JPH02289908A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02289908A JPH02289908A JP15739789A JP15739789A JPH02289908A JP H02289908 A JPH02289908 A JP H02289908A JP 15739789 A JP15739789 A JP 15739789A JP 15739789 A JP15739789 A JP 15739789A JP H02289908 A JPH02289908 A JP H02289908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic head
- solution
- main core
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 20
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 13
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100481408 Danio rerio tie2 gene Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013703 M(OH)x Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100481410 Mus musculus Tek gene Proteins 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007156 Si(OH)4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は高周波信号を効率良く記録、再生するのに好適
な磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
な磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
(口)従来の技術
従来、VTR等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフエライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位VTRやデジタルVTRのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような大量の情報を記録する為の高
密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸
着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対し
てフエライトヘッドではその最大磁束密度が高々500
0ガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再生する
為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保磁
力Hcが1 0 0 00e以上の高抗磁力媒体ではギ
ャップ先端部のフエライトコアが飽和し、十分な記録が
出米ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモ
ルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッド
の開発が行なわれている。
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフエライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位VTRやデジタルVTRのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような大量の情報を記録する為の高
密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸
着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対し
てフエライトヘッドではその最大磁束密度が高々500
0ガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再生する
為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保磁
力Hcが1 0 0 00e以上の高抗磁力媒体ではギ
ャップ先端部のフエライトコアが飽和し、十分な記録が
出米ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモ
ルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッド
の開発が行なわれている。
従来、このような欠点を解消するため、例えば特開昭6
2−119709号公報(G11B5/127)等に開
示されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案さ
れている。
2−119709号公報(G11B5/127)等に開
示されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案さ
れている。
第8図は従来の高周波用積層コア型磁気へッドの外観を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
この磁気ヘッドの第1、第2コア半体(la)(lb)
は夫々、結晶化ガラス、非磁性セラミック等よりなる非
磁性基板(’201 )(201 )上にセンダスト等
の強磁性金属薄膜とSin,等の絶縁薄膜との積層薄膜
(3 )(3 )よりなる主コアが被普形成されており
、該主コア上には前記非磁性基板(201 )(201
)と同一材料よりなる主コア補強用の非磁性基板(2
02)(202)がガラス層(16)(16)により接
合固定されている。前記第1、第2コア半体(la)(
lb)は第1、第2の溶着溝(8a)(8b)( 9
)及び巻線溝(4)の上端に充填された低融点ガラス(
10)(10)により接合され、該接合部には磁気ギャ
ップ(11)が形成されている。また、媒体摺接部(1
2)の両側には切欠溝(13)(13)が設けられてお
り、媒体との当りを良好にしている。
は夫々、結晶化ガラス、非磁性セラミック等よりなる非
磁性基板(’201 )(201 )上にセンダスト等
の強磁性金属薄膜とSin,等の絶縁薄膜との積層薄膜
(3 )(3 )よりなる主コアが被普形成されており
、該主コア上には前記非磁性基板(201 )(201
)と同一材料よりなる主コア補強用の非磁性基板(2
02)(202)がガラス層(16)(16)により接
合固定されている。前記第1、第2コア半体(la)(
lb)は第1、第2の溶着溝(8a)(8b)( 9
)及び巻線溝(4)の上端に充填された低融点ガラス(
