JPH0230837Y2 - - Google Patents

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JPH0230837Y2
JPH0230837Y2 JP1984018238U JP1823884U JPH0230837Y2 JP H0230837 Y2 JPH0230837 Y2 JP H0230837Y2 JP 1984018238 U JP1984018238 U JP 1984018238U JP 1823884 U JP1823884 U JP 1823884U JP H0230837 Y2 JPH0230837 Y2 JP H0230837Y2
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solder
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JP1984018238U
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JPS60130640U (ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/011Apparatus therefor
    • H10W72/0113Apparatus for manufacturing die-attach connectors

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  • Die Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔技術分野〕 本案は半導体装置の製造装置に関し、特に半導
体素子の基板へのマウントに先立つて、半田部材
を基板に良好になじませるための撹拌装置に関す
るものである。
〔背景技術〕
一般に半導体装置は例えば第1図に示すよう
に、放熱板などの基板Aに半導体素子Bを半田部
材cを用いて固定し、この半導体素子Bの電極と
リードDとを金属細線Eにて接続し、かつ半導体
素子Bを含む主要部分を樹脂材Fにてモールド被
覆して構成されている。
この半導体装置において、基板Aにはその全面
にニツケルメツキ層が形成されており、さらに半
導体素子Bの固定部分のニツケルメツキ層上には
銀メツキ層が部分メツキ法によつて形成されてい
る関係で、半田部材Cは基板Aに対して良好なな
じみ性を呈する。このために、半導体素子Bは基
板Aに、特性面に悪影響を及ぼすことなく、確実
に固定することができる。
しかし乍ら、近時、銀などの貴金属の高謄に原
因して半導体装置もコスト高になる傾向にあるこ
とから、銀メツキ層を省略し、ニツケルメツキ層
に半導体素子Bを直接固定することが検討されて
いるものの、次のような問題もあつて充分に満足
しうる結果は得られていない。
即ち、ニツケルメツキ層は半田部材Cに対して
銀メツキ層のように良好ななじみ性が得られない
こともあつて、半導体素子Bを基板Aに固定する
に先立つて、半田部材Cを基板Aのニツケルメツ
キ層に強制的になじませる必要がある。
これには例えば特公昭57−24928号公報に開公
されているような耐熱性部材よりなる撹拌棒が用
いられ、その下端面を溶融状態の半田部材に押し
つけて回転させることにより行われるのである
が、撹拌時に半田部材の温度が低下し易く、充分
効果が得られない。
従つて、例えば第2図に示すように、撹拌棒G
を本体部Gaと撹拌部Gbとを中心部において連結
部Gcによつて一体化して構成することが提案さ
れているが、実際には加熱レールHに基板Aを載
置し、溶融状態の半田部材Cに撹拌棒Gbを押し
つけて回転すると、第3図に示すように、半田部
材Cの中央部に基板Aとなじみにくい部分が生じ
易く、仮に半導体素子Bを固定しても熱抵抗特性
が著しく損なわれ、実用上の問題が残る。
この原因につき、検討した処、本体部Gaと撹
拌部Gbとが中心部において極く短い連結部Gcに
よつて連結されているために、撹拌時に半田部材
Cの熱が撹拌部Gb、連結部Gcを介して本体部Ga
に移動し易い上、回転中心部分では半田部材Cの
撹拌が充分に行われない結果、半田部材Cの中心
部分の基板Aに対するなじみ性が阻害されること
が明らかとなつた。
かといつて、半田部材Cの基板Aに対するなじ
み性を改善するために、撹拌棒Gの回転速度を高
めると、半田部材Cが撹拌棒Gによつて飛ばさ
れ、必要以上に拡がつてしまい、逆に半導体素子
Bの固定性が損なわれるようになり、好ましくな
い。
〔考案の開示〕
それ故に、本案の目的は簡単な構成によつて撹
拌棒の回転速度を高めても半田部材が必要以上に
拡がらず、しかも基板とのなじみ性を有効に改善
できる半導体装置の製造装置を提供することにあ
る。
そして、本案の特徴は耐熱性部材よりなる撹拌
棒の下端面を基板に載置され、かつ溶融状態の半
田部材に押しつけて回転することにより、半田部
材を基板になじませるものにおいて、上記撹拌棒
の下端面の周縁部にリング状の突出部を形成する
と共に、突出部にて囲繞された凹部に撹拌用の羽
根を形成したことにある。
この考案によれば、半田部材は撹拌棒の突出部
にて囲繞された空間部内において羽根によつて撹
拌される関係で、撹拌棒の回転速度が早くなつて
も、半田部材が必要以上に拡がることはない。こ
のために、半導体素子を基板に対し、所要量の半
