JPH0424370B2 - - Google Patents
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- JPH0424370B2 JPH0424370B2 JP12865588A JP12865588A JPH0424370B2 JP H0424370 B2 JPH0424370 B2 JP H0424370B2 JP 12865588 A JP12865588 A JP 12865588A JP 12865588 A JP12865588 A JP 12865588A JP H0424370 B2 JPH0424370 B2 JP H0424370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- weight
- flame retardant
- prepreg
- varnish
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
Landscapes
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本発明は、プリント配線板として用いられる積
層板の製造方法に関するものである。
層板の製造方法に関するものである。
近年、電子工業や通信、コンピユータなどの分
野において使用される周波数がＭHzやＧHzのよう
に高周波の領域にシフトしている。そしてこのよ
うな高周波領域で用いられるプリント配線板の絶
縁層においては、信号の伝播遅延を短くするうえ
で誘電率がより小さいことが、また電力ロスを小
さくするうえで誘電正接がより小さいことがそれ
ぞれ望まれる。 このために誘電率や誘電正接が小さい四フツ化
エチレン樹脂（テフロン）やポリフエニレンオキ
サイド（PPO）などの樹脂を用いて絶縁層を形
成することが試みられている。
野において使用される周波数がＭHzやＧHzのよう
に高周波の領域にシフトしている。そしてこのよ
うな高周波領域で用いられるプリント配線板の絶
縁層においては、信号の伝播遅延を短くするうえ
で誘電率がより小さいことが、また電力ロスを小
さくするうえで誘電正接がより小さいことがそれ
ぞれ望まれる。 このために誘電率や誘電正接が小さい四フツ化
エチレン樹脂（テフロン）やポリフエニレンオキ
サイド（PPO）などの樹脂を用いて絶縁層を形
成することが試みられている。
しかしこれらの樹脂を用いて絶縁層を形成する
場合、ガラス転移温度（Tg）が180〜200℃程度
と低く、スルーホール加工時のスミアの発生など
スルーホールの信頼性を高く得られないために多
層のプリント配線板に形成することができないな
どの問題があつた。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、低い誘電率や誘電正接、高い耐熱性を保持す
ることができ、加えて難燃性を高めることができ
る積層板の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
場合、ガラス転移温度（Tg）が180〜200℃程度
と低く、スルーホール加工時のスミアの発生など
スルーホールの信頼性を高く得られないために多
層のプリント配線板に形成することができないな
どの問題があつた。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、低い誘電率や誘電正接、高い耐熱性を保持す
ることができ、加えて難燃性を高めることができ
る積層板の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、次式（）に示されるポリ芳香族シ
アネートに、 （式中Arは芳香族。ＢはC7〜20の多環式脂肪族
基。Ｄは各々独立に活性水素を含まない置換基。
ｑ，ｒ，ｓは各々独立に０，１，２又は３の整数
であり、ただしｑ，ｒ，ｓの合計は２より大きい
か又は２に等しい。ｔは各々独立に０から４まで
の整数。ｘは０から５までの数） 次式（）に示される難燃剤と、 （式中ｎは０，１又は２の整数） ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合して
ワニスを調製すると共にこのワニスを基材に含浸
してプリプレグを作成し、このプリプレグを積層
成形することを特徴とする積層板の製造方法に係
るものである。 以下本発明を詳細に説明する。 式（）で示すポリ芳香族シアネートとして
は、特許出願公表昭61―500434号公報によつて開
示されているものを用いることができる。すなわ
ち、このポリ芳香族シアネートは、従来のポリト
リアジンよりも加水分解作用に対して著しく安定
で熱安定性に優れた芳香族ポリトリアジンを与え
るものである。 本発明において用いる式（）のポリ芳香族シ
