JPH02270348A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02270348A JPH02270348A JP9140989A JP9140989A JPH02270348A JP H02270348 A JPH02270348 A JP H02270348A JP 9140989 A JP9140989 A JP 9140989A JP 9140989 A JP9140989 A JP 9140989A JP H02270348 A JPH02270348 A JP H02270348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- elements
- wiring material
- materials
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置に係り、特に、多層配線が可能で
ある半導体装置に関するものである。
ある半導体装置に関するものである。
近年、半導体装置の高集積化にあたり、素子間の配線が
高密度化、多層化しているが、従来、例えば、ＭＯ３型
トランジスタ上に配線材を配置する場合、第２図に示す
断面図のように、基板上に形成されたＭＯ５型トランジ
スタの上に、第１の配線材６を形成し、絶縁１１！７を
介して第２の配線材８が形成される構造をとっていた。
高密度化、多層化しているが、従来、例えば、ＭＯ３型
トランジスタ上に配線材を配置する場合、第２図に示す
断面図のように、基板上に形成されたＭＯ５型トランジ
スタの上に、第１の配線材６を形成し、絶縁１１！７を
介して第２の配線材８が形成される構造をとっていた。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら、第２図に示されるような従来の構造では
、素子または第１の配線材と、第２の配線材との間の静
電結合により、回路の特性の劣化や誤動作等の問題が発
生する。そのため、素子または第１．第２の配線材の配
置に大きな制約ができ、半導体装置の高集積化の妨たげ
となっていた。
、素子または第１の配線材と、第２の配線材との間の静
電結合により、回路の特性の劣化や誤動作等の問題が発
生する。そのため、素子または第１．第２の配線材の配
置に大きな制約ができ、半導体装置の高集積化の妨たげ
となっていた。
そこで本発明は、このような課題を解決することを目的
とする。
とする。
〔課題を解決するための手段１
基板上に形成された素子または第１の配線材と、＠配素
子または第１の配線材上に絶縁膜を介して形成された第
２の配線材との間の少なくとも一部分に、接地された導
電体膜を設けたことを特徴とする特 ［実 施 例１ 以下、本発明の一実施例を、図面に基づいて説明する。
子または第１の配線材上に絶縁膜を介して形成された第
２の配線材との間の少なくとも一部分に、接地された導
電体膜を設けたことを特徴とする特 ［実 施 例１ 以下、本発明の一実施例を、図面に基づいて説明する。
まず、第１図に示す断面図では、基板上に形成されたＭ
Ｏ３型トランジスタの上に第１の配線材６を形成し、絶
縁Ｉｌｌ ７を介して導電体膜９を形成し、さらに絶＃
ｊ膜ｌＯを介して第２の配線材８を形成する構造をとっ
ている。ここで導電体膜９は、電源ライン等の基準電位
に接続されている。
Ｏ３型トランジスタの上に第１の配線材６を形成し、絶
縁Ｉｌｌ ７を介して導電体膜９を形成し、さらに絶＃
ｊ膜ｌＯを介して第２の配線材８を形成する構造をとっ
ている。ここで導電体膜９は、電源ライン等の基準電位
に接続されている。
次に、第３図に示す断面図は、半導体装置の配線領域に
おいて、第１の配線材と第２の配線材との間に接地され
た導電体膜を設ける例である。
おいて、第１の配線材と第２の配線材との間に接地され
た導電体膜を設ける例である。
また、第４図の断面図に示すように、配線材が３層以上
用いられるならば、そのうちの１つの層の一部分を、接
地された導電体ｔ１２として兼用することも可能である
。
用いられるならば、そのうちの１つの層の一部分を、接
地された導電体ｔ１２として兼用することも可能である
。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明によると、素子または第１
の配線材と、第２の配線材との間の静電結合が生じない
ため、その静電結合による回路の特性の劣化や誤動作等
の問題が発生しないとともに、素子または第１．第２の
配線材の配置の制約が解消されるため、半導体装置の高
集積化が可能となる。
の配線材と、第２の配線材との間の静電結合が生じない
ため、その静電結合による回路の特性の劣化や誤動作等
の問題が発生しないとともに、素子または第１．第２の
配線材の配置の制約が解消されるため、半導体装置の高
集積化が可能となる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図、
第２図、第３図は本発明の他の実施例の断面図、第４図
は従来の半導体装置の断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・絶縁ｔｌｉ ３・・・ゲート材 ４・・・不純物を含んだ拡散領域 ５・・・絶縁膜 ６・・・配線材 ７・・・絶縁膜 ８・・・配線材 ９・・・接地された導電体膜 １０・・・絶縁膜 １１・・・配線材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）Ｘ１２
鵞２ω□ｌ ｉ Ｊ田 メタｅ
第２図、第３図は本発明の他の実施例の断面図、第４図
は従来の半導体装置の断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・絶縁ｔｌｉ ３・・・ゲート材 ４・・・不純物を含んだ拡散領域 ５・・・絶縁膜 ６・・・配線材 ７・・・絶縁膜 ８・・・配線材 ９・・・接地された導電体膜 １０・・・絶縁膜 １１・・・配線材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）Ｘ１２
鵞２ω□ｌ ｉ Ｊ田 メタｅ
Claims (1)
- 基板上に形成された素子または第１の配線材と、前記素
子または第１の配線材上に絶縁膜を介して形成された第
２の配線材との間の少なくとも一部分に、接地された導
電体膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9140989A JPH02270348A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9140989A JPH02270348A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270348A true JPH02270348A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14025582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9140989A Pending JPH02270348A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02270348A (ja) |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9140989A patent/JPH02270348A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63147357A (ja) | 静電気放電保護回路 | |
| JPH02262374A (ja) | 静電気保護システム | |
| JP3217336B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US4894705A (en) | Semiconductor device | |
| JPH02270348A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008053257A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5890755A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02270349A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63108763A (ja) | 半導体集積回路 | |
| EP0134692A3 (en) | Multilayer semiconductor devices with embedded conductor structure | |
| JPS5852346B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN100437984C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JPS6327044A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2996346B2 (ja) | Ｍｏｓ集積回路 | |
| JPS63258056A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60261169A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0362555A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61194848A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0237776A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63239972A (ja) | 半導体装置の入力保護回路 | |
| KR970052251A (ko) | 반도체소자의 전극배선 | |
| JPS6066448A (ja) | ゲ−トアレ− | |
| JPS61180467A (ja) | 積層型半導体装置 | |
| JPS63188958A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61179576A (ja) | 半導体集積回路装置 |