JPH02289458A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH02289458A JPH02289458A JP1108315A JP10831589A JPH02289458A JP H02289458 A JPH02289458 A JP H02289458A JP 1108315 A JP1108315 A JP 1108315A JP 10831589 A JP10831589 A JP 10831589A JP H02289458 A JPH02289458 A JP H02289458A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は積層セラミックコンデンサ用磁器組成物に関し
、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコン
デンサに用いられる磁器組成物に関する。
、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコン
デンサに用いられる磁器組成物に関する。
［従来の技術］
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつれ、コンデ
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系が知られて
おり、添加や置換によってキュリー点を移動させて、温
度特性の改善を図っている。
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系が知られて
おり、添加や置換によってキュリー点を移動させて、温
度特性の改善を図っている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の材料により温度変化率の小さな材料を実現した場
合、得られる誘電率は高々２０００程度にすぎず、チッ
プの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決す
る手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持つ
磁器組成物材料を組合せ、温度特性の優れた大容量コン
デンサを実現する手段が提案されたが、実際には組み合
わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起こってキュ
リー点が一つとなり、温度特性改善効果はあまり望めな
かった。本発明の目的は上述した従来の事情に鑑み、誘
電率が高くかつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有
するセラミックコンデンサ用磁器組成物を提供すること
にある。
合、得られる誘電率は高々２０００程度にすぎず、チッ
プの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決す
る手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持つ
磁器組成物材料を組合せ、温度特性の優れた大容量コン
デンサを実現する手段が提案されたが、実際には組み合
わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起こってキュ
リー点が一つとなり、温度特性改善効果はあまり望めな
かった。本発明の目的は上述した従来の事情に鑑み、誘
電率が高くかつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有
するセラミックコンデンサ用磁器組成物を提供すること
にある。
［発明の従来技術に対する相違点コ
従来の磁器組成物はチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）
を主鞘成としたものに添加や置換を行って製造している
のに対し、本発明の磁器組成物はマグネシウム・タング
ステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） ０３］、
チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］及びニッケル・ニオブ酸鉛
［Ｐ ｂ （Ｎ ｉ １／３Ｎ ｂ２／３−） ０３］
から成る成分組成物を亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｚ ｎ
１／３Ｎ ｂ２／３） ０３］をＯ〜１０ｍｏ１％の
範囲で置換しているという相違点を持つ。
を主鞘成としたものに添加や置換を行って製造している
のに対し、本発明の磁器組成物はマグネシウム・タング
ステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） ０３］、
チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］及びニッケル・ニオブ酸鉛
［Ｐ ｂ （Ｎ ｉ １／３Ｎ ｂ２／３−） ０３］
から成る成分組成物を亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｚ ｎ
１／３Ｎ ｂ２／３） ０３］をＯ〜１０ｍｏ１％の
範囲で置換しているという相違点を持つ。
［課題を解決するための手段］
本発明の磁器組成物はマグネシウム・タングステン酸鉛
［Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） ０３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］及びニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎ ｉ １／３Ｎ ｂ２／３） ０３］から成る３成
分組成物を、 ［：Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／
