JPH02289911A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録
装置に用いられる磁気ヘノド及びその製造方法に関する
。

（口）従来の技術 従来、ＶＴＲ等の磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド
では、一対の磁気コア半体同士をＳｉＯｚ等の非磁性材
料を介して突合せて作動ギャップを形成すると共に、前
記一対の磁気コア半体同士をガラス、銀ロウ等の接合材
により接合固定している。この従来のギャップ接合の構
造は、フエライト等の強磁性酸化物材料よりなる磁気コ
ア半体を用いる１７２インチＶＴＲヘッド、作動ギャッ
プ近傍にセンダスト等の強磁性金属材料を用いた８ＭＶ
ＴＲ用ヘッド、センダスト等の強磁性金属薄膜よりなる
主コアを非磁性材料よりなる補強コアで扶持した高品位
ＶＴＲ用ヘッド等の様々の磁気ヘッドで用いられている
。

次に、特開昭６２−１１９７０９号公報（Ｇ１１１３５
／１２７）等に示されている高周波用積層コア型磁気ヘ
ッドのギャップ接合について説明する。

第１０図は従来の高周波用積層コア型磁気ヘッドの外観
を示す斜視図である。

図中、（ｌａ）（ｌｂ）はそれぞれ結晶化ガラス、非磁
性セラミック等よりなる非磁性基板（２　）（２　）（
２　）（２）間にセンダスト等の金属磁性薄膜とＳｉＯ
＋等の絶縁薄膜との積層薄１］！（３）よりなる主コア
半体が扶持されている第１、第２コア半体であり、第１
コア半体（１ａ）には巻線溝（４）が形成されている。

前記第１、第２コア半体（ｌａ）（１．ｂ）はそのギャ
ノブ形成面同士がＳｉＯｙ等の非磁性薄膜を介して突き
合ワサレテオリ、第１、第２の溶着溝（８ａ）（８ｂ）
（９　）に充填された低融点ガラス（１０）（１０）に
より接合され、該接合部には作動ギャップ（１１）が形
成されている。また、媒体摺接部（１２）の両側には切
欠講（１３）（１３）が設けられており、媒体との当り
を良好にしている。

次に、−Ｅ記従来の高周波用積層コア型磁気ヘッドの製
造方法について説明する。

先ず、第１１図に示すように結晶化ガラス等よりなる非
磁性基板（２）の上面に溝（１５）を形成すると共に下
面に高融点ガラス（例えばＮａ＋Ｏ−ＢｚＯ＋−ＳｌＯ
，系ガラス、軟化点５４０℃）のペーストを塗布焼成（
焼成温度７００℃以上）してガラス層（１６）を形成す
る。

次に、第１２図に示すように前記非磁性基板（２）の上
面にセンダスト等よりなる２〜７１ｍ厚の強磁性金属薄
膜とＳｉＯｚ等よりなる０．１〜０．５μｍ厚の絶縁薄
膜とを交互に被着形成して３〜６層構造の積層薄膜（３
）を有する積層基板（１７）を形成する。

次に、前記積層基板（１７）を第１３図に示すように複
数個積み重ね、前記ガラス層（ｌ６）により溶着してコ
アブロック化する。尚、このコアブロック化の際、最上
部には非磁性基板（２゛）が接合固定され、最下部には
積層基板（広）が接合固定される。前記非磁性基板（２
′）は下面にガラス層（１６）が形成され、上面には何
も形成されていない。前記積層基板（１７’）は上面に
溝（１５）及び積層薄膜（３）が形成されており、下面
には何も形成されていない。また、前述のコアブロック
化の際、ガラス層（１６）は加熱雰囲気中で加圧される
ことにより接合境界のガス及び余分なガラスは前記溝（
１５）に逃げ込み、積層薄膜（３）と非磁性基板（２）
との境界には１μｍ以下の均質なガラス層（１６）が形
成され、前記積層基板（１７）（１７’）及び非磁性基
板（２′）は強固に接合固定される。

