JPH0229059B2 - - Google Patents
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- JPH0229059B2 JPH0229059B2 JP59119154A JP11915484A JPH0229059B2 JP H0229059 B2 JPH0229059 B2 JP H0229059B2 JP 59119154 A JP59119154 A JP 59119154A JP 11915484 A JP11915484 A JP 11915484A JP H0229059 B2 JPH0229059 B2 JP H0229059B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光反応によつてα―テトラロン誘導体
を製造する新規な製造方法に関する。 α―テトラロン誘導体の製法として知られてい
るJ.Am.Chem.Soc.，73，786（1951）に記載され
ている方法では例えば下記の反応式におけるシス
体(2)を合成するためにはシス配置をもつた(1)を出
発原料として用いなければならず、合成経路が複
雑であり また、J.Org.Chem.，37 487（1972）に記載さ
れている方法では下記のように(3)と(4)の混合物し
か得られなかつた。 ところで、本発明者らは種々の金属塩存在下の
光反応について研究していたところトリフルオロ
メタンスルホン酸銀（銀トリフラート）の存在下
塩化フエナシル又は臭化フエナシルと各種のオレ
フインのアセトニトリル溶液にガラス（登録商標
パイレツクス）透過光を１時間〜６時間照射した
ところフエナシル基にオレフインが付加かつ閉環
してα―テトラロン誘導体が得られることを見出
し本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は銀トリフラートの存在下塩
化フエナシル又は臭化フエナシルとオレフインの
アセトニトリル溶液にガラス（登録商標パイレツ
クス）透過光を照射してα―テトラロン誘導体を
製造する方法であつて、その反応機構としては下
記の反応式によつて示すように銀イオンの影響に
より塩化フエナシルの電子受容能が高められ、オ
レフインから塩化フエナシルへの１電子移動によ
り進行するものと考えられ、この機構は臭化フエ
ナシルの場合と全く同様である。 本発明の上記反応は熱反応では全く進行せず原
料が回収され、また、このように１段階で２つの
Ｃ―Ｃ結合を生成する点で合成反応としても特徴
的である。 本発明で使用するオレフインとしては炭素数３
以上の鎖状オレフイン、脂環式オレフイン等いず
れでもよいが、特に、１―オクテン、３―メチル
―２―ブテン、２，３―ジメチルブテン、ジメチ
ルブテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、メ
チルヘキセン等が好適である。 ところで、本発明の光反応による特徴は先に述
べた従来法に比して高い位置選択性と立体選択性
とを有し、例えば非対称オレフインの場合テトラ
ロン誘導体としては２つの位置異性体が考えられ
るが、本発明にあつては高い位置選択性を示し、
４位置換のα―テトラロン誘導体のみが得られ、
また、本発明の反応途中で折出する塩化銀又は臭
化銀は沈澱し反応管の底部に凝固して反応物の光
吸収を妨げることなく反応はスムースに進行する
等の効果を奏する。 以下、実施例をもつて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ 塩化フエナシル0.310ｇ（2m mol）、１―オク
テン0.337ｇ（3m mol）、銀トリフラート0.514ｇ
（2m mol）を20mlのアセトニトリルにとかし、
耐熱ガラス管（登録商標「パイレツクス」管）に
入れ450W高圧水銀灯で1.7時間照射する。析出し
た固体を別し、減圧で溶媒を除去した後、クロ
ロホルムにとかし、重曹水、チオ硫酸ナトリウム
水溶液で洗滌し、有機層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を減圧で除去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトにより精製し４―ヘキシル
―α―テトラロン0.164ｇを得た。確認手段はス
ペクトルデータによる。収率は36％である。 同様の操作により各種オレフインに対して得ら
れたα―テトラロン誘導体を示すと第１表のとお
りであつた。 【表】
を製造する新規な製造方法に関する。 α―テトラロン誘導体の製法として知られてい
るJ.Am.Chem.Soc.，73，786（1951）に記載され
ている方法では例えば下記の反応式におけるシス
体(2)を合成するためにはシス配置をもつた(1)を出
発原料として用いなければならず、合成経路が複
雑であり また、J.Org.Chem.，37 487（1972）に記載さ
れている方法では下記のように(3)と(4)の混合物し
か得られなかつた。 ところで、本発明者らは種々の金属塩存在下の
光反応について研究していたところトリフルオロ
メタンスルホン酸銀（銀トリフラート）の存在下
塩化フエナシル又は臭化フエナシルと各種のオレ
フインのアセトニトリル溶液にガラス（登録商標
パイレツクス）透過光を１時間〜６時間照射した
ところフエナシル基にオレフインが付加かつ閉環
してα―テトラロン誘導体が得られることを見出
