JPH02277237A - 噴流式液処理装置 - Google Patents
噴流式液処理装置Info
- Publication number
- JPH02277237A JPH02277237A JP9930889A JP9930889A JPH02277237A JP H02277237 A JPH02277237 A JP H02277237A JP 9930889 A JP9930889 A JP 9930889A JP 9930889 A JP9930889 A JP 9930889A JP H02277237 A JPH02277237 A JP H02277237A
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- Japan
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- jet
- etching
- semiconductor wafer
- cup
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置等の製造に必要な各種液処理工
程において用いられる噴流式液処理装置に関するもので
ある。
程において用いられる噴流式液処理装置に関するもので
ある。
〔従来の技術Ｊ
半導体装置を製造する際には、エツチング工程や写真製
版の現像工程及び、水洗等各種の液処理が行なわれてい
る。第４図は従来の噴流式液処理装置の噴流カップ部分
を示す斜視図である。第５図は従来の噴流式液処理装置
の処理液の流れを示す図である。この噴流カップ（１）
を用いて、例えば半導体ウェハをエツチングする場合、
図に示す様に真空チャック（３）に半導体ウェハ（４）
を真空吸着により保持し、（真空ポンプ等は図示せず。
版の現像工程及び、水洗等各種の液処理が行なわれてい
る。第４図は従来の噴流式液処理装置の噴流カップ部分
を示す斜視図である。第５図は従来の噴流式液処理装置
の処理液の流れを示す図である。この噴流カップ（１）
を用いて、例えば半導体ウェハをエツチングする場合、
図に示す様に真空チャック（３）に半導体ウェハ（４）
を真空吸着により保持し、（真空ポンプ等は図示せず。
）、次に噴流カップ（１）の上部に適当な間隔りをあけ
て半導体ウェハ（４）を保持する。そして、噴流カップ
（１）の下方よりエツチング液（５）をカップ内にポン
プ等（図示せず）で流入させると、エツチングｇ！（５
）は同図中の矢印の様に、噴流カップ（１）より噴出す
る。
て半導体ウェハ（４）を保持する。そして、噴流カップ
（１）の下方よりエツチング液（５）をカップ内にポン
プ等（図示せず）で流入させると、エツチングｇ！（５
）は同図中の矢印の様に、噴流カップ（１）より噴出す
る。
その結果エツチングｇ！（５）は、半導体ウェハ（４）
と接触し半導体ウェハ（４）の表面をエツチングした後
、半導体ウェハ（４）の中心から外周方向に流れて、噴
流カップ（１）の上部と半導体ウェハ（４）との間隔り
を通過し外部に排出される。ここで、一般にエツチング
液（５）は、半導体ウェハ（４）に対するエツチング速
度を一定にする為、外部に設けられた温度調整器等（図
示せず）により液温を一定に保っている。
と接触し半導体ウェハ（４）の表面をエツチングした後
、半導体ウェハ（４）の中心から外周方向に流れて、噴
流カップ（１）の上部と半導体ウェハ（４）との間隔り
を通過し外部に排出される。ここで、一般にエツチング
液（５）は、半導体ウェハ（４）に対するエツチング速
度を一定にする為、外部に設けられた温度調整器等（図
示せず）により液温を一定に保っている。
〔発明が解決しようとする課題］
従来の噴流式液処理装置は以上の様に構成されており、
噴流カップ（１）より噴出するエツチング液（５）によ
り半導体ウェハ（４）をエツチングするものである。上
記のような従来の噴流式液処理装置ではエツチング液（
５）の半導体ウェハ（４）との接触時の流速が均一とな
らず噴流カップ（１）の中央部分では下方から上昇して
くるエツチングｉ （５）が直接半導体ウェハに当たる
為、外局部分より接触時の流速が速くなり、半導体ウェ
ハ（４）に対するエツチング速度は第７図の様な分布と
なる。その結果、第１Ｏ図の様に半導体ウェハ（４）面
内におけるエツチング量によるばらつきを生じる。エツ
チング液（５）が半導体ウェハ（４）の中心より外周方
向にのみエツチング液（５）が流れる為、半導体ウェハ
（４）を例えば凹にエツチングする場合、凹部内ではエ
ツチング液（５）の流れは第９図の様になる。すなわち
エツチング液（５）の澹環が不十分とな抄、図の様に形
状がゆがんでエツチングされるという問題点があった。
噴流カップ（１）より噴出するエツチング液（５）によ
り半導体ウェハ（４）をエツチングするものである。上
記のような従来の噴流式液処理装置ではエツチング液（
５）の半導体ウェハ（４）との接触時の流速が均一とな
らず噴流カップ（１）の中央部分では下方から上昇して
くるエツチングｉ （５）が直接半導体ウェハに当たる
為、外局部分より接触時の流速が速くなり、半導体ウェ
ハ（４）に対するエツチング速度は第７図の様な分布と
なる。その結果、第１Ｏ図の様に半導体ウェハ（４）面
内におけるエツチング量によるばらつきを生じる。エツ
チング液（５）が半導体ウェハ（４）の中心より外周方
向にのみエツチング液（５）が流れる為、半導体ウェハ
（４）を例えば凹にエツチングする場合、凹部内ではエ
ツチング液（５）の流れは第９図の様になる。すなわち
エツチング液（５）の澹環が不十分とな抄、図の様に形
