JPH0238061A - サーマルプリントヘッド基板 - Google Patents
サーマルプリントヘッド基板Info
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- JPH0238061A JPH0238061A JP18684488A JP18684488A JPH0238061A JP H0238061 A JPH0238061 A JP H0238061A JP 18684488 A JP18684488 A JP 18684488A JP 18684488 A JP18684488 A JP 18684488A JP H0238061 A JPH0238061 A JP H0238061A
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- Japan
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- film
- electrode body
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- plating
- layer
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 title 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は絶縁基板上に発熱抵抗体や、該発熱抵抗体に接
続する配線パターンが膜技術により形成されたサーマル
プリントヘッド基板に関し、特に、耐食性が改善され、
かつ、共通電極体が低抵抗化されたサーマルプリントヘ
ッド基板に関する。
続する配線パターンが膜技術により形成されたサーマル
プリントヘッド基板に関し、特に、耐食性が改善され、
かつ、共通電極体が低抵抗化されたサーマルプリントヘ
ッド基板に関する。
［従来の技術〕
第８図は、従来のサーマルプリントヘッド基板の平面図
であり、′第９図、第１０図はそれぞれ第８図のＢ−Ｂ
線断面図（ただし、第８図においては、耐摩耗層２６お
よび絶縁樹脂膜２７が省略されている）であり、それぞ
れは、第１従来例、第２従来例を示す。
であり、′第９図、第１０図はそれぞれ第８図のＢ−Ｂ
線断面図（ただし、第８図においては、耐摩耗層２６お
よび絶縁樹脂膜２７が省略されている）であり、それぞ
れは、第１従来例、第２従来例を示す。
まず、第１従来例について説明すると、第８図及び第９
図において、グレーズドアルミナ基板１上には金属層３
４で被覆された抵抗体層２４か形成されており、抵抗体
層の一部の表面からは金属層３４が除去されて、その部
分は、発熱抵抗体２４゛となっている。−列に配列され
た発熱抵抗体２４°の一端には共通電極体２５＋が形成
され、他端には個別電極体２５２が形成されている。ま
た、基板１の端部には外部接続端子２０が設けられてい
る。そして、これら電極体や外部接続端子等は金属層３
４で構成されるのであるが、この金属層の材料としては
、通常ＡｌやＡｕが選択される。発熱抵抗体２４′と電
極体２５１．２５２の一部の上には、耐摩耗層２６が設
けられ、更に電極体２５＋ 、２５２を保護するための
絶縁樹脂膜２７が設けられている。
図において、グレーズドアルミナ基板１上には金属層３
４で被覆された抵抗体層２４か形成されており、抵抗体
層の一部の表面からは金属層３４が除去されて、その部
分は、発熱抵抗体２４゛となっている。−列に配列され
た発熱抵抗体２４°の一端には共通電極体２５＋が形成