次に、前述の工程により形成されたコアブロックを第１
４図に示すように所定のアジマス角だけ傾けて切断して
一対のコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）を形成す
る。尚、前記コアブロックの寸法を大きくすることによ
り一対のコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）を多数
形成することが可能である。

次に、第１５図に示すように一方のコアブロック半体（
ｉｓａ）のギャップ形成面（１９）上に前記積層薄膜（
３）を横切るように巻線溝（４）及び第１の溶着溝（８
ａ）（８ｂ）（８ｃ）を形成する。

次に、第１６図に示すように前記巻線溝（４）のフロン
ト部及び前記第１の溶着溝（８ａ）（８ｂ）（８ｃ）全
域に溶着ガラス（１０）（１０）（１０）（１０）を充
填し、その後前記コアブロック半体（１８ａ）のギャッ
プ形成面（１９）１−に鏡面研磨を施し、更にギャップ
スペーサ用のＳｉｎ，薄膜（図示せず）を所定厚だけス
パッタリング等により被着形成する。

一方、第１７図に示すように他方のコアブロック半体（
１８ｂ）のギャップ形成面（１９）上には前記積層薄膜
（３）の両側に第２の溶着溝（９　）（９　’）を形成
する。

次に、第１８図に示すように前記第２の溶着溝（９　）
（９　”）全域に溶着ガラス（１０）（１０）を充填し
、その後前記コアブロック半体（１８ｂ）のギャップ形
成面（Ｉ９）上に鏡面研磨を施す。

尚、前記巻線溝（４）、第１の溶着溝（８ａ）（８ｂ）
（８Ｃ）及び第２の溶着溝（９　）（９　）内に重点さ
れる溶着ガラス（１０）は同一組成であり、前記ガラス
層（１６）の軟化点よりも低い軟化点をもつ低融点ガラ
ス（例えばＰｂＯ−Ｂ．Ｏ，−Ｓ；Ｏ．系ガラス、軟化
点３５０℃）よりなる。

次に、前記一対のコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ
）のギャップ形成面（１９）（１９）同士を第１９図に
示すように前記積層薄膜（３）（３）同士が対向するよ
うに位置合わせした後、前記一対のコアブロック半体（
　１８ａ　）　（１８ｂ）のギャップ形成面（１９）（
１９）同士を衝き合わせ、前記溶着ガラス（１０）を溶
融固化することによりギャップ接合を行い溶着ブロック
（２０）を形成する。

最後に、前記溶着ブロック（２０）の上面にＲ付加工を
施して媒体摺接面（１２）を形成し、その後前記溶着ブ
ロック（２０）をスライスしてヘッドチップ化を行うこ
とにより第１０図に示す磁気ヘッドが完成する。

しかし乍ら、上記従来の磁気ヘッドの場合磁気コア半体
（ｌａ）（ｌｂ）同士は巻線溝（４）の上端及び第１、
第２の溶着溝（８ａ）（８ｂ）（９　）内に充填した溶
着ガラス（１０）により接合固定されるため、前記溶着
溝（８ａ）（８ｂ）（　９　）を加工形成する必要があ
り、更に前記溶着溝（８ａ）（８ｂ）（　９　）に溶着
ガラス（１０）を充填する際及び前記磁気コア半体（ｌ
ａ）（ｔｂ）同士をギャップ接合する際に夫々加熱冷却
工程が必要であり、製造工程が複雑である。

また、溶着ガラス（１０）がバックギャンプ部に存在す
るためパックギャップ部での磁気抵抗が大きくなり再生
効率が低下する。また、第１、第２の溶着溝（８ａ）（
８ｂ）（　９　）に充填された溶着ガラス（１０）だけ
では、前記一対の磁気コア半体（ｌａ）（ｌｂ）同士は
線状或いは点状の部分でしか接合されておらず、接合強
度が十分でない。

また、ギャップ形成面間にガラス材を介在させ該ガラス
材により一対の磁気コア半体同士を接合させると共に、
前記ガラス材をギヤップスペーサとして用いた磁気ヘッ
ドが提案されているが、この磁気ヘッドは前記ガラス材
の耐熱性が低く、更にガラス材が水分等を吸収し易いた
め、ギャップ長を規定しにくいと共にギャップ長が拡大
し易く、狭ギャップ化に適していない。