10)(10)により接合され、該接合部には磁気ギャ
ップ(11)が形成されている。また、媒体摺接部(1
2)の両側には切欠溝(13)(13)が設けられてお
り、媒体との当りを良好にしている。
次に、上記従来の高周波用積層コア型磁気ヘッドの製造
方法について説明する。
方法について説明する。
先ず、第9図に示すように結晶化ガラス等よりなる非磁
性基板(2)の上面に溝(15)を形成すると共に下面
に高融点ガラス(例えばNatO−BzO−Sin.系
ガラス、軟化点540℃)のペーストを塗布焼成(焼成
温度700℃以上)してガラス層(16)を形成する。
性基板(2)の上面に溝(15)を形成すると共に下面
に高融点ガラス(例えばNatO−BzO−Sin.系
ガラス、軟化点540℃)のペーストを塗布焼成(焼成
温度700℃以上)してガラス層(16)を形成する。
次に、第10図に示すように前記非磁性基板(2)の上
面にセンダスト等よりなる2〜7μm厚の強磁性金属薄
膜とSIO2等よりなる0.1〜0.5Izm厚の絶縁
薄膜とを交互に被着形成して3〜6層構造の積層薄膜(
3)を有する積層基板旦υそ形成する。
面にセンダスト等よりなる2〜7μm厚の強磁性金属薄
膜とSIO2等よりなる0.1〜0.5Izm厚の絶縁
薄膜とを交互に被着形成して3〜6層構造の積層薄膜(
3)を有する積層基板旦υそ形成する。
次に、前記積層基板Uυを第11図に示すように複数個
積み重ね、前記ガラス層(16)により溶着してコアフ
゛ロツク化する。尚、このコアフ゛ロック化の際、最上
部には非磁性基板(2′)が接合固定され、最下部には
積層基板Ωヱaが接合固定される。前記非磁性基板(2
゜)は下面にガラス層(16)が形成され、上面には何
も形成されていない。前記積層基板(17’)は上面に
溝(15)及び積層薄膜(3)が形成されており、下面
には何も形成されていない。また、前述のコアブロック
化の際、ガラス層(16)は加熱雰囲気中で加圧される
ことにより接合境界のガス及び余分なガラスは前記溝(
15)に逃げ込み、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)
との境界には1μm厚以下の均質なガラス層(16)が
形成され、前記積層基板(17)(17′)及び非磁性
基板(2゜)は強固に接合固定される。
積み重ね、前記ガラス層(16)により溶着してコアフ
゛ロツク化する。尚、このコアフ゛ロック化の際、最上
部には非磁性基板(2′)が接合固定され、最下部には
積層基板Ωヱaが接合固定される。前記非磁性基板(2
゜)は下面にガラス層(16)が形成され、上面には何
も形成されていない。前記積層基板(17’)は上面に
溝(15)及び積層薄膜(3)が形成されており、下面
には何も形成されていない。また、前述のコアブロック
化の際、ガラス層(16)は加熱雰囲気中で加圧される
ことにより接合境界のガス及び余分なガラスは前記溝(
15)に逃げ込み、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)
との境界には1μm厚以下の均質なガラス層(16)が
形成され、前記積層基板(17)(17′)及び非磁性
基板(2゜)は強固に接合固定される。
次に、前述の工程により形成されたコアブロックを第1
2図に示すように所定のアジマス角だけ傾けて切断して
一対のコアブロック半体(18a)(18股を形成する
。尚、前記コアブロックの寸法を大きくすることにより
一対のコアブロック半体供a)(18b)を多数形成す
ることが可能である。
2図に示すように所定のアジマス角だけ傾けて切断して
一対のコアブロック半体(18a)(18股を形成する
。尚、前記コアブロックの寸法を大きくすることにより
一対のコアブロック半体供a)(18b)を多数形成す
ることが可能である。
次に、第13図に示すように一方のコアブロック半体Ω
8a)のギャップ形成面(19)上に前記積層薄膜(3
)を横切るように巻線溝(4)及び第1の溶着溝(8a
)(8b) (8c )を形成する。
8a)のギャップ形成面(19)上に前記積層薄膜(3
)を横切るように巻線溝(4)及び第1の溶着溝(8a
)(8b) (8c )を形成する。
次に、第14図に示すように前記巻線溝(4)のフロン
ト部及び前記第1の溶着溝(8a)(8b)(8c)全
域に溶着ガラス(10)(10)(10)(10)を充
填し、その後前記コアブロック半体Ω旦りのギャップ形
成面(19)上に鏡面研摩を施し、更にキャップスペー
サ用のShow薄膜(図示せず)を所定厚だけスパッタ
リング等により被着形成する。
ト部及び前記第1の溶着溝(8a)(8b)(8c)全
域に溶着ガラス(10)(10)(10)(10)を充
填し、その後前記コアブロック半体Ω旦りのギャップ形
成面(19)上に鏡面研摩を施し、更にキャップスペー
サ用のShow薄膜(図示せず)を所定厚だけスパッタ
リング等により被着形成する。
一方、第15図に示すように他方のコアブロック半体Ω
8b)のギャップ形成面(19)上には前記積層薄膜(
3)の両側に第2の溶着溝(9 )(9 )を形成する
。
8b)のギャップ形成面(19)上には前記積層薄膜(
3)の両側に第2の溶着溝(9 )(9 )を形成する
。
次に、第16図に示すように前記第2の溶着溝(9 )
(9 )全域に溶着ガラス(10)(10)を充填し、
その後、前記コアブロック半体Ωμリのギャップ形成面
(19)上に鏡面研摩を施す。
(9 )全域に溶着ガラス(10)(10)を充填し、
その後、前記コアブロック半体Ωμリのギャップ形成面
(19)上に鏡面研摩を施す。
尚、前記巻線溝(4)、第1の溶着溝(8a) (8b
) (8C)及び第2の溶着溝(9 )(9 )内に充
填される溶着ガラス(10)は同一の組成であり、前記
ガラス層(16)の軟化点よりも低い軟化点をもつ低融
点ガラス(例えばPbO−B.O.−Sin.系ガラス
、軟化点350℃)よりなる。
) (8C)及び第2の溶着溝(9 )(9 )内に充
填される溶着ガラス(10)は同一の組成であり、前記
ガラス層(16)の軟化点よりも低い軟化点をもつ低融
点ガラス(例えばPbO−B.O.−Sin.系ガラス
、軟化点350℃)よりなる。
次に、前記一対のコアブロック半体(18a)(18b
)のギャップ形成面(19)(19)同士を第17図に
示すように前記積層薄型(3)(3)同士が対向するよ
うに位置合わせした後、前記一対のコアブロック半体(
18a)(18b)のギャップ形成面(19)(19)
同士を衝き合わせ、前記溶着ガラス(]0)を溶融固化
することによりギャップ接合を行い溶着ブロック(20
)を形成する。
)のギャップ形成面(19)(19)同士を第17図に
示すように前記積層薄型(3)(3)同士が対向するよ
うに位置合わせした後、前記一対のコアブロック半体(
18a)(18b)のギャップ形成面(19)(19)
同士を衝き合わせ、前記溶着ガラス(]0)を溶融固化
することによりギャップ接合を行い溶着ブロック(20
)を形成する。
最後に、前記溶着ブロック(20)の上面にR付加工を
施して媒体摺接面(12)を形成し、その後前記溶着ブ
ロック朋を破線A−A’に沿ってスライスしてヘッドチ
ップ化を行うことにより第8図に示す磁気ヘッドが完成