され、他端には個別電極体２５２が形成されている。ま
た、基板１の端部には外部接続端子２０が設けられてい
る。そして、これら電極体や外部接続端子等は金属層３
４で構成されるのであるが、この金属層の材料としては
、通常ＡｌやＡｕが選択される。発熱抵抗体２４′と電
極体２５１．２５２の一部の上には、耐摩耗層２６が設
けられ、更に電極体２５＋ 、２５２を保護するための
絶縁樹脂膜２７が設けられている。
次に、第８図、第１０図を参照して、第２従来例を説明
する。この例においては、共通電極体２５１は、抵抗層
２４上にＡｌ層２８を設け、その上にメッキにてＺｎ層
２９、Ｎｉ層３０、Ｃｕ層３１およびＮｉ層３２を設け
たものであり、また外部接続端子２０は、抵抗層２４上
にＡ１層を設け、その上にメッキにて、Ｚｎ層２９、Ｎ
ｉ層３０およびＡｕ層３３を設けたものであって、この
点が第１従来例と相違しているが、個別電極体やその他
の配線が抵抗体層上の金属層を用いている点は共通であ
る（ただし、第１従来例で金属層３４であるのに対し、
この例ではＡ１層２８となっている）。また、この例で
も耐摩耗層２６や絶縁樹脂膜２７が施されている。
する。この例においては、共通電極体２５１は、抵抗層
２４上にＡｌ層２８を設け、その上にメッキにてＺｎ層
２９、Ｎｉ層３０、Ｃｕ層３１およびＮｉ層３２を設け
たものであり、また外部接続端子２０は、抵抗層２４上
にＡ１層を設け、その上にメッキにて、Ｚｎ層２９、Ｎ
ｉ層３０およびＡｕ層３３を設けたものであって、この
点が第１従来例と相違しているが、個別電極体やその他
の配線が抵抗体層上の金属層を用いている点は共通であ
る（ただし、第１従来例で金属層３４であるのに対し、
この例ではＡ１層２８となっている）。また、この例で
も耐摩耗層２６や絶縁樹脂膜２７が施されている。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のサーマルプリントヘッド基板を用いて印
字を行う場合、第１従来例においては、例えばＡ４サイ
ズあるいはＢ４サイズのサーマルプリントヘッド基板の
ときは電極体２５１には大電流を供給する必要がある。
字を行う場合、第１従来例においては、例えばＡ４サイ
ズあるいはＢ４サイズのサーマルプリントヘッド基板の
ときは電極体２５１には大電流を供給する必要がある。
即ち、発熱抵抗体の抵抗値が２５０Ω程度である場合、
印字するのに十分な発熱量を与えるためには最大２０ア
ンペア前後の電流を供給する必要がある。このとき、共
通電極体２５□の両端から電流を供給するとしても、電
極体２５１には約１０アンペアは流れるため、導体抵抗
値が問題となる。電極体２５、の導電膜としては、搭載
部品をＡｕワイヤーまたはＡｌワイヤーでボンディング
接続するために、通常、Ａｔ膜やＡｕ膜が用いられる。
印字するのに十分な発熱量を与えるためには最大２０ア
ンペア前後の電流を供給する必要がある。このとき、共
通電極体２５□の両端から電流を供給するとしても、電
極体２５１には約１０アンペアは流れるため、導体抵抗
値が問題となる。電極体２５、の導電膜としては、搭載
部品をＡｕワイヤーまたはＡｌワイヤーでボンディング
接続するために、通常、Ａｔ膜やＡｕ膜が用いられる。
共通電極体２５１の幅を４龍、導体膜厚を２μｍとする
と、長さ１０ｃｍ当たりの導体抵抗値は、Ａｔ膜の場合
に比抵抗ｐ＝２．７５Ｘ１０−８Ω・ｍ、Ａｕ膜の場合
に比抵抗ρ＝２．４Ｘ１０−８Ω・ｍであるから、それ
ぞれ、３４４ｍΩ、３００ｍΩとなり、１０アンペアの
電流による電圧降下は、３ Ｖ ／ １０ ｃｍ前後の
値となる。電圧降下がこの程度の値であるときには、サ
