JPH02298294A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH02298294A JPH02298294A JP11748189A JP11748189A JPH02298294A JP H02298294 A JPH02298294 A JP H02298294A JP 11748189 A JP11748189 A JP 11748189A JP 11748189 A JP11748189 A JP 11748189A JP H02298294 A JPH02298294 A JP H02298294A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の利用分野〕
本発明は薄膜の製造方法に関し、詳しくはアルミニウム
などの卑金属を用いた陰極上に、強固に付着した薄膜を
極めて効率良く製造する方法に関する。
などの卑金属を用いた陰極上に、強固に付着した薄膜を
極めて効率良く製造する方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来か
ら、疎水性物質のミセル溶液を電解制御して電極表面に
薄膜を形成する方法、いわゆるミセル電解法が知られて
いる(特開昭63−243298号公報等参照)、また
、このように製造される薄膜はカラーフィルター、光電
変換材料など種々の用途への発展が見込まれている。
ら、疎水性物質のミセル溶液を電解制御して電極表面に
薄膜を形成する方法、いわゆるミセル電解法が知られて
いる(特開昭63−243298号公報等参照)、また
、このように製造される薄膜はカラーフィルター、光電
変換材料など種々の用途への発展が見込まれている。
しかし、ここに開示されている方法によれば、陽極上に
薄膜を形成することはできるものの、陽分極により容易
に溶解してしまう卑金属上には製膜が極めて困難であっ
た。
薄膜を形成することはできるものの、陽分極により容易
に溶解してしまう卑金属上には製膜が極めて困難であっ
た。
一方、感光材料の分野ではアルミニウム等の卑金属基板
上への製膜が望まれており、卑金属上に強固に付着した
薄膜を形成する方法の開発が期待されている。
上への製膜が望まれており、卑金属上に強固に付着した
薄膜を形成する方法の開発が期待されている。
そこで本発明者は、卑金属上に均一で強固に付着した薄
膜を形成する方法を開発すべく鋭意研究を重ねた。その
結果、フェロセン誘導体よりなるミセル化剤を用いると
ともに、特定の条件下にて通電処理を行うことにより、
目的とする薄膜が製造できることを見出した0本発明は
かかる知見に基いて完成したものである。
膜を形成する方法を開発すべく鋭意研究を重ねた。その
結果、フェロセン誘導体よりなるミセル化剤を用いると
ともに、特定の条件下にて通電処理を行うことにより、
目的とする薄膜が製造できることを見出した0本発明は
かかる知見に基いて完成したものである。
すなわち、本発明は疎水性物質を水性媒体中でフェロセ
ン誘導体よりなるミセル化剤を用いて分散あるいは可溶
化して得た分散液あるいは溶液を、陰極上に前記疎水性
物質の薄膜が生成する条件下で、通電処理することを特
徴とする薄膜の製造方法を提供するものである。
ン誘導体よりなるミセル化剤を用いて分散あるいは可溶
化して得た分散液あるいは溶液を、陰極上に前記疎水性
物質の薄膜が生成する条件下で、通電処理することを特
徴とする薄膜の製造方法を提供するものである。
本発明の方法で用いる疎水性物質としては、フェロセン
誘導体を用いて水性媒体に可溶化あるいは分散し得る物
質であれば種々の物質があげられる。例えばペリレン、
レーキ顔料、フタロシアニンブルー、フタロシアニング
リーン、アントラキノンをはじめフタロシアニン、フタ
ロシアニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ナフタロ
シアニン、ナフタロシアニンの金属錯体およびこれらの
誘導体、ポルフィリン、ポルフィリンの金属錯体および
これらの誘導体などの光メモリー用色素や有機色素をは
じめ1,1°−ジヘプチル−4,4゜−ビビリジニウム
ジブロマイド、1.1°−ジドデシル−4,4゛−ビビ
リジニウムジブロマイドなどのエレクトロクロミック材
料、6−ニトロ−1,3,3−1−リンチルスピロー(
2°H−1’−ベンゾピラン−2,2°−インドリン)
(通称スピロピラン)などの感光材料(フォトクロミッ
ク材料)や光センサー材料、p−アゾキシアニソールな
どの液晶表示用色素、更に「カラーケミカル事典」株式
会社シーエムシー、1988年3月28日発行の第54
2〜717頁に列挙されているエレクトロニクス用色素
、記録用色素、環境クロミズム用色素、写真用色素、エ
ネルギー用色素、バイオメディカル用色素1食品・化粧
用色素、染料。
誘導体を用いて水性媒体に可溶化あるいは分散し得る物
質であれば種々の物質があげられる。例えばペリレン、
レーキ顔料、フタロシアニンブルー、フタロシアニング
リーン、アントラキノンをはじめフタロシアニン、フタ
ロシアニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ナフタロ
シアニン、ナフタロシアニンの金属錯体およびこれらの
誘導体、ポルフィリン、ポルフィリンの金属錯体および
これらの誘導体などの光メモリー用色素や有機色素をは
じめ1,1°−ジヘプチル−4,4゜−ビビリジニウム
ジブロマイド、1.1°−ジドデシル−4,4゛−ビビ
リジニウムジブロマイドなどのエレクトロクロミック材
料、6−ニトロ−1,3,3−1−リンチルスピロー(
2°H−1’−ベンゾピラン−2,2°−インドリン)
(通称スピロピラン)などの感光材料(フォトクロミッ
ク材料)や光センサー材料、p−アゾキシアニソールな
どの液晶表示用色素、更に「カラーケミカル事典」株式
会社シーエムシー、1988年3月28日発行の第54
2〜717頁に列挙されているエレクトロニクス用色素
、記録用色素、環境クロミズム用色素、写真用色素、エ
ネルギー用色素、バイオメディカル用色素1食品・化粧
用色素、染料。
顔料、特殊着色用色素のうちの疎水性の化合物などがあ
げられる。また、7,7,8.8−テトラシアノキノン
ジメタン(TCNQ)とテトラチアフルバレン(TTF
)との1:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材
料、ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化
性塗料、ステアリン酸などの絶縁材料、■−フェニルア
ゾー2−ナフトールなどのジアゾタイプの感光材料や塗