アネートにおいて、芳香族基Arは芳香族基を含
む総ての基を意味するものであり、例えばベンゼ
ン、ナフタリン、フエナントラセン、アントラセ
ン、またはビ芳香族基、アルキレン部分によつて
架橋された２個以上の芳香族基である。好適には
ベンゼン、ナフタリン、ビフエニル、ビナフチ
ル、ジフエニルアルキレン基であり、特にベンゼ
ン基であることが望ましい。C7〜20の多環式脂肪
族基Ｂとは、２個以上の環を含む脂肪族基を意味
するものであり、多環式脂肪族基には１つ以上の
二重結合または三重結合が含まれていてもよい。
好適な多環式脂肪族基を列挙すれば次のものがあ
る。 （式中Ｙは―CH2―、―Ｓ―、
アネートに、 （式中Arは芳香族。ＢはC7〜20の多環式脂肪族
基。Ｄは各々独立に活性水素を含まない置換基。
ｑ，ｒ，ｓは各々独立に０，１，２又は３の整数
であり、ただしｑ，ｒ，ｓの合計は２より大きい
か又は２に等しい。ｔは各々独立に０から４まで
の整数。ｘは０から５までの数） 次式（）に示される難燃剤と、 （式中ｎは０，１又は２の整数） ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合して
ワニスを調製すると共にこのワニスを基材に含浸
してプリプレグを作成し、このプリプレグを積層
成形することを特徴とする積層板の製造方法に係
るものである。 以下本発明を詳細に説明する。 式（）で示すポリ芳香族シアネートとして
は、特許出願公表昭61―500434号公報によつて開
示されているものを用いることができる。すなわ
ち、このポリ芳香族シアネートは、従来のポリト
リアジンよりも加水分解作用に対して著しく安定
で熱安定性に優れた芳香族ポリトリアジンを与え
るものである。 本発明において用いる式（）のポリ芳香族シ
アネートにおいて、芳香族基Arは芳香族基を含
む総ての基を意味するものであり、例えばベンゼ
ン、ナフタリン、フエナントラセン、アントラセ
ン、またはビ芳香族基、アルキレン部分によつて
架橋された２個以上の芳香族基である。好適には
ベンゼン、ナフタリン、ビフエニル、ビナフチ
ル、ジフエニルアルキレン基であり、特にベンゼ
ン基であることが望ましい。C7〜20の多環式脂肪
族基Ｂとは、２個以上の環を含む脂肪族基を意味
するものであり、多環式脂肪族基には１つ以上の
二重結合または三重結合が含まれていてもよい。
好適な多環式脂肪族基を列挙すれば次のものがあ
る。 （式中Ｙは―CH2―、―Ｓ―、
【式】
【式】であり、D′はC1〜5のアルキル基である。）
なかでもａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ又はｌもの
ものが好適であり、より好適にはａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｌで、特にａのものが好ましい。 式（）中のＤは有機炭化水素基上に置換され
得る総ての置換基を意味するものであるが、活性
水素原子を含む置換基は除去される。活性水素原
子とは酸素、硫黄、窒素原子に結合した水素原子
を意味する。式（）中の各Ｄはそれぞれ独立し
て規定されるものであり、例えば、アルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、アルカリー
ル、アルアルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、
カルボキシート、スルホン、スルフイド、カーボ
ネートなどであり、好適にはC1〜10のアルキル、
C1〜10のアルケニル、ニトロ、ハロであり、C1〜3
のアルキル、C1〜3のアルキニル、ブロモ、クロロ
が最も好ましい。 また式（）中のｔは０から４までの整数であ
り、なかでも０，１又は２の整数、特に０又は１
が好ましく、最適には０である。式（）中の各
ｔはそれぞれ独立して規定される。ｑ，ｒ，ｓは
０，１，２又は３の整数であり、最適には１であ
る。ｑ，ｒ，ｓはそれぞれ独立して規定される
が、これらの合計は２以上になるように設定され
る。さらにｘは０から５までの数である。式
（）のポリ芳香族シアネートはｘが０〜５まで
の化合物類の混合物として見出だされるものであ
り、ｘはこの混合物の平均の数として規定される
ものである。 式（）のポリ芳香族シアネートの好ましい実
施態様は次の式で表される。 しかして、式（）のポリ芳香族シアネートか
ら得られる芳香族ポリトリアジン（ポリ芳香族シ
アネート樹脂）は、低い誘電率（ε2.78前後）、低
い誘電正接（tanδ0.003前後）及び高い耐熱性
（ガラス転移温度Tg250以上、オーブン耐熱性300
℃程度）を有するという、プリント配線板の絶縁
基板を構成する樹脂として優れた特性を有する。
そこで本発明ではさらに式（）の難燃剤を配合
してプリント配線板において要求される難燃特性
を付与するようにしたものである。 式（）の難燃剤の配合量は難燃剤中に含有さ
れるBr量に設定される。すなわち、式（）の
ｎ＝０のものはBrの含有率が58重量％、ｎ＝１
のものはBrの含有率が50％、ｎ＝２のものはBr
の含有率が48重量％である。そして式（）のポ
リ芳香族シアネートと式（）の難燃剤との合計
量に対してBrの含有率が10重量％未満であると
難燃性はUL規格でHBのレベル、Brの含有率が
10重量％以上13重量％未満であると94V−１のレ
ベルであり、94V―０のレベルにするにはBrの
含有率が13重量％以上になるようにする必要があ
る。従つて94V−０を達成するには、ｎ＝０の場
合は式（）の難燃剤を22.4重量％以上（式
（）のものは77.6重量％以下）の配合量に、ｎ
＝１の場合は式（）の難燃剤を26.0重量％以上
（式（）のものは74.0重量％以下）の配合量に、
ｎ＝２の場合は式（）の難燃剤を27.0重量％以
上（指示（）のものは73.0重量％以下）に配合
量にそれぞれ設定することが望ましい。ｎ＝０の
難燃剤の場合、上記配合量以上に配合すると耐熱
性に問題が生じてくるおそれがあるので、上記数
値に設定するのが望ましい。またｎ＝１の難燃剤
の場合は、耐熱性に特に問題が生じることはなく
却つて誘電正接の特性を良くする効果があるの
で、26重量％以上、40重量％程度まで配合するこ
とが可能である。ｎ＝２の難燃剤の場合はｎ＝０
のものと同様の理由によつて、配合量は27重量％
前後が好適である。式（）のポリ芳香族シアネ
ートと式（）の難燃剤との配合比率は上記を参
酌して、一般的には前者を60〜90重量％、後者を
40〜10重量％に設定するのが望ましい。 式（）のポリ芳香族シアネートを重合させる
反応触媒としては、イミダゾール類、第三級アミ
ン、ナフテン酸コバルトやオクチル酸コバルトな
ど有機コバルト塩類等の有機金属塩類を用いるこ
とができるものであり、特に有機コバルト塩類が
好ましい。反応触媒の配合量は特に限定されない
が、例えば有機コバルト塩類を反応触媒として用
いる場合には、ワニス（後述）の所望するゲルタ
イムに応じて、式（）のポリ芳香族シアネート
の重量に対するコバルトイオンの重量比で10〜
700ppm程度の範囲で配合される。 そして上記式（）のポリ芳香族シアネート、
式（）の難燃剤、及び反応触媒等を有機溶剤に
溶解することによつて、ワニスを調製する。有機
溶剤としては式（）のポリ芳香族シアネートや
式（）の難燃剤を溶解し反応に悪い影響を与え
ないものであれば芳香族炭化水素、アルコール、
ケトンなど特に限定されない。例えばトルエン、
アセトン、メチルエチルケトン、ジメチルホルム
アミド、メチルセロソルブなどを一種もしくは二
種以上を混合して用いることができる。ワニスの
濃度は固形分が50〜70重量％になるように調製す
るのが一般的である。 しかしてプリプレグを調製するにあたつては、
基材としては特に限定されるものではないが、ガ
ラス繊維の織布あるいは不織布を使用するのが一
般的であり、この基材にワニスを含浸させて加熱
乾燥する。基材へのワニスの含浸量は、基材に対
する固形分（式（）の化合物と式（）の化合
物）の比率が45重量％以上になるように設定する
のが好ましい。樹脂分の含有量によつて誘電率の
水準に影響が出るものであり、基材をＥガラスの
布で形成した場合は45重量％以上の含浸で誘電率
4.0以下を達成することができ、また基材をＤガ
ラスの布で形成した場合は45重量％以上の含浸で
誘電率3.5以下を達成することができる。プリプ
レグを調製する際の加熱乾燥条件は、反応触媒の
配合量などによつて影響されるが、例えば加熱温
度が160℃の場合は加熱時間を３〜10分間程度に
設定することによつて、所望のプリプレグのスト
ロークゲルタイムを得るようにすることができ
る。プリプレグのストロークゲルタイムは成形条
件等によつて異なるが、170℃で２〜10分程度が
一般的である。 そしてこのように調製したプリプレグを複数枚
重ね、さらに上下の両面もしくは片面に銅箔など
の金属箔を重ね、これを加熱加圧成形することに
よつて、プリプレグ中のポリ芳香シアネートが重
合硬化して構成される絶縁基板の両面又は片面に
金属箔を積層接着した両面金属箔張り若しくは片
面金属箔張り積層板を作成することができる。こ
の積層板の金属箔をエツチング加工等して回路形
成することによつて内層プリント配線板を作成す
ることができ、この内層プリント配線板を複数枚
の上記プリプレグを介して複数枚重ねると共に最
外層に金属箔を重ね、これを加熱加圧成形するこ
とによつて、多層のプリント配線板を作成するこ
とができる。成形条件は、加熱温度を170℃〜230
℃、圧力を最高圧力で30〜40Kg／cm2程度、時間を
90〜120分程度に設定するのが一般的である。成
形後に220〜230℃程度の温度でアフターキユアー
する場合には成形温度は170〜180℃程度で十分で