一方、特開昭６３−２５１９０８号公報に開示されてい
る様に、磁気ヘッド製造工程とは別の工程で予め製造し
たシリカゾルを、磁気ヘッド構成部材の接合面に塗布し
、該塗布面に保護板を下圧した状態でこれらを加熱する
ことによって、磁気ヘッド構成部材上に保護板を接合固
定する方法が知られている。この方法では、接合材表面
のＯＨ基又はＯＲ基と被接合材表面に吸着してぃるＯＨ
基とが加水分解して、 Ｓ＋　　Ｏ　　Ａ　　ＬＯ　　（Ａは被接合材の原子）
となることにより接合が行われるがら、接合に関与する
ＯＨ基の量が接合強度を左右することになる。ところが
、従来の方法では、予め製造さｔしたシリカゾル中の単
位容積当りのＯＨ基又はＯＲ基の量は決っており、然も
その後の加水分解によってＯＨ基又はＯＲ基の量が減少
することになるから、接合強度が十分でない問題があっ
た。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
−・対の磁気コア半体同士を別途ガラス等の溶着材を用
いることなしに接合固定することが可能である磁気ヘッ
ド及びその製造方法を提供するものである。

（二）課題を解決するための手段 本発明は互いに突き合された磁性を有する一対のコア半
体と、両コア半体の突合せ部に形成された作動ギャップ
と、両コア半体を互いに接合固定する接合層と、少なく
とも何れか一方のコア半体の接合面に凹設された巻線溝
と、両コア半体に跨がって形成された記録媒体との摺接
面とを備えた磁気へノドにおいて、前記接合層は、両コ
ア半体の接合面の全域、或いは少なくとも前記コイル溝
よりも前記記録媒体との摺接面側の部分領域に広がる高
融点の非磁性酸化物層によって形成され、該非磁性酸化
物層の前記部分領域によって作動ギャップが形成されて
いることを特徴とする。

更に、前記非磁性酸化物層は非磁性酸化物溶液がゲル体
を経て固化してなるものであることを特徴とする。

更に、前記非磁性酸化物層がＳｉｎ，よりなることを特
徴とする。

】　２ 更に、前記非磁性酸化物層の厚みが作動ギャップのギャ
ップ長に等しいことを特徴とする。

更に、前記非磁性酸化物層は両コア半体の接合面の内、
前記部分領域にのみ形成され、コイル溝を挟んで作動ギ
ャソブとは反対側の領域には、磁性酸化物層が形成され
、該磁性酸化物層及び前記非磁性酸化物層によって両コ
ア半体の接合層が形成されていることを特徴とする。

また、本発明は磁性を有する一対のコア半体を互いに突
き合わせ、該突合せ部に作動ギャップを形成すると共に
、両コア半体を接合層を介して互いに接合固定してなる
磁気ヘッドの製造方法において、前記コア半体となる一
対のコア半体部材を作製する工程と、両コア半体部材を
所定の間隙をおいて互いに突き合せ、前記間隙部に金属
有機化合物の溶液を浸透させる工程と、前記溶液を加熱
により固化して非磁性酸化物層を形成し、該非磁性酸化
物層によって前記一対のコア半体部材を互いに接合固定
する工程と、前記工程を経て得られた接合体に加工を施
して前記非磁性酸化物層の一部を作動ギャップとするヘ
ッドチップを作製する工程とを有していることを特徴と
する。

更に、前記金属有機化合物の溶液が前記加熱によってゾ
ル状及びゲル状を経て固化することを特徴とする。

更に、前記金属有機化合物の溶液が金属アルコキシド溶
液であることを特徴とする。

更に、前記金属アルコキシド溶液がシリコンアルコキシ
ド溶液であることを特徴とする。

前記一対のコア半体同士を、突き合せ面の隅部に設けた
ギャップ長に等しい厚みのスペーサを介して突き合せる
ことにより前記両コア半体間の間隙の間隙長を規定した
ことを特徴とする。