料等をあげることができる。さらには、水に不溶性のポ
リマー、例えばポリカーボネートポリスチレン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリフェニレン
サルファイド(PPS)、ポリフェニレンオキサイド(
P P O)、ポリアクリロニトリル(PAN)などの
汎用ポリマー、またポリフェニレン、ポリピロール、ポ
リアニリン。
げられる。また、7,7,8.8−テトラシアノキノン
ジメタン(TCNQ)とテトラチアフルバレン(TTF
)との1:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材
料、ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化
性塗料、ステアリン酸などの絶縁材料、■−フェニルア
ゾー2−ナフトールなどのジアゾタイプの感光材料や塗
料等をあげることができる。さらには、水に不溶性のポ
リマー、例えばポリカーボネートポリスチレン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリフェニレン
サルファイド(PPS)、ポリフェニレンオキサイド(
P P O)、ポリアクリロニトリル(PAN)などの
汎用ポリマー、またポリフェニレン、ポリピロール、ポ
リアニリン。
ポリチオフェン、アセチルセルロース、ポリビニルアセ
テート、ポリビニルブチラールをはじめ、各種各様のポ
リマー(ポリビニルピリジンなど)あるいはコポリマー
(メタクリル酸メチルとメタクリル酸とのコポリマーな
ど)をあげることができる。
テート、ポリビニルブチラールをはじめ、各種各様のポ
リマー(ポリビニルピリジンなど)あるいはコポリマー
(メタクリル酸メチルとメタクリル酸とのコポリマーな
ど)をあげることができる。
このような疎水性物質を可溶化あるいは分散させるフェ
ロセン誘導体としては、各種のものをあげることができ
る0例えば一般式 〔式中、R’及びRtはそれぞれ炭素数6以下のアルキ
ル基、炭素数6以下のアルコキシ基、アミノ基、ジメチ
ルアミノ基、水酸基、アセチルアミノ基、カルボキシル
基、メトキシカルボニル基。
ロセン誘導体としては、各種のものをあげることができ
る0例えば一般式 〔式中、R’及びRtはそれぞれ炭素数6以下のアルキ
ル基、炭素数6以下のアルコキシ基、アミノ基、ジメチ
ルアミノ基、水酸基、アセチルアミノ基、カルボキシル
基、メトキシカルボニル基。
アセトキシ基、アルデヒド基あるいはハロゲンを示し、
R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あるいは分岐アル
キル基又はアルケニル基を示し、R4及びR5はそれぞ
れ水素又はメチル基を示す。Yは酸素あるいはオキシカ
ルボニル基を示し、aは0〜4の整数、bはO〜4の整
数1mは1〜18の整数、nは2.0〜70.0の実数
を示す。〕で表わされるフェロセン誘導体を代表的なも
のとしてあげることができる。ここで、一般式(1)中
の各記号は前述した通りである。つまり、国際公開WO
3B10753B、WO39101939゜特願昭63
−233797号、その他に記載される如く、R1及び
R1はそれぞれ炭素数6以下のアルキル基(メチル基(
CHり、エチル基(C! Hs)等)、アルコキシ基(
メトキシ基(OCH3)、エトキシ基(OC!H2)等
)、アミノ基(NH,)。
R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あるいは分岐アル
キル基又はアルケニル基を示し、R4及びR5はそれぞ
れ水素又はメチル基を示す。Yは酸素あるいはオキシカ
ルボニル基を示し、aは0〜4の整数、bはO〜4の整
数1mは1〜18の整数、nは2.0〜70.0の実数
を示す。〕で表わされるフェロセン誘導体を代表的なも
のとしてあげることができる。ここで、一般式(1)中
の各記号は前述した通りである。つまり、国際公開WO
3B10753B、WO39101939゜特願昭63
−233797号、その他に記載される如く、R1及び
R1はそれぞれ炭素数6以下のアルキル基(メチル基(
CHり、エチル基(C! Hs)等)、アルコキシ基(
メトキシ基(OCH3)、エトキシ基(OC!H2)等
)、アミノ基(NH,)。
ジメチルアミノ基 (N(C1(s)g))、水酸基(
OH)。
OH)。
アセチルアミノ基(NHCOCH,)、カルボキシル基
(COOH)、7セトキシ基(OCOCH,)。
(COOH)、7セトキシ基(OCOCH,)。
メトキシカルボニル基(COOCH,)、アルデヒド基
(CHO)あるいはハロゲン(塩素、臭素。
(CHO)あるいはハロゲン(塩素、臭素。
フッ素、沃素等)を示す。R1及びR1は同一であって
も異なってもよく、さらにR1及びRzがそれぞれ複数
個フェロセンの五員環に存在した場合にも、複数の置換
基がそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また
、R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あいは分岐アル
キル基またはアルケニル基を示している。
も異なってもよく、さらにR1及びRzがそれぞれ複数
個フェロセンの五員環に存在した場合にも、複数の置換
基がそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また
、R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あいは分岐アル
キル基またはアルケニル基を示している。
さらにYは酸素(−0−)又はオキシカルボニル基(−
C−0−)を示し、R4,R11は水素又はメチル基(
CH,)を示す。従って、−0(CH2CH2O)、I
H。
C−0−)を示し、R4,R11は水素又はメチル基(
CH,)を示す。従って、−0(CH2CH2O)、I
H。
−0(CHICHO)、)I、 −〇(CHCH,O)
、HI3 CHs CH5 −C−0(CH2CHtO)、IHあるいは等である。
、HI3 CHs CH5 −C−0(CH2CHtO)、IHあるいは等である。
またmは1〜18の整数を示す。従って、環員炭素原子
と上記酸素又はオキシカルボニル基との間に、エチレン
基、プロピレン基等の炭素数1〜18のアルキレン基が
介在したものとなる。さらにnは上記オキシエチレン基
などのオキシアルキレン基の繰り返し数を示すもので、
2.0〜7060の整数のみならず、これらを含む実数
を意味し、オキシアルキレン基などの繰り返し数の平均
(ffiヲ示すものである。
