JPH02302447A - プリプレグおよびそれを用いた配線基板 - Google Patents

プリプレグおよびそれを用いた配線基板

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JPH02302447A
JPH02302447A JP12520189A JP12520189A JPH02302447A JP H02302447 A JPH02302447 A JP H02302447A JP 12520189 A JP12520189 A JP 12520189A JP 12520189 A JP12520189 A JP 12520189A JP H02302447 A JPH02302447 A JP H02302447A
Authority
JP
Japan
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prepreg
polyaromatic
wiring board
formula
cyanate
Prior art date
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Pending
Application number
JP12520189A
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English (en)
Inventor
Toshiharu Takada
高田 俊治
Yoshihide Sawa
澤 佳秀
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子機器、電気機器、コンピューター、通信機
器等に用すられる高周波用配線基板およびそれに用いる
プリプレグに関するものである。
〔従来の技術〕
近年、電子工業や通信、コンピュータなどの分野におい
て使用される周波数がMHzやGH雪のように高周波の
領域にシフトして因る。そしてこのような高周波領域で
用いられるプリント配線板の絶縁層においては、信号の
伝播遅延を短くするうえで銹電塞がより小さいことが、
また電力ロスを小さくするうえで誘電正接がより小さい
ことがそそそれ望まれる。
このために誘電塞や誘電正接が小さい四フプ化エチレン
m脂(テフロン)やポリフェニレンオキサイド(PPO
)などの樹脂を用いて絶縁層を形成することが試みられ
るに至って層る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしこれらの樹脂を用すで絶縁層を形成する場合、ガ
ラス転移温度(Tg)が180〜200℃程度と低く耐
熱性が不十分で、スルホール加工時のスミアの発生など
スルホールの信頼性を高く得られないために多層のプリ
ント配線板に形成することができないなどの問題があっ
た。
又、ポリ芳香族シアネート樹脂を単独で硬化させた場合
、シアネートがトリアジン環を形成して耐熱性を向上さ
せるが、架橋密度が非常に高いため耐衝撃性が低下し、
プリント配線板加工時のドリル加工に右いて内壁にクラ
9りを発生しやすく、スルホール鍍金信頼性の点で問題
があった。
〔問題点を解決するための手段) 本発明はポリ芳香族シアネート、多価フェノール、ポリ
芳香族シアネートフェノール、触媒に、更に下記一般式
〔1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材
に含浸、乾燥してなるプリプレグおよび該プリプレグを
所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間の所要位置
に内層回路材を介在せしめてから、最外層に外層回路材
を配設した積層体を積層一体化してなることを特徴とす
る配線基板のため、上記目的を達成することができたも
ので、以下本発明の詳細な説明する。
但しn=1〜5 本発明に量論るポリ芳香族シアネートとしては好ましく
は下記一般式〔2〕で示されるものであることが高周波
性向上のために望才しいことであ4・・・式〔2〕 但しArは芳香族 BはCy−20の多環式1旨肪族基 りは各々独立に活性水素を含まない置換基q*r*8は
夫々独立に0.1.2.  又は3の整数 tは夫々独立に0〜4の整砂 Xは0〜5の数 本発明において用因る式〔2〕のポリ芳香族シアネート
において、芳香族基Arは芳香族基を含む吃での基を意
味するものであり、例えばベンゼン、ナフタリン、フエ
ナントラセン、アントラセン、またはビ芳香族基、アル
キレン部分によって架橋された2個以上の芳香族基であ
る。好適にはベンゼン、ナフタリン、ビフェニル、ビナ
フチル、ジフェニルアルキレン基でアリ、特にベンゼン
基であることが望才しい。C7〜!Oの多環式脂肪族基
Bとは、2個以上の環を含む脂肪族基金意味するもので
あり、多環式脂肪基には1つ以上の二重結合または三重
結合が含まれていてもよい。好適な多璋式肪脂族基を列
挙すれば次のものがある。
Dはアルキル基 式〔2〕中のDは有機炭化水素基上に@換され得る総て
の置換基を意味するものであるが、活性水素原子を含む
置換基は除外される。活性水素原子とは酸素、硫黄、窒
素原子に結合した水素原子を意味する。式〔2〕中の各
りはそれデれ独立して規定されるものであり、例えば、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカ
リール、アルアルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、カ
ルボキシレート、スルホン、スルフィド、カーボネート
などであり、好適には01〜C1゜のアルキル%C1〜
、0 のフルケニル、ニトロ、ハロテアリ、C1〜、ノ
アルキル、C1〜3のアルキニル、フロモ、クロロが最
も好ましい。
式〔2〕のポリ芳香族シアネートはXがO〜5までの化
合物類の混合物として見出されるものであり、Xはこの
混合物の平均の数として規定されるものである。
式〔2〕のポリ芳香族シアネートの好ましい実しかして
、式〔2〕のポリ芳香族シアネートから得られる芳香族
ポリトリアジン(ポリ芳香族シアネート樹脂)は、低い
誘電率(C2,78前後)、低す誘電正接(tanδo
、o o a  前後)及び高い耐熱性(ガラス転移温
度’pg250 以上、オーブン耐熱性300℃程度)
を有するプリント配線基板を構成する樹脂としては優れ
た特性を有する。そこで本発明ではさらに式〔3〕で表
される ・・・・・・式〔3〕 但し記号Ar  Bs Do q* re 8* te
 Xは式%式% 多価フェノールを加えることにより硬化時の架橋密度を
下げ可塑化することによって耐衝撃性を向上させると共
に式〔2〕のイソシアネート基が硬化後に未反応として
残存しないように反応性を高めるものである。更に式〔