する。尚、このスライスにより前記非磁性基板(2)は
非磁性基板(201)(202)に分断される。
施して媒体摺接面(12)を形成し、その後前記溶着ブ
ロック朋を破線A−A’に沿ってスライスしてヘッドチ
ップ化を行うことにより第8図に示す磁気ヘッドが完成
する。尚、このスライスにより前記非磁性基板(2)は
非磁性基板(201)(202)に分断される。
しかし乍ら、上記従来の磁気ヘッドの場合、媒体摺接面
(12)には積層薄膜(3 )(3 ’)上に非磁性基
板(202)(202)を接合固定するための軟質なガ
ラス層(16)(16)が露出しており、該ガラス層(
16)(16)の摩耗や偏摩耗により、磁気媒体との当
りが悪化し、良好な記録再生を行うことが出来ないとい
う間組が生じる。また、前述の接合を行う場合、非磁性
基板(2)の接合面(下面)に高融点ガラスのペースト
を塗布焼成したり、ガラス流出用の溝(15)を形成す
る必要があり、更に前述のペーストの塗布焼成時の加熱
と溶着接合時の加熱との2回の加熱が必要であり、製造
工程が複雑である。また、前述のペーストの塗布焼成及
び溝(15)加工によ12、非磁性基板(2)の薄膜形
成面の清浄度が低下し、前記積層薄膜(3)の被着強度
及び磁気特性が劣化する。
(12)には積層薄膜(3 )(3 ’)上に非磁性基
板(202)(202)を接合固定するための軟質なガ
ラス層(16)(16)が露出しており、該ガラス層(
16)(16)の摩耗や偏摩耗により、磁気媒体との当
りが悪化し、良好な記録再生を行うことが出来ないとい
う間組が生じる。また、前述の接合を行う場合、非磁性
基板(2)の接合面(下面)に高融点ガラスのペースト
を塗布焼成したり、ガラス流出用の溝(15)を形成す
る必要があり、更に前述のペーストの塗布焼成時の加熱
と溶着接合時の加熱との2回の加熱が必要であり、製造
工程が複雑である。また、前述のペーストの塗布焼成及
び溝(15)加工によ12、非磁性基板(2)の薄膜形
成面の清浄度が低下し、前記積層薄膜(3)の被着強度
及び磁気特性が劣化する。
また、特開昭63−251908号公報(GlIB5/
31)に示されているようにシリカゾルを磁気ヘッド構
成部材の接合すべき面に塗布し、該塗布面に保護板を加
圧した状態で加熱することにより前記磁気ヘッド構成部
材上に前記保護板を接合固定する方法がある。このシリ
カゾルを用いた接合方法では、接合層表面のOH基と被
接合材表面に吸着しているOH基とが加水分解してS
10 A 十H + O ( Aは非接合材の原子)
となることにより接合が行われるため、OH基が非常に
重要である。しかし乍ら、上記公報の接合方法では、シ
リカゾル中のOH基は加水分解により減少するため保護
板を強固に接合固定することが出来ない。
31)に示されているようにシリカゾルを磁気ヘッド構
成部材の接合すべき面に塗布し、該塗布面に保護板を加
圧した状態で加熱することにより前記磁気ヘッド構成部
材上に前記保護板を接合固定する方法がある。このシリ
カゾルを用いた接合方法では、接合層表面のOH基と被
接合材表面に吸着しているOH基とが加水分解してS
10 A 十H + O ( Aは非接合材の原子)
となることにより接合が行われるため、OH基が非常に
重要である。しかし乍ら、上記公報の接合方法では、シ
リカゾル中のOH基は加水分解により減少するため保護
板を強固に接合固定することが出来ない。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
磁性材料よりなる主コアと該主コアを補強するための基
板との接合層の摩耗により磁気媒体との当りが悪化する
のを防止し、且つ機械的強度に優れた磁気ヘッド及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
磁性材料よりなる主コアと該主コアを補強するための基
板との接合層の摩耗により磁気媒体との当りが悪化する
のを防止し、且つ機械的強度に優れた磁気ヘッド及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
(二)課題を解決するための手段
本発明の第1の磁気ヘッドは、強磁性金属薄膜等よりな
る主コアと補強用の基板とがOH基を含有するシリコン
アルコキシド溶液等の全属有機化合物の溶液を固化して
なるSin.等の非磁性酸化物層により接合固定されて
いることを特徴とする。
る主コアと補強用の基板とがOH基を含有するシリコン
アルコキシド溶液等の全属有機化合物の溶液を固化して
なるSin.等の非磁性酸化物層により接合固定されて
いることを特徴とする。
また、本発明の第1の磁気ヘッドの製造方法は、磁性材
料よりなる主コアと該主コアを補強するため基板との間
にOH基を含有するシリコンアルコキシド溶液等の金属
有機化合部の溶液を浸透させた後、前記溶液を加熱する
ことにより該溶液をゾル状及びゲル状を経て固化させ前
記主コアと前記基板とを接合固定することを特徴とする
。
料よりなる主コアと該主コアを補強するため基板との間
にOH基を含有するシリコンアルコキシド溶液等の金属
有機化合部の溶液を浸透させた後、前記溶液を加熱する
ことにより該溶液をゾル状及びゲル状を経て固化させ前
記主コアと前記基板とを接合固定することを特徴とする
。
また、本発明の第2の磁気ヘッドは、磁性薄膜が被着形
成された一対の基板の前記磁性薄膜の上面同士をゲル体
を固化してなるSin,等の非磁性酸化物層により接合
固定して前記両磁性薄膜よりなる主コアを有する一対の
第1、第2コア半体を形成し、前記両磁性薄膜の端面同
士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせ
たことを特徴とする。
成された一対の基板の前記磁性薄膜の上面同士をゲル体
を固化してなるSin,等の非磁性酸化物層により接合
固定して前記両磁性薄膜よりなる主コアを有する一対の
第1、第2コア半体を形成し、前記両磁性薄膜の端面同
士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせ
たことを特徴とする。
また、本発明の第2の磁気ヘッドの製造方法は、一対の
基板上に膜厚の和が前記磁気ギャップのトラック幅と略
等しくなるように磁性薄膜を被着形成し、次いで前記一
対の基板の磁性薄膜の上面同士を対向させ、その間にシ
リコンアルコキシド溶液等の全属有機化合物の溶液を浸
透させた後、前記溶液を加熱することにより該溶液をゾ
ル状及びゲル状を経て固化させ前記磁性薄膜同士を接合
することにより第1、第2コア半体を形成し、前記第1
、第2コア半体の前記磁性薄膜の端面同士を前記磁気ギ
ャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせることを特
徴とする。
基板上に膜厚の和が前記磁気ギャップのトラック幅と略
等しくなるように磁性薄膜を被着形成し、次いで前記一
対の基板の磁性薄膜の上面同士を対向させ、その間にシ
リコンアルコキシド溶液等の全属有機化合物の溶液を浸
透させた後、前記溶液を加熱することにより該溶液をゾ
ル状及びゲル状を経て固化させ前記磁性薄膜同士を接合
することにより第1、第2コア半体を形成し、前記第1