と上記酸素又はオキシカルボニル基との間に、エチレン
基、プロピレン基等の炭素数1〜18のアルキレン基が
介在したものとなる。さらにnは上記オキシエチレン基
などのオキシアルキレン基の繰り返し数を示すもので、
2.0〜7060の整数のみならず、これらを含む実数
を意味し、オキシアルキレン基などの繰り返し数の平均
(ffiヲ示すものである。
本発明におけるフェロセン誘導体は、上記一般式[1〕
で表わされるもののほかに、様々なものがあり、アンモ
ニウムタイプ、ピリジンタイプ(国際公開WO3810
7538等)をはじめ、特願昭63−233797号明
細書、同63−233798号明細書、同63−248
600号明細書、同63−248601号明細書、特願
平1−45370号明細書、同1−54956号明細書
、同1−70680号明細書、同1−70681号明細
書、同1−76498号明細書および同1−76499
号明細書に記載されたフェロセン誘導体を挙げることが
できる。
で表わされるもののほかに、様々なものがあり、アンモ
ニウムタイプ、ピリジンタイプ(国際公開WO3810
7538等)をはじめ、特願昭63−233797号明
細書、同63−233798号明細書、同63−248
600号明細書、同63−248601号明細書、特願
平1−45370号明細書、同1−54956号明細書
、同1−70680号明細書、同1−70681号明細
書、同1−76498号明細書および同1−76499
号明細書に記載されたフェロセン誘導体を挙げることが
できる。
これらのフェロセン誘導体は極めて効率良く疎水性物質
を水性媒体に可溶化あるいは分散し得るものである。
を水性媒体に可溶化あるいは分散し得るものである。
本発明では、ミセル溶液あるいは分散液を調製するにあ
たって様々な方法があるが、具体的には水性媒体中に、
前記一般式(1)のフェロセン誘導体をはじめとする各
種のフェロセン誘導体(ミセル化剤)を濃度を限界ミセ
ル濃度以上として、必要に応じて支持塩を加え、また疎
水性有機物質を加えて超音波、ホモジナイザーあるいは
撹拌機等により充分に分散させてミセルを形成せしめれ
ばよい。また、このようにして得た疎水性有機物質の可
溶化液(ミセル溶液あるいは分、散液)から、その後必
要に応じて過剰の疎水性有機物質を除去する。
たって様々な方法があるが、具体的には水性媒体中に、
前記一般式(1)のフェロセン誘導体をはじめとする各
種のフェロセン誘導体(ミセル化剤)を濃度を限界ミセ
ル濃度以上として、必要に応じて支持塩を加え、また疎
水性有機物質を加えて超音波、ホモジナイザーあるいは
撹拌機等により充分に分散させてミセルを形成せしめれ
ばよい。また、このようにして得た疎水性有機物質の可
溶化液(ミセル溶液あるいは分、散液)から、その後必
要に応じて過剰の疎水性有機物質を除去する。
上記必要に応じて加えられる支持塩としては、具体的に
は一般に広く支持塩として用いられている硫酸塩(リチ
ウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、アルミニウ
ムなどの塩)、酢酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウ
ム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウムなどの塩
〕、ハロゲン化物塩(リチウム5カリウム、ナトリウム
。
は一般に広く支持塩として用いられている硫酸塩(リチ
ウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、アルミニウ
ムなどの塩)、酢酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウ
ム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウムなどの塩
〕、ハロゲン化物塩(リチウム5カリウム、ナトリウム
。
ルビジウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム
などの塩)、水溶性酸化物塩 (リチウム。
などの塩)、水溶性酸化物塩 (リチウム。
カリウム、ナトリウム、ルビジウム、カルシウム。
マグネシウム、アルミニウムなどの塩)が好適である。
これらの支持塩の濃度は、特に制限なく可溶化物質ある
いは分散物質の析出を妨げない濃度であれはよいが、通
常過セル化剤の濃度の10〜300倍、好ましくは50
〜200倍である。
いは分散物質の析出を妨げない濃度であれはよいが、通
常過セル化剤の濃度の10〜300倍、好ましくは50
〜200倍である。
このようにして製造されたミセル溶液あるいは分散液中
において、ミセル電解法にて陰極上に薄膜を生成する条
件にて通電処理を行い、薄膜を製造する。
において、ミセル電解法にて陰極上に薄膜を生成する条
件にて通電処理を行い、薄膜を製造する。
本発明で用いられる電極としては各種のものがあるが、
フェロセン誘導体の酸化電位(+0.15v〜+0.3
0V対飽和甘コウ電極)より責な金属もしくは導電体が
好ましい、具体的には陽極としてはITO(酸化インジ
ウムと酸化スズとの混合酸化物)、白金、金、銀、グラ
ジ−カーボン、導電性金属酸化物、有機ポリマー導電体
などが挙げられる。また、陰極としては、アルミニウム
、鉄。
フェロセン誘導体の酸化電位(+0.15v〜+0.3
0V対飽和甘コウ電極)より責な金属もしくは導電体が
好ましい、具体的には陽極としてはITO(酸化インジ
ウムと酸化スズとの混合酸化物)、白金、金、銀、グラ
ジ−カーボン、導電性金属酸化物、有機ポリマー導電体
などが挙げられる。また、陰極としては、アルミニウム
、鉄。
亜鉛、コバルト、錫などの卑金属をはじめ、銅。
ステンレス鋼、金、白金、銀、グラジ−カーボン。
導電性金属酸化物、導電性ポリマー、ITOなどが挙げ
られる。
られる。
この通電処理は、通常、撹拌を加えながら行う。
また、通電処理中に疎水性有機物質をミセル溶液に補充
添加してもよく、あるいは陽極近傍のミセル溶液を系外
へ抜き出し、抜き出したミセル溶液に疎水性有機物質を
加えて充分に混合撹拌し、しかる後にこの液を陰極近傍
へ戻す循環回路を併設してもよい。
添加してもよく、あるいは陽極近傍のミセル溶液を系外
へ抜き出し、抜き出したミセル溶液に疎水性有機物質を
加えて充分に混合撹拌し、しかる後にこの液を陰極近傍
へ戻す循環回路を併設してもよい。
この際の通電処理は、可溶化物質あるいは分散物質が陰
極上に薄膜を形成する条件下で行う。このような条件と
しては、液温0〜70°C5好ましくは5〜40℃であ
り、陰極の電位としては、−0,03〜−5,00V、