田部材にて固定することができ、充分の固定性を
確保できる。
又、半田部材は突出部にて囲まれた空間部内で
羽根によつて撹拌されるので、半田部材の基板に
対するなじみ性を全体的に良好ならしめることが
できる。このために、半導体素子を固定した場
合、それの熱抵抗性を改善できる。
〔考案を実施するための最良の形態〕
次に本案の一実施例について第4図〜第5図を
参照して説明する。
図において、1は加熱レールであつて、その上
方には撹拌装置2が配設されている。この撹拌装
置2は例えばモータなどの駆動系より延びるワイ
ヤ3と、このワイヤ3の端部に固定された有底筒
状の支持部材4と、支持部材4に上端を挿入して
固定された撹拌棒5とから構成されている。この
撹拌棒5は例えばセラミツクにて構成されてお
り、その下端面の周縁部分にはリング状の突出部
6が形成されている。そして、突出部6にて囲繞
された凹部7には複数の円弧状の羽根8が形成さ
れている。特に、突出部6と羽根8の下端面はほ
ぼ同一面となるように形成されているが、羽根8
の下端面を突出部6の下端面より低くすることも
できる。
次に、半田部材の撹拌方法について第6図を参
照して説明する。まず、加熱レール1に銅の全面
にニツケルメツキ層を形成してなる基板Aを載置
すると共に、基板Aの半導体素子の固定予定部分
に錫−アンチモン(Sn−Sb)系の半田部材Cを
供給する。そして、基板Aは一定方向に間歇的に
移送され、その間に半田部材Cは溶融状態にな
る。基板Aが所定のポジシヨンに移送され、停止
すると、撹拌装置2が2〜3回/秒程度の回転速
度にて回転し乍ら下降し、突出部6で囲まれた空
間部に半田部材Cを収納する。この状態で、空間
部(凹部)7に位置する半田部材Cは複数の羽根
8によつて強制的に回転させられる。これによつ
て、半田部材Cは基板Aのニツケルメツキ層にな
じむ。
このように半田部材Cは撹拌棒5の突出部6に
よつて囲まれた空間部に抱持した状態で撹拌され
るので、半田部材Cが必要以上に拡がることを防
止でき、半導体素子の基板への固定性を改善でき
る。
しかも、半田部材Cは空間部7にて羽根8によ
つて強制的に撹拌されるので、基板Aに対するな
じみ性を全体に亘つて良好ならしめることができ
る。このために、半導体素子を固定した場合、熱
抵抗特性の劣化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体装置の側断面図、第2図は半田
部材の撹拌方法を説明するための一部断面図、第
3図は半田部材の基板へのなじみ状態を示す平面
図、第4図は本案の一実施例を示す側断面図、第
5図は第4図の下面図、第6図は半田部材の撹拌
方法を説明するための一部断面図である。 図中、Aは基板、Cは半田部材、2は撹拌装
置、5は撹拌棒、6は突出部、7は凹部(空間
部)、8は羽根である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐熱性部材よりなる撹拌棒の下端面を基板に載
    置され、かつ溶融状態の半田部材に押しつけて回
    転することにより、半田部材を基板になじませる
    ものにおいて、上記撹拌棒の下端面の周縁部にリ
    ング状の突出部を形成すると共に、突出部にて囲
    繞された凹部に撹拌用の羽根を形成したことを特
    徴とする半導体装置の製造装置。
JP1984018238U 1984-02-09 1984-02-09 半導体装置の製造装置 Granted JPS60130640U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1984018238U JPS60130640U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体装置の製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1984018238U JPS60130640U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体装置の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60130640U JPS60130640U (ja) 1985-09-02
JPH0230837Y2 true JPH0230837Y2 (ja) 1990-08-20

Family

ID=30506682

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1984018238U Granted JPS60130640U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体装置の製造装置

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JP (1) JPS60130640U (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58127644U (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60130640U (ja) 1985-09-02

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