（ホ）作　用 上記構成の磁気ヘッドは、作動ギャップとなる非磁性酸
化物層により一対の磁気コア半体同士が強固に面接合さ
れるので、別途前記磁気コア半体同士を接合するための
溶着材を必要としない。

更に、前記非磁性酸化物層はゲル体を固化してなるもの
であるため、前記非磁性酸化物層の融点よりも可成りの
低温で前記磁気コア半体同士を接合固定出来る。

更に、作動ギャップとは反対側の領域を磁性酸化物層で
形成すると、パックギャップ部の磁気抵抗が小さくなり
、再生効率が向上する。

また、上記製造方法によれば、両コア半体部材の接合工
程において、金属有機化合物の溶液には、水酸基（ＯＨ
基）或いはアルコシキル基（ＯＲ基）が大量に含まれて
いるから、前記溶液が固化する過程でＯ▽Ｈ基或いはＯ
Ｒ基が減少したとしても、前記接合に寄与するＯＨ基或
いはＯＲ基は十分な量だけ確保され、被接合材と非磁性
酸化物層の界面に生じる一Ａ−０−Ｍ−（Ａは被接合材
中の金属原子、Ｍは非磁性酸化物層中の金属原子）の結
合によって、十分な接合力が得られる。

然も、上記製造方法によれば、両コア半体の接合層と作
動ギャップが同時に形成されるから、ギャップ形成とコ
ア接合の夫々に加熱工程が必要であった従来の製造方法
に比べて、製造工程が簡易となる。

（へ）実施例 以下、図面に沿って本発明に係る磁気ヘッド及びその製
造方法の実施例について詳述する。尚、第１０図に示す
磁気ヘッドと同一部分については同一符号を付し、周知
の構造及び製造工程については説明を省略する。

第１図に示す如く、本実施例の高周波用積層コア型磁気
ヘッドに於いては、第１コア半体（１ａ）の巻線溝（４
）の上方に、巻線溝（４）と連続して切欠き部（４ａ）
が形成されており、該切欠き部（４ａ）により作動ギャ
ップ（１１）のギャップ深さの下端か規定される。第１
及び第２コア半体（ｌａ）（ｌｂ）の突合わせ部には、
シリコンアルコキシド溶液等の金属アルコキシド溶液を
ゲル体にした後同化してなるギャップ長に等しい厚さを
有するＳ１０．等の高融点の非磁性酸化物層（１４）が
接合面全域に介在している。両コア半体（ｌａ）（ｌｂ
）は非磁性酸化物層（１４）により強固に面接合されて
おり、該非磁性酸化物層（１４）は接合層としてのみな
らず、作動ギャップ（１１）を形成するためのギャップ
スペーサとしても機−▽▽１▽５▽▽− 能する。

次に、上記磁気ヘッドの製造方法の一例について説明す
る。

先ず、第２図の如く、Ｚｎ０−ＡＩ　、Ｏ，−５ｉＯ，
系の結晶化ガラスからなる非磁性基板（２）とセンダス
ト及びＳ＋Ｏ＝の積層薄膜（３）とを交互に配備してな
る積層ブロック（長）を切断して、積層薄膜（３）が切
断面に対して所定のアジマス角度だけ傾いた一対のコア
ブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）を作製する。積層ブ
ロック（１５）は周知の如く、非磁性基板（２）の表面
に、厚さ２〜７μｍのセンダスト薄膜と厚さ０．１〜０
．５μｍのＳｉＯ２薄膜を交互に被着形成して３〜６層
の積層薄膜（３）を形成し、更にこれによって得られた
積層基板を複数枚積み重ねてこれらをガラス接合するこ
とによって作製することができる。尚、積層ブロック（
長）の寸法を大きくすることにより、一対のコアブロッ
ク半体（１８ａ）（１８１ｔ）を多数作製することも可
能である。

