JPH02275747A - セラミツクス系超電導体の製造法 - Google Patents

セラミツクス系超電導体の製造法

Info

Publication number
JPH02275747A
JPH02275747A JP1096637A JP9663789A JPH02275747A JP H02275747 A JPH02275747 A JP H02275747A JP 1096637 A JP1096637 A JP 1096637A JP 9663789 A JP9663789 A JP 9663789A JP H02275747 A JPH02275747 A JP H02275747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconductor
composition
molten
silver
crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1096637A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichiro Shimoda
下田 修一郎
Hideji Kuwajima
秀次 桑島
Toranosuke Ashizawa
寅之助 芦沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Research Development Corp of Japan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Research Development Corp of Japan filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP1096637A priority Critical patent/JPH02275747A/ja
Publication of JPH02275747A publication Critical patent/JPH02275747A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はセラミックス系超電導体(以下超電導体とする
)の製造法罠関する。
(従来の技術) 従来超電導体は、超電導体用原料粉を混合した後熱処理
を行って製造していた。
さらに均一な組成の超電導体を得るために、酸素雰囲気
中で繰返し熱処理を行っていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記に示す方法では、塊状の超電導体が得
られるのみで、薄い板状などの超電導体を製造すること
ができないという欠点がある。
このため溶融した超電導体用組成物を冷却して薄い板状
の超電導体を製造することを試みたが。
この方法では冷却材(冷却に周込る容器)との反応に伴
ない結晶や組成の相違する異相が生成して。
超電導特性が低下するという欠点がある。
本発明はかかる欠点のない超電導体の製造法を提供する
ことを目的とするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは上記の欠点について種夕検肘した結果、溶
融した超電導体用組成物を溶融した銀−Fに供給した後
冷却したところ異相結晶を生成することなく、薄い板状
の超電導体が得られることを見出し2本発明を完成する
に至った。
本発明は溶融した超電導体用組成物を溶融した銀上に供
給した後冷却する超電導体の製造法に関する。
本発明において用いられる超電導体用組成物には特に制
限はないが、銅を含む組成物1例えば。
プラセオジウム、セリウムを除く希土類元素:バリウム
:銅を原子比で概略1:2+3となるような比率で混合
したもの若しくはこれらを成分とした組成物を用するこ
とが好ましい。
超電導体用組成物は例えば白金ルツボに入れて浴融され
るが、その溶融温度は超電導体用組成物の種類、配合割
合等により適宜選定され特に制限はないが2例えば銅を
含む組成物の場合は1200℃以上が好ま(、<、ta
oo〜1450℃の範囲であれば取扱すに適した粘度と
なるのでさらに好捷しbo また超電導体用組成物を溶融する時間は、短かい程好ま
しく1例えば10分以内の短時間で溶融することが好ま
しい。
一方銀を溶融する容器は、銀と反応せず、960〜10
50℃の温度で安定に取扱える材質であれば特に制限は
なく2例えば高アルミナ質耐火材。
ムライト質耐火材、マグネシア質耐火材等が用いられる
銀を溶融するには酸素雰囲気中で960〜1050℃の
温度で溶融することが好ましい。
溶融した超電導体用組成物を溶融した銀上に供給した後
1両者の温度が均一 (同一温度)になるまで、保持す
ることが好ましい。この時間は、供給する超電導体用組
成物の量によって異なるが。
1〜10時間好ましくは2〜10時間保持すれば。
異相結晶の生成を抑制できるので好ましい。
なお本発明において異相とは、目的とするYBa2Cu
a07−1の斜方晶結晶と異なる構造の結晶。
構造が同一でも組成の異なる結晶9組成が同一で非晶質
の物質又は組成も相違する非晶質の物質を示す。
また冷却速度は遅い程、超電導体の結晶成長が進み、か
う酸素を含む雰囲気中で冷却すれば得られる超電導体に
酸素の拡散が進むので好ましい。
例えば900℃まで5〜b 却し、さらに700℃まで30〜b 速度で冷却し、以下500℃まで10〜50時間ついで
室温まで60〜100時間かけて冷却することが好まし
い。
本発明では溶融した超電導体用組成物を溶融した銀上に
供給した後冷却することが必要とされ。
これが上記とは逆に溶融した銀を溶融し九超電導体用組
成物上に供給した後冷却するか又は溶融した超電導体用
組成物と溶融した銀とを混合した後冷却すると、冷却に
用いる容器と超電導体用組成物との反応により異相が生
成したり、″また生成する結晶が微細な結晶になるなど
の不具合があり。
さらに容器に超電導体用組成物が強く焼付いて純度の高
い超電導体が得られないなどの欠点が生じる。
また溶融していない銀上に溶融した超電導体用組成物を
供給しまた後冷却すると、結晶化反応が急速に進行する
ため均一な結晶が得られない。例えばYBalCu30
7−δの斜方晶の結晶が得られる溶融した超電導体用組
成物を供給しても他の結晶が生成するなど異相が生成し
易く、また得られる結晶も微細なものしか得られず、大
きな結晶を得ることができないなどの欠点が生じる。
(実施例) 以下本発明の詳細な説明する。
実施例1 イツ) IJウム、バリウム及び銅の比率が原子比で1
+2:3となるように純度99.9%以上の酸化イツト
リウム(信越化学工業製)11Z919゜炭酸バリウム
(和光純薬製、試薬特級)394.089及び酸化銅2
38.64gを秤斂し、超1に?8体用原料粉とした。
次に上記の超電導体用原料粉をジルコニア製ポット内に
ジルコニアボール及びメタノールと共に充填し、毎分6
0回転の条件で10時時間式混合。
粉砕した。乾燥後粉砕物をアルミナ焼板にのせ大気中で
950℃まで50℃/時間の速度で昇温し。
950℃で10時間焼成後50℃/時間の速度で冷却し
、ついでアルミナ乳鉢で粉砕して超電導体用組成物とし
た。該超電導体用組成物30g金白全白金ボに入れ、こ
れを大気中で1380℃まで200℃/分の昇温速度で
加熱し、1380℃で3分間保持して超電導体用組成物
を溶融したのち。
酸素雰囲気中で990℃に保温した溶融銀上に供給し九
。なお溶融した銀は、純度99%以上のアルミナ製のこ
う鉢に入れて溶融したものであり。
銀の厚さは約101[ull′″Cあった。
超電導体用組成物を供給後990℃で2時間保持したの
ち900℃まで10℃/時間の速度で冷却し、以下70
0℃までは50℃/時間、500℃までは30℃/時間
、及び室温までは100℃/時間の速度で冷却して超電
導体を得た。なお冷却は酸素雰囲気中で行った。
得られた超電導体をiCP発光分光分析法で分析したと
ころ、イツトリウム:バリウム:銅の原子比は1 : 
1.97 : 2.98で誤差を考慮すれば1:2:3
とみなせた。また交流磁化率による超電導特性の評価で
は、超電導体への転移開始温度は93にであり、77に
で95係以上が超電導体となっていることが分った。さ
らにX線回折法による評価では+  YBazCus0
7−4の斜方晶結晶と同定された。またoo1面の回折
線が強すことからC軸が銀面に対して垂直な方向に配向
していることが分った。
なお得られた超電導体は厚さII[l1111で、密度
6.26×103kg/m3で、相対密度は9&6%以
上であつた。
比較例1 実施例1で得た超電導体用組成物30gを白金ルツボに
入れ、1380t:まで200℃/分の昇温速度で加熱
し、1380’Cで3分間保持して超電導体用組成物を
溶融したのち、酸素雰囲気中で990℃に保温しておい
た純度99チ以上のアルミナ製こう鉢の中に供給した。
超電導体用組成物を供給後実施例1と同様の冷却条件で
冷却して超電導体を得た。
次に得られ念頭電導体をアルミナ製こう鉢から剥離して
回収し、交流磁化率により超電導特性を評価したところ
、超電導体への転移開始温度は82にで、あり77Kに
おける超電導体の含有率は17%にすぎなかった。
またxffs回折法による評価ではYBaz Cus 
07−Jの斜方晶結晶以外にY2BaCuO5の絶縁性
結晶の存在が確認され、さらに超電導体はアルミナ製こ
う鉢に強く固着しており超電導体を剥離させるのが困難
であった。なお該超電導体の密度は6.0X10”kg
/m3で、相対密度は95%であった。
比較例2 実施例1で得た超電導体用組成物309を白金ルツボに
入れ、酸素雰囲気中で、かつ990℃に加熱した電気炉
内で2時間保持後、実施例1と同様の冷却条件で冷却し
て超i!導体を得た。
得られた超電導体は塊状の超電導体で、板状の超電゛導
体を得ることができなかった。なお該超電導体の密度は
5.10 X 10’kg/m3で、相対密度は約80
%であった。交流磁化率による超電導特性の評価では転
移開始温度は92にであり、77Kにおける超電導体の
体積含有率は95チ以上であった。またX線回折法によ
る評価ではYBaz Cu507゜の斜方晶結晶と同定
された。
実施例2 エルビウム、バリウム及び銅の比率が原子比で1:2:
3となるように純度99.9%以上の酸化エルビウム(
高純度化学研究新製)191.39゜炭酸バリウム39
4.79及び酸化銅238.69を秤址し、超電導体用
原料粉とした。これを実施例1と同様の方法で熱処理し
て超電導体用組成物とした。
該超電導体用組成物30gを白金ルツボに入れ。
これを1350℃まで200℃/分の昇温速度で加熱し
、1350℃で3分間保持して超電導体用組成物を溶融
したのち実施例1と同様に酸素雰囲気中で960℃に保
温し、かつ溶融した銀上に供給した。
超電導体用組成物を供給後960°Cで1時間保持した
のち900℃まで3℃/時間の速度で冷却し、以下実施
例1と同様の条件で室温−まで冷却して超電導体を得た
得られた超電導体の超電導特性を交流磁化率で測定した
ところ、超電導体への転移開始温度は93にであり、7
7にで95チ以上が超電導体となっていることが分った
。またX線回折法による評価ではYBa2CusO□1
の斜方晶結晶と同定され。
さらにoat面の回折線が強いことからC軸が銀面に対
し垂直な方向に配向していることが分った。
なお得られた超電導体は厚さ0.8 mmで、密度は6
、28 X 103kg/m3で、相対密度は98.5
 ’1以上であった。
(発明の効果) 本発明の製造法によれば薄い板状の超電導体を得ること
ができ、また得られる超電導体は高密度で、結晶の配向
性に優れ、超電導体への転移開始温度も高く、かつ77
Kにおける超電導体含有率が高く、異相の生成もなく工
業的に極めて好適な超電導体である。
代理人 弁理士 若 林 邦 彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 溶融した超電導体用組成物を溶融した銀上に供給
    した後冷却することを特徴とするセラミックス系超電導
    体の製造法。
JP1096637A 1989-04-17 1989-04-17 セラミツクス系超電導体の製造法 Pending JPH02275747A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1096637A JPH02275747A (ja) 1989-04-17 1989-04-17 セラミツクス系超電導体の製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1096637A JPH02275747A (ja) 1989-04-17 1989-04-17 セラミツクス系超電導体の製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02275747A true JPH02275747A (ja) 1990-11-09