状がゆがんでエツチングされるという問題点があった。
また、これらの問題点を解決する為の従来技術としては
第６図の様な真空チャック（３）を自転させながら噴流
カップ（１）の中心軸に対して公転させる方法が考案さ
れているが、この技術ではエツチング液（５）が半導体
ウェハ（４）の裏面にまわり込み裏面をエツチングした
り、真空チャック（３）にエツチング液（５）が吸弓さ
れるというような不都合が発生していたＯ この発明は上記従来の問題点を解決するためになされた
もので被処理基板の同一面内上におけるエツチング量の
ばらつきが少なく、面積度の良い噴流式液処理装置を得
る事を目的としている。
第６図の様な真空チャック（３）を自転させながら噴流
カップ（１）の中心軸に対して公転させる方法が考案さ
れているが、この技術ではエツチング液（５）が半導体
ウェハ（４）の裏面にまわり込み裏面をエツチングした
り、真空チャック（３）にエツチング液（５）が吸弓さ
れるというような不都合が発生していたＯ この発明は上記従来の問題点を解決するためになされた
もので被処理基板の同一面内上におけるエツチング量の
ばらつきが少なく、面積度の良い噴流式液処理装置を得
る事を目的としている。
［課題を解決する為の手段」
この発明による噴流式液処理装置は、噴流カップ内の中
心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円周上に排
水口を少なくとも二つ以上設けた事を特徴としている。
心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円周上に排
水口を少なくとも二つ以上設けた事を特徴としている。
この発明による噴流式液処理装置は、噴流カップ内の中
心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円周上に二
つ以上の排水口を設けることにより処理液の流れを複雑
にしたので、エツチング等の処理を行なった場合にエツ
チング量のウェハ面内におけるばらつきを無くす事がで
きる。その結果半導体ウェハの面精度を良くすることが
出来る。
心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円周上に二
つ以上の排水口を設けることにより処理液の流れを複雑
にしたので、エツチング等の処理を行なった場合にエツ
チング量のウェハ面内におけるばらつきを無くす事がで
きる。その結果半導体ウェハの面精度を良くすることが
出来る。
以下、この発明の一実施例について図を用いて説明する
。第１図は、この発明の一実施例を示す斜視図である。
。第１図は、この発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図のものの上面図であり、噴流カップ（１
）内に中心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円
周上に少なくとも二つ以上の排水口（６）を設けである
ことを特徴としている。
）内に中心軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円
周上に少なくとも二つ以上の排水口（６）を設けである
ことを特徴としている。
第３図は上記一実施例の装置を用いた時のエツチング液
の流れを示す噴流カップの断面図である。
の流れを示す噴流カップの断面図である。
例えば、半導体ウェハ（４）をエツチングする時は真空
チャック（３）に半導体ウェハ（４）を真空吸着により
保持しく真空ポンプ等は図示せず。）、この場合噴流カ
ップ（１）の上に適当な間隔りをあけて半導体ウェハを
保持する。そして、真空チャック（３）を回転させるこ
とにより、半導体ウェハ（４）を回転させながら、噴流
カップ（１）の下方よりエツチング液（５）を゛カッグ
内にポンプ（図示せず）で噴出させるとエツチング液（
５）は同図中央しるしの様に噴流カップ（１）の上部に
流れ、半導体ウェハ（４）に触れて半導体ウェハ（４）
の表面をエツチングする。ここで第５図に示した従来の
噴流カップ（１）では、エツチング液（５）が半導体ウ
ェハ（４）にそって中心部より外周方向の横方向に流れ
て噴流カップ（１）と半導体ウェハ（４）の間隔りを通
過して外部に排出されるが、この発明による噴流カップ
（１）では、噴流カップ（１）内の中心軸が共通で中心
軸からの半径が異なる円周上に排水口（６）を設けであ
るので、エツチング液（５）は従来同様に噴流カップ（
１）と半導体ウェハ（４）の間隔りを通過して外部に排
出されると共に、排水口（６）にも流れ込み排出口（７
）を通じて外部に排出される。
チャック（３）に半導体ウェハ（４）を真空吸着により
保持しく真空ポンプ等は図示せず。）、この場合噴流カ
ップ（１）の上に適当な間隔りをあけて半導体ウェハを
保持する。そして、真空チャック（３）を回転させるこ
とにより、半導体ウェハ（４）を回転させながら、噴流
カップ（１）の下方よりエツチング液（５）を゛カッグ
内にポンプ（図示せず）で噴出させるとエツチング液（
５）は同図中央しるしの様に噴流カップ（１）の上部に
流れ、半導体ウェハ（４）に触れて半導体ウェハ（４）
の表面をエツチングする。ここで第５図に示した従来の
噴流カップ（１）では、エツチング液（５）が半導体ウ
ェハ（４）にそって中心部より外周方向の横方向に流れ
て噴流カップ（１）と半導体ウェハ（４）の間隔りを通
過して外部に排出されるが、この発明による噴流カップ
（１）では、噴流カップ（１）内の中心軸が共通で中心
軸からの半径が異なる円周上に排水口（６）を設けであ
るので、エツチング液（５）は従来同様に噴流カップ（