ある。
ものが好適であり、より好適にはａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｌで、特にａのものが好ましい。 式（）中のＤは有機炭化水素基上に置換され
得る総ての置換基を意味するものであるが、活性
水素原子を含む置換基は除去される。活性水素原
子とは酸素、硫黄、窒素原子に結合した水素原子
を意味する。式（）中の各Ｄはそれぞれ独立し
て規定されるものであり、例えば、アルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、アルカリー
ル、アルアルキル、ハロ、アルコキシ、ニトロ、
カルボキシート、スルホン、スルフイド、カーボ
ネートなどであり、好適にはC1〜10のアルキル、
C1〜10のアルケニル、ニトロ、ハロであり、C1〜3
のアルキル、C1〜3のアルキニル、ブロモ、クロロ
が最も好ましい。 また式（）中のｔは０から４までの整数であ
り、なかでも０，１又は２の整数、特に０又は１
が好ましく、最適には０である。式（）中の各
ｔはそれぞれ独立して規定される。ｑ，ｒ，ｓは
０，１，２又は３の整数であり、最適には１であ
る。ｑ，ｒ，ｓはそれぞれ独立して規定される
が、これらの合計は２以上になるように設定され
る。さらにｘは０から５までの数である。式
（）のポリ芳香族シアネートはｘが０〜５まで
の化合物類の混合物として見出だされるものであ
り、ｘはこの混合物の平均の数として規定される
ものである。 式（）のポリ芳香族シアネートの好ましい実
施態様は次の式で表される。 しかして、式（）のポリ芳香族シアネートか
ら得られる芳香族ポリトリアジン（ポリ芳香族シ
アネート樹脂）は、低い誘電率（ε2.78前後）、低
い誘電正接（tanδ0.003前後）及び高い耐熱性
（ガラス転移温度Tg250以上、オーブン耐熱性300
℃程度）を有するという、プリント配線板の絶縁
基板を構成する樹脂として優れた特性を有する。
そこで本発明ではさらに式（）の難燃剤を配合
してプリント配線板において要求される難燃特性
を付与するようにしたものである。 式（）の難燃剤の配合量は難燃剤中に含有さ
れるBr量に設定される。すなわち、式（）の
ｎ＝０のものはBrの含有率が58重量％、ｎ＝１
のものはBrの含有率が50％、ｎ＝２のものはBr
の含有率が48重量％である。そして式（）のポ
リ芳香族シアネートと式（）の難燃剤との合計
量に対してBrの含有率が10重量％未満であると
難燃性はUL規格でHBのレベル、Brの含有率が
10重量％以上13重量％未満であると94V−１のレ
ベルであり、94V―０のレベルにするにはBrの
含有率が13重量％以上になるようにする必要があ
る。従つて94V−０を達成するには、ｎ＝０の場
合は式（）の難燃剤を22.4重量％以上（式
（）のものは77.6重量％以下）の配合量に、ｎ
＝１の場合は式（）の難燃剤を26.0重量％以上
（式（）のものは74.0重量％以下）の配合量に、
ｎ＝２の場合は式（）の難燃剤を27.0重量％以
上（指示（）のものは73.0重量％以下）に配合
量にそれぞれ設定することが望ましい。ｎ＝０の
難燃剤の場合、上記配合量以上に配合すると耐熱
性に問題が生じてくるおそれがあるので、上記数
値に設定するのが望ましい。またｎ＝１の難燃剤
の場合は、耐熱性に特に問題が生じることはなく
却つて誘電正接の特性を良くする効果があるの
で、26重量％以上、40重量％程度まで配合するこ
とが可能である。ｎ＝２の難燃剤の場合はｎ＝０
のものと同様の理由によつて、配合量は27重量％
前後が好適である。式（）のポリ芳香族シアネ
ートと式（）の難燃剤との配合比率は上記を参
酌して、一般的には前者を60〜90重量％、後者を
40〜10重量％に設定するのが望ましい。 式（）のポリ芳香族シアネートを重合させる
反応触媒としては、イミダゾール類、第三級アミ
ン、ナフテン酸コバルトやオクチル酸コバルトな
ど有機コバルト塩類等の有機金属塩類を用いるこ
とができるものであり、特に有機コバルト塩類が
好ましい。反応触媒の配合量は特に限定されない
が、例えば有機コバルト塩類を反応触媒として用
いる場合には、ワニス（後述）の所望するゲルタ
イムに応じて、式（）のポリ芳香族シアネート
の重量に対するコバルトイオンの重量比で10〜
700ppm程度の範囲で配合される。 そして上記式（）のポリ芳香族シアネート、
式（）の難燃剤、及び反応触媒等を有機溶剤に
溶解することによつて、ワニスを調製する。有機
溶剤としては式（）のポリ芳香族シアネートや
式（）の難燃剤を溶解し反応に悪い影響を与え
ないものであれば芳香族炭化水素、アルコール、
ケトンなど特に限定されない。例えばトルエン、
アセトン、メチルエチルケトン、ジメチルホルム
アミド、メチルセロソルブなどを一種もしくは二
種以上を混合して用いることができる。ワニスの
