JPH02302447A - プリプレグおよびそれを用いた配線基板 - Google Patents
プリプレグおよびそれを用いた配線基板Info
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- JPH02302447A JPH02302447A JP12520189A JP12520189A JPH02302447A JP H02302447 A JPH02302447 A JP H02302447A JP 12520189 A JP12520189 A JP 12520189A JP 12520189 A JP12520189 A JP 12520189A JP H02302447 A JPH02302447 A JP H02302447A
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Landscapes
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器、電気機器、コンピューター、通信機
器等に用すられる高周波用配線基板およびそれに用いる
プリプレグに関するものである。
器等に用すられる高周波用配線基板およびそれに用いる
プリプレグに関するものである。
近年、電子工業や通信、コンピュータなどの分野におい
て使用される周波数がMHzやGH雪のように高周波の
領域にシフトして因る。そしてこのような高周波領域で
用いられるプリント配線板の絶縁層においては、信号の
伝播遅延を短くするうえで銹電塞がより小さいことが、
また電力ロスを小さくするうえで誘電正接がより小さい
ことがそそそれ望まれる。
て使用される周波数がMHzやGH雪のように高周波の
領域にシフトして因る。そしてこのような高周波領域で
用いられるプリント配線板の絶縁層においては、信号の
伝播遅延を短くするうえで銹電塞がより小さいことが、
また電力ロスを小さくするうえで誘電正接がより小さい
ことがそそそれ望まれる。
このために誘電塞や誘電正接が小さい四フプ化エチレン
m脂(テフロン)やポリフェニレンオキサイド(PPO
)などの樹脂を用いて絶縁層を形成することが試みられ
るに至って層る。
m脂(テフロン)やポリフェニレンオキサイド(PPO
)などの樹脂を用いて絶縁層を形成することが試みられ
るに至って層る。
しかしこれらの樹脂を用すで絶縁層を形成する場合、ガ
ラス転移温度(Tg)が180〜200℃程度と低く耐
熱性が不十分で、スルホール加工時のスミアの発生など
スルホールの信頼性を高く得られないために多層のプリ
ント配線板に形成することができないなどの問題があっ
た。
ラス転移温度(Tg)が180〜200℃程度と低く耐
熱性が不十分で、スルホール加工時のスミアの発生など
スルホールの信頼性を高く得られないために多層のプリ
ント配線板に形成することができないなどの問題があっ
た。
又、ポリ芳香族シアネート樹脂を単独で硬化させた場合
、シアネートがトリアジン環を形成して耐熱性を向上さ
せるが、架橋密度が非常に高いため耐衝撃性が低下し、
プリント配線板加工時のドリル加工に右いて内壁にクラ
9りを発生しやすく、スルホール鍍金信頼性の点で問題
があった。
、シアネートがトリアジン環を形成して耐熱性を向上さ
せるが、架橋密度が非常に高いため耐衝撃性が低下し、
プリント配線板加工時のドリル加工に右いて内壁にクラ
9りを発生しやすく、スルホール鍍金信頼性の点で問題
があった。
〔問題点を解決するための手段)
本発明はポリ芳香族シアネート、多価フェノール、ポリ
芳香族シアネートフェノール、触媒に、更に下記一般式
〔1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材
に含浸、乾燥してなるプリプレグおよび該プリプレグを
所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間の所要位置
に内層回路材を介在せしめてから、最外層に外層回路材
を配設した積層体を積層一体化してなることを特徴とす
る配線基板のため、上記目的を達成することができたも
ので、以下本発明の詳細な説明する。
芳香族シアネートフェノール、触媒に、更に下記一般式
〔1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材
に含浸、乾燥してなるプリプレグおよび該プリプレグを
所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間の所要位置
に内層回路材を介在せしめてから、最外層に外層回路材
を配設した積層体を積層一体化してなることを特徴とす
る配線基板のため、上記目的を達成することができたも
ので、以下本発明の詳細な説明する。
但しn=1〜5
本発明に量論るポリ芳香族シアネートとしては好ましく
は下記一般式〔2〕で示されるものであることが高周波
性向上のために望才しいことであ4・・・式〔2〕 但しArは芳香族 BはCy−20の多環式1旨肪族基 りは各々独立に活性水素を含まない置換基q*r*8は
夫々独立に0.1.2. 又は3の整数 tは夫々独立に0〜4の整砂 Xは0〜5の数 本発明において用因る式〔2〕のポリ芳香族シアネート
において、芳香族基Arは芳香族基を含む吃での基を意
味するものであり、例えばベンゼン、ナフタリン、フエ
ナントラセン、アントラセン、またはビ芳香族基、アル
キレン部分によって架橋された2個以上の芳香族基であ
