JPH01254662A - Ｎ−置換−２，３’−ビピリジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子機器分野あるいは電子材料分野などにお
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのＮ−置換−２，３′−
ビピリジル・７，７，８．８−テトラシアノキノジメタ
ン錯塩類およびその製造力ｌ去に関するものである。

［９，明の概要］ 更に詳しくは、下記の式［１］で表わされる新規有機ｆ
導体（新規化合物）としてのＮ−置換−２，３′−ビピ
リジル・７．７，８．８−テトラシアノキノジメタン錯
塩類およびその製造方法を提供するものである。

ただし、式［１］中、ＲはＣ１〜Ｃ６のアルキル基また
はベンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性
？、７，８．８−テトラシアノキノジメタンのモル数に
対応する正の数（０，５〜１．５）を意味する。

なお、説明の便宜上、７，７，８．８−テトラシアノキ
ノジメタンを以下、ＴＣＮＱと称す。

次に、」―記の式［１］で示した化合物は、下記の式［
２］で表ねされるＮ装置ＰＡ−２，３−ビピリジル・第
四アンモニウム塩類を 下記の式［３］で表わされるＴＣＮＱと反応させること
により製造することができるものである。

を記の式［１Ｆの化合物において１式中のＲのアルキル
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数がＣ，〜Ｃａのアル
キル基（ｎ−，１ｓｏ−などの全ての異性体を含む。）
を例示することができる。また、式［１１中のＲとして
ベンジル基を例示することができる。式［１］中のｍは
Ｏ１５〜１．５が好ましく、より好ましくは約１である
。

また、式［２］中のＲは式［１］と同様に０１〜ＣＩ、
のアルキル基またはベンジル基であり、Ｘはハロゲンで
ある。

［合成方法］ １−述したように、本発明に係る式［１］の新規化合物
であるＮ−置換−２，３′−ビピリジル・ＴＣＮＱＣＮ
類は、式［２］のＮ−置換−２，３′−ビピリジル・第
四アンモニウム塩類を式［３］のＴＣＮＱに反応させる
ことによって容易に好ましい収率で製造することができ
る。以下に、その製造方法について述べる。

式［２］のＮ−置換−２，３−ビピリジル・第四アンモ
ニウム塩類は既に公知の化合物であって、２．３’−ビ
ピリジルからそれ自体公知のｆ法を利用して容易に合成
することができる。このＮ−置換−２，３′−ビピリジ
ル・第四アンモニウム塩類の合成例を第１表に示す。２
．３′−ビピリジルを１とした場合の反応モル比は１：
１〜３が好ましく、本例ではｔ：ｉ、ｓとした。

式［３］のＴＣＮＱおよびその種々の塩ならびにその製
造方法についても既に公知であって、例えばり、Ｒ，Ｍ
ｅｌｂｙらのＪ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、８４．３
３７４　（１９６２）および昭和５８（「特許出願公開
第１９１４１４号公報に明示されている。

次に、式［２］の化合物と式［３］のＴＣＮＱとから式
［１］の化合物を製造するー・態様につい−（詳述する
と、例えば式［２］中の一例としてのＮ−メチル−２，
３′−ビピリジル・第四アンモニウム塩類の熱アセトニ
トリル溶液と式［３］のＴＣＮＱの熱アセトニトリル溶
液を熱時混合した後に放冷し、析出した結晶を濾過する
。この際１反応６イ液に大過剰のエーテルを注加し、反
応生成物を析出せしめても良い。反応生成物は熱アセト
ニトリルで＋１結晶するか、または冷無水エタノールで
同エタノールの着色か無くなるまで洗浄すれば、無機塩
類を含有しない式［ＩＪ中の一例としてのＮ−メチル−
２，３−ビピリジル・ＴＣＮＱ錯塩を高収率で得ること
ができる。

