JPS638138Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は絶縁耐力を高くすることがを必要と
する電力用半導体装置の外部電極端子の構造に関
するものである。

最近、金属ベースと樹脂ケースから成る容器内
に収容されたトランジスタチツプ等を樹脂で封止
してパツケージ化した半導体装置が提案されてい
る。この種の半導体装置の外部電極と電気機械装
置との電気的接続は、大電流の場合、銅板または
端子付電線で構成される接続線をネジにより螺着
するのが通例であるが、20A以下の小電流の場合
は、半導体装置の外部電極をフアストン端子形状
とし、挿入式にしたものが利用されることが多
い。

第１図ａは従来の、フアストン端子形状の外部
電極を有する半導体装置の平面図、第１図ｂはそ
の一部を破断した正面図である。

図において、１は放熱板として作用する金属ベ
ース、２は平面四角形の枠から成る樹脂ケースで
あり、一端面が金属ベース１に結合されて、金属
ベース１と共に開口を有する容器を構成する。こ
の容器内にはトランジスタチツプ（図示せず）が
金属ベース１と熱的に結合して収容されている。
３，４および５はそれぞれトランジスタチツプの
コレクタ電極、ベース電極およびエミツタ電極に
電気的に接続されたフアストン端子形状のコレク
タ電極端子、ベース電極端子およびエミツタ電極
端子（以下、Ｃ端子、Ｂ端子およびＥ端子と称
す）であり、容器から突出して外部電極を構成す
る。Ｃ端子３はケース２の一辺に沿つて配置さ
れ、Ｂ端子４およびＥ端子５は上記ケース２の一
辺に隣接する二辺にそれぞれ沿つて配置されてい
る。６は容器内に充填された樹脂であり、トラン
ジスタチツプを封止すると共に、各外部電極３〜
５を固定して保持する役目を持つものである。

この従来の半導体装置のようにフアストン端子
形状の外部電極を有するものは、一般の家庭用電
気機械装置のプラグをコンセントに差し込むのと
同様に、簡単に電気的接続が行なえるという利点
がある。しかしこの利点を享受するためには、第
１図ａに示したＸ，Ｙ軸からのＣ端子３、Ｂ端子
４およびＥ端子５の位置とその大きさが正確であ
ることが必要であり、普通±0.1mm程度の精度が
要求される。ここで第１図の各端子３，４，５を
展開し第２図を用いて端子間の絶縁耐力を説明す
る。第２図の２点鎖線は樹脂６の表面を示し、こ
の表面より上が端子３，４，５が樹脂６から突出
している部分であり、Ｃ端子３のｋとＢ端子４の
ｌおよびＣ端子３のｊとＥ端子５のｉはそれぞれ
樹脂６に接し、互いに相手の端子に最も近い箇所
である。トランジスタにおいては、使用電気回路
の電圧が直接印加されるのはＣ端子３とＢ端子４
およびＥ端子５間であり、これら端子間の絶縁耐
力が問題となる。Ｃ端子３とＢ端子４間の絶縁耐
力は、ｋ−ｌ間の絶縁物質６の表面に沿う最短距
離すなわち沿面距離によつて定まり、同様にＣ端
子３とＥ端子５間の絶縁耐力はｉ−ｊ間の最短距
離すなわち沿面距離によつて決まる。すなわちこ
の沿面距離が長いほど絶縁耐力は大きくなる。

ところが従来のものは上記のように正確に各端
子の大きさと位置が定められているので、端子間
の沿面距離を広げられず、絶縁耐力を向上させる
ことができないという欠点があつた。

この対策として、端子間に適当な厚みと高さを
持つた堰を設けて沿面距離を広げることも考えら
れるが、第１図に示す従来のものであれば樹脂６
の表面を成形するための型は簡単で安価なもので
よく、または全然型を使用しなくてもよいが、堰
作製のためには高価な型を必要とし、その上堰が
あるために取扱上種々の不便を被ることもまた明
らかである。

