JPH02296353A - 高周波パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はｌ０ＧＨ２以」二の高周波帯で使用されるトラ
ンジスタ等のパッケージに関し、特に入出力のアイソレ
ーションを改善した高周波パッケージに関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の高周波パッケージは、入出力のアイソレ
ーションを良くするために、ソース側壁を金属壁にして
アースに落とし、入出力間の容量を誘電対で構成したも
のより低減することで入出力のアイソレーションを良く
していた。

即ち、第２図は従来のパッケージの一例を示す断面図で
あり、パッケージ基台１１の左右両側に金属製のソース
側壁１２を立設し、これをソース端子１３に接続する。

また、ソース側壁１２に挟まれた側壁は、それぞれゲー
ト側壁１４．ドレイン側壁（図示せず）として絶縁材で
構成され、それぞれにはゲート端子１６．ドレイン端子
（図示せず）を配設している。

このパッケージでは、パッケージ基台１１上にトランジ
スタ等の素子を搭載した後に側壁上に封止キャップを載
せ、かつＡｕＳｎ等のる一材を用いて封止キャップを側
壁に溶着して封止を行っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のパッケージは、金属からなるソース側壁
１２の上にＡｕＳｎ等の封止る一材を用いて封止キャッ
プを溶着しているので、封止ろ−材がソース側壁に対し
て温性が良く、封止ろ一材がソース側壁を伝わってパッ
ケージ内に流れ込むことがある。このため、この流れ込
んだ封止ろ−材が内装したトランジスタのボンディング
線を溶融させたり、他端子との短絡を生じさせる原因と
なる等の問題を有していた。

本発明は封止ろ一材のパッケージ内への流れ込みを防止
した高周波パッケージを提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の高周波パッケージは、パッケージ基台の周辺に
形成した金属製のソース壁及び絶縁性のデー１〜側壁、
ドレイン側壁の」−縁にわたってセラミック枠を一体に
設け、このセラミック枠上に封止キャップをろ一材で接
着する構成としている。

〔作用〕

この構成では、ろ−材はセラミック枠により流れが阻止
され、ろ−材が金属製のソース側壁を伝わってパッケー
ジ内に流れ込むことが防止される。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ）は上面図
、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図を示している。

図において、高周波パッケージはＡＩ！、□０３からな
る略正方形をした板状のパッケージ基台１を有し、この
周囲に側壁を一体的に立設して、パッケージケースを構
成している。そして、パッケージ基台１の左右の対向辺
にそれぞれ形成した側壁はソース側壁２として金属で構
成し、外側に突出されたソース端子３を一体的に形成し
ている。また、これらソース側壁２で挟まれる辺には、
それぞれＡＩ！、２０３でゲート側壁４．ドレイン側壁
５を形成し、これらの側壁にゲート端子６．ドレイン端
子７を突出状態に形成している。

また、前記パッケージ基台１の表面には中央左右方向に
ソースメタライズ８Ｓを形成して前記ソース側壁２に接
続し、かつソースメタライズ８Ｓを挟んだ両側にそれぞ
れゲートメタライズ８Ｇドレインメタライズ８Ｄを形成
して前記ゲート端子６．ドレイン端子７に接続している
。

更に、前記側壁２，４．５上には、導電性のセラミック
を正方形の枠状に形成したセラミック枠９を一体に形成
している。このセラミック枠９ば、比抵抗１０−”Ωｃ
ｍ以下の超伝導セラミックで構成される。

そして、パッケージ基台１の上面にトランジスタ等の半
導体素子を搭載し、所定の電気接続を行った上で、セラ
ミック枠９の上に略正方形をした板状の封止キャップ（
図示せず）を載せ、ＡｕＳｎ等の封止る一材を用いて封
止キャップをセラミック枠９に融着している。

この構成によれば、ソース側壁２の上にはセラミック枠
９が存在しており、このセラミンク枠９はＡｕＳｎ等の
封止ろ一材とはなじまないので、ろ−材が下に流れるこ
とはな（、したがってソース側壁２を伝わってパッケー
ジケース内に流れ込むことはない。また、ソース側壁２
は接地することでゲート、ドレインの各端子６，７間の
アイソレーションを改善する。このとき、セラミック枠
９は前記したように１０″２ΩｃＩｌｌ以下の導電性で
あるので、この部分の抵抗は７０ｍ１ｌパツケージでも
０．１Ω程度であり、ケース内中空部の容量を除いて入
出力間の容量は除去される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、金属製のソース壁及び絶
縁性のゲート側壁、ドレイン側壁の上縁にわたってセラ
ミック枠を一体に設けているので、このセラミック枠上
に封止キャップを接着する際に用いるろ一材はセラミッ
ク枠により流れが阻止され、ろ−材が金属製のソース側
壁を伝わってパッケージのケース内に流れ込むことが防
止できる。

したがって、ソース側壁及び金属製封止キャップでパッ
ケージ全体をアース電位に接地して入出力のアイソレー
ションを改善したまま、封止ろ一材の流れを防止できる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示しており、同図（ａ）は
上面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、第２
図は従来のパッケージの断面図である。 １・・・パッケージ基台、２・・・ソース側壁、３・・
・ソース端子、４・・・ゲート側壁、５・・・ドレイン
側壁、６・・・ゲート端子、７・・・トレイン端子、Ｂ
Ｓ、８Ｇ、８Ｄ・・・メタライズ、９・・・セラミック
枠、１１・・・パッケージ基台、１２・・・ソース側壁
、１３・・・ソース端子、１４・・・ゲーｉ〜側壁、１
６・・・ゲート端子。 く−ニ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、パッケージ基台の対向辺にそれぞれ金属製のソース
   壁を形成し、かつこれらソース側壁に挟まれる辺にそれ
   ぞれ絶縁性のゲート側壁、ドレイン側壁を形成し、これ
   らの側壁上に封止キャップをろー材で接着した高周波パ
   ッケージにおいて、前記各側壁の上縁にわたってセラミ
   ック枠を一体に設け、このセラミック枠上に封止キャッ
   プをろー材で接着したことを特徴とする高周波パッケー
   ジ。