し本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は銀トリフラートの存在下塩
化フエナシル又は臭化フエナシルとオレフインの
アセトニトリル溶液にガラス（登録商標パイレツ
クス）透過光を照射してα―テトラロン誘導体を
製造する方法であつて、その反応機構としては下
記の反応式によつて示すように銀イオンの影響に
より塩化フエナシルの電子受容能が高められ、オ
レフインから塩化フエナシルへの１電子移動によ
り進行するものと考えられ、この機構は臭化フエ
ナシルの場合と全く同様である。 本発明の上記反応は熱反応では全く進行せず原
料が回収され、また、このように１段階で２つの
Ｃ―Ｃ結合を生成する点で合成反応としても特徴
的である。 本発明で使用するオレフインとしては炭素数３
以上の鎖状オレフイン、脂環式オレフイン等いず
れでもよいが、特に、１―オクテン、３―メチル
―２―ブテン、２，３―ジメチルブテン、ジメチ
ルブテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、メ
チルヘキセン等が好適である。 ところで、本発明の光反応による特徴は先に述
べた従来法に比して高い位置選択性と立体選択性
とを有し、例えば非対称オレフインの場合テトラ
ロン誘導体としては２つの位置異性体が考えられ
るが、本発明にあつては高い位置選択性を示し、
４位置換のα―テトラロン誘導体のみが得られ、
また、本発明の反応途中で折出する塩化銀又は臭
化銀は沈澱し反応管の底部に凝固して反応物の光
吸収を妨げることなく反応はスムースに進行する
等の効果を奏する。 以下、実施例をもつて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ 塩化フエナシル0.310ｇ（2m mol）、１―オク
テン0.337ｇ（3m mol）、銀トリフラート0.514ｇ
（2m mol）を20mlのアセトニトリルにとかし、
耐熱ガラス管（登録商標「パイレツクス」管）に
入れ450W高圧水銀灯で1.7時間照射する。析出し
た固体を別し、減圧で溶媒を除去した後、クロ
ロホルムにとかし、重曹水、チオ硫酸ナトリウム
水溶液で洗滌し、有機層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を減圧で除去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトにより精製し４―ヘキシル
―α―テトラロン0.164ｇを得た。確認手段はス
ペクトルデータによる。収率は36％である。 同様の操作により各種オレフインに対して得ら
れたα―テトラロン誘導体を示すと第１表のとお
りであつた。 【表】
Claims (1)
- １ トリフルオロメタンスルホン酸塩の存在下、
塩化フエナシル又は臭化フエナシルと各種オレフ
インのアセトニトリル溶液にガラス透過光を照射
することによりα―テトラロン誘導体を製造する
ことを特徴とするα―テトラロン誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119154A JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119154A JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140A JPS6140A (ja) | 1986-01-06 |
| JPH0229059B2 true JPH0229059B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=14754255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119154A Granted JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046022A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入用基板の前処理方法 |
| JP2567230B2 (ja) * | 1986-12-15 | 1996-12-25 | セイコープレシジョン株式会社 | プログラムシャッタ |
| JP5263754B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-08-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 環状ケトンの製造方法 |
| EP2768895B1 (de) | 2011-10-18 | 2015-12-30 | Covestro Deutschland AG | Polymer-zusammensetzung mit wärme-absorbierenden eigenschaften |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59119154A patent/JPS6140A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140A (ja) | 1986-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |