JPH02275862A - Ｎ―置換―イミダゾール・７，７，８，８―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子機器分野あるいは電子材料分野などにお
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのＮ−置換−イミダゾー
ル・７．７．８．８−テトラシアノキノジメタン錯塩類
およびその製造方法に関するものである。

［発明の概要］ 更に詳しくは、下記の式［１］で表わされる新規有機半
導体（新規化合物）としてのＮ−置換−イミダゾール・
７．７．８．８−テトラシアノキノジメタン錯塩類およ
びその製造方法を提供するものである。

ただし、式［１］中、ＲはＣ０〜Ｃ＋ａのアルキル基ま
たはベンジル基を示す０ｍは１モルの錯塩に含まれる中
性７．７．８．８−テトラシアノキノジメタンのモル数
に対応する正の＠（０，５〜１．５）を意味する。

なお、説明の便宜上、７．７．８．８−テトラシアノキ
ノジメタンを以下、ＴＣＮＱと称す。

次に、上記の式［１Ｆで示した化合物は、下記の式［２
］で表わされるＮ−置換−イミダゾール・第四アンモニ
ウム塩類を 下記の式［３］で表わされるＴＣＮＱと反応させること
により製造することができるものである。

上記の式［１］の化合物において１式中のＨのアルキル
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数が０１〜Ｃ１］１の
アルキル基（ｎ−，１ｓｏ−などの全ての異性体を含む
、）を例示することができる。また、式［１］中のＲと
してベンジル基を例示することができる０式［１］中の
ｍは０．５〜１．５が好ましく、より好ましくは約１で
ある。さらに１式［２］中のＲは式［１］と同様にＣ３
〜Ｃ＋ａのアルキル基またはベンジル基であり、Ｘはハ
ロゲンである。

［合成方法］ 上述したように、本発明に係る式［１］の新規化合物で
あるＮ−置換−イミダゾール・ＴＣＮＱＣＮ類は、式［
２］のＮ−置換−イミダゾール・第四アンモニウム塩類
を式［３］のＴＣＮＱに反応させることによって容易に
好ましい収率で製造することができる。以下に、代表例
としてＮ−置換−イミダゾール、Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯塩類の
製造方法について述べる。

式［２］のＮ−置換−イミダゾール・第四アンモニウム
塩類は既に公知の化合物であって、イミダゾールからそ
れ自体公知の手法を利用して容易に合成することができ
る。

式［３］のＴＣＮＱおよびその種々の塩ならびにその製
造方法についても既に公知であって、例えばり、Ｒ，Ｍ
ｅｌｂｙらのＪ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、８４．３
３７４　（１９６２）ｉ５よび昭和５８年特許出願公開
第１９１４１４号公報に明示されている。

次に、式［２］の化合物と式［３］のＴＣＮＱとから式
［１］の化合物を製造する一態様について詳述すると１
例えば式［２］中の一例としてめＮ−メチル−イミダゾ
ール・第四アンモニウム塩類の熱アセトニトリル溶液と
式［３］のＴＣＮＱの熱アセトニトリル溶液を熱時混合
した後に放冷し、析出した結晶を濾過する。この際、反
応溶液に大過剰のエーテルを注加し、反応生成物を析出
せしめても良い０反応生成物は熱アセトニトリルで再結
晶するか、または冷無水エタノールで同エタノールの着
色が無くなるまで洗浄すれば、無機塩類を含有しない式
［１］中の一例としてのＮ−メチルーイミグゾール・Ｔ
ＣＮＱ錯塩を高収率で得ることができる。

ところで１式［２］の化合物と式［３］のＴＣＮ−〇と
の反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒
素ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロ
フラン、アルキルセロソルブなと、あるいはそれらの適
当な混合物のような不活性有機溶媒の沸点下で行なうと
良い０反応に使用する式［３］のＴＣＮＱの使用量は、
式［２］の混合物１モルに対して約１〜３モルの如き使
用量を例示することができる。また、不活性有機溶媒の
使用量も適宜選択することができ、式［２］の化合物に
対して約１０〜２０倍、式［３］のＴＣＮＱに対して約
５０〜１２０倍の如き使用量を例示することができる。

［実施例］ 更に、本発明に係る式［１］のＮ−置換−イミダゾール
・ＴＣＮＱＩ塩類の具体的な合成方法の実施例について
述べる。

実施例１ Ｎ−メチル−イミダゾール・第四アンモニウム・ＴＣＮ
Ｑ錯塩の合成について述べる。

Ｎ−メチル−イミダゾール・第四アンモニウム・沃化水
素酸塩０．００４７モルをアセトニトリル２０ｍ１に熱
時溶解し、これにＴＣＮＱｏ。

００４７モルをアセトニトリル６５ｍ１に熱時溶解して
注加し、混合し、さらに３０分間還流した。その後、約
１０時間、５℃に放置する。析出した結晶を濾過した後
、アセトニトリル、メタノール、エーテルの順で洗浄し
、アセトニトリルにより２回再結晶を行なった。これを
さらに乾燥させると、Ｎ−メチル−イミダゾール・第四
アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩、融点２３６〜２３８℃の
針状結晶を収率７９％の高収率で得ることができる。

実施例２〜５ 上記実施例１ではＮ−メチル−イミダゾール・第四アン
モニウム・Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯塩の合成について述べたが、
式［２］中の化合物Ｒがエチルに置換された化合物、Ｒ
がｎ−プロピルに置換された化合物、Ｒがｎ−ブチルに
置換された化合物、Ｒがベンジルに置換された化合物を
それぞれ用い、実施例１と同様の手法・手順に準じて合
成した結果、第１表に示すようにＮ−エチル−イミダゾ
ール・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩（実施例２）、
Ｎ−ｎ−プロピル−イミダゾール・第四アンモニウム・
ＴＣＮＱ錯塩（実施例３）、Ｎ−ｎ−プチルーイミダゾ
ール・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩（実施例４）、
Ｎ−ベンジル−イミダゾール・第四アンモニウム・Ｔ　
ＣＮ　Ｑ　ｆａ塩（実施例５）を得た。

［応用例］上述のようにして得た式［１］のＮ−置換−
イミダゾール・ＴＣＮＱＣＮ類の用途について述べると
、このＴ　ＣＮ　Ｑｉｌ塩類は例えば２枚のアルミニウ
ム箔をセパレータを介して巻回したコンデンサ素子から
なる固体電解コンデンサの固体電解質として、あるいは
タンタル粉末焼結体のコンデンサ素子からなる固体電解
コンデンサの固体電解質として利用し得るものである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の式［１］で表わされるＮ−置換−イミダゾ
   ール・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩
   類。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 式［１］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿１＿８のアルキル基また
   はベンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性
   ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に
   対応する正の数（０．５〜１．５）を意味する。
2. （２）下記の式［２］で表わされるＮ−置換−イミダゾ
   ール・第四アンモニウム塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼［２］ 下記の式［３］で表わされる７，７，８，８−テトラシ
   アノキノジメタンと反応させ、 ▲数式、化学式、表等があります▼［３］ 下記の式［１］で表わされるＮ−置換−イミダゾール・
   ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 得ることを特徴としたＮ−置換−イミダゾール・７，７
   ，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類の製造方法
   。 式［２］中、Ｘはハロゲンを示す。 式［１］中、ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７，７，
   ８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
   正の数（０．５〜１．５）を意味する。 式［１］および式［２］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の
   アルキル基またはベンジル基を示す。