２） ０３］ ｘ［ＰｂＴｉ。
［Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） ０３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］及びニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎ ｉ １／３Ｎ ｂ２／３） ０３］から成る３成
分組成物を、 ［：Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／
２） ０３］ ｘ［ＰｂＴｉ。
３］ｙ ［Ｐ ｂ （Ｎ ｉ Ｉ／３Ｎ ｂ２／３）
０３］ ｚと表した時に（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００
）、この３成分組成図において、以下の組成点 （ｘ ＝０．１５ ｙ ＝０．４０ ｚ ＝０．４
５）・・・・・・・・・（ａ）（ｘ＝０．Ｉ５ ｙ＝
０．５０ ｚ＝０．３５）＝・・寺・・（ｂ）（ｘ
＝０．４０ ｙ ＝０．５０ ｚ ＝０．１０）
””（ｃ）（ｘ＝０．５０ ｙ＝０．４０ ｚ＝０
．１０）吻・＝（ｄ）（ｘ＝０．５０ ｙ＝０．３０
ｚ＝０．２０）鳴・・◆・・０・（ｅ）（ｘ ＝０
．２５ ｙ ＝０．３０ ｚ ＝０．４５） ＝（
ｆ）の各点を結ぶ線上、及びこの６点に囲まれる組成範
囲内にある３成分組成物に、副成分として亜鉛ニオブ酸
鉛［Ｐ ｂ （Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３） ０３］を、［
Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） （Ｎ ｉ １／３
Ｎ ｂ２／３） Ｔ ｉ０３］ １ｕ ［Ｐ ｂ （Ｚ
ｎ １／３Ｎ ｂ２／３） ０３］ ｕと表した時に
、Ｏ＜ｕ≦０．１の範囲で添加したことを特徴とする。
０３］ ｚと表した時に（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００
）、この３成分組成図において、以下の組成点 （ｘ ＝０．１５ ｙ ＝０．４０ ｚ ＝０．４
５）・・・・・・・・・（ａ）（ｘ＝０．Ｉ５ ｙ＝
０．５０ ｚ＝０．３５）＝・・寺・・（ｂ）（ｘ
＝０．４０ ｙ ＝０．５０ ｚ ＝０．１０）
””（ｃ）（ｘ＝０．５０ ｙ＝０．４０ ｚ＝０
．１０）吻・＝（ｄ）（ｘ＝０．５０ ｙ＝０．３０
ｚ＝０．２０）鳴・・◆・・０・（ｅ）（ｘ ＝０
．２５ ｙ ＝０．３０ ｚ ＝０．４５） ＝（
ｆ）の各点を結ぶ線上、及びこの６点に囲まれる組成範
囲内にある３成分組成物に、副成分として亜鉛ニオブ酸
鉛［Ｐ ｂ （Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３） ０３］を、［
Ｐ ｂ （Ｍｇ１／２Ｗ１／２） （Ｎ ｉ １／３
Ｎ ｂ２／３） Ｔ ｉ０３］ １ｕ ［Ｐ ｂ （Ｚ
ｎ １／３Ｎ ｂ２／３） ０３］ ｕと表した時に
、Ｏ＜ｕ≦０．１の範囲で添加したことを特徴とする。
本発明における主成分組成範囲を表す３成分組成図は第
１図で示される。図中（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）
及び（ｆ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範
囲は図の斜線で示す範囲及びその境界線上である。
１図で示される。図中（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）
及び（ｆ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範
囲は図の斜線で示す範囲及びその境界線上である。
［実施例］
次に°本発明の実施例について説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン（
ＷＯ３）、酸化チタン（Ｔｉ０３）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉ Ｏ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）、及び亜鉛（
ＺｎＯ）を使用し、表−１に示した配合比になるように
各々秤量する。次に、秤量した原料をボールミル中で湿
式混合した後、７５０〜８００℃で予焼を行い、この粉
末をボールミルで粉砕し、ろ過、乾燥後、有機バインダ
を入れて整粒後プレスし、直径１６ｍｍ、厚さ２ｍｍの
円板２０枚を作製した。次にこれらの円板を空気中、表
−１に示すような焼成温度で１時間焼結した。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン（
ＷＯ３）、酸化チタン（Ｔｉ０３）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉ Ｏ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）、及び亜鉛（
ＺｎＯ）を使用し、表−１に示した配合比になるように
各々秤量する。次に、秤量した原料をボールミル中で湿
式混合した後、７５０〜８００℃で予焼を行い、この粉
末をボールミルで粉砕し、ろ過、乾燥後、有機バインダ
を入れて整粒後プレスし、直径１６ｍｍ、厚さ２ｍｍの
円板２０枚を作製した。次にこれらの円板を空気中、表
−１に示すような焼成温度で１時間焼結した。
焼結した円板試料の上下面に銀電極を６００℃で焼付け
、デジタルＬＣＲメータで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒ
ｍｓ、温度−５５〜１２５℃で容量と誘電損失を測定し
、これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次に、超
