18の入力端子
とアースとの間に接続される。したがって、高周波増幅
されたV HF信号は、コンデンサ12.抵抗13およ
び高周波コイル14の直列共振回路と高周波コイル15
.コンデンサ16゜17よりなるフィルタ回路とコンデ
ンサ34とを介してダブルバランスミキサ回路MXの高
周波信号入力端バラントランス18に供給されることに
なる。この結果、VHF入力信号の選択時における20
0MHzから450MHzの範囲でのインピーダンスマ
ツチング状態を改善することができ、利得改善を図るこ
とができ、ダブルバランスミキサ回路MXへの結合時の
損失を低減することができる。
34が高周波信号入力側バラントランス18の入力端子
とアースとの間に接続される。したがって、高周波増幅
されたV HF信号は、コンデンサ12.抵抗13およ
び高周波コイル14の直列共振回路と高周波コイル15
.コンデンサ16゜17よりなるフィルタ回路とコンデ
ンサ34とを介してダブルバランスミキサ回路MXの高
周波信号入力端バラントランス18に供給されることに
なる。この結果、VHF入力信号の選択時における20
0MHzから450MHzの範囲でのインピーダンスマ
ツチング状態を改善することができ、利得改善を図るこ
とができ、ダブルバランスミキサ回路MXへの結合時の
損失を低減することができる。
この際、スイッチング素子4が遮断しているので、第2
の電界効果トランジスタ2は作動しない。
の電界効果トランジスタ2は作動しない。
一方、U HF信号選択時は、UHF電源端子Fへの印
加電圧が例えば+12Vになるとともに■HF電源端子
Eへの印加電圧が例えばOvになる。
加電圧が例えば+12Vになるとともに■HF電源端子
Eへの印加電圧が例えばOvになる。
この結果、スイッチング素子4が順バイアスとなって導
通し、スイッチング素子3.32が逆バイアスとなって
遮断する。この場合、スイッチング素子4が導通するこ
とで、電界効果トランジスタ2が作動してUIIF入力
信号が高周波増幅される。
通し、スイッチング素子3.32が逆バイアスとなって
遮断する。この場合、スイッチング素子4が導通するこ
とで、電界効果トランジスタ2が作動してUIIF入力
信号が高周波増幅される。
また、スイッチング素子32の遮断により、コンデンサ
34はスイッチング素子32のわずかな逆バイアス容!
(1pF以下)が直列に結合された状態になるだけであ
り、コンデンサ34はUHF帯受信時にほとんど作用せ
ず、従来どおりの性能を確保することができる。
34はスイッチング素子32のわずかな逆バイアス容!
(1pF以下)が直列に結合された状態になるだけであ
り、コンデンサ34はUHF帯受信時にほとんど作用せ
ず、従来どおりの性能を確保することができる。
この際、スイッチング素子3が遮断しているので、第2
の電界効果トランジスタ1は作動しない。
の電界効果トランジスタ1は作動しない。
この発明の高周波増幅装置によれば、第1のスイッチン
グ素子および第1のチョークコイルの接続点を第1のコ
ンデュ/すおよび抵抗を介して第2のチラークコイルお
よび第1の高周波コイルの接続点に接続し、第2のスイ
ッチング素子および第1の高周波コイルの接続点をミキ
サ回路の高周波信号入力側バラントランスの入力端子に
接続し、高周波信号入力側バラントランスの入力端子と
アースとの間に第3のスイッチング素子を介してインピ
ーダンスマツチング用の第2のコンデンサを接続し、V
HF信号選択時に第3のスイッチング素子を導通させ、
UHF信号選択時に第3のスイッチング素子を遮断させ
るようにしたので、VHF入力信号の選択時における3
50 MHzないし450MHzの範囲のインピーダン
スマツチング状態を改善することができ、ミキサ回路へ
の結合時における損失を少な(することができる。
グ素子および第1のチョークコイルの接続点を第1のコ
ンデュ/すおよび抵抗を介して第2のチラークコイルお
よび第1の高周波コイルの接続点に接続し、第2のスイ
ッチング素子および第1の高周波コイルの接続点をミキ
サ回路の高周波信号入力側バラントランスの入力端子に
接続し、高周波信号入力側バラントランスの入力端子と
アースとの間に第3のスイッチング素子を介してインピ
ーダンスマツチング用の第2のコンデンサを接続し、V
HF信号選択時に第3のスイッチング素子を導通させ、
UHF信号選択時に第3のスイッチング素子を遮断させ
るようにしたので、VHF入力信号の選択時における3
50 MHzないし450MHzの範囲のインピーダン