Family

ID=14170347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1096637A Pending JPH02275747A (ja) 1989-04-17 1989-04-17 セラミツクス系超電導体の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02275747A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05229820A (ja) * 1991-03-14 1993-09-07 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05229820A (ja) * 1991-03-14 1993-09-07 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3332334B2 (ja) 超伝導体及びその製造方法
Shan et al. Rapid consolidation of Bi Pb Sr Ca Cu O powders by a plasma activated sintering process
JPH02275747A (ja) セラミツクス系超電導体の製造法
JP2684432B2 (ja) 超電導酸化物の単結晶及びその製造方法
US5270292A (en) Method for the formation of high temperature semiconductors
JP3330962B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
US5079220A (en) Process for single crystal growth of high Tc superconductors
JPH02275717A (ja) 針状結晶超電導体及びその製造法
US5346538A (en) Molding of sintered strontium/calcium indate and the use thereof
JPH04502448A (ja) 多相超伝導体及びその製造方法
JP2000247795A (ja) Re123系酸化物超電導バルク体の作製方法
JPH01208361A (ja) 高温超電導セラミックス微粒子の製造法
JPH0714818B2 (ja) 超電導繊維状結晶およびその製造方法
JPH01226735A (ja) 超電導材料の製造方法
JP2859283B2 (ja) 酸化物超電導体
JPH06321693A (ja) 酸化物超電導材料の製造方法
JPH01208360A (ja) 超電導体の製造方法
JPH04119922A (ja) Bi系酸化物超電導体の製造方法
JPH0764619B2 (ja) 酸化物超電導体用pvd原料の製造方法
ARMSTRONG et al. Allied-Signal Research and Technology, 50 E. Algonquin Rd. Des Plaines, Illinois 60017
JPH0393607A (ja) 超伝導体の製造方法
JPH012212A (ja) 超伝導性複合酸化物薄膜の製造方法
JPH01257131A (ja) 高温超電導セラミックス微粒子の製造法
JPH0527588B2 (ja)
JPH01203217A (ja) 超伝導酸化物薄膜の製造方法