次に第３図の如く一方のコアブロック半体（艮旦）のギ
ャップ形成面（１９）上に積層薄膜（３）を横切−▽▽
１▽６▽▽− る方向に巻線溝（４）を凹設する。

その後、第４図の如く前記一方のコアブロック半体（山
）と他方のコアブロック半体（１８ｂ）とを非磁性酸化
物層（１４）を介して接合一体化し、コアブロック（翻
）を作製する。以下、コアブロック（毅）の製造工程を
更に詳述する。

第５図に示す如く両コアブロック半体（１８ａ）（１８
ｂ）の内、何れか一方のコアブロック半体の接合面の４
隅に、所望のギャップ長（例えば０．２〜０゜２▽５　
ｐｍ）に等しい厚さのＳｉｎ、、ＡＩ、Ｏ，，１’　ｉ
　０　を等のスペーサ（２５）を形成し、一対のコアブ
ロック半体（１８ａ）（１８ｂ）のギャップ形成面（１
９）（１９）に超音波洗浄及び紫外線洗浄を施した後、
該ギャップ形成面（１９）（１９）どうしを積層薄膜（
３）（３）どうしが対向する位置で突き合せる。

次に、上述の如く突き合された一対のコアブロック半体
（１８ａ）（１８ｂ）のギャップ形成面（１９Ｘ１９）
間に、例えば、シリコンアルコキシド（例えばテトラエ
トキシシランＳ＋　（ＯＣ＋Ｈ−▽）４）と、加水分解
に必要なＨ＋Ｏと、触媒としての酸（例えばＨＣＩ　）
と、−▽▽１▽８▽▽− 溶媒（例えばエタノールＣ．ＨｊＯＨ）とからなるシリ
コンアルコキシド溶液（２１）を、第６図（ａ）の如く
表面張力を利用して浸透させる。

第９図（ａ）はコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）
間にシリコンアルコキシド溶液（２１）が充満している
状態を示し、シリコンアルコキシド溶液（２１）中には
シリコンアルコキシド分子（２２）が存在している。

次に、前記工程を経てシリコンアルコキシド溶液（２１
）が浸透されたコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）
の積層体を、第８図に示す条件、即ち２００℃を２時間
保持する１次加熱工程と、その後に５００℃を２時間保
持する２次加熱工程とによって加熱する。これらの加熱
工程によって、シリコンアルコキシド溶液中のシリコン
アルコキシド分子は、先ず下記の（１）式に示す様に加
水分解し、更にこの加水分解により生成されたＳｉ（Ｏ
Ｈ．）は下記（２）式に示す様に重合してＳｉｎ．粒子
となり、コアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）間の溶
液は粘度が上昇して、ゾル状になる。

ｎＳｉ（ＯＣｘ｝１ｓ）ｔ＋４ｎＨ＋ｏ−ｔｎｓｉ（Ｏ
Ｈ）＋＋４ｎｅｔ｝ＩｉＯＨ・・（１）ｎＳｉ（Ｏｌｌ
）ｔ→ｎｓｉｏｔ”２ｎ｝ＩｔＯ　　　　　　　　　　
　　　　（２　）尚、上述の加水分解の実際に近い式は
、λＩ（ＯＲ）ｎ＋ｘＨ，０４１（ＯＨ）ｘ（ＯＲ）ｎ
−ｘ＋ｘＲＯＨ　　　−（３）ここで，Ｍ：金属　　Ｒ
ニアルキル基 ｘ＝ｎならばＯＨ基は全て加水分解されている。但し、
実際にはＸ≠ｎであり、（１）式は（３）式の理想状態
である。又、上述の重合反応は下記に示す脱水反応と脱
アルコール反応とにより起こる。

脱水反応 −Ｍ−ＯＨ＋｝！−０−Ｍ→−Ｍ−０−λＩ＋ｌ＋，０
脱アルコール反応 −Ｍ−０｝１＋Ｒ−０−Ｍ→−Ｍ−０−Ｍ＋ＲＯＨ第９
図（ｂ）はシリコンアルコキシド溶液（２】）が上記（
１）式、（２）式の反応によりＳｉｎ，粒子（２３）と
なり、溶液がゾル状になった状態を示している。