好ましくは−0,05〜−2,00Vである。また、電
流密度は一10m A / clI”以下、好ましくは
一50〜300μA/cm”とする。
極上に薄膜を形成する条件下で行う。このような条件と
しては、液温0〜70°C5好ましくは5〜40℃であ
り、陰極の電位としては、−0,03〜−5,00V、
好ましくは−0,05〜−2,00Vである。また、電
流密度は一10m A / clI”以下、好ましくは
一50〜300μA/cm”とする。
この条件下で通電処理を行うと、陰極近傍でpHの環境
条件が大幅に変わり、その結果ミセルが不安定となり離
散する。このようなミセルの離散に伴って、可溶化して
いた疎水性物質が陰極上に析出し、陰極上に強固に付着
した均一な薄膜が形成される。
条件が大幅に変わり、その結果ミセルが不安定となり離
散する。このようなミセルの離散に伴って、可溶化して
いた疎水性物質が陰極上に析出し、陰極上に強固に付着
した均一な薄膜が形成される。
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例1
100ccの水に構造式1で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにフタロシアニンを0.1gm、tて超音波で10
分間、攪拌して分散可溶化させた。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにフタロシアニンを0.1gm、tて超音波で10
分間、攪拌して分散可溶化させた。
さらに、スターシーにより二昼夜攪拌した後、得られた
分散可溶化ミセル溶液を、2000rpa+で30分間
遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収スペクトル
から、フタロシアニンが分散していることを確認した。
分散可溶化ミセル溶液を、2000rpa+で30分間
遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収スペクトル
から、フタロシアニンが分散していることを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0.1M
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にI
TOガラス電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25“Cで印加電圧−0,5Vにて定電位電解を行っ
た。この時の電流密度は−11,0μA/cd、通電時
間は30分間、通電量は0.02クーロン(C)であっ
た。
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にI
TOガラス電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25“Cで印加電圧−0,5Vにて定電位電解を行っ
た。この時の電流密度は−11,0μA/cd、通電時
間は30分間、通電量は0.02クーロン(C)であっ
た。
その結果、フタロシアニンの薄膜がITO透明ガラス電
極上に得られた。このITO透明ガラスを極上のフタロ
シアニンの吸収スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルが一致することから、ITO透明ガラス電
極上の薄膜はフタロシアニンであり、その吸光度より膜
厚が0.6μmであることが判った。
極上に得られた。このITO透明ガラスを極上のフタロ
シアニンの吸収スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルが一致することから、ITO透明ガラス電
極上の薄膜はフタロシアニンであり、その吸光度より膜
厚が0.6μmであることが判った。
実施例2
100ccの水に構造式2で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにペリレン系顔料(K3580)(BASF社製)
を0.1g加えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶
化させた。さらに、スターシーにより二昼夜攪拌した後
、得られた分散可溶化ミセル溶液を、2000rp−で
30分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収ス
ペクトルから、K3580が分散していることを確認し
た。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにペリレン系顔料(K3580)(BASF社製)
を0.1g加えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶
化させた。さらに、スターシーにより二昼夜攪拌した後
、得られた分散可溶化ミセル溶液を、2000rp−で
30分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収ス
ペクトルから、K3580が分散していることを確認し
た。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0.1M
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にア
ルミニウム電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25℃で印加電圧−0,8Vにて定電位電解を行った
。この時の電流密度は−22,0μA/cd、通電時間
は30分間、通電量は0.03Cであった。
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にア
ルミニウム電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25℃で印加電圧−0,8Vにて定電位電解を行った
。この時の電流密度は−22,0μA/cd、通電時間
は30分間、通電量は0.03Cであった。
その結果、K3580の薄膜がアルミニウム電極上に得
られた。このアルミニウム電極上のに3580の反射ス
ペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピ
ーク波長が一致することより、アルミニウム電極上の薄
膜はに3580であり、断層電子顕微鏡写真より膜厚は
0.4μmであることがわかった。
られた。このアルミニウム電極上のに3580の反射ス
ペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピ
ーク波長が一致することより、アルミニウム電極上の薄
膜はに3580であり、断層電子顕微鏡写真より膜厚は
0.4μmであることがわかった。
実施例3
100ccの水に構造式3で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccに銅フタロシアニン(大日精化■製)を0.1g加
えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶化させた。さ
らに、スターシーにより二昼夜攪拌した後、得られた分
散可溶化ミセル溶液を2000rp−で30分間遠心分
離を行った。この上澄み液の可視吸収スペクトルから、
銅フタロシアニンが分散していることを確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccに銅フタロシアニン(大日精化■製)を0.1g加
えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶化させた。さ
らに、スターシーにより二昼夜攪拌した後、得られた分
散可溶化ミセル溶液を2000rp−で30分間遠心分
離を行った。この上澄み液の可視吸収スペクトルから、
銅フタロシアニンが分散していることを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0゜IM
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にア
ルミニウム電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25℃で印加電圧−0,3■にて定電位電解を行った
。この時の電流密度は−7,6μA / d、通電時間
は30分間、通電量は0.015Cであった。
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にア
ルミニウム電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて
、25℃で印加電圧−0,3■にて定電位電解を行った
。この時の電流密度は−7,6μA / d、通電時間
は30分間、通電量は0.015Cであった。
その結果、銅フタロシアニンの薄膜がアルミニウム電極
上に得られた。このアルミニウム電極上の銅フタロシア
ニンの反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収ス
ペクトルのピーク波長が一敗することより、アルミニウ
ム電極上の薄膜は銅フタロシアニンであり、断層電子顕
微鏡写真より膜厚は0.25μmであることが判った。
上に得られた。このアルミニウム電極上の銅フタロシア
ニンの反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収ス
ペクトルのピーク波長が一敗することより、アルミニウ
ム電極上の薄膜は銅フタロシアニンであり、断層電子顕
微鏡写真より膜厚は0.25μmであることが判った。
実施例4
100ccの水に構造式4で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにビオロゲンを0.1g加えて超音波で10分間、
攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシーにより
二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を2
00Orpmで30分間遠心分離を行った。この上澄み
液の可視吸収スペクトルから、ビオロゲンが分散してい
ることを確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにビオロゲンを0.1g加えて超音波で10分間、
攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシーにより
二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を2
00Orpmで30分間遠心分離を行った。この上澄み
液の可視吸収スペクトルから、ビオロゲンが分散してい
ることを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に臭化リチウムを、0、1
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
銅電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて、25℃
で印加電圧−0,7■にて定電位電解を行った。この時
の電流密度は−17,6μA/cd、通電時間は30分
間、通電量は0.030であった。
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
銅電極、参照極として飽和材コウ電極を用いて、25℃
で印加電圧−0,7■にて定電位電解を行った。この時
の電流密度は−17,6μA/cd、通電時間は30分
間、通電量は0.030であった。
その結果、ビオロゲンの薄膜が銅電極上に得られた。こ
の銅電極上のビオロゲンの反射スペクトルと分散可溶化
ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一致するこ
とより、銅電極上の薄膜はビオロゲンであり、断層電子
顕微鏡写真より膜厚は0.65μmであることが判った
。
の銅電極上のビオロゲンの反射スペクトルと分散可溶化
ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一致するこ
とより、銅電極上の薄膜はビオロゲンであり、断層電子
顕微鏡写真より膜厚は0.65μmであることが判った
。
実施例5
100ccの水に構造式5で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
CCにCuPcClmBra (L 9361 )(B
ASF社製)を0.1g加えて超音波で、10分間攪拌
して分散可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼
夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を200
Orpmで30分間遠心分離を行った。この上澄み液の
可視吸収スペクトルから、L9361が分散しているこ