、第2コア半体の前記磁性薄膜の端面同士を前記磁気ギ
ャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせることを特
徴とする。
(ホ)作 用
上記構成の第1の磁気へンドでは、主コアと補強用の基
板との接合層がガラス層に比べ摩耗の少ない非磁性酸化
物層により形成され、媒体との接触による前記接合層の
摩耗は抑えられる。しかも前記非磁性酸化物層はOH基
が含有されている全属有機化合物の溶液を固化してなる
ものであり、接合層として重要であるOH基の不足が防
止される。
板との接合層がガラス層に比べ摩耗の少ない非磁性酸化
物層により形成され、媒体との接触による前記接合層の
摩耗は抑えられる。しかも前記非磁性酸化物層はOH基
が含有されている全属有機化合物の溶液を固化してなる
ものであり、接合層として重要であるOH基の不足が防
止される。
また、上記第1の製造方法に依れば、主コアと補強用の
基板との接合層である非磁性酸化物層は、全属有機化合
物の溶液をゾル状及びゲル状を経て固化することにより
形成されるため、前記主コアと補強用の基板との接合は
前記非磁性酸化物層の融点よりも可成りの低温で行われ
る。
基板との接合層である非磁性酸化物層は、全属有機化合
物の溶液をゾル状及びゲル状を経て固化することにより
形成されるため、前記主コアと補強用の基板との接合は
前記非磁性酸化物層の融点よりも可成りの低温で行われ
る。
また、上記構成の第2の磁気ヘッド及び第2の製造方法
では、成膜により形成される磁性薄膜の膜厚が磁気ギャ
ップのトラック幅よりも小さく、前述の成膜時間を短縮
出米、更には磁性薄膜中の内部応力を低減出来る。また
、接合層である非磁性酸化物層が磁性薄膜中の絶縁薄膜
として作用し、高周波領域での渦電流損失が抑えられる
。
では、成膜により形成される磁性薄膜の膜厚が磁気ギャ
ップのトラック幅よりも小さく、前述の成膜時間を短縮
出米、更には磁性薄膜中の内部応力を低減出来る。また
、接合層である非磁性酸化物層が磁性薄膜中の絶縁薄膜
として作用し、高周波領域での渦電流損失が抑えられる
。
(へ)実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の第1実施例を詳細に説
明する。
明する。
第1図は第1実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図で
あり、第8図と同一部分には同一符号を付し、その説明
は割愛する。
あり、第8図と同一部分には同一符号を付し、その説明
は割愛する。
第1実施例の磁気ヘッドでは、第1、第2コア半体(l
a)(lb)は非磁性基板(201)(201)上に被
着形成された積層薄膜(3 )(3 )と非磁性基板(
202)(202)と接合部にはシリコンアルコキシド
溶液等の金属アルコキシド溶液をゲル体にした後同化し
てなる非磁性酸化物層(14)(14)が一面に介在し
ており、該非磁性酸化物層(14)(14)により前記
積層薄膜(3)(3)と前記非磁性基板(202)(2
02)とは強固に接合固定されている。
a)(lb)は非磁性基板(201)(201)上に被
着形成された積層薄膜(3 )(3 )と非磁性基板(
202)(202)と接合部にはシリコンアルコキシド
溶液等の金属アルコキシド溶液をゲル体にした後同化し
てなる非磁性酸化物層(14)(14)が一面に介在し
ており、該非磁性酸化物層(14)(14)により前記
積層薄膜(3)(3)と前記非磁性基板(202)(2
02)とは強固に接合固定されている。
次に、上記第1実施例の磁気ヘッドの製造方法の一例に
ついて説明する。
ついて説明する。
先ず、第2図に示すようにZnO−A120.S102
系の結晶化ガラスよりなる非磁性基板(2)の上面にセ
ンダスト等よりなる2〜7μm厚の強磁性金属薄膜と8
102等よりなる0.1〜0.5μm厚の絶縁薄膜とを
交互に被着形成して3〜6層構造の積層薄膜(3)を有
する積層基板Q号を形成する。前記積層薄膜(3)の膜
厚は磁気ギャップの所望のトラック幅に略等しい。
系の結晶化ガラスよりなる非磁性基板(2)の上面にセ
ンダスト等よりなる2〜7μm厚の強磁性金属薄膜と8
102等よりなる0.1〜0.5μm厚の絶縁薄膜とを
交互に被着形成して3〜6層構造の積層薄膜(3)を有
する積層基板Q号を形成する。前記積層薄膜(3)の膜
厚は磁気ギャップの所望のトラック幅に略等しい。
次に、第2図に示す積層基板(25)を複数枚用意し、
該複数の積層基板国の積層薄膜(3)の四隅に1μm以
下の厚みを有するSin,、A1,03、T i O
t等のスペーサ(図示せず)を設け、前記複数のの積層
基板(25)の積層薄膜(3)上面に超音波洗浄及び紫
外線洗浄を施した後、前記複数の積層基板(25)及び
非磁性基板(2)を第3図に示すように配置し、前記ス
ペーサを介して積み重ねる。
該複数の積層基板国の積層薄膜(3)の四隅に1μm以
下の厚みを有するSin,、A1,03、T i O
t等のスペーサ(図示せず)を設け、前記複数のの積層
基板(25)の積層薄膜(3)上面に超音波洗浄及び紫
外線洗浄を施した後、前記複数の積層基板(25)及び
非磁性基板(2)を第3図に示すように配置し、前記ス
ペーサを介して積み重ねる。
次に、上述の如く積み重ねられた積層体の積層薄膜(3
)と非磁性基板(2)との界面に第4図に示すように例
えば、シリコンアルコキシド(例えばS i (QC
,H.).) 、加水分解に必要なH,O触媒としての
酸(例えばHCI)及び溶媒(例えばC,H,○H)よ
りなるOH基を含有するシリコンアルコキシド溶液(2
1)を浸透させる。第6図(a)はこの状態を示す図で
あり、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)との間隙に介
在するシリコンアルコキシド溶液(21)中にはシリコ
ンアルコキシド分子(22)が存在している。
)と非磁性基板(2)との界面に第4図に示すように例
えば、シリコンアルコキシド(例えばS i (QC
,H.).) 、加水分解に必要なH,O触媒としての
酸(例えばHCI)及び溶媒(例えばC,H,○H)よ
りなるOH基を含有するシリコンアルコキシド溶液(2
1)を浸透させる。第6図(a)はこの状態を示す図で
あり、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)との間隙に介
在するシリコンアルコキシド溶液(21)中にはシリコ
ンアルコキシド分子(22)が存在している。
次に、前述の工程でシリコンアルコキシド溶液(21)
が浸透された前述の積層体を第5図に示す条件で加熱す
る。この加熱工程によりシリコンアルコキシド溶液中の
シリコンアルコキシド分子は先ず下記の(i)式に示す
ように加水分解し、更にこの加水分解により生成された
Si(OH)4は下記の(11)式に示すように重合し
てS10.粒子となり、前記コアブロック半体(18a
)(18b)間の溶液は粘土が上昇し、ゾル状になる。
が浸透された前述の積層体を第5図に示す条件で加熱す
る。この加熱工程によりシリコンアルコキシド溶液中の
シリコンアルコキシド分子は先ず下記の(i)式に示す
ように加水分解し、更にこの加水分解により生成された