濃度は固形分が50〜70重量％になるように調製す
るのが一般的である。 しかしてプリプレグを調製するにあたつては、
基材としては特に限定されるものではないが、ガ
ラス繊維の織布あるいは不織布を使用するのが一
般的であり、この基材にワニスを含浸させて加熱
乾燥する。基材へのワニスの含浸量は、基材に対
する固形分（式（）の化合物と式（）の化合
物）の比率が45重量％以上になるように設定する
のが好ましい。樹脂分の含有量によつて誘電率の
水準に影響が出るものであり、基材をＥガラスの
布で形成した場合は45重量％以上の含浸で誘電率
4.0以下を達成することができ、また基材をＤガ
ラスの布で形成した場合は45重量％以上の含浸で
誘電率3.5以下を達成することができる。プリプ
レグを調製する際の加熱乾燥条件は、反応触媒の
配合量などによつて影響されるが、例えば加熱温
度が160℃の場合は加熱時間を３〜10分間程度に
設定することによつて、所望のプリプレグのスト
ロークゲルタイムを得るようにすることができ
る。プリプレグのストロークゲルタイムは成形条
件等によつて異なるが、170℃で２〜10分程度が
一般的である。 そしてこのように調製したプリプレグを複数枚
重ね、さらに上下の両面もしくは片面に銅箔など
の金属箔を重ね、これを加熱加圧成形することに
よつて、プリプレグ中のポリ芳香シアネートが重
合硬化して構成される絶縁基板の両面又は片面に
金属箔を積層接着した両面金属箔張り若しくは片
面金属箔張り積層板を作成することができる。こ
の積層板の金属箔をエツチング加工等して回路形
成することによつて内層プリント配線板を作成す
ることができ、この内層プリント配線板を複数枚
の上記プリプレグを介して複数枚重ねると共に最
外層に金属箔を重ね、これを加熱加圧成形するこ
とによつて、多層のプリント配線板を作成するこ
とができる。成形条件は、加熱温度を170℃〜230
℃、圧力を最高圧力で30〜40Kg／cm2程度、時間を
90〜120分程度に設定するのが一般的である。成
形後に220〜230℃程度の温度でアフターキユアー
する場合には成形温度は170〜180℃程度で十分で
ある。
以下本発明を実施例によつて詳述する。
実施例 １
次式に示されるポリ芳香族シアネート（ダウケ
ミカル社製XU−71787）を重量部、 及び式（）においてｎ＝０の難燃剤（テトラブ
ロモビスフエノールＡ：TBBA）を20重量部そ
れぞれ採り、これらをメチルエチルケトンとメチ
ルセロソルブの１：１混合溶媒に固形分が60重量
％になるように攪拌溶解し、これに反応触媒とし
てナフテン酸コバルトをポリ芳香族シアネートに
対するコバルトイオンの重量比で50ppm添加し
て、ワニスを調製した。 このワニスを2116タイプＥガラス布基材（日東
紡績社製116E）に固形分含量（ポリ芳香族シア
ネートと難燃剤）が45重量％になるように含浸
し、150℃、４分間の条件で加熱乾燥することに
よつてプリプレグを調製した。 次にこのプリプレグを４枚重ねると共にその上
下両側に70μ厚の両面粗面化銅箔を重ね、成形温
度170℃、成形圧力40Kg／cm2、90分間の条件で積
層成形をおこない、さらに成形後に電気オーブン
にて230℃、２時間の条件でアフターキユアーし
て、厚み0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅
張り積層板を得た。 実施例 ２ 実施例１で得た両面銅張り積層板の銅箔をエツ
チング処理して回路形成することによつて内層プ
リント配線板を作成した。この３枚の内層プリン
ト配線板をそれぞれの間に実施例１で得た３枚の
プリプレグを介して重ねると共にその上下にさら
に３枚のプリプレグを介して18μ厚の銅箔を重
ね、これを実施例１と同じ条件で積層成形し、さ
らにアフターキユアーすることによつて、厚み
2.4mmの８層の回路構成の多層プリント配線板を
得た。 実施例 ３ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）を75重量部、式（）
においてｎ＝１の難燃剤（テトラブロモビスフエ
ノールＡビス（２−ハイドロキシルエーテル）；
グレートレイク社製）を25重量部それぞれ採り、
これらをメチルエチルケトンとジメチルホルムア
ミドの１：１混合溶媒に固形分が60重量％になる
ように攪拌溶解し、これに反応触媒としてオクチ
ル酸コバルトをポリ芳香族シアネート樹脂に対す
るコバルトイオンの重量比で75ppm添加して、ワ
ニスを調製した。後は実施例１と同様にしてプリ
プレグを作成すると共に実施例１と同様にして積
層成形及びアフターキユアーをおこなつて、厚み
0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層
板を得た。 実施例 ４ プリプレグの基材としてＥガラス布を用いる代