絶縁計を用い５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗
を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。尚、各組成
に対応する特性は試料４点の平均値より求めた。
、デジタルＬＣＲメータで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒ
ｍｓ、温度−５５〜１２５℃で容量と誘電損失を測定し
、これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次に、超
絶縁計を用い５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗
を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。尚、各組成
に対応する特性は試料４点の平均値より求めた。
このようにして得られた磁器組成物の配合比と誘電率、
誘電損失及び比抵抗との関係を表−１に示す。
誘電損失及び比抵抗との関係を表−１に示す。
表−１に示した結果から明らかなように、本発明の磁器
組成物は誘電率が２０℃において３０００以上と高く、
誘電損失、比抵抗も実用的な水準を満たしており、かつ
誘電率の温度変化が一５５°Ｃ〜１２５℃の温度範囲で
２０℃の誘電率を基準とした場合極めて小さく温度安定
性が優れており、セラミックコンデンサ用磁器組成物と
して優れた材木ｊ［である。
組成物は誘電率が２０℃において３０００以上と高く、
誘電損失、比抵抗も実用的な水準を満たしており、かつ
誘電率の温度変化が一５５°Ｃ〜１２５℃の温度範囲で
２０℃の誘電率を基準とした場合極めて小さく温度安定
性が優れており、セラミックコンデンサ用磁器組成物と
して優れた材木ｊ［である。
（以下、余白）
表−１
尚、本発明の成分組成範囲外及び成分組成範囲内でも焼
成温度が１０００〜１１５０℃の範囲外である場合は、
誘電率が低くなったり、誘電率の温度変化が大きくなっ
たりする。
成温度が１０００〜１１５０℃の範囲外である場合は、
誘電率が低くなったり、誘電率の温度変化が大きくなっ
たりする。
また、本発明の磁器組成物を製造する際、焼結温度は比
較的低いため、積層セラミックコンデンサに用いた場合
、内部電極としては高価な白金やパラジウムではなく、
安価な銀パラジウム系の材料を用いることができ、積層
セラミックコンデンサの製造コストを低く抑えることが
できる。
較的低いため、積層セラミックコンデンサに用いた場合
、内部電極としては高価な白金やパラジウムではなく、
安価な銀パラジウム系の材料を用いることができ、積層
セラミックコンデンサの製造コストを低く抑えることが
できる。
第１図は本発明の主成分組成範囲を示ず３成分組成図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ
１／２）Ｏ＿３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ＿３］およ
びニッケルニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ１／３）
Ｏ＿３］からなる３成分組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ＿３］＿ｘ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ１／３）Ｏ＿３］＿ｚと表した時に（
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）この３成分組成図にお
いて以下の組成点、 （ｘ＝０．１５ｙ＝０．４０ｚ＝０．４５）（ｘ＝０．
１５ｙ＝０．５０ｚ＝０．３５）（ｘ＝０．４０ｙ＝０
．５０ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０ｙ＝０．４０ｚ＝
０．１０）（ｘ＝０．５０ｙ＝０．３０ｚ＝０．２０）
（ｘ＝０．２５ｙ＝０．３０ｚ＝０．４５）の各点を結
ぶ線上及びこの６点に囲まれる組成範囲内にある３成分
組成物に副成分として亜鉛ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｚｎ１／３
ＮＢ２／３）Ｏ＿３を、［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ＴｉＯ＿３］１−ｕ［Ｐｂ（
Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３］＿ｕと表したときに０
＜ｕ≦０．１の範囲で添加したことを特徴とする磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108315A JPH02289458A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108315A JPH02289458A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289458A true JPH02289458A (ja) | 1990-11-29 |
Family
ID=14481594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1108315A Pending JPH02289458A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02289458A (ja) |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP1108315A patent/JPH02289458A/ja active Pending
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