とを確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
CCにCuPcClmBra (L 9361 )(B
ASF社製)を0.1g加えて超音波で、10分間攪拌
して分散可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼
夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を200
Orpmで30分間遠心分離を行った。この上澄み液の
可視吸収スペクトルから、L9361が分散しているこ
とを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に臭化リチウムを0、1 M
の濃度になるように加え、スターラーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にポ
リアニリン/ITO電極、参照極として飽和材コウ電極
を用いて、25°Cで印加電圧−0,7vにて定電位電
解を行った。この時の電流密度は−11,3μA /
cd、通電時間は30分間、通電量は0.02Cであっ
た。
の濃度になるように加え、スターラーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にポ
リアニリン/ITO電極、参照極として飽和材コウ電極
を用いて、25°Cで印加電圧−0,7vにて定電位電
解を行った。この時の電流密度は−11,3μA /
cd、通電時間は30分間、通電量は0.02Cであっ
た。
その結果、L9361の薄膜がポリアニリン/ITO電
極上に得られた。このポリアニリン/ITO電極上のL
9361の反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルのピーク波長が一致することより、ポリア
ニリン/ITO電極上の薄膜はL9361であり、断層
電子顕微鏡写真より膜厚は0.6μmであることが判っ
た。
極上に得られた。このポリアニリン/ITO電極上のL
9361の反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルのピーク波長が一致することより、ポリア
ニリン/ITO電極上の薄膜はL9361であり、断層
電子顕微鏡写真より膜厚は0.6μmであることが判っ
た。
構造式5
100ccの水に構造式6で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにスダンlを0.1g加えて超音波で10分間攪拌
して分散可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼
夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を200
0rpa+で30分間遠心分離を行った。この上澄み液
の可視吸収スペクトルから、スダンIが分散しているこ
とを確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにスダンlを0.1g加えて超音波で10分間攪拌
して分散可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼
夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶液を200
0rpa+で30分間遠心分離を行った。この上澄み液
の可視吸収スペクトルから、スダンIが分散しているこ
とを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0、 I
Mの濃度になるように加え、スターラーで10分間攪
拌した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極
にステンレス電極、参照極として飽和材コウ電極を用い
て、25°Cで印加電圧−0,5Vにて定電位電解を行
った。この時の電流密度は−8.6μA/cii!、通
電時間は30分間、通電量はo、oicであった。
Mの濃度になるように加え、スターラーで10分間攪
拌した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極
にステンレス電極、参照極として飽和材コウ電極を用い
て、25°Cで印加電圧−0,5Vにて定電位電解を行
った。この時の電流密度は−8.6μA/cii!、通
電時間は30分間、通電量はo、oicであった。
その結果、スダン■の薄膜がステンレス電極上に得られ
た。このステンレス電極上のスダンrの反射スペクトル
と分散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長
が一致することより、ステンレス電極上の薄膜はスダン
Iであり、断層電子顕微鏡写真より膜厚は0.2μmで
あることが判た。
た。このステンレス電極上のスダンrの反射スペクトル
と分散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長
が一致することより、ステンレス電極上の薄膜はスダン
Iであり、断層電子顕微鏡写真より膜厚は0.2μmで
あることが判た。
実施例7
100ccの水に構造式7で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにテトラフェニルポルフィリン亜鉛錯体(Zn−T
PP)を0.1g加えて超音波で10分間攪拌して分散
可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼夜攪拌し
た後、得られた分散可溶化ミセル溶液を2000rpn
+で30分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸
収スペクトルから、Zn−TPPが分散していることを
確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにテトラフェニルポルフィリン亜鉛錯体(Zn−T
PP)を0.1g加えて超音波で10分間攪拌して分散
可溶化させた。さらに、スターラーにより二昼夜攪拌し
た後、得られた分散可溶化ミセル溶液を2000rpn
+で30分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸
収スペクトルから、Zn−TPPが分散していることを
確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0.1M