Ｓｉｎ．粒子（２３）は更に凝集して第９図（ｃ）に示
す様に凝集粒子（２４）となり、溶液はゲル状になる。

この凝集は前記５００℃の２次加熱により更に進行して
溶液は第９図（ｄ）に示す様に固化してＳｉｎ，の固体
よりなる非磁性酸化物層（１４）となる。

」―述の反応では、コアブロック半体（１８ａ）（１８
ｂ）のギャップ形成面（１９）（１９）における非磁性
基板（２）の表層に存在するＳｉＯＨトシリコンアルコ
キシド溶液（２１）中のＯＨ基とから夫々Ｈ．Ｏが解離
し、非磁性酸化物層（１４）とコアブロック半体（１８
ａ）（１８ｂ）との界面では−Ｓｉ−０−Ｓｉ−の接合
が生じており、非磁性酸化物層（１４）は接合層として
の役割を果し、一体のコアブロック（２０）が形成され
る。又、非磁性酸化物層（ｌ４）は所望のギャップ長に
等しい厚さを有しており、ギヤップスペーサとしての役
割も担う。

尚、結晶化ガラス以外の資材によって非磁性基板を作製
した場合においても、該基板表面の酸化層中に存在する
ＯＨが上述と同様に反応して界面に一Ｍ−０−Ｓｉ−　
（Ｍは非磁性基板中の金属原子）の結合が生じて、非磁
性酸化物層（１４）は接合層としての役割を果す。

尚、第８図に示す２００℃の１次加熱工程は、予めシリ
コンアルコキシド溶液中の｝Ｉ＋Ｏ、アルコール等を揮
発させて、固化を促進するためのものであって、１次加
熱によって大面積のギャップ形成面においても揮発を十
分に行なうことが出来る。

上記工程によってコアブロック（２０）が完成した後は
、第５図のＡ線に沿う曲面加工を施して、鎗７図の如く
摺接面（１２）を形成し、更に該コアブロック（２０）
を積層薄膜（３）毎にスライスして、複数のへ冫ドチッ
プを得る。この際、コアブロック（２０）に残っている
前記スペーサ（２５）は切り落とされることになる。

そして最後に前記へッドチップの両側に切欠き溝（１３
）を形成する加工を施せば、第１図の磁気ヘッドが完成
する。尚、切欠き溝（ｌ３）の加工に伴って巻線溝（４
）の上端に切欠き部（４ａ）が形成さ！ｔる。

上記磁気ヘッドにおいては、作動ギャップ（１１）とな
る非磁性酸化物層（１４）が一対のコア半体（１ａ）（
ｌｂ）を互いに接合固定する接合層としての機能を果す
から、第１０図に示す如きガラス溶着溝（９）（８ａ）
（８ｂ）を要しない。又、一対のコア半体（ｌａ）（Ｉ
Ｉ））は、それらの接合面間に、接合面全域に広がって
介在する非磁性酸化物層（１４）によって面接合されて
いるので、従来の磁気ヘッドに比べて接合強度に寄与す
る接合面積が大きく、十分な接合強度が得られる。

然も、非磁性酸化物層（１４）は１０００℃以上の耐熱
性を有しているが、前述の如く５００℃前後の比較的低
い温度で形成できるから、製造工程の簡略化が可能であ
る。

又、上記製造方法に於いては、非磁性酸化物層（１４）
を形成するための出発溶液であるシリコンアルコキシド
溶液（２１）は、酸（ｌ｛ＣＩ）及び溶媒（Ｃ．｝Ｉ５
０Ｈ）中にテトラエトキシシランＳｔ　（ｏｃｔｕｉ）
＊が分散されている溶液であるため、該溶液中にはＯＨ
基が十分な量だけ含まれており、非磁性酸化物層（ｌ４
）がゾル化する過程でＯＨ基がある程度減少したとして
も、前述の如く非磁性酸化物層（１４）中の原子と非磁
性基板（２）及び積層薄膜（３）の表層に存在する原子
との接合に寄与すべきＯＨ基は十？に残存しており、こ
の結果、一対のコアブロック半体（１８ａ）（１８ｂ）
は強固に接合されるのである。