ーマルプリントヘッド基板の印字位置が、中央寄りにな
る程、発熱抵抗体層２４に印加される電圧は小さくなり
２発熱量も小さくなるため印字濃度が低くなる。このよ
うな印字濃度ムラを改善するためには導体膜厚を１０倍
以上にする必要があるが、Ａｌ薄膜導体でこれを実現す
るのは、成膜装置の設備能力上がらみで経済的でない。
と、長さ１０ｃｍ当たりの導体抵抗値は、Ａｔ膜の場合
に比抵抗ｐ＝２．７５Ｘ１０−８Ω・ｍ、Ａｕ膜の場合
に比抵抗ρ＝２．４Ｘ１０−８Ω・ｍであるから、それ
ぞれ、３４４ｍΩ、３００ｍΩとなり、１０アンペアの
電流による電圧降下は、３ Ｖ ／ １０ ｃｍ前後の
値となる。電圧降下がこの程度の値であるときには、サ
ーマルプリントヘッド基板の印字位置が、中央寄りにな
る程、発熱抵抗体層２４に印加される電圧は小さくなり
２発熱量も小さくなるため印字濃度が低くなる。このよ
うな印字濃度ムラを改善するためには導体膜厚を１０倍
以上にする必要があるが、Ａｌ薄膜導体でこれを実現す
るのは、成膜装置の設備能力上がらみで経済的でない。
また、外部接続端子においては、耐食性が求められるの
で、ここにＡ１膜を用いるのは不都合である。一方、Ａ
ｕ膜を用いる場合には耐食性を満たし、かつ、メッキ法
で厚い膜が比較的に簡単に形成できるが、材料自体が非
常に高価であるので、実用的ではない。
で、ここにＡ１膜を用いるのは不都合である。一方、Ａ
ｕ膜を用いる場合には耐食性を満たし、かつ、メッキ法
で厚い膜が比較的に簡単に形成できるが、材料自体が非
常に高価であるので、実用的ではない。
このような第１従来例の欠点を克服するものとして第２
従来例が提案されている。即ち、共通電極体２５□部に
おいて、Ａ１導体層上にＺｎｎ置換兼無電解メッキ技術
より、Ｎｉ膜及びＣｕメッキ膜を形成した構造となって
おり、また、外部接続端子部分においても、Ｚｎｎ置換
兼無電解メッキ技術よりＮｉ膜及びＡｕ膜を形成した構
造をとっている。この例においては、共通電極体部の導
体抵抗を十分改善でき、また、外部接続端子部において
も耐食性をもたせるためにＡｕ膜メッキしである。しか
しながら、前記の外部接続端子の構造においては、Ａｕ
膜上に無電解メッキによりＮｉ膜及びＡｕ膜を形成する
ため、十分耐食性をもたせる程の膜厚をもっなＮｉ膜、
Ａｕ膜を得ることは難しく、また、Ａｔ膜の側面とグレ
ーズドアルミナ基板との境界部よりの湿気の侵入により
、Ａｔ膜に腐食を生じる虞れがあり、信頼性は十分では
ない。また、Ｚｎ置換法によりＡｔ膜にＮｉ膜をメッキ
する技術においてはＡｔ膜の膜質、例えばＳｉやＣｕな
との不純物の濃度やＡｌの結晶粒のサイズなどの影響を
受けやすく、安定したメッキ膜を常時形成するには、厳
しい製造管理を要するという欠点がある。
従来例が提案されている。即ち、共通電極体２５□部に
おいて、Ａ１導体層上にＺｎｎ置換兼無電解メッキ技術
より、Ｎｉ膜及びＣｕメッキ膜を形成した構造となって
おり、また、外部接続端子部分においても、Ｚｎｎ置換
兼無電解メッキ技術よりＮｉ膜及びＡｕ膜を形成した構
造をとっている。この例においては、共通電極体部の導
体抵抗を十分改善でき、また、外部接続端子部において
も耐食性をもたせるためにＡｕ膜メッキしである。しか
しながら、前記の外部接続端子の構造においては、Ａｕ
膜上に無電解メッキによりＮｉ膜及びＡｕ膜を形成する
ため、十分耐食性をもたせる程の膜厚をもっなＮｉ膜、
Ａｕ膜を得ることは難しく、また、Ａｔ膜の側面とグレ
ーズドアルミナ基板との境界部よりの湿気の侵入により
、Ａｔ膜に腐食を生じる虞れがあり、信頼性は十分では