の濃度になるように加え、スターラーで10′土間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
白金電極:参照極として飽和材コウ電極を用いて、25
°Cで印加電圧−〇、6vにて定電位電解を行った。こ
の時の電流密度は−17,2μA/cd、通電時間は3
0分間、通電量は0.03Cであった。
の濃度になるように加え、スターラーで10′土間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
白金電極:参照極として飽和材コウ電極を用いて、25
°Cで印加電圧−〇、6vにて定電位電解を行った。こ
の時の電流密度は−17,2μA/cd、通電時間は3
0分間、通電量は0.03Cであった。
その結果、Zn−TPPの薄膜が白金電極上に得られた
。この白金電極上のZn−TPPの反射スペクトルと分
散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一
致することより、白金電極上の薄膜はZn−TPPであ
り、断層電子顕微鏡写真より膜厚は0.18μmである
ことが判った。
。この白金電極上のZn−TPPの反射スペクトルと分
散可溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一
致することより、白金電極上の薄膜はZn−TPPであ
り、断層電子顕微鏡写真より膜厚は0.18μmである
ことが判った。
構造式7
100ccの水に構造式8で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにトリフェニルアミンを0.1g加えて超音波で1
0分間、攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシ
ーにより二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル
溶液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。こ
の上澄み液の可視吸収スペクトルから、トリフェニルア
ミンが分散していることをVaU’ffl t、た。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにトリフェニルアミンを0.1g加えて超音波で1
0分間、攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシ
ーにより二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル
溶液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。こ
の上澄み液の可視吸収スペクトルから、トリフェニルア
ミンが分散していることをVaU’ffl t、た。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0、1
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
アルミニウム電極、参照極として飽和甘コウ電極を用い
て、25°Cで印加電圧−0,9Vにて定電位電解を行
った。この時の電流密度は−25,3μA / cff
l 、通電時間は30分間、通電量は0.04Cであっ
た。
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
アルミニウム電極、参照極として飽和甘コウ電極を用い
て、25°Cで印加電圧−0,9Vにて定電位電解を行
った。この時の電流密度は−25,3μA / cff
l 、通電時間は30分間、通電量は0.04Cであっ
た。
その結果、トリフェニルアミンの薄膜がアルミニウム電
極上に得られた。このアルミニウム電極上のトリフェニ
ルアミンの反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルのピーク波長が一敗することより、アルミ
ニウム電極上の薄膜はトリフェニルアミンであり、断層
電子顕微鏡写真より膜厚は0.45μmであることが判
った。
極上に得られた。このアルミニウム電極上のトリフェニ
ルアミンの反射スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸
収スペクトルのピーク波長が一敗することより、アルミ
ニウム電極上の薄膜はトリフェニルアミンであり、断層
電子顕微鏡写真より膜厚は0.45μmであることが判
った。
構造式8
実施例9
100ccの水に構造式9で示されるフェロセン誘導体
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにレーキ顔料(K3700)(BASF社製)を0
.1 g加えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶化
させた。さらに、スターシーにより二昼夜攪拌した後、
得られた分散可溶化ミセル溶液を200Orpmで30
分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収スペク
トルから、K3700が分散していることを確認した。
ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液20
ccにレーキ顔料(K3700)(BASF社製)を0
.1 g加えて超音波で10分間、攪拌して分散可溶化
させた。さらに、スターシーにより二昼夜攪拌した後、
得られた分散可溶化ミセル溶液を200Orpmで30
分間遠心分離を行った。この上澄み液の可視吸収スペク
トルから、K3700が分散していることを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0、1
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
グラジ−カーボン(GC)電極、参照極として飽和甘コ
ウ電極を用いて、25°Cで印加電圧−〇、8vにて定
電位電解を行った。この時の電流密度は−12,8μA
/ cd、通電時間は30分間、通電量は0.25
Cであった。
Mの濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌
した。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極に
グラジ−カーボン(GC)電極、参照極として飽和甘コ
ウ電極を用いて、25°Cで印加電圧−〇、8vにて定
電位電解を行った。この時の電流密度は−12,8μA