Si(OH)4は下記の(11)式に示すように重合し
てS10.粒子となり、前記コアブロック半体(18a
)(18b)間の溶液は粘土が上昇し、ゾル状になる。
nSi(OC2Hi)t+4n1{to−+nSi(O
H)t+4nc+l{io}l =( i )nSi
(OH)t−+nSiO++2nHtO
−( ii )尚、上述の加水分解の実際に近い
式は M(OR)n+xH20−+M(OH)x(OR)n−
x+xROH −(iii )M:金属
R:アルキル基 x=nならばOH基はすべて加水分解されている。但し
、実際にはx −!− nである。
H)t+4nc+l{io}l =( i )nSi
(OH)t−+nSiO++2nHtO
−( ii )尚、上述の加水分解の実際に近い
式は M(OR)n+xH20−+M(OH)x(OR)n−
x+xROH −(iii )M:金属
R:アルキル基 x=nならばOH基はすべて加水分解されている。但し
、実際にはx −!− nである。
であり、上記(i)式は(iii)式の理想状態である
。また、上述の重合反応は下記に示す脱水反応と脱アル
コール反応とにより起こる。
。また、上述の重合反応は下記に示す脱水反応と脱アル
コール反応とにより起こる。
脱水反応
−M−OH+H−0−\1→−八I−0−M+H20脱
アルコール反応 − M − O H÷R−0−1→−M − 0 −
hl + R O H第6図(b)はシリコンアルコキ
シド溶液(21)が上述の(i)式、(ii)式の反応
によりSin.粒子(23)となり、溶液がゾル状にな
ることを示している。前記Sin,粒子(23)は更に
凝集して第6図(C)に示すように凝集粒子(24)と
なり、溶液はゲル状になる。この凝集は500℃の加熱
により更に進行し、溶液は第6図(d)に示すように固
化してSin,の固体よりなる非磁性酸化物層(14)
となる。
アルコール反応 − M − O H÷R−0−1→−M − 0 −
hl + R O H第6図(b)はシリコンアルコキ
シド溶液(21)が上述の(i)式、(ii)式の反応
によりSin.粒子(23)となり、溶液がゾル状にな
ることを示している。前記Sin,粒子(23)は更に
凝集して第6図(C)に示すように凝集粒子(24)と
なり、溶液はゲル状になる。この凝集は500℃の加熱
により更に進行し、溶液は第6図(d)に示すように固
化してSin,の固体よりなる非磁性酸化物層(14)
となる。
上述の反応では、非磁性基板(2)表面及び積層薄膜(
3)表面に存在するSiOHとシリコンアルコキシド溶
液(21)中のOH基とから夫々H.Oが解離し、非磁
性酸化物層(14)と非磁性基板(2)との界面及び非
磁性酸化物層(14)と積層薄膜(3)との界面では−
Si−0−Si−の結合が生じており、前記非磁性酸化
物層(14)が接合層として働きコアブロックが形成さ
れる。また、結晶化ガラス以外の他の非磁性基板におい
ても該基板表面の酸化層中に存在するOHが上述と同様
に反応して界面に−M−0−Si−(Mは非磁性基板中
の金属原子)の結合が生じる。
3)表面に存在するSiOHとシリコンアルコキシド溶
液(21)中のOH基とから夫々H.Oが解離し、非磁
性酸化物層(14)と非磁性基板(2)との界面及び非
磁性酸化物層(14)と積層薄膜(3)との界面では−
Si−0−Si−の結合が生じており、前記非磁性酸化
物層(14)が接合層として働きコアブロックが形成さ
れる。また、結晶化ガラス以外の他の非磁性基板におい
ても該基板表面の酸化層中に存在するOHが上述と同様
に反応して界面に−M−0−Si−(Mは非磁性基板中
の金属原子)の結合が生じる。
尚、第5図に示す加熱工程において、200℃での予備
加熱は予めシリコンアルコキシド溶液中のH,O、アル
コール等を揮発させるためのものであり、この揮発によ
り大面積の接合も良好に行うことが出来る。
加熱は予めシリコンアルコキシド溶液中のH,O、アル
コール等を揮発させるためのものであり、この揮発によ
り大面積の接合も良好に行うことが出来る。
以後は、前述の工程により接合されたコアブロックを従
来例の第12図〜第19図に示す工程と同様に加工する
ことにより第1図に示す第1実施例の磁気ヘッドが完成
する。尚、前記非磁性酸化物層(14)は1000℃以
上の耐熱性を有しており、ギャ7ブ接合の加熱によって
も全く影響はない 上述の第1実施例の磁気ヘッドでは、第1、第2コア半
体(la)(lb)の積層薄膜(3 )(3 )よりな
る主コアと非磁性基板(202)(202)とはその両
者の間に介在された非磁性酸化物層(14)により接合
固定されており、媒体摺接面(12)には耐摩耗性に優
れた非磁性酸化物層(14)が露出し、軟質で摩耗の激
しいガラス層は露出していないため、長時間使用しても
磁気媒体との当りは悪化しない。また、製造工程におい
ても、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)との間にシリ
コンアルコキシド溶液(21)等の金属アルコキシド溶
液を浸透させ加熱するだけで、前記非磁性基板(2)を
積層薄膜(3)上に接合固定することが出来、従来例の
ようにガラスペーストの塗布焼成及びガラス流出用の溝
加工を必要とせず、製造工程が簡単になる。しかも、上
述の磁気ヘッドでは1000℃以上の耐熱性を有する前
記非磁性酸化物層(14)を500℃前後の低温で形成
することが出来る。
来例の第12図〜第19図に示す工程と同様に加工する
ことにより第1図に示す第1実施例の磁気ヘッドが完成
する。尚、前記非磁性酸化物層(14)は1000℃以
上の耐熱性を有しており、ギャ7ブ接合の加熱によって
も全く影響はない 上述の第1実施例の磁気ヘッドでは、第1、第2コア半
体(la)(lb)の積層薄膜(3 )(3 )よりな
る主コアと非磁性基板(202)(202)とはその両
者の間に介在された非磁性酸化物層(14)により接合
固定されており、媒体摺接面(12)には耐摩耗性に優
れた非磁性酸化物層(14)が露出し、軟質で摩耗の激
しいガラス層は露出していないため、長時間使用しても
磁気媒体との当りは悪化しない。また、製造工程におい
ても、積層薄膜(3)と非磁性基板(2)との間にシリ
コンアルコキシド溶液(21)等の金属アルコキシド溶
液を浸透させ加熱するだけで、前記非磁性基板(2)を
積層薄膜(3)上に接合固定することが出来、従来例の
ようにガラスペーストの塗布焼成及びガラス流出用の溝
加工を必要とせず、製造工程が簡単になる。しかも、上
述の磁気ヘッドでは1000℃以上の耐熱性を有する前
記非磁性酸化物層(14)を500℃前後の低温で形成
することが出来る。
また、上述の製造方法では、接合用の非磁性酸化物層(
14)を形成するための出発溶液であるシリコンアルコ
キシド溶液(21)はS l (OctHl) 1が
酸(HCl)及び溶媒( C t H i O H )
中分散されている溶液であるため、前記非磁性酸化物層
(14)中の原子と、非磁性基板(2)表面及び積層薄
膜表面の原子との結合に重要であるOH基は十分に存在
し、前記積層基板(25)(25)同士を強固に接合す
ることが出来る。
14)を形成するための出発溶液であるシリコンアルコ
キシド溶液(21)はS l (OctHl) 1が
