JPH02236810A - イオンミーリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、主として、薄Ｊｌ！６１気ヘッドの製造工程
に使用して好適なイオンミーリング方法に関し、高分子
樹脂膜を覆う被覆膜をイオンミーリングによって除去す
る際に、少なくともイオンミーリング終了直前に、水素
を含む雰囲気中でイオンミーリングを行なうことにより
、イオンミーリングによる高分子樹脂膜表面の炭化を防
止できるようにしたものである。

く従来の技術〉 第１図は従来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッ
ドの要部の斜視図、第２図は同じく要部の断面図である
．１は基体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなるギ
ャップ膜、４は上部磁性膜、５は導体コイル膜、６はノ
ボラック樹脂等の高分子絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７、８は引出リード部、９は絶縁膜、１０はアルミナ等
の保謹膜である．基体１は、＾ｌ，０，・ＴｉＣ等のセ
ラミック基体１０１の上にアルミナ等の絶縁１１ｉ１０
２を被着させてある．下部磁性膜２及び上部磁性膜４の
先端部はギャップ膜３を隔てて対向するボール部２１、
４２となっており、このボール部２１、４１において読
み書きを行なう． 上述の薄膜磁気ヘッドは、ＩＣ製造プロセスと同様のフ
ォトリソグラフイと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。この内、導体コイルＩｌｉ５及び上
部磁性膜４の製造プロセスは、高分子樹脂膜の上に、下
地金属膜となる第１の被覆膜をスパッタリング等の手段
によって形成した後、この第１の被覆膜の上に、マスク
メッキ法によって導体コイル膜または上部磁性膜となる
第２の被覆膜のパターンを形成し、次に、導体コイル膜
または上部磁性膜のパターンとして必要な部分を残して
、他をケミカルエッチング及びイオンミーリングによっ
て除去する工程をとる．その製造工程の具体例を第３図
に示す． まず、第３図（ａ）に示すように、第１図及び第２図の
絶縁１ｉ６となる高分子樹脂膜１１の表面に、第１の被
覆ｌＩｌ１２をスパッタリング等の手段によって形成す
る．高分子樹脂ｆｌｌ１１は、前述したように、ノボラ
ック系樹脂で構成され、第１の被覆ｌＩＩ１２は、第１
図及び第２図の導体コイル膜５を得る場合はＣＤ／Ｔｉ
等で形成し、上部磁性ｌＩｌ４を得る場合はチタン及び
パーマロイの２層膜として形成するのが一般的である． 次に、第３図（ｂ）に示すように、第１の被覆膜１２の
表面にボジまたはネガのフォトレジスト膜１３を塗布し
、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なう． 次に、第３図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１
３の上にフォトマスク１４を位置決めし、露光を行なう
。これにより、第３図（ｄ）に示すように、フォトマス
ク１４のパターンと一致した均一な露光パターンが得ら
れる．ラオトマスク１４のパターンは、第１図及び第２
図の導体コイル膜６または上部磁性ＩＩｉ４のパターン
に対応している． 次に、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１
３の除去された部分に、金属メッキ膜でなる第２の被覆
膜１５を電着させる．第２の被覆ＩＩ１５は、第１図及
び第２図の導体コイル膜６を得る場合はＣＵメッキ膜で
あり、上部磁性膜４を得る場合はバーマロイである． 次に、第３図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜１
３の内側にあって最終的に残すべき第２の被覆膜１５を
レジスト膜１６で覆う．次に、第３図（ｇ）に示すよう
に、レジスト膜１６によって覆われていない外側の第２
の被覆膜１５をケミカルエッチングによって除去する。