１）と半導体ウェハ（４）の間隔りを通過して外部に排
出されると共に、排水口（６）にも流れ込み排出口（７
）を通じて外部に排出される。
このことからエツチング液（５）における半導体ウェハ
（４）に接している部分の流れは、従来の様に半導体ウ
ェハ（４）の中心部より外周方向にのみ流れるのでは無
く、第１１図の様に複雑な流れとなる。さらに半導体ウ
ェハ（４）自体も回転しているため、半導体ウェハ（４
）の表面上においてエツチング液（５）の流れは、さら
に複雑になる。
（４）に接している部分の流れは、従来の様に半導体ウ
ェハ（４）の中心部より外周方向にのみ流れるのでは無
く、第１１図の様に複雑な流れとなる。さらに半導体ウ
ェハ（４）自体も回転しているため、半導体ウェハ（４
）の表面上においてエツチング液（５）の流れは、さら
に複雑になる。
その結果、第８図の様にエツチング速度は、半導体ウェ
ハ（４）上の任意の場所で一定となる。発明者の実験に
よれば例えば直径２インチのＧａ Ａｓウェハを１μｍ
エツチングした場合、ウェハ上のエツチング量のばらつ
きは±２００ｘと非常に面積度の良いエツチング結果が
出た。
ハ（４）上の任意の場所で一定となる。発明者の実験に
よれば例えば直径２インチのＧａ Ａｓウェハを１μｍ
エツチングした場合、ウェハ上のエツチング量のばらつ
きは±２００ｘと非常に面積度の良いエツチング結果が
出た。
又、第９図に示した様に従来凹部をエツチングした時に
生じた形状のゆがみも発生しなかった。
生じた形状のゆがみも発生しなかった。
これは従来の装置に比べ、エツチング液の流れが複雑に
なりエツチング液の循環がｆ分されている為であると思
われる。
なりエツチング液の循環がｆ分されている為であると思
われる。
なお、ここで、噴流カップ（１）の直径や排水口（６）
の位置等は、エツチング等の各種液処理が行なわれる半
導体ウェハ（４）の直径によって決めれば良く、又、噴
流カップ（１）と半導体ウェハ（４）との間隔りやエツ
チング液（５）の流速、温度等も、適宜選べば良い。
の位置等は、エツチング等の各種液処理が行なわれる半
導体ウェハ（４）の直径によって決めれば良く、又、噴
流カップ（１）と半導体ウェハ（４）との間隔りやエツ
チング液（５）の流速、温度等も、適宜選べば良い。
なお、実施例では、半導体ウェハのエツチングについて
説明したが、写真製版工程の現像や水洗等の各種洗浄工
程に用いることができる。又、半導体装置の製造以外に
も応用できることはいうまでもない。
説明したが、写真製版工程の現像や水洗等の各種洗浄工
程に用いることができる。又、半導体装置の製造以外に
も応用できることはいうまでもない。
以上の様に本発明による噴流式液処理装置は噴流カップ
内の中心軸が共通で中心軸からの半径が異なる円周上に
少なくとも二つ以上の排水口を設け、液の流れを複雑に
し、エツチング速度を均一にしたのでエツチング量のば
らつきの少ない面精度の良い各種液処理を行なう事がで
きる。
内の中心軸が共通で中心軸からの半径が異なる円周上に
少なくとも二つ以上の排水口を設け、液の流れを複雑に
し、エツチング速度を均一にしたのでエツチング量のば
らつきの少ない面精度の良い各種液処理を行なう事がで
きる。
第１図はこの発明による一実施例を示す斜視図、第２図
はその上面図、第３図はこの発明による一実施例の処理
液の流れを示す噴流式液処理装置の断面図、第４図は、
従来の噴流式液処理装置を示す斜視図、第５図は従来の
噴流式液処理装置の処理液の流れを示す噴流式液処理装
置の断面図、第６図は別の従来の噴流式液処理装置を示
す断面図、第７図は従来の噴流式液処理装置のエツチン
グ速度のウェハ面内における分布を示す分布図、第８図
はこの発明一実施例による噴流式液処理装置のエツチン
グ速度のウェハ面内における分布を示す分布図、第９図
は従来の噴流式液処理装置でエツチングをした時のウェ
ハ断面形状を示す断面図、第１０図は従来の噴流式液処
理装置くよって処理した半導体ウェハのエツチング量の
ばらつきを模式的に現わした断面図、第１１図は本発明
による噴流式液処理装置によって処理した半導体ウェハ
の”エツチング量のばらつきを模式的に現わした断面図
である。 図において、（１）は噴流カップ、（２）は噴流カップ
の開口部、（３）は真空チャック、（４）は半導体ウェ
ハ、（５）はエツチング液、（６）は排水口、（７）は
排出口である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 り 第２図 代 珊 人 大 岩 増 雄第３図 第８＠ つυ＼舛ｎ ウシ＼中１し ウニへ７ト圓 第４図 第５図 第６図 第９図 第１０図 第１１図 ２、発明の名称 ３．補正をする者 噴流式液処理装置 書（自発） 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番：３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、 補正の内容 （１）明細書の第５頁第２０行に「（図示せず）で噴出
させると」とあるのを［（図示せず）で流入させると」
に訂正する。 （２）明細書の第７頁第７行に「第９図に示した様に従
来凹部をエツチング」とあるのを「第９図に示したよう
に従来凹部（８）をエツチング」に訂正する。 以上 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
はその上面図、第３図はこの発明による一実施例の処理
液の流れを示す噴流式液処理装置の断面図、第４図は、
従来の噴流式液処理装置を示す斜視図、第５図は従来の