4〕で示されるポリ芳香族シアネートフェノールを添加
することによってガラス布等の基材に幻する漏れ性、密
着性を向上させるものである。
・・・式〔4〕 但し、記号Ar * Be D@ q−r−Be ta
 Xは式〔2〕と同じである。
触媒としては、イミダゾール類、第三級アミン、ナフテ
ン酸コバルトやオクチル酸コバルトなど有機コバルト塩
類等の有機金属塩類を用することができるものであり、
特に有機コバルト塩類が好まし論、触媒の配合量は特に
限定されなめが、例えば有機コバルト塩類を反応触媒と
して用いる場合には、ワニスの所望するゲルタイムに応
じて、式〔2〕のポリ芳香族シアネートの重量に対する
コバルトイオンの重量比で10〜700ppm程度の範
囲で配合される。難燃剤としては下記一般式〔1〕で表
ワサれるフェノキシターミネーデッドデトラプロモビス
フェノールAカーボネーテ咋ドオリゴマ−を用いるもの
である。難燃剤鷺として但しn = 1〜5 は難燃剤の合計量に対し臭素の含有率がlO〜15重量
係(以下単に係と記す)になることが好まし論。
更に全体粘度を調整するため必要に応じてアルコール、
ケトン、トルエン、ジメチルホルムアミF、メチルセロ
ソルブ等の単a、混合物で希釈することもできる。基材
としてはガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステ
ル、ポリアクリル、ポリビニルアルコール、ポリアクリ
ル、ポリアラミド等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維
からなる織布、不織布、マプト或は砒又はこれらの組合
せ基材である。必要に応じて用いる内層回路材としては
両面又は片面金属張m1il板の金属面に電気回路を形
成したもので必要に応じプリプレグ間に所要枚数挿入し
多層配線基板とするものである。外層回路材としては片
面金属張積層板や銅、アルミニウム、二噌ケル、亜鉛等
の単独、合金、複合からなる金属箔が用いられるが好ま
しくは厚さ摺〜105ミクロンの両面粗化、銅箔、更に
好ましくはアルミキャリア付銅箔であることが望ましb
ことである。かくして上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾
燥してなるプリプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該
プリプレグ間の所要位置に内層回路付全介在せしめてか
ら、最外層に外層回路材を配設した積層体を多段プレス
法、ダブルベルト法、マルチロール法、ドラ1法等で1
70〜230℃で積層一体化するが必要に応じて積層一
体化後、更に60〜120分間アフターキュアーするこ
ともできる。
以下本発明を実施例にもとついて説明する。
実施例 ポリ芳香族シアネー)60iift部(以下単に部と記
す)に対し、ポリ芳香族シアネートのシアネート化反応
前の多価フェノール20部、ポリ芳香族シアネートフェ
ノール20部、オクチル酸コバルト25ppmを加え混
合後、これにフェノキシターミネーテッドテトラブロモ
ピスフェノールAカーポネーテー!ドオリゴマ−8部を
加え固形分が70係になるよつrこメチルエチルケトン
で希釈して樹脂ワニスを得、該樹脂ワニスに厚さ0.1
5mのガラスを乾燥後樹脂−が50優になるように含浸
、乾燥してプリプレグを得た。次に該プリプレグ8枚を
重ねた上下面に厚さ35ミクロンの鋼箔を夫々配設した
積層体全成形圧力50Kq/d 、  170℃で90
分間加熱加圧成形後、更に220℃で60分間無圧下ア
フターキュアーして厚さ1.6ffの両面鋼張積層板を
得、次に藷積層板の両面に電気回路を形成して内層回路
材とし、この内層回路材の上下面に上記プリプレグを夫
々2枚づつ介し最外層に厚さ35ミクロンの銅w3に配
設した積層体を成形圧力40Kvd 、  170℃で
60分間積層成形して4M回路配線板を得た。
比較例1 ポリアミノビスマレイミド樹脂を固形分が60%になる
ようにNメチル2ピロリドンに溶解した樹脂ワニスを用
いた以外は実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼
張積層板、4層回路配線基板を得た。
比較例2 ポリ芳香族シアネートを固形分が60係になるようにメ
チルエチルケトンに溶解した樹脂ワニスを用いた以外は
実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼張積層板、
4層回路配線基板を得た。
実施例及び比較例1と2の配線基板の性能は濱1表のよ
うである。
注 ※1 50℃の温水中に48時間浸漬処理後。
*2 スルホール壁面からの鍍金液のしみこみ性。
〔発明の効果〕
本発明は上述した如く構成されてbる。特許請求の範囲
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においては、誘電基、誘電正接、耐熱性、スル
ホール信頼性、≧燃性が向上する効果がある。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポリ芳香族シアネート、多価フエノール、ポリ芳
    香族シアネートフエノール、触媒に、更に下記一般式〔
    1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材に
    含浸、乾燥してなることを特徴とするプリプレグ。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但しn=1〜5
  2. (2)ポリ芳香族シアネート、多価フエノール、ポリ芳
    香族シアネートフエノール、触媒に、更に下記一般式〔
    1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材に
    含浸、乾燥してなるプリプレグを所要枚数重ね、必要に
    応じて該プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せ
    しめてから、最外層に外層回路材を配設した積層体を積
    層一体化してなることを特徴とする配線基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但しn=1〜5
  3. (3)外層回路材が金属箔であることを特徴とする特許
    請求の範囲第2項記載の配線基板。
JP12520189A 1989-05-18 1989-05-18 プリプレグおよびそれを用いた配線基板 Pending JPH02302447A (ja)

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