酸(HCl)及び溶媒( C t H i O H )
中分散されている溶液であるため、前記非磁性酸化物層
(14)中の原子と、非磁性基板(2)表面及び積層薄
膜表面の原子との結合に重要であるOH基は十分に存在
し、前記積層基板(25)(25)同士を強固に接合す
ることが出来る。
次に、本発明の第2実施例について説明する。
第20図は第2実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図
、第21図は第20図のB部拡大図であり、第1図或い
は第8図と同一部分には同一符号を付し、その説明は割
愛する。
、第21図は第20図のB部拡大図であり、第1図或い
は第8図と同一部分には同一符号を付し、その説明は割
愛する。
第2実施例の磁気ヘッドでは、第1、第2コア半体(l
a)(lb)は夫々非磁性基板(201 )(201
)上に強磁性金属薄膜(41)(41)が絶縁薄膜(4
2)を介して被着形成された2層構造の積層薄膜(31
)と、非磁性基板(202)(202)上に強磁性金属
薄膜(41)(41)が絶縁薄膜(42)を介して被着
形成された2層構造の積層薄膜(32)との金属磁性薄
膜(41)(41)同士を厚さ1μm以下の非磁性酸化
物層(14)(14)により接合して第1、第2コア半
体(la)(lb)を形成している。前記非磁性酸化物
層(14)(14)はOH基を含有するシリコンアルコ
キシド溶液等の金属アルコキシド溶液をゲル体にした後
、固化してなるものであり、前記非磁性基板(201
)(202)同士の接合層として働くと共に前記積層薄
膜(31 )(32)の金属磁性薄膜(41)(41)
間の非磁性絶縁層としても働く。
a)(lb)は夫々非磁性基板(201 )(201
)上に強磁性金属薄膜(41)(41)が絶縁薄膜(4
2)を介して被着形成された2層構造の積層薄膜(31
)と、非磁性基板(202)(202)上に強磁性金属
薄膜(41)(41)が絶縁薄膜(42)を介して被着
形成された2層構造の積層薄膜(32)との金属磁性薄
膜(41)(41)同士を厚さ1μm以下の非磁性酸化
物層(14)(14)により接合して第1、第2コア半
体(la)(lb)を形成している。前記非磁性酸化物
層(14)(14)はOH基を含有するシリコンアルコ
キシド溶液等の金属アルコキシド溶液をゲル体にした後
、固化してなるものであり、前記非磁性基板(201
)(202)同士の接合層として働くと共に前記積層薄
膜(31 )(32)の金属磁性薄膜(41)(41)
間の非磁性絶縁層としても働く。
次に、上記第2実施例の磁気ヘッドの製造方法について
説明する。
説明する。
先ず、第22図に示すように非磁性基板(2)の上面に
強磁性金属薄膜(41)(41)と絶縁薄膜(42)と
を交互に被着して2層構造の積層薄膜(3l)或いは(
32)を有する積層基板匣を形成する。前記積層薄膜(
31)(32)の膜厚は磁気ギャップの所望のトラック
幅の半分の値である。
強磁性金属薄膜(41)(41)と絶縁薄膜(42)と
を交互に被着して2層構造の積層薄膜(3l)或いは(
32)を有する積層基板匣を形成する。前記積層薄膜(
31)(32)の膜厚は磁気ギャップの所望のトラック
幅の半分の値である。
次に、前記積層基板捌を複数枚用意し、該複数の積層基
板旦υの積層薄膜(31)(32)上面に超音波洗浄及
び紫外線洗浄を施した後、前記複数の積層基板匣を第2
3図に示すように積層薄膜(3l)(32)同士が対向
するように配置し、1μm以下の厚みを有するスペーサ
(図示せず)を介して積み重ねる。
板旦υの積層薄膜(31)(32)上面に超音波洗浄及
び紫外線洗浄を施した後、前記複数の積層基板匣を第2
3図に示すように積層薄膜(3l)(32)同士が対向
するように配置し、1μm以下の厚みを有するスペーサ
(図示せず)を介して積み重ねる。
次に、上述の如く、積み重ねられた積層体の積層薄膜(
31)(32)間に第24図に示すようにOH基を含有
するシリコンアルコキシド溶液(21)を浸透させる。
31)(32)間に第24図に示すようにOH基を含有
するシリコンアルコキシド溶液(21)を浸透させる。
以後は上述の第1実施例と同様に積層体を加熱して前記
シリコンアルコキシド溶M (21)をゾル状、ゲル状
を経てSin,の固体よりなる1μm以下の厚さを有す
る非磁性酸化物層(14)とする。
シリコンアルコキシド溶M (21)をゾル状、ゲル状
を経てSin,の固体よりなる1μm以下の厚さを有す
る非磁性酸化物層(14)とする。
尚、シリコンアルコキシド溶液(21)から非磁性酸化
物層(14)への変化過程は上述の第1実施例で詳細に
説明したのでここでは省略する。
物層(14)への変化過程は上述の第1実施例で詳細に
説明したのでここでは省略する。
上述の反応により、非磁性酸化物層(14)と強磁性金
属薄膜(41)との界面では−Si−0−Si−の結合
が生じ、前記非磁性酸化物層(14)が接合層として働
き、前記複数の積層基板(43)(43)が接合固定さ
れ、コアブロックが形成される。また、前記非磁性酸化
物層(14)は強磁性金属薄膜(41)(41)間の絶
縁層としても働く。
属薄膜(41)との界面では−Si−0−Si−の結合
が生じ、前記非磁性酸化物層(14)が接合層として働
き、前記複数の積層基板(43)(43)が接合固定さ
れ、コアブロックが形成される。また、前記非磁性酸化
物層(14)は強磁性金属薄膜(41)(41)間の絶
縁層としても働く。
以後は、第1実施例と同様に前述の工程により接合され
たコアブロックを従来例の第12図〜第19図に示す工
程と同様に加工することにより第20図に示す第2実施
例の磁気ヘッドが完成する。
たコアブロックを従来例の第12図〜第19図に示す工
程と同様に加工することにより第20図に示す第2実施
例の磁気ヘッドが完成する。
上述の第2実施例の磁気ヘッドでは膜厚が所望のトラッ
ク幅の半分である積層薄膜(31)(32)同士を非磁
性酸化物層(14)により接合固定して磁気ギャップの
所望のトラック幅に等しい膜厚を有する積層薄膜(3)
が形成されるので、第1実施例の磁気ヘッドに比べて積
層薄膜(3 )(3 )の成膜時間が半分でよく量産性
に適している。しがも、前記非磁性酸化物層(14)は
主コア中の絶縁層としても働き、高周波領域での主コア
の渦電流損失を防止することが出来る。
ク幅の半分である積層薄膜(31)(32)同士を非磁
性酸化物層(14)により接合固定して磁気ギャップの
所望のトラック幅に等しい膜厚を有する積層薄膜(3)
が形成されるので、第1実施例の磁気ヘッドに比べて積
層薄膜(3 )(3 )の成膜時間が半分でよく量産性
に適している。しがも、前記非磁性酸化物層(14)は
主コア中の絶縁層としても働き、高周波領域での主コア
の渦電流損失を防止することが出来る。
また、前記非磁性酸化物層としてはSin.以外に.A
] t O s、Tie2、ZrO.、GeO.−S
loz、Tie.−SiO−、I n+0−SnO,N
a,O−B20, 一S i O.、B a T IO
s、PbTiO3、KT i O3等があり、これら
はA1 (OC.H,),等の金属アルコキシド溶液、
アセチルアセトネート、カルボキシレート等の全属有機
化合物により生成可能である。