る。好適にはベンゼン、ナフタリン、ビフェニル、ビナ
フチル、ジフェニルアルキレン基でアリ、特にベンゼン
基であることが望才しい。C7〜!Oの多環式脂肪族基
Bとは、2個以上の環を含む脂肪族基金意味するもので
あり、多環式脂肪基には1つ以上の二重結合または三重
結合が含まれていてもよい。好適な多璋式肪脂族基を列
挙すれば次のものがある。
は下記一般式〔2〕で示されるものであることが高周波
性向上のために望才しいことであ4・・・式〔2〕 但しArは芳香族 BはCy−20の多環式1旨肪族基 りは各々独立に活性水素を含まない置換基q*r*8は
夫々独立に0.1.2. 又は3の整数 tは夫々独立に0〜4の整砂 Xは0〜5の数 本発明において用因る式〔2〕のポリ芳香族シアネート
において、芳香族基Arは芳香族基を含む吃での基を意
味するものであり、例えばベンゼン、ナフタリン、フエ
ナントラセン、アントラセン、またはビ芳香族基、アル
キレン部分によって架橋された2個以上の芳香族基であ
る。好適にはベンゼン、ナフタリン、ビフェニル、ビナ
フチル、ジフェニルアルキレン基でアリ、特にベンゼン
基であることが望才しい。C7〜!Oの多環式脂肪族基
Bとは、2個以上の環を含む脂肪族基金意味するもので
あり、多環式脂肪基には1つ以上の二重結合または三重
結合が含まれていてもよい。好適な多璋式肪脂族基を列
挙すれば次のものがある。
Dはアルキル基
式〔2〕中のDは有機炭化水素基上に@換され得る総て
の置換基を意味するものであるが、活性水素原子を含む
置換基は除外される。活性水素原子とは酸素、硫黄、窒
素原子に結合した水素原子を意味する。式〔2〕中の各
りはそれデれ独立して規定されるものであり、例えば、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカ
リール、アルアルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、カ
ルボキシレート、スルホン、スルフィド、カーボネート
などであり、好適には01〜C1゜のアルキル%C1〜
、0 のフルケニル、ニトロ、ハロテアリ、C1〜、ノ
アルキル、C1〜3のアルキニル、フロモ、クロロが最
も好ましい。
の置換基を意味するものであるが、活性水素原子を含む
置換基は除外される。活性水素原子とは酸素、硫黄、窒
素原子に結合した水素原子を意味する。式〔2〕中の各
りはそれデれ独立して規定されるものであり、例えば、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカ
リール、アルアルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、カ
ルボキシレート、スルホン、スルフィド、カーボネート
などであり、好適には01〜C1゜のアルキル%C1〜
、0 のフルケニル、ニトロ、ハロテアリ、C1〜、ノ
アルキル、C1〜3のアルキニル、フロモ、クロロが最
も好ましい。
式〔2〕のポリ芳香族シアネートはXがO〜5までの化
合物類の混合物として見出されるものであり、Xはこの
混合物の平均の数として規定されるものである。
合物類の混合物として見出されるものであり、Xはこの
混合物の平均の数として規定されるものである。
式〔2〕のポリ芳香族シアネートの好ましい実しかして
、式〔2〕のポリ芳香族シアネートから得られる芳香族
ポリトリアジン(ポリ芳香族シアネート樹脂)は、低い
誘電率(C2,78前後)、低す誘電正接(tanδo
、o o a 前後)及び高い耐熱性(ガラス転移温
度’pg250 以上、オーブン耐熱性300℃程度)
を有するプリント配線基板を構成する樹脂としては優れ
た特性を有する。そこで本発明ではさらに式〔3〕で表
される ・・・・・・式〔3〕 但し記号Ar Bs Do q* re 8* te
Xは式%式% 多価フェノールを加えることにより硬化時の架橋密度を
下げ可塑化することによって耐衝撃性を向上させると共
に式〔2〕のイソシアネート基が硬化後に未反応として
残存しないように反応性を高めるものである。更に式〔
4〕で示されるポリ芳香族シアネートフェノールを添加
することによってガラス布等の基材に幻する漏れ性、密
着性を向上させるものである。
、式〔2〕のポリ芳香族シアネートから得られる芳香族
ポリトリアジン(ポリ芳香族シアネート樹脂)は、低い
誘電率(C2,78前後)、低す誘電正接(tanδo
、o o a 前後)及び高い耐熱性(ガラス転移温
度’pg250 以上、オーブン耐熱性300℃程度)
を有するプリント配線基板を構成する樹脂としては優れ
た特性を有する。そこで本発明ではさらに式〔3〕で表
される ・・・・・・式〔3〕 但し記号Ar Bs Do q* re 8* te
Xは式%式% 多価フェノールを加えることにより硬化時の架橋密度を
下げ可塑化することによって耐衝撃性を向上させると共
に式〔2〕のイソシアネート基が硬化後に未反応として
残存しないように反応性を高めるものである。更に式〔
4〕で示されるポリ芳香族シアネートフェノールを添加
することによってガラス布等の基材に幻する漏れ性、密
着性を向上させるものである。
・・・式〔4〕
但し、記号Ar * Be D@ q−r−Be ta
Xは式〔2〕と同じである。
Xは式〔2〕と同じである。
触媒としては、イミダゾール類、第三級アミン、ナフテ
ン酸コバルトやオクチル酸コバルトなど有機コバルト塩
類等の有機金属塩類を用することができるものであり、
特に有機コバルト塩類が好まし論、触媒の配合量は特に
