JPH0362555A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0362555A JPH0362555A JP19756689A JP19756689A JPH0362555A JP H0362555 A JPH0362555 A JP H0362555A JP 19756689 A JP19756689 A JP 19756689A JP 19756689 A JP19756689 A JP 19756689A JP H0362555 A JPH0362555 A JP H0362555A
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- Japan
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- wiring
- metal wiring
- polycrystalline silicon
- silicon
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に多結晶シリコンで形
成された抵抗、配線及びＭＯＳトランジスタのゲートと
交差する配線を有する半導体装置に関する。
成された抵抗、配線及びＭＯＳトランジスタのゲートと
交差する配線を有する半導体装置に関する。
第３図は従来の半導体装置の構造の一例を示す半導体チ
ップの断面図、第４図は第３図の等価回路図である。従
来、この種の半導体装置は、第３図に示すように、半導
体基板４上に形成された多結晶シリコン１の上に交差し
て金属配線２を形成する場合、これらの間には、両者を
絶縁するための酸化膜３を形成する必要がある。この酸
化１１ｉ３を形成することによって、第４図で示すよう
に、酸化膜を誘電体とし多結晶シリコンと金属配線を両
極とするコンデンサＣが形成される。
ップの断面図、第４図は第３図の等価回路図である。従
来、この種の半導体装置は、第３図に示すように、半導
体基板４上に形成された多結晶シリコン１の上に交差し
て金属配線２を形成する場合、これらの間には、両者を
絶縁するための酸化膜３を形成する必要がある。この酸
化１１ｉ３を形成することによって、第４図で示すよう
に、酸化膜を誘電体とし多結晶シリコンと金属配線を両
極とするコンデンサＣが形成される。
上述した従来の半導体装置の構造では、酸化膜を誘電体
とし、多結晶シリコンと金属配線をそれぞれ電極とする
コンデンサを形成するため、多結晶シリコンと金属配線
相互における干渉が生じる。すなわち回路上に不用な信
号が発生し、これにより回路の誤動作を引き起こす原因
となる。
とし、多結晶シリコンと金属配線をそれぞれ電極とする
コンデンサを形成するため、多結晶シリコンと金属配線
相互における干渉が生じる。すなわち回路上に不用な信
号が発生し、これにより回路の誤動作を引き起こす原因
となる。
本発明の目的は、かかる欠点を解消する半導体装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に重ねて形成され
た多結晶シリコンである配線と金属配線との間に絶縁膜
を介して形成される金属配線を有し、この金属配線に装
置における最高あるいは最低電位を印加すること特徴と
している。
た多結晶シリコンである配線と金属配線との間に絶縁膜
を介して形成される金属配線を有し、この金属配線に装
置における最高あるいは最低電位を印加すること特徴と
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の半導体装置の一実施例を示す半導体
チップの断面図、第２図は第１図の等価回路図である。
チップの断面図、第２図は第１図の等価回路図である。
この半導体装置は、第１図に示すように、半導体基板４
上に形成された多結晶シリコン１と金属配線２ｂの間に
、両者に対して酸化膜３ａおよび３ｂによって絶縁され
た金属配線２ａを設けたことである。また、この金属配
線２ａは半導体装置の集積回路上における電源の最高あ
るいは最低電位でバイアスさせることである。このよう
な構造により、酸化膜３ａを誘電体とし多結晶シリコン
１および金属配線２ａを両極とするコンデンサと、酸化
膜３ｂを誘電体とし、金属配線２ｂおよび金属配線２ａ
を両極とするコンデンサが形成される。
上に形成された多結晶シリコン１と金属配線２ｂの間に
、両者に対して酸化膜３ａおよび３ｂによって絶縁され
た金属配線２ａを設けたことである。また、この金属配
線２ａは半導体装置の集積回路上における電源の最高あ
るいは最低電位でバイアスさせることである。このよう
な構造により、酸化膜３ａを誘電体とし多結晶シリコン
１および金属配線２ａを両極とするコンデンサと、酸化
膜３ｂを誘電体とし、金属配線２ｂおよび金属配線２ａ
を両極とするコンデンサが形成される。
このコンデンサが形成された状態を等価回路で示すと、
第２図のようになる。すなわち、同図に示すように、コ
ンデンサＣ１およびＣ２によって発生する不用な信号は
、電極ＣをＩＬ積回路上で低インピーダンスである電源
の最高あるいは最低電位に接続することにより電極Ｃへ
抜けることにより、電ｉＡあるいはＢ、Ｂｌに抜けるこ
とはない。
第２図のようになる。すなわち、同図に示すように、コ
ンデンサＣ１およびＣ２によって発生する不用な信号は
、電極ＣをＩＬ積回路上で低インピーダンスである電源
の最高あるいは最低電位に接続することにより電極Ｃへ
抜けることにより、電ｉＡあるいはＢ、Ｂｌに抜けるこ
とはない。
以上説明したように本発明は、多結晶シリコンで形成さ
れた抵抗または配線並びにＭＯＳ）ランジスタのゲート
と金属配線が交差する場合、これら多結晶シリコンと金
属配線の間に両者に対して酸化膜によって絶縁されかつ
集積回路上における電源の最高あるいは最低電位によっ
てバイアスされた金属配線を形成したことにより、多結
晶シリコンと金属配線相互の干渉を前記金属配線でシー
ルドした状態となり、多結晶シリコンと金属配線の交差
による不用な信号が回路動作に影響を及ぼすことのない
半導体装置が得られるという効果がある。
れた抵抗または配線並びにＭＯＳ）ランジスタのゲート
と金属配線が交差する場合、これら多結晶シリコンと金
属配線の間に両者に対して酸化膜によって絶縁されかつ
集積回路上における電源の最高あるいは最低電位によっ
てバイアスされた金属配線を形成したことにより、多結
晶シリコンと金属配線相互の干渉を前記金属配線でシー
ルドした状態となり、多結晶シリコンと金属配線の交差
による不用な信号が回路動作に影響を及ぼすことのない
半導体装置が得られるという効果がある。
第１図は、本発明の半導体装置の構造の一実施例を示す
半導体チップの断面図、第２図は第１図の等価回路図、
第３図は従来の半導体装置の構造の一例を示す半導体チ
ップの断面図、第４図は第３図の等価回路図である。 １・・・多結晶シリコン、２．２ａ、２ｂ・・・金属配
線、３．３ａ、３ｂ・・・酸化膜、４・・・半導体基板
。
半導体チップの断面図、第２図は第１図の等価回路図、
第３図は従来の半導体装置の構造の一例を示す半導体チ
ップの断面図、第４図は第３図の等価回路図である。 １・・・多結晶シリコン、２．２ａ、２ｂ・・・金属配
線、３．３ａ、３ｂ・・・酸化膜、４・・・半導体基板
。
Claims (1)
- 半導体基板上に重ねて形成された多結晶シリコンである
配線と金属配線との間に絶縁膜を介して形成される金属
配線を有し、この金属配線に装置における最高あるいは
最低電位を印加すること特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19756689A JPH0362555A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19756689A JPH0362555A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362555A true JPH0362555A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16376635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19756689A Pending JPH0362555A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362555A (ja) |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19756689A patent/JPH0362555A/ja active Pending
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