ところで、式［２］の化合物と式［３］のＴＣＮＱとの
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなと、あるいはそれらの’ｌ
！ｉ　”Ｆａな混合物のような不活性有機溶媒の沸点ト
ーで行なうと良い。反応に使用する式［３］のＴＣＮＱ
の使用量は、式［２コの混合物１モルに対して約１〜３
モルの如き使用量を例示１−ることができる。また、不
活性有機溶媒の使用はも適宜選択することができ、式［
２］の化合物に対して約１０〜２０倍、式［３］のＴＣ
ＮＱに対して約５０〜１２０倍の如き使用量を例示する
ことができる。

［実施例］ 更に、本発明に係る式［１］のＮ−置換−２，３′−ビ
ピリジル・ＴＣＮＱＣＮ類の具体的な合成方法の実施例
について述べる。

実施例Ｉ Ｎ−メチル−２，３″−ビピリジル・第四アンモニウム
・ＴＣＮＱ錯塩の合成について述べる。

Ｎ−メチル−２，３′−ビピリジル・第四アンモニウム
・沃化水素酸塩ｏ、ｏｔｏｏモルをアセトニトリル５０
ｍ１に熱時溶解し、これにＴＣＮＱＯ，０１５モルをア
セトニトリル３００ｍ１に熱時溶解して注加し、混合し
た後に室温で約５時間放冷する。場合によってはこの放
冷後に大過剰のエーテルを加えて完全に結晶を析出させ
、析出した工、μ色針状結晶を濾別する。この結晶を熱
アセトニトリルにより再結晶を繰返し行ない、場合によ
っては引続きエタノールで同濾液が着色しなくなるまで
洗浄した後、エーテルで洗浄し、さらに乾燥させると、
沃素イオンを全く含有しない純粋なＮ−メチル−２，３
′−ビピリジル・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩、融
点２１６．５〜２２０゜０℃の黒色針状結晶を収率６５
％の高収率で得ることができる。

実施例２〜４ 」二足実施例１ではＮ−メチル−２，３−ビピリジル・
第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩の合成について述べた
が、式［２］中の化合物Ｒがエチル、ｎ−プロピルおよ
びペンシルに置換された式［２］の化合物（Ｉｉ＊掲第
１表中２〜４）を用い、実施例１と同様の手法・手順に
準じて合成した結果、第２ｋに示すようにＮ−エチル−
２，３−ビピリジル・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩
（実施例２）、Ｎ−プロピル−２，３−ビピリジル・第
四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩（実施例３）、Ｎ−ヘン
シル−２，３−ビピリジル・第四アンモニウム・ＴＣＮ
Ｑ錯塩（実施例４）を１うｔた。

第２表にＮ−アルキル−２，３−ビピリジル・第四アン
モニウム・沃化水素酸塩のモル数とアセトニトリルの量
、ＴＣＮＱのモル数とアセトニトリルの！ニジ収率およ
び融点について、実施例２〜４に実施例１を追加して記
す。

［応用例］ 上述のようにして得た式［１］のＮ−置換−２，３′−
ビピリジル・ＴＣＮＱＣＮ類の用途について述べると、
このＴＣＮＱＣＮ類は例えば２枚のアルミニウム箔をセ
パレータを介して巻回したコンデンサ素子からなる固体
電解コンデンサの固体電解質として、あるいはタンタル
粉末焼結体のコンデンサ素子からなる固体電解コンデン
サの固体電解質として利用し得る乙のである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の式［１］で表わされるＮ−置換−２，３′
   −ビピリジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメ
   タン錯塩類。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 式［１］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７，
   ７，８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応
   する正の数（０．５〜１．５）を意味する。
2. （２）下記の式［２］で表わされるＮ−置換−２，３′
   −ビピリジル・第四アンモニウム塩類を▲数式、化学式
   、表等があります▼［２］ 下記の式［３］で表わされる７，７，８，８−テトラシ
   アノキノジメタンと反応させ、 ▲数式、化学式、表等があります▼［３］ 下記の式［１］で表わされるＮ−置換−２，３−ビピリ
   ジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩
   類を ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 得ることを特徴としたＮ−置換−２，３′−ビピリジル
   ・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類の
   製造方法。 式［２］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示し、Ｘはハロゲンを示す。 式［１］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７，
   ７，８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応
   する正の数（０．５〜１．５）を意味する。