非磁性酸化物層（１４）としては、前述のＳｉＯｚ以外
に、Ａｌｔｏｓ，　ＴｉＯｚ．　ＺｒＯｔ．　ＧｅＯｔ
−ＳｉＯ２．　Ｔｉｌｔ−Ｓｉｆｔ、Ｉｎｔｏ−ＳｎＯ
，　ＮａｚＯ−ＢｚＯｘ−ＳｉＯ■、ＢａＴｉＯ．．　
ＰｂＴｉＯ＋−ＫＴｉＯｘ等があり、これらを形成する
ための出発溶液は、加水分解と重合反応を行なう活性基
を有する周知の種々の金属有機化合物、例えばアルミニ
ウムイソプロポキシドＡＩ（ＯＣｓＨ７）ｉ等の金属ア
ルコキシド、インジウムアセチルアセトネートＩｎ（Ｃ
ＯＣＨｔＣＯＣｌ｛ｓ　）等の金属アセチルアセトネー
ト、或るいは酢酸鉛Ｐｂ（ＣＩ｛＋ＣＯＯ）ｔ等の金属
力ルポキシレートから生成町能であり、これらの溶液は
ＯＨ基又は／及びＯＲ基を含有している。

第１図の磁気ヘッドにおいては、一対のコア半体（ｌａ
）（ｌｂ）の接合強度が高いばかりでなく、十分な耐熱
性を有し、ギャップ長の短縮に好適である。然もパック
ギャップ部は極めて薄い非磁性酸化物層（１４）によっ
て形成されているから、パックギャップ部における磁気
抵抗は従来の磁気ヘッドに比べて遥かに小さい。

又、第２図乃至第９図の製造方法は、複雑な溝加工や高
温の加熱工程を要せず、極めて簡易であるから、製造コ
ストの低減が可能である。

尚、第５図に示す一対のコアブロック半体（１８ａ）（
１８ｂ）の接合の際に、第６図（ｂ）の如く作動ギャッ
プとなるフロントギャップ部Ｆには例えばシリコンアル
コキシド溶液（２１）を、パックギャップ部Ｒには鉄ア
ルコシキド、或いは硝酸鉄等の磁性金属有機化合物の溶
液（２１０）を浸透させることも可能である。例えば該
溶液（２１０）として、鉄アルコキシドＦｅｗ（ＯＲ）
＋、アルコールＲＯＨ、及び１１２０を含むもの、触媒
としてアンモニアを用いた場合の反応式は下式の如く推
定される。

加水分解 ｎＦｅ２　（ＯＲ）＋”３ｎｌ｛ｔｏ−ＩｎＦｅｚ　（
ＯＨ）＋”３ｎＲＯＨ重合反応 ２ｎＦｅｔ（ＯＨ）ｓ→２ｎＦｅｔｏｉ＋３ＨｔＯこの
場合、第１図の如く完成した磁気ヘッドにおいては、パ
ックギャップ部Ｆｅｔｕｓ等の磁性酸化物層によって形
成されるから、強固な接合のみならず、パックギャップ
部における磁気抵抗を更に低下せしめることが可能であ
る。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、一対の磁気コア半体同士を別途磁気コ
ア半体接合用の溶着材を用いることなしに強固に面接合
することが出来、機械的強度に優れ且つ製造が容易であ
る磁気ヘッド及びその製造方法を提供し得る。