次に、第３図（ｈ）に示すように、レジスト膜１６によ
って覆われていた第２の被覆膜１５を残し、外側にある
第１の被覆膜１２を、イオンミーリングで除去する．イ
オンミーリングはＡｒ”ガスイオンを用いて行なう．こ
れにより、第３図（ｉ）に示すように、高分子樹脂膜１
１の上に、第１図及び第２図の導体コイル膜６または上
部磁性膜４となる被覆膜１２、１５が、所定のパターン
で形成される． この後、第３図（ｊ）に示すように、高分子樹脂膜１１
及び被覆１ｌＩ１２、１５の全体を覆うように、第３の
被覆膜１７を付与する．第３の被覆膜１７は、導体コイ
ル膜形成工程では、高分子樹脂膜１１と同様の高分子樹
脂膜であり、上部磁性膜形成工程ではアルミナ等の保護
膜となる．図示は省略したが、垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドの製造方法も同様の工程となる．く発明が解決
しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来の製造方法で得られた薄膜
磁気ヘッドは、高分子樹脂膜１１とその上に被覆して設
けられる第３の被覆膜１７との界面に剥離を生じること
が分った．その理由は、次のように考えられる． 第３図（ｈ）に示したように、第１の被覆膜１２を、イ
オンミーリングで除去する際に、第１の被覆膜１２が消
滅し、高分子樹脂膜１１が露出するまで、Ａｒ”ガスイ
オンのシνワーが照射される．このイオンミーリング工
程において、高分子樹脂膜１１がＡｒ”ガスイオンの有
するエネルギーを受けて、その表層の炭素と水素との結
合が切れ、高分子樹脂膜１１の表層が、ある微小厚さｈ
ｔ　　（第３図（　１．）参照）で部分的に炭化される
．高分子樹脂膜１１の表面におけるＡｒ”ガスイオンの
照射は一様でないので、強く炭化される部分と、比較的
に炭化されない、もしくは、殆ど炭化されない部分が生
じる．炭化された部分と、炭化されない部分とでは熱膨
張が異なる．このため、高分子樹脂膜１１と第３の被覆
膜１７との間に、上述の熱膨張の差に起因する界面剥離
を生じるものと推測される． そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、イオンミーリングによる高分子樹脂膜表面の炭化を
回避し得るイオンミーリング方法を提供することにある
。

〈課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明に係るイオンミーリン
グ方法は、高分子樹脂膜を覆う被覆膜をイオンミーリン
グによって除去する際に、少なくともイオンミーリング
終了直前に、水素を含む７囲気中でイオンミーリングを
行なうことを特徴とする。

く作用〉 高分子樹脂膜を覆う被ＮｐＡをイオンミーリングによっ
て除去する際に、少なくともイオンミーリング終了直前
に、水素を含む雰囲気中でイオンミーリングを行なうと
、仮に、Ａｒ”ガスイオンの有するエネルギーを受けて
、高分子樹脂膜の表層の炭素と水素との結合が切れたと
しても、雰囲気中の水素がこれを補給するので、高分子
樹脂膜の゜表層の炭化が防止される。

例えば、第３図に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程にお
いて、第３図（ｈ）に示すように、レジスト膜１６によ
って覆われていた第１の被ｒＩＩ膜１２及びその上に積
層された第２の被覆膜１５を残し、その外側にある第１
の被覆膜１２を、イオンミーリングで除去する際に、少
なくともイオンミーリング終了直前に、水素を含む雰囲
気中でイオンミーリングを行なうものである。これによ
り、除去された第１の被覆膜１２の下にある高分子樹脂
膜１１の表層の炭化が防止される．このため、第３図（
ｊ）に示したように、高分子樹脂膜１１の上に、他の高
分子樹脂膜またはアルミナ保護膜等である第３の被覆膜
１７を付与した場合、高分子樹脂膜１ｌと第３の被覆膜
１７との間の界面剥離が防止できるようになる． イオンミーリングは、その全工程を通して水素中で行な
う必要はなく、少なくともイオンミーリング終了直前に
行なうだけで、所要の効果が得られる。

本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法において、導体コ
イル膜及び上部磁性膜を形成する際に有効なものである
が、薄膜磁気ヘッド製造工程に限らず、高分子樹脂膜を
覆う被覆膜をイオンミーリングによって除去する工程を
含む場合に広く適用でぎる。また、高分子樹脂膜上に設
けた金属膜をイオンミーリングする場合に限らず、高分
子樹脂膜の上に金属酸化膜を形成し、この金属酸化膜を
イオンミーリングする場合にも有効である．く発明の効
果〉 以上述べたように、本発明は、高分子樹脂膜を覆う被覆
膜をイオンミーリングによって除去する際に、少なくと
もイオンミーリング終了直前に、水素を含む雰囲気中で
イオンミーリングを行なうようにしたから、イオンミー
リングによる高分子樹脂膜表面の炭化を回避できる。従
って、後で高分子樹脂膜の表面に形成される被覆膜の界
面剥離を防止し得るイオンミーリング方法を提供でざる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第２図は薄膜
磁気ヘッドの要部の断面図、第３図（ａ）〜（ｊ）は薄
膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である． １１・・・高分子樹脂膜 １２、１５・・・被覆膜 第２図 第３図 （Ｃ） ■

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　高分子樹脂膜を覆う被覆膜をイオンミーリングによっ
   て除去する際に、少なくともイオンミーリング終了直前
   に、水素を含む雰囲気中でイオンミーリングを行なうこ
   とを特徴とするイオンミーリング方法。