ない。また、Ｚｎ置換法によりＡｔ膜にＮｉ膜をメッキ
する技術においてはＡｔ膜の膜質、例えばＳｉやＣｕな
との不純物の濃度やＡｌの結晶粒のサイズなどの影響を
受けやすく、安定したメッキ膜を常時形成するには、厳
しい製造管理を要するという欠点がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明のサーマルプリントヘッド基板においては、発熱
抵抗体の個別電極体が、Ｗ膜とＡｌ膜の二層からなり、
その共通電極体がＷ膜と、その上にメッキされたＮｉ膜
と、該Ｎｉ膜上にメッキされたＣｕ膜と、該Ｃｕ膜上に
メッキされたＮｉ膜とから形成され、外部接続端子がＷ
膜と、該Ｗ膜上にメッキされたＮｉ膜と、該Ｎｉ膜上に
メッキされたＡｕｆｉとから構成されている。
抵抗体の個別電極体が、Ｗ膜とＡｌ膜の二層からなり、
その共通電極体がＷ膜と、その上にメッキされたＮｉ膜
と、該Ｎｉ膜上にメッキされたＣｕ膜と、該Ｃｕ膜上に
メッキされたＮｉ膜とから形成され、外部接続端子がＷ
膜と、該Ｗ膜上にメッキされたＮｉ膜と、該Ｎｉ膜上に
メッキされたＡｕｆｉとから構成されている。
［実施例］
次に１図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は、本発明の実施例の平面図であり（ただし、耐
摩耗膜９と絶縁樹脂膜１０とは省略しである）、第２図
はそのＡ−Ａ線断面図、第３図〜第７図は、第１図のＡ
−Ａ線断面図での製造工程段階図である。第１図ににお
いて、グレーズドアルミナ基板１上には、−列に発熱抵
抗体１４が形成され、各発熱抵抗体１４の一端は共通に
共通電極体１２に接続され、またその他端は個別電極体
１５に接続されている。また基板１の端部に外部接続端
子１３が形成されており、外部接続端子１３の１つには
ＩＣ搭載部１６が接続されている。
摩耗膜９と絶縁樹脂膜１０とは省略しである）、第２図
はそのＡ−Ａ線断面図、第３図〜第７図は、第１図のＡ
−Ａ線断面図での製造工程段階図である。第１図ににお
いて、グレーズドアルミナ基板１上には、−列に発熱抵
抗体１４が形成され、各発熱抵抗体１４の一端は共通に
共通電極体１２に接続され、またその他端は個別電極体
１５に接続されている。また基板１の端部に外部接続端
子１３が形成されており、外部接続端子１３の１つには
ＩＣ搭載部１６が接続されている。
そして、第２図に示すように、個別電極体１５は、抵抗
体層２の上に形成されたＷ膜３およびＡｌ膜４からなり
、共通電極体１２は、抵抗体層２の上に形成されたＷ膜
３、Ｎｉ膜５、Ｃｕ Ｈ６およびＮｉｌ摸７からなり、
また、外部接続端子１３は、抵抗体層の上に形成された
ｖＢｇ３、Ｎｉ膜５およびＡｕ膜８からなる。
体層２の上に形成されたＷ膜３およびＡｌ膜４からなり
、共通電極体１２は、抵抗体層２の上に形成されたＷ膜
３、Ｎｉ膜５、Ｃｕ Ｈ６およびＮｉｌ摸７からなり、
また、外部接続端子１３は、抵抗体層の上に形成された
ｖＢｇ３、Ｎｉ膜５およびＡｕ膜８からなる。
次に、この実施例の製造工程を、第３図〜第７図および
第２図を参照して説明する。
第２図を参照して説明する。
（１）グレーズドアルミナ基板上に抵抗体層２（約０．
１〜０．２μｍ厚）およびＷ導体１１！３（約１、−０
μｍ）さらに、Ａｌ導体膜４（約１０μｍ）をスパッタ
リング法により成膜する（第３図）。
１〜０．２μｍ厚）およびＷ導体１１！３（約１、−０
μｍ）さらに、Ａｌ導体膜４（約１０μｍ）をスパッタ
リング法により成膜する（第３図）。
（２１抵抗体層２、Ｗ導体膜およびＡ１導体膜の成膜後
、ホトレジスト処理技術により、Ａｌ導体Ｍ４の一部を