スマツチング状態を改善することができ、ミキサ回路へ
の結合時における損失を少な(することができる。
また、UHF入力信号の選択時には、従来どおりの性能
を確保することができるので、何ら不都合は生じない。
を確保することができるので、何ら不都合は生じない。
第1図はこの発明の一実施例の高周波増幅装置の構成を
示す回路図、第2図は従来の高周波増幅装置の回路図、
第3図は第2図の従来例におけるダブルバランスミキサ
回路の変換利得の周波数特性図である。 ■・・・第1の電界効果トランジスタ、2・・・第2の
電界効果トランジスタ、3・・・第1のスイッチング素
子、4・・・第2のスイッチング素子、lO・・・第1
のチョークコイル、11・・・第2のチョークコイル、
12・・・第1のコンデンサ、13・・・抵抗、14・
・・第1の高周波コイル、15・・・第2の高周波コイ
ル、16・・・コンデンサ、17・・・コンデンサ、3
2・・・スイッチング素子、33・・・抵抗、34・・
・第2のコンデンサ、E・・・VHF電源端子、F・・
・tJHF電源端子
示す回路図、第2図は従来の高周波増幅装置の回路図、
第3図は第2図の従来例におけるダブルバランスミキサ
回路の変換利得の周波数特性図である。 ■・・・第1の電界効果トランジスタ、2・・・第2の
電界効果トランジスタ、3・・・第1のスイッチング素
子、4・・・第2のスイッチング素子、lO・・・第1
のチョークコイル、11・・・第2のチョークコイル、
12・・・第1のコンデンサ、13・・・抵抗、14・
・・第1の高周波コイル、15・・・第2の高周波コイ
ル、16・・・コンデンサ、17・・・コンデンサ、3
2・・・スイッチング素子、33・・・抵抗、34・・
・第2のコンデンサ、E・・・VHF電源端子、F・・
・tJHF電源端子
Claims (1)
- VHF入力信号用の第1の増幅用トランジスタの一端を
第1のスイッチング素子と第1のチョークコイルとをこ
の順に介して第1の電源に接続し、UHF入力信号用の
第2の増幅用トランジスタの一端を第2のスイッチング
素子と第1の高周波コイルと第2のチョークコイルとを
この順に介して第2の電源に接続し、前記第1のスイッ
チング素子および前記第1のチョークコイルの接続点を
第1のコンデンサおよび抵抗を介して前記第2のチョー
クコイルおよび第1の高周波コイルの接続点に接続し、
前記第2のスイッチング素子および第1の高周波コイル
の接続点をミキサ回路の高周波信号入力側バラントラン
スの入力端子に接続し、前記高周波信号入力側バラント
ランスの入力端子とアースとの間に第3のスイッチング
素子を介してインピーダンスマッチング用の第2のコン
デンサを接続し、VHF信号選択時に前記第1および第
3のスイッチング素子を導通させるとともに前記第2の
スイッチング素子を遮断させ、UHF信号選択時に前記
第1および第3のスイッチング素子を遮断させるととも
に前記第2のスイッチング素子を導通させるようにした
ことを特徴とする高周波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089216A JPH02266602A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089216A JPH02266602A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高周波増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266602A true JPH02266602A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13964525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089216A Pending JPH02266602A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266602A (ja) |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1089216A patent/JPH02266602A/ja active Pending
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