更に、本発明に依れば、高耐熱性を有し狭ギャップ化に
適した磁気コア半体接合用のギヤップスペーサを低温で
形成出来る磁気ヘッド及びその製造方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第９図は本発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図、第３図、第４図、第５図
、第６図及び第７図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す
図、第８図は加熱温度を示す図、第９図はギャップ接合
の過程を示す図である。第１０図乃至第２１図は従来例
に係り、第１０図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第
１１図、第１２図、第１３図、第１４図、第１５図、第
１６図、第１７図、第１８図、第１９図、第２０図及び
第２１図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図である。 （１ａ）・・・第１コア半体、（１ｂ）・・・第２コア
半体、（４）・・・巻線溝、（１１）・・・作動ギャン
ブ、（１２）・・・媒体摺接面、（１４）・・・非磁性
酸化物層、（１８ａ）（１８ｂ）−コアブロッグ半体（
コア半体部材）　．　（２０）・・コアブロック（接合
体）、（２１）・・・シリコンアルコキシド溶液、（２
１０）・・・磁性金属有機化合物の溶液、（２５）・・
・スペーサ。 出顎人　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　西野卓嗣（外２名） 昧 駈 怯 賢ｌ 叫 ｒｌ：１ セ１

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）互いに突き合された磁性を有する一対のコア半体
   と、両コア半体の突合せ部に形成された作動ギャップと
   、両コア半体を互いに接合固定する接合層と、少なくと
   も何れか一方のコア半体の接合面に凹設された巻線溝と
   、両コア半体に跨がって形成された記録媒体との摺接面
   とを備えた磁気ヘッドにおいて、前記接合層は、両コア
   半体の接合面の全域、或いは少なくとも前記巻線溝より
   も前記記録媒体との摺接面側の部分領域に広がる非磁性
   酸化物層によって形成され、該非磁性酸化物層の前記部
   分領域によって作動ギャップが形成されていることを特
   徴とする磁気ヘッド。
2. （２）前記非磁性酸化物層は非磁性酸化物溶液がゲル体
   を経て固化してなるものであることを特徴とする請求項
   （１）記載の磁気ヘッド。
3. （３）前記非磁性酸化物層がＳｉＯ＿２よりなることを
   特徴とする請求項（１）又は（２）記載の磁気ヘッド。
4. （４）前記非磁性酸化物層の厚みが作動ギャップのギャ
   ップ長に等しいことを特徴とする請求項（１）、（２）
   又は（３）記載の磁気ヘッド。
5. （５）前記非磁性酸化物層は両コア半体の接合面の内、
   前記部分領域にのみ形成され、前記巻き線溝を挟んで作
   動ギャップとは反対側の領域には、磁性酸化物層が形成
   され、該磁性酸化物層及び前記非磁性酸化物層によって
   両コア半体の接合層が形成されていることを特徴とする
   請求項（１）記載の磁気ヘッド。
6. （６）磁性を有する一対のコア半体を互いに突き合わせ
   、該突合せ部に作動ギャップを形成すると共に、両コア
   半体を接合層を介して互いに接合固定してなる磁気ヘッ
   ドの製造方法において、前記コア半体となる一対のコア
   半体部材を作製する工程と、両コア半体部材を所定の間
   隙をおいて互いに突き合せ、前記間隙部に金属有機化合
   物の溶液を浸透させる工程と、前記溶液を加熱により固
   化して非磁性酸化物層を形成し、該非磁性酸化物層によ
   って前記一対のコア半体部材を互いに接合固定する工程
   と、前記工程を経て得られた接合体に加工を施して前記
   非磁性酸化物層の一部を作動ギャップとするヘッドチッ
   プを作製する工程とを有していることを特徴とする磁気
   ヘッドの製造方法。
7. （７）前記金属有機化合物の溶液が前記加熱によってゾ
   ル状及びゲル状を経て固化することを特徴とする請求項
   （６）記載の磁気ヘッドの製造方法。
8. （８）前記金属有機化合物の溶液が金属アルコキシド溶
   液であることを特徴とする請求項（６）記載の磁気ヘッ
   ドの製造方法。
9. （９）前記金属アルコキシド溶液がシリコンアルコキシ
   ド溶液であることを特徴とする請求項（８）記載の磁気
   ヘッドの製造方法。
10. （１０）前記一対のコア半体同士を、突き合せ面の隅部
    に設けたギャップ長に等しい厚みのスペーサを介して突
    き合せることにより前記両コア半体間の間隙の間隙長を
    規定したことを特徴とする請求項（６）記載の磁気ヘッ
    ドの製造方法。