] t O s、Tie2、ZrO.、GeO.−S
loz、Tie.−SiO−、I n+0−SnO,N
a,O−B20, 一S i O.、B a T IO
s、PbTiO3、KT i O3等があり、これら
はA1 (OC.H,),等の金属アルコキシド溶液、
アセチルアセトネート、カルボキシレート等の全属有機
化合物により生成可能である。
また、本発明は上記実施例の形状の磁気ヘッドに限られ
るものではなくそれ以外にも例えば第7図の分解斜視図
に示すようにセンダスト等の金属磁性材料の金属片より
なる主コア(26)を両側から磁性体部(27)と非磁
性体部(28)とよりなる補強用の基板(29)(29
)で挟持した構造の磁気ヘッドにおいても、前記主コア
(26)と前記基板(29)(29)との接合に本発明
の非磁性酸化物層を用いてもよい。
るものではなくそれ以外にも例えば第7図の分解斜視図
に示すようにセンダスト等の金属磁性材料の金属片より
なる主コア(26)を両側から磁性体部(27)と非磁
性体部(28)とよりなる補強用の基板(29)(29
)で挟持した構造の磁気ヘッドにおいても、前記主コア
(26)と前記基板(29)(29)との接合に本発明
の非磁性酸化物層を用いてもよい。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、主コアと補強用の基板との接合層の摩
耗により磁気媒体との当りが悪化するのを抑え、良好な
記録或いは再生を行うことが出来る磁気ヘッド及びその
製造方法を提供し得る。
耗により磁気媒体との当りが悪化するのを抑え、良好な
記録或いは再生を行うことが出来る磁気ヘッド及びその
製造方法を提供し得る。
更に、本発明に依れば、高耐熱性を有する接合層を低温
で形成出来る磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。
で形成出来る磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。
また、本発明に依れば、主コアを形成する磁性薄膜の時
間を短縮することにより量産性に適し、且つ高周波領域
での主コアの渦電流損失を抑えた磁気ヘッド及びその製
造方法を提供し得る。
間を短縮することにより量産性に適し、且つ高周波領域
での主コアの渦電流損失を抑えた磁気ヘッド及びその製
造方法を提供し得る。
第1図乃至第6図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第2図、第3図及び
第4図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図、第5図は
加熱温度を示す図、第6図は接合の過程を示す図である
。第7図は他の実施例の磁気ヘッドの分解斜視図である
。第8図乃至第19図は従来例に係り、第8図は磁気へ
・/ドの外観を示す斜視図、第9図、第10図、第11
図、第12図、第13図、第14図、第15図、第16
図、第17図、第18図及び第19図は夫々磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。第20図乃至第24図は本
発明の第2実施例に係り、第20図は磁気ヘッドの外観
を示す斜視図、第21図は磁気ヘッドの要部拡大斜視図
、第22図、第23図及び第24図は夫々磁気ヘッドの
製造方法を示す図である。 (1a)・・・第1コア半体、(1b)・・・第2コア
半体、(2 )(201)(202)・・・非磁性基板
、(3 )(31)(32)・・・積層薄膜(磁性材料
)、(11)・・磁気ギャップ、(12)・・・媒体摺
接面、(14)・・・非磁性酸化物層、(21)・・シ
リコンアルコキシド溶液(有機化合物の溶液)、(4l
)・・・強磁性金属薄膜、(42)・・・絶縁薄膜。
は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第2図、第3図及び
第4図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図、第5図は
加熱温度を示す図、第6図は接合の過程を示す図である
。第7図は他の実施例の磁気ヘッドの分解斜視図である
。第8図乃至第19図は従来例に係り、第8図は磁気へ
・/ドの外観を示す斜視図、第9図、第10図、第11
図、第12図、第13図、第14図、第15図、第16
図、第17図、第18図及び第19図は夫々磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。第20図乃至第24図は本
発明の第2実施例に係り、第20図は磁気ヘッドの外観
を示す斜視図、第21図は磁気ヘッドの要部拡大斜視図
、第22図、第23図及び第24図は夫々磁気ヘッドの
製造方法を示す図である。 (1a)・・・第1コア半体、(1b)・・・第2コア
半体、(2 )(201)(202)・・・非磁性基板
、(3 )(31)(32)・・・積層薄膜(磁性材料
)、(11)・・磁気ギャップ、(12)・・・媒体摺
接面、(14)・・・非磁性酸化物層、(21)・・シ
リコンアルコキシド溶液(有機化合物の溶液)、(4l
)・・・強磁性金属薄膜、(42)・・・絶縁薄膜。
Claims (16)
- (1)磁性材料よりなる主コアと該主コアを補強するた
めの主コアに補強用の基板を接合して一対の第1、第2
コア半体を形成し、該一対の第1、第2コア半体の主コ
アの端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して
衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、前記主コアと、
前記補強用の基板とが、OH基を含有する金属有機化合
物の溶液を固化してなる非磁性酸化物層により接合固定
されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - (2)前記主コアを基板上に被着した強磁性金属薄膜に
より形成したことを特徴とする請求項(1)記載の磁気
ヘッド。 - (3)前記非磁性酸化物層がSiO_2よりなることを
特徴とする請求項(1)又は(2)記載の磁気ヘッド。 - (4)前記全属有機化合物の溶液が金属アルコキシド溶
液であることを特徴とする請求項(1)記載の磁気ヘッ
ド。 - (5)前記金属アルコキシド溶液がシリコンアルコキシ
ド溶液であることを特徴とする請求項(4)記載の磁気
ヘッド、 - (6)磁性材料よりなる該主コアと該主コアを補強する
ための基板との間にOH基を含有する金属有機化合物の
溶液を浸透させた後、前記溶液を加熱することにより該
溶液を固化させ前記主コアと前記基板とを接合固定した
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - (7)前記加熱により前記溶液はゾル状及びゲル状を経
て固化することを特徴とする請求項(6)記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。 - (8)前記金属有機化合物の溶液が金属アルコキシド溶
液であることを特徴とする請求項(6)又は(7)記載
の磁気ヘッドの製造方法。 - (9)前記金属アルコキシド溶液がシリコンアルコキシ