わりにＤガラス布（日東紡績(株)製WDX−723）
を用いるようにした他は、実施例１と同様にして
厚み0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅張り
積層板を得た。 実施例 ５ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）を70重量部、式（）
においてｎ＝２の難燃剤（第一工業製薬社製GX
−6107）を30重量部それぞれ採り、これらをジメ
チルアセトアミドに固形分が60重量％になるよう
に攪拌溶解し、これに反応触媒として８重量％の
Co3+を含むオクチル酸コバルト溶液をポリ芳香
族シアネート樹脂に対するコバルトイオンの重量
比で50ppm添加して、ワニスを調製した。後は実
施例１と同様にしてプリプレグを作成すると共に
実施例１と同様にして積層成形及びアフターキユ
アーをおこなつて、厚み0.4mmの内層プリント配
線板用の両面銅張り積層板を得た。 比較例 １ ポリアミノビスマレイミド樹脂（日本ポリイミ
ド社製ケルイミド601）を固形分が60重量％にな
るようＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解してポ
リイミド樹脂ワニスを調整した。このワニスを実
施例１と同様のＥガラス布基材に樹脂含量が45重
量％になるように含浸し、実施例１と同様に乾燥
してプリプレグを作成した。次にこのプリプレグ
を４枚重ねると共にその上下両側に70μ厚の両面
粗面化銅箔を重ね、実施例１と同じ条件で積層成
形をおこない、さらに電気オープンにて200℃、
２時間の条件でアフターキユアーして、厚み0.4
mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を
得た。このようにして得た両面銅張り積層板の銅
箔をエツチング処理して回路形成することによつ
て内層プリント配線板を作成し、３枚の内層プリ
ント配線板をそれぞれの間に上記と同じ３枚のプ
リプレグを介して重ねると共にその上下にさらに
３枚のプリプレグを介して18μ厚の銅箔を重ね、
これを実施例１と同じ条件で積層成形し、さらに
200℃、２時間の条件でアフターキユアーするこ
とによつて、厚み2.4mmの８層の回路構成の多層
プリント配線板を得た。 比較例 ２ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）のみを使用し（難燃
剤は使用せず）、これをメチルエチルケトンとジ
メチルホルムアミドの１：１混合溶媒に固形分が
60重量％になるように攪拌溶解し、これに反応触
媒としてナフテン酸コバルトをポリ芳香族シアネ
ート樹脂に対するコバルトイオンの重量比で
200ppm添加して、ワニスを調製した。後は実施
例１と同様にしてプリプレグを作成すると共に実
施例１と同様にして積層成形及びアフターキユア
ーをおこなつて、厚み0.4mmの内層プリント配線
板用の両面銅張り積層板を得た。 上記のようにして得た実施例１〜５及び比較例
１，２の積層板について、その電気的特性や熱的
特性などを測定し、その結果を次表に示す。次表
において、誘電率、誘電正接、耐熱性、オーブン
耐熱性はJISC6481に基づいて測定をおこなつた。
またガラス転移温度は粘弾性スペクトルのチヤー
トから計測した。さらに厚さ方向の膨張率は、試
料を加熱・冷却することによつて膨張・収縮させ
て機械的な寸法変化を起こさせ、この変化量を計
測する熱機械的分析法で測定した。膨張率は106
倍した数値（ppm／℃）で示した。
ミカル社製XU−71787）を重量部、 及び式（）においてｎ＝０の難燃剤（テトラブ
ロモビスフエノールＡ：TBBA）を20重量部そ
れぞれ採り、これらをメチルエチルケトンとメチ
ルセロソルブの１：１混合溶媒に固形分が60重量
％になるように攪拌溶解し、これに反応触媒とし
てナフテン酸コバルトをポリ芳香族シアネートに
対するコバルトイオンの重量比で50ppm添加し
て、ワニスを調製した。 このワニスを2116タイプＥガラス布基材（日東
紡績社製116E）に固形分含量（ポリ芳香族シア
ネートと難燃剤）が45重量％になるように含浸
し、150℃、４分間の条件で加熱乾燥することに
よつてプリプレグを調製した。 次にこのプリプレグを４枚重ねると共にその上
下両側に70μ厚の両面粗面化銅箔を重ね、成形温
度170℃、成形圧力40Kg／cm2、90分間の条件で積
層成形をおこない、さらに成形後に電気オーブン
にて230℃、２時間の条件でアフターキユアーし
て、厚み0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅
張り積層板を得た。 実施例 ２ 実施例１で得た両面銅張り積層板の銅箔をエツ
チング処理して回路形成することによつて内層プ
リント配線板を作成した。この３枚の内層プリン