この考案は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、半導体装置のパツ
ケージから突出する外部電極の封止樹脂表面との
接触部を切り欠き、近接する外部電極相互間の沿
面距離を増大することにより、必要とされる外部
電極の相互間の位置関係を保つたまゝ絶縁耐力を
向上させることを目的とするものである。

以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第３図はこの考案の一実施例を示す斜視図
で、１，２および６は上記従来のものと全く同一
である。Ｃ端子３、Ｂ端子４およびＥ端子５すな
わち電極の外部との接続部の形状および位置は第
１図に示す従来のものと同じフアストン端子形状
であるが、樹脂６の表面に接する本体からの突出
部位において、Ｃ端子３とＢ端子４間およびＣ端
子３とＥ端子５間の互いに相手の端子に最も近い
箇所に切溝３ａ，４ａ，３ｂ，５ａがそれぞれ矩
形状に設けられている。各端子は従来と全く同じ
位置に樹脂６によつて強固に固定されると共に、
各端子３，４，５間は絶縁されている。なお図中
Ｂ端子の一部を切断して示した。

上記のように構成したものにおいて、端子３，
４，５を展開した第４図に示すように、各端子
３，４，５それぞれに切溝３ａ，３ｂ，４ａ，５
ａが設けられているので、樹脂６の表面と接する
本体からの突出部位において、Ｃ端子３とＢ端子
４間およびＣ端子３とＥ端子５間の互いに相手の
端子に最も近い箇所ｉ〜ｌはこの切溝３ａ，３
ｂ，４ａ，５ａの部分に来ることになり、Ｃ端子
３とＢ端子４およびＥ端子５間に使用電気回路の
電圧が印加されたとき、ｋ−ｌ間およびｉ−ｊ間
の距離すなわちＣ端子３とＢ端子４間およびＣ端
子３とＥ端子５間の沿面距離が従来と比べて拡が
ることになり、絶縁耐力を向上させることができ
る。

なお、上記実施例では絶縁性樹脂６を用い、そ
の表面を平面としたが、これはガラス等の他の絶
縁性物体でもよく、その表面はいかなる面であつ
てもよいことは言うまでもない。

また、上記実施例では切溝の形状を矩形とした
が、これはいかなる形状であつてもよく、また切
溝としたがこれに限るものでなく、外部電極相互
間の沿面距離が増大するような形状であればよ
い。

さらに上記実施例では電圧が印加される端子の
両方に切溝を設けたがどちらか一方であつてもよ
い。

さらにまた上記実施例では電極はフアストン端
子形状であるが、他の端子形状でも同様に所期の
目的を達し得る。

以上のようにこの考案によれば、半導体装置の
パツケージから突出する外部電極の封止樹脂表面
との接触部を切り欠き、近接する外部電極相互間
の沿面距離を増大したので、外部電極相互間の位
置関係を変えることなく外部電極間の絶縁耐力を
向上させることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ａおよびｂは従来の半導体装置の一例を
示す平面図および正面図、第２図はこれの外部電
極の展開図、第３図はこの考案の一実施例を示す
斜視図、第４図はこれの外部電極の展開図であ
る。 図において、３〜５は外部電極、３ａ〜５ａは
切溝、６は絶縁性物体である。なお図中同一符号
は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 金属ベース上に樹脂製枠を取り付けた容器内
   に、半導体チツプを収容するとともに３つ以上
   の外部電極をそれぞれ所定位置において該容器
   内から突出するよう配置し、該容器内を樹脂封
   止してなる半導体装置において、 上記外部電極は、その樹脂表面との接触部を
   切り欠き、近接する外部電極相互間の沿面距離
   を増大したものであることを特徴とする半導体
   装置。 (2) 上記外部電極はフアストン端子形状であるこ
   とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
   記載の半導体装置。 (3) 上記近接配置された外部電極は、トランジス
   タのコレクタ電極とベース電極およびコレクタ
   電極とエミツタ電極であることを特徴とする実
   用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体装
   置。