ド溶液であることを特徴とする請求項(8)記載の磁気
ヘッドの製造方法。 - (10)磁性薄膜が被着形成された一対の基板の前記磁
性薄膜の上面同士を非磁性酸化物層により接合固定して
前記両磁性薄膜よりなる主コアを有する一対の第1、第
2コア半体を形成し、該一対の第1、第2コア半体の主
コアを構成する前記両磁性薄膜の端面同士を磁気ギャッ
プとなる非磁性材料を介して衝き合わせたことを特徴と
する磁気ヘッド。 - (11)前記非磁性酸化物層がゲル体を固化してなるも
のであることを特徴とする請求項(10)記載の磁気ヘ
ッド。 - (12)前記非磁性酸化物層がSiO_2よりなること
を特徴とする請求項(10)又は(11)記載の磁気ヘ
ッド。 - (13)一対の基板間に膜厚が磁気ギャップのトラック
幅に略等しい磁性薄膜よりなる主コアが挟持されている
第1、第2コア半体の前記磁性薄膜の端面同士を前記磁
気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせてなる
磁気ヘッドの製造方法において、前記第1、第2コア半
体の形成を、一対の基板上に膜厚の和が前記磁気ギャッ
プのトラック幅と略等しくなるように磁性薄膜を被着形
成し、次いで前記一対の基板の磁性薄膜の上面同士を対
向させ、その間に金属有機化合物の溶液を浸透させた後
、前記溶液を加熱することにより該溶液を固化させ前記
磁性薄膜同士を接合することにより行うことを特徴とす
る磁気ヘッドの製造方法。 - (14)前記加熱により前記溶液はゾル状及びゲル状を
経て固化することを特徴とする請求項(13)記載の磁
気ヘッドの製造方法。 - (15)前記金属有機化合物の溶液が金属アルコキシド
溶液であることを特徴とする請求項(13)又は(14
)記載の磁気ヘッドの製造方法。 - (16)前記金属アルコキシド溶液がシリコンアルコキ
シド溶液であることを特徴とする請求項(15)記載の
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA 2009504 CA2009504A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-07 | Magnetic head and process for producing same |
| EP19900102585 EP0382244A3 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-09 | Magnetic head and process for producing same |
| KR1019900001576A KR900013462A (ko) | 1989-02-10 | 1990-02-09 | 자기헤드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3994589 | 1989-02-20 | ||
| JP1-39945 | 1989-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289908A true JPH02289908A (ja) | 1990-11-29 |
Family
ID=12567094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15739789A Pending JPH02289908A (ja) | 1989-02-10 | 1989-06-20 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02289908A (ja) |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15739789A patent/JPH02289908A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61172203A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH02289908A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS6214313A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS60231903A (ja) | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH02101609A (ja) | 磁気ヘッド | |
| EP0382244A2 (en) | Magnetic head and process for producing same | |
| JPS6161212A (ja) | 磁気ヘツドコアの製造方法 | |
| JPH02289911A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0276111A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61280009A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS63288407A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH02168406A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH02162503A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0457204A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS63249913A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0585962B2 (ja) | ||
| JPS6356804A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH02249113A (ja) | 浮上型磁気ヘッド | |
| JPH03127306A (ja) | 複合磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH01118206A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0461610A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0349003A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61227206A (ja) | 磁気ヘツド製造方法 | |
| JPH0323510A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH03152706A (ja) | 複合型磁気ヘッド |