限定されなめが、例えば有機コバルト塩類を反応触媒と
して用いる場合には、ワニスの所望するゲルタイムに応
じて、式〔2〕のポリ芳香族シアネートの重量に対する
コバルトイオンの重量比で10〜700ppm程度の範
囲で配合される。難燃剤としては下記一般式〔1〕で表
ワサれるフェノキシターミネーデッドデトラプロモビス
フェノールAカーボネーテ咋ドオリゴマ−を用いるもの
である。難燃剤鷺として但しn = 1〜5 は難燃剤の合計量に対し臭素の含有率がlO〜15重量
係(以下単に係と記す)になることが好まし論。
ン酸コバルトやオクチル酸コバルトなど有機コバルト塩
類等の有機金属塩類を用することができるものであり、
特に有機コバルト塩類が好まし論、触媒の配合量は特に
限定されなめが、例えば有機コバルト塩類を反応触媒と
して用いる場合には、ワニスの所望するゲルタイムに応
じて、式〔2〕のポリ芳香族シアネートの重量に対する
コバルトイオンの重量比で10〜700ppm程度の範
囲で配合される。難燃剤としては下記一般式〔1〕で表
ワサれるフェノキシターミネーデッドデトラプロモビス
フェノールAカーボネーテ咋ドオリゴマ−を用いるもの
である。難燃剤鷺として但しn = 1〜5 は難燃剤の合計量に対し臭素の含有率がlO〜15重量
係(以下単に係と記す)になることが好まし論。
更に全体粘度を調整するため必要に応じてアルコール、
ケトン、トルエン、ジメチルホルムアミF、メチルセロ
ソルブ等の単a、混合物で希釈することもできる。基材
としてはガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステ
ル、ポリアクリル、ポリビニルアルコール、ポリアクリ
ル、ポリアラミド等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維
からなる織布、不織布、マプト或は砒又はこれらの組合
せ基材である。必要に応じて用いる内層回路材としては
両面又は片面金属張m1il板の金属面に電気回路を形
成したもので必要に応じプリプレグ間に所要枚数挿入し
多層配線基板とするものである。外層回路材としては片
面金属張積層板や銅、アルミニウム、二噌ケル、亜鉛等
の単独、合金、複合からなる金属箔が用いられるが好ま
しくは厚さ摺〜105ミクロンの両面粗化、銅箔、更に
好ましくはアルミキャリア付銅箔であることが望ましb
ことである。かくして上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾
燥してなるプリプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該
プリプレグ間の所要位置に内層回路付全介在せしめてか
ら、最外層に外層回路材を配設した積層体を多段プレス
法、ダブルベルト法、マルチロール法、ドラ1法等で1
70〜230℃で積層一体化するが必要に応じて積層一
体化後、更に60〜120分間アフターキュアーするこ
ともできる。
ケトン、トルエン、ジメチルホルムアミF、メチルセロ
ソルブ等の単a、混合物で希釈することもできる。基材
としてはガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステ
ル、ポリアクリル、ポリビニルアルコール、ポリアクリ
ル、ポリアラミド等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維
からなる織布、不織布、マプト或は砒又はこれらの組合
せ基材である。必要に応じて用いる内層回路材としては
両面又は片面金属張m1il板の金属面に電気回路を形
成したもので必要に応じプリプレグ間に所要枚数挿入し
多層配線基板とするものである。外層回路材としては片
面金属張積層板や銅、アルミニウム、二噌ケル、亜鉛等
の単独、合金、複合からなる金属箔が用いられるが好ま
しくは厚さ摺〜105ミクロンの両面粗化、銅箔、更に
好ましくはアルミキャリア付銅箔であることが望ましb
ことである。かくして上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾
燥してなるプリプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該
プリプレグ間の所要位置に内層回路付全介在せしめてか
ら、最外層に外層回路材を配設した積層体を多段プレス
法、ダブルベルト法、マルチロール法、ドラ1法等で1
70〜230℃で積層一体化するが必要に応じて積層一
体化後、更に60〜120分間アフターキュアーするこ
ともできる。
以下本発明を実施例にもとついて説明する。
実施例
ポリ芳香族シアネー)60iift部(以下単に部と記
す)に対し、ポリ芳香族シアネートのシアネート化反応
前の多価フェノール20部、ポリ芳香族シアネートフェ
ノール20部、オクチル酸コバルト25ppmを加え混
合後、これにフェノキシターミネーテッドテトラブロモ
ピスフェノールAカーポネーテー!ドオリゴマ−8部を
加え固形分が70係になるよつrこメチルエチルケトン
で希釈して樹脂ワニスを得、該樹脂ワニスに厚さ0.1
5mのガラスを乾燥後樹脂−が50優になるように含浸
、乾燥してプリプレグを得た。次に該プリプレグ8枚を
重ねた上下面に厚さ35ミクロンの鋼箔を夫々配設した
積層体全成形圧力50Kq/d 、 170℃で90
分間加熱加圧成形後、更に220℃で60分間無圧下ア
フターキュアーして厚さ1.6ffの両面鋼張積層板を