/ cd、通電時間は30分間、通電量は0.25
Cであった。
その結果、K3700の薄膜がGC電極上に得られた。
このGC電極上のに3700の反射スペクトルと分散可
溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一致す
ることより、GC電極上の薄膜はに3700であり、断
層電子顕微鏡写真より膜厚は0.4μmであることが判
った。
溶化ミセル溶液の吸収スペクトルのピーク波長が一致す
ることより、GC電極上の薄膜はに3700であり、断
層電子顕微鏡写真より膜厚は0.4μmであることが判
った。
構造式9
100ccの水に構造式10で示されるフェロセン誘導
体ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液2
0ccにナフトールAsを0.1g加えて超音波で10
分間、攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシー
により二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶
液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。この
上澄み液の可視吸収スペクトルから、ナフトールASが
分散していることを確認した。
体ミセル化剤を加え2mM溶液とし、このミセル溶液2
0ccにナフトールAsを0.1g加えて超音波で10
分間、攪拌して分散可溶化させた。さらに、スターシー
により二昼夜攪拌した後、得られた分散可溶化ミセル溶
液を200Orpmで30分間遠心分離を行った。この
上澄み液の可視吸収スペクトルから、ナフトールASが
分散していることを確認した。
この分散可溶化ミセル溶液に、臭化リチウムを0.1M
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にI
TOガラス電極、参照極として飽和甘コウ電極を用いて
、25°Cで印加電圧−0,5■にて定電位電解を行っ
た。この時の電流密度は−5,5μA/cd、通電時間
は30分間、通電量は0.0ICであった。
の濃度になるように加え、スターシーで10分間攪拌し
た。この溶液を電解液として、陽極に白金板、陰極にI
TOガラス電極、参照極として飽和甘コウ電極を用いて
、25°Cで印加電圧−0,5■にて定電位電解を行っ
た。この時の電流密度は−5,5μA/cd、通電時間
は30分間、通電量は0.0ICであった。
その結果、ナフトールAsの薄膜がITOガラス電極上
に得られた。このITOガラス電極上のナフトールAs
の吸収スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収スペク
トルのピーク波長が一致することより、ITOガラス電
極上の薄膜はナフトールAsであり、断層電子顕微鏡写
真より膜厚は0.4μmであることが判った。
に得られた。このITOガラス電極上のナフトールAs
の吸収スペクトルと分散可溶化ミセル溶液の吸収スペク
トルのピーク波長が一致することより、ITOガラス電
極上の薄膜はナフトールAsであり、断層電子顕微鏡写
真より膜厚は0.4μmであることが判った。
以上述べた如く、本発明の方法によれば溶液の凝集を起
こすことなく、比較的低い電圧にて効率良く卑金属等の
陰極上に薄膜を形成することができる。また、得られる
薄膜は強固に陰極上に付着しており、安定したものであ
る。
こすことなく、比較的低い電圧にて効率良く卑金属等の
陰極上に薄膜を形成することができる。また、得られる
薄膜は強固に陰極上に付着しており、安定したものであ
る。
このように本発明の方法は、有用な薄膜を高い生産性に
て製造することができるため、電子写真感光体、カラー
フィルターなどの分野に利用が期待される。
て製造することができるため、電子写真感光体、カラー
フィルターなどの分野に利用が期待される。
Claims (2)
- (1)疎水性物質を水性媒体中でフェロセン誘導体より
なるミセル化剤を用いて分散あるいは可溶化して得た分
散液あるいは溶液を、陰極上に前記疎水性物質の薄膜が
生成する条件下で、通電処理することを特徴とする薄膜
の製造方法。 - (2)陰極が卑金属である請求項1記載の薄膜の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748189A JPH02298294A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜の製造方法 |
| US07/444,817 US5122247A (en) | 1988-12-17 | 1989-12-01 | Process for producing thin films |
| CA002004789A CA2004789A1 (en) | 1988-12-17 | 1989-12-06 | Process for producing thin films |
| EP19890122737 EP0374643A3 (en) | 1988-12-17 | 1989-12-09 | Process for producing thin films |
| US07/826,905 US5203974A (en) | 1988-12-17 | 1992-01-24 | Process for producing thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748189A JPH02298294A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298294A true JPH02298294A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14712774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11748189A Pending JPH02298294A (ja) | 1988-12-17 | 1989-05-12 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298294A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11748189A patent/JPH02298294A/ja active Pending
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