噴流式液処理装置の処理液の流れを示す噴流式液処理装
置の断面図、第６図は別の従来の噴流式液処理装置を示
す断面図、第７図は従来の噴流式液処理装置のエツチン
グ速度のウェハ面内における分布を示す分布図、第８図
はこの発明一実施例による噴流式液処理装置のエツチン
グ速度のウェハ面内における分布を示す分布図、第９図
は従来の噴流式液処理装置でエツチングをした時のウェ
ハ断面形状を示す断面図、第１０図は従来の噴流式液処
理装置くよって処理した半導体ウェハのエツチング量の
ばらつきを模式的に現わした断面図、第１１図は本発明
による噴流式液処理装置によって処理した半導体ウェハ
の”エツチング量のばらつきを模式的に現わした断面図
である。 図において、（１）は噴流カップ、（２）は噴流カップ
の開口部、（３）は真空チャック、（４）は半導体ウェ
ハ、（５）はエツチング液、（６）は排水口、（７）は
排出口である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 り 第２図 代 珊 人 大 岩 増 雄第３図 第８＠ つυ＼舛ｎ ウシ＼中１し ウニへ７ト圓 第４図 第５図 第６図 第９図 第１０図 第１１図 ２、発明の名称 ３．補正をする者 噴流式液処理装置 書（自発） 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番：３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、 補正の内容 （１）明細書の第５頁第２０行に「（図示せず）で噴出
させると」とあるのを［（図示せず）で流入させると」
に訂正する。 （２）明細書の第７頁第７行に「第９図に示した様に従
来凹部をエツチング」とあるのを「第９図に示したよう
に従来凹部（８）をエツチング」に訂正する。 以上 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
Claims (1)
- （１）上方の開口部より処理液を噴出させる噴流カップ
を有し、その噴流カップの開口部より噴出している処理
液に、処理させようとする薄板等を接触させて液処理を
行なう噴流式液処理装置において、噴流カップ内の中心
軸が共通でその中心軸からの半径が異なる円周上に排水
口を少なくとも二つ以上設けた事を特徴とする噴流式液
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9930889A JPH0712034B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 噴流式液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9930889A JPH0712034B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 噴流式液処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277237A true JPH02277237A (ja) | 1990-11-13 |
| JPH0712034B2 JPH0712034B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=14244004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9930889A Expired - Lifetime JPH0712034B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 噴流式液処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712034B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05302200A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-11-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気化学マイクロマシニング装置及びその方法 |
| JPH10177978A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Tadahiro Omi | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9930889A patent/JPH0712034B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05302200A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-11-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気化学マイクロマシニング装置及びその方法 |
| JPH10177978A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Tadahiro Omi | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712034B2 (ja) | 1995-02-08 |
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