ト配線板をそれぞれの間に実施例１で得た３枚の
プリプレグを介して重ねると共にその上下にさら
に３枚のプリプレグを介して18μ厚の銅箔を重
ね、これを実施例１と同じ条件で積層成形し、さ
らにアフターキユアーすることによつて、厚み
2.4mmの８層の回路構成の多層プリント配線板を
得た。 実施例 ３ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）を75重量部、式（）
においてｎ＝１の難燃剤（テトラブロモビスフエ
ノールＡビス（２−ハイドロキシルエーテル）；
グレートレイク社製）を25重量部それぞれ採り、
これらをメチルエチルケトンとジメチルホルムア
ミドの１：１混合溶媒に固形分が60重量％になる
ように攪拌溶解し、これに反応触媒としてオクチ
ル酸コバルトをポリ芳香族シアネート樹脂に対す
るコバルトイオンの重量比で75ppm添加して、ワ
ニスを調製した。後は実施例１と同様にしてプリ
プレグを作成すると共に実施例１と同様にして積
層成形及びアフターキユアーをおこなつて、厚み
0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層
板を得た。 実施例 ４ プリプレグの基材としてＥガラス布を用いる代
わりにＤガラス布（日東紡績(株)製WDX−723）
を用いるようにした他は、実施例１と同様にして
厚み0.4mmの内層プリント配線板用の両面銅張り
積層板を得た。 実施例 ５ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）を70重量部、式（）
においてｎ＝２の難燃剤（第一工業製薬社製GX
−6107）を30重量部それぞれ採り、これらをジメ
チルアセトアミドに固形分が60重量％になるよう
に攪拌溶解し、これに反応触媒として８重量％の
Co3+を含むオクチル酸コバルト溶液をポリ芳香
族シアネート樹脂に対するコバルトイオンの重量
比で50ppm添加して、ワニスを調製した。後は実
施例１と同様にしてプリプレグを作成すると共に
実施例１と同様にして積層成形及びアフターキユ
アーをおこなつて、厚み0.4mmの内層プリント配
線板用の両面銅張り積層板を得た。 比較例 １ ポリアミノビスマレイミド樹脂（日本ポリイミ
ド社製ケルイミド601）を固形分が60重量％にな
るようＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解してポ
リイミド樹脂ワニスを調整した。このワニスを実
施例１と同様のＥガラス布基材に樹脂含量が45重
量％になるように含浸し、実施例１と同様に乾燥
してプリプレグを作成した。次にこのプリプレグ
を４枚重ねると共にその上下両側に70μ厚の両面
粗面化銅箔を重ね、実施例１と同じ条件で積層成
形をおこない、さらに電気オープンにて200℃、
２時間の条件でアフターキユアーして、厚み0.4
mmの内層プリント配線板用の両面銅張り積層板を
得た。このようにして得た両面銅張り積層板の銅
箔をエツチング処理して回路形成することによつ
て内層プリント配線板を作成し、３枚の内層プリ
ント配線板をそれぞれの間に上記と同じ３枚のプ
リプレグを介して重ねると共にその上下にさらに
３枚のプリプレグを介して18μ厚の銅箔を重ね、
これを実施例１と同じ条件で積層成形し、さらに
200℃、２時間の条件でアフターキユアーするこ
とによつて、厚み2.4mmの８層の回路構成の多層
プリント配線板を得た。 比較例 ２ 実施例１で用いたポリ芳香族シアネート（ダウ
ケミカル社製XU−71787）のみを使用し（難燃
剤は使用せず）、これをメチルエチルケトンとジ
メチルホルムアミドの１：１混合溶媒に固形分が
60重量％になるように攪拌溶解し、これに反応触
媒としてナフテン酸コバルトをポリ芳香族シアネ
ート樹脂に対するコバルトイオンの重量比で
200ppm添加して、ワニスを調製した。後は実施
例１と同様にしてプリプレグを作成すると共に実
施例１と同様にして積層成形及びアフターキユア
ーをおこなつて、厚み0.4mmの内層プリント配線
板用の両面銅張り積層板を得た。 上記のようにして得た実施例１〜５及び比較例
１，２の積層板について、その電気的特性や熱的
特性などを測定し、その結果を次表に示す。次表
において、誘電率、誘電正接、耐熱性、オーブン
耐熱性はJISC6481に基づいて測定をおこなつた。
またガラス転移温度は粘弾性スペクトルのチヤー
トから計測した。さらに厚さ方向の膨張率は、試
料を加熱・冷却することによつて膨張・収縮させ
て機械的な寸法変化を起こさせ、この変化量を計
測する熱機械的分析法で測定した。膨張率は106
倍した数値（ppm／℃）で示した。
【表】
表の結果にみられるように、ポリ芳香族シアネ
ートを重合させた芳香族ポリトリアジンで絶縁基
板を形成するようにした各実施例のものは、ポリ