得、次に藷積層板の両面に電気回路を形成して内層回路
材とし、この内層回路材の上下面に上記プリプレグを夫
々2枚づつ介し最外層に厚さ35ミクロンの銅w3に配
設した積層体を成形圧力40Kvd 、 170℃で
60分間積層成形して4M回路配線板を得た。
す)に対し、ポリ芳香族シアネートのシアネート化反応
前の多価フェノール20部、ポリ芳香族シアネートフェ
ノール20部、オクチル酸コバルト25ppmを加え混
合後、これにフェノキシターミネーテッドテトラブロモ
ピスフェノールAカーポネーテー!ドオリゴマ−8部を
加え固形分が70係になるよつrこメチルエチルケトン
で希釈して樹脂ワニスを得、該樹脂ワニスに厚さ0.1
5mのガラスを乾燥後樹脂−が50優になるように含浸
、乾燥してプリプレグを得た。次に該プリプレグ8枚を
重ねた上下面に厚さ35ミクロンの鋼箔を夫々配設した
積層体全成形圧力50Kq/d 、 170℃で90
分間加熱加圧成形後、更に220℃で60分間無圧下ア
フターキュアーして厚さ1.6ffの両面鋼張積層板を
得、次に藷積層板の両面に電気回路を形成して内層回路
材とし、この内層回路材の上下面に上記プリプレグを夫
々2枚づつ介し最外層に厚さ35ミクロンの銅w3に配
設した積層体を成形圧力40Kvd 、 170℃で
60分間積層成形して4M回路配線板を得た。
比較例1
ポリアミノビスマレイミド樹脂を固形分が60%になる
ようにNメチル2ピロリドンに溶解した樹脂ワニスを用
いた以外は実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼
張積層板、4層回路配線基板を得た。
ようにNメチル2ピロリドンに溶解した樹脂ワニスを用
いた以外は実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼
張積層板、4層回路配線基板を得た。
比較例2
ポリ芳香族シアネートを固形分が60係になるようにメ
チルエチルケトンに溶解した樹脂ワニスを用いた以外は
実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼張積層板、
4層回路配線基板を得た。
チルエチルケトンに溶解した樹脂ワニスを用いた以外は
実施例と同様に処理してプリプレグ、両面鋼張積層板、
4層回路配線基板を得た。
実施例及び比較例1と2の配線基板の性能は濱1表のよ
うである。
うである。
注
※1 50℃の温水中に48時間浸漬処理後。
*2 スルホール壁面からの鍍金液のしみこみ性。
本発明は上述した如く構成されてbる。特許請求の範囲
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においては、誘電基、誘電正接、耐熱性、スル
ホール信頼性、≧燃性が向上する効果がある。
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においては、誘電基、誘電正接、耐熱性、スル
ホール信頼性、≧燃性が向上する効果がある。
Claims (3)
- (1)ポリ芳香族シアネート、多価フエノール、ポリ芳
香族シアネートフエノール、触媒に、更に下記一般式〔
1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材に
含浸、乾燥してなることを特徴とするプリプレグ。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但しn=1〜5 - (2)ポリ芳香族シアネート、多価フエノール、ポリ芳
香族シアネートフエノール、触媒に、更に下記一般式〔
1〕で示される難燃剤を加えてなる樹脂ワニスを基材に
含浸、乾燥してなるプリプレグを所要枚数重ね、必要に
応じて該プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せ
しめてから、最外層に外層回路材を配設した積層体を積
層一体化してなることを特徴とする配線基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但しn=1〜5 - (3)外層回路材が金属箔であることを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12520189A JPH02302447A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12520189A JPH02302447A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302447A true JPH02302447A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14904411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12520189A Pending JPH02302447A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302447A (ja) |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12520189A patent/JPH02302447A/ja active Pending
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