アミド樹脂で絶縁基板を形成するようにした比較
例１のものよりも誘電率や誘電正接が低いことが
確認されるものであり、またポリ芳香族シアネー
トに難燃剤を配合した各実施例のものでは、難燃
剤を配合しない比較例２のHBレベルから94V―
０のレベルに難燃性が高まることが確認されると
共に、しかもガラス転移温度や耐熱温度のレベル
も大きく劣化されず高く保持されていることが確
認されるものである。
ートを重合させた芳香族ポリトリアジンで絶縁基
板を形成するようにした各実施例のものは、ポリ
アミド樹脂で絶縁基板を形成するようにした比較
例１のものよりも誘電率や誘電正接が低いことが
確認されるものであり、またポリ芳香族シアネー
トに難燃剤を配合した各実施例のものでは、難燃
剤を配合しない比較例２のHBレベルから94V―
０のレベルに難燃性が高まることが確認されると
共に、しかもガラス転移温度や耐熱温度のレベル
も大きく劣化されず高く保持されていることが確
認されるものである。
上述のように本発明にあつては、式（）のポ
リ芳香族シアネートに式（）の難燃剤を配合し
て使用することによつて積層板を製造するように
したので、ポリ芳香族シアネートの重合体の低い
誘電率や誘電正接によつて積層板の高周波特性を
高く確保することができるものであり、しかも難
燃剤の配合によつて積層板の難燃グレードを高め
ることができると共に、耐熱性のレベルを高く保
持することができるものである。
リ芳香族シアネートに式（）の難燃剤を配合し
て使用することによつて積層板を製造するように
したので、ポリ芳香族シアネートの重合体の低い
誘電率や誘電正接によつて積層板の高周波特性を
高く確保することができるものであり、しかも難
燃剤の配合によつて積層板の難燃グレードを高め
ることができると共に、耐熱性のレベルを高く保
持することができるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次式（）に示されるポリ芳香族シアネート
に、 （式中Arは芳香族。ＢはC7〜20の多環式脂肪族
基。Ｄは各々独立に活性水素を含まない置換基。
ｑ，ｒ，ｓは各々独立に０，１，２又は３の整数
であり、ただしｑ，ｒ，ｓの合計は２より大きい
か又は２に等しい。ｔは各々独立に０から４まで
の整数。ｘは０〜５までの数） 次式（）に示される難燃剤と、 （式中ｎは０，１又は２の整数） ポリ芳香族シアネートの反応触媒とを配合して
ワニスを調製すると共にこのワニスを基材に含浸
してプリプレグを作成し、このプリプレグを積層
成形することを特徴とする積層板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12865588A JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12865588A JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01299834A JPH01299834A (ja) | 1989-12-04 |
| JPH0424370B2 true JPH0424370B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=14990178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12865588A Granted JPH01299834A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 積層板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01299834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007049422A1 (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | シアン酸エステル重合体 |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12865588A patent/JPH01299834A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007049422A1 (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | シアン酸エステル重合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01299834A (ja) | 1989-12-04 |
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