リン酸と硝酸系のエッチャントでエツチングしてＡｌの
パターンを形成し、続いて、その下のＷ導体膜３と抵抗
体層２をフッ酸と、硝酸の混合系エッチャントにより、
同時にエツチングして除去する（第４図）。
、ホトレジスト処理技術により、Ａｌ導体Ｍ４の一部を
リン酸と硝酸系のエッチャントでエツチングしてＡｌの
パターンを形成し、続いて、その下のＷ導体膜３と抵抗
体層２をフッ酸と、硝酸の混合系エッチャントにより、
同時にエツチングして除去する（第４図）。
（３）次に、同様の処理技術を用いて、発熱抵抗体部１
１、共通電極体１２および外部接続端子１３となるべき
箇所のＡ１導体Ｍ４をエツチング除去して残されたＡ１
膜をＡ１導体パターンとする。この部分は、個別電極体
、配線部、およびポンディングパッド部となる（第５図
）。
１、共通電極体１２および外部接続端子１３となるべき
箇所のＡ１導体Ｍ４をエツチング除去して残されたＡ１
膜をＡ１導体パターンとする。この部分は、個別電極体
、配線部、およびポンディングパッド部となる（第５図
）。
（４＋Ａｌ導体パターン形成後、共通電極体１２および
外部接続端子１３となるべき部分をホトレジストでマス
キングして発熱抵抗体部のＷ導体層３を苛性カリと赤血
塩の混合水溶液により、エツチング除去し、その部分を
発熱抵抗体１４とする（第６図）。
外部接続端子１３となるべき部分をホトレジストでマス
キングして発熱抵抗体部のＷ導体層３を苛性カリと赤血
塩の混合水溶液により、エツチング除去し、その部分を
発熱抵抗体１４とする（第６図）。
（５１次に、共通電極体１２となるべき部分および外部
接続端子１３となるべき部分以外をメッキレジストでマ
スキングした後、公知の無電解メッキ法によりＮｉ膜５
を約１０００人〜２０００人厚にメッキする。続いて、
共通電極体１２となるべき部分に公知の電気メッキ法に
よりＣｕ膜６を約３０μｍ厚に形成し、次いで、このＣ
ｕ膜膜上上公知の無電解メッキ法によりＮｉ膜７を形成
する。そして更に、外部接続端子１３となるべき部分の
Ｎｉ膜膜上上公知の無電解メッキ法によりＡｕ膜８を約
１０００人厚に形成し、マスキング用のレジストを除去
する（第７図）。このようにして、共通電極体１２及び
外部接続端子１３が形成されるが、この場合、外部端子
間の電気的接続が取れていれば、外部接続端子１３につ
いては、Ｗ膜３の上に直接ＡＵの電解メッキを行う事も
可能であり、また、共通電極体１２のＮｉメッキ膜７上
にＡｕがメッキを施してもよい。
接続端子１３となるべき部分以外をメッキレジストでマ
スキングした後、公知の無電解メッキ法によりＮｉ膜５
を約１０００人〜２０００人厚にメッキする。続いて、
共通電極体１２となるべき部分に公知の電気メッキ法に
よりＣｕ膜６を約３０μｍ厚に形成し、次いで、このＣ
ｕ膜膜上上公知の無電解メッキ法によりＮｉ膜７を形成
する。そして更に、外部接続端子１３となるべき部分の
Ｎｉ膜膜上上公知の無電解メッキ法によりＡｕ膜８を約
１０００人厚に形成し、マスキング用のレジストを除去
する（第７図）。このようにして、共通電極体１２及び
外部接続端子１３が形成されるが、この場合、外部端子
間の電気的接続が取れていれば、外部接続端子１３につ
いては、Ｗ膜３の上に直接ＡＵの電解メッキを行う事も
可能であり、また、共通電極体１２のＮｉメッキ膜７上
にＡｕがメッキを施してもよい。
（６）最後に、発熱抵抗体１４を耐摩耗層って覆いＩＣ
搭載のためのボンディング部分と、外部接続パターン１
３を除いた部分を絶縁樹脂膜１０でコーティングすれば
、第２図に図示したものが完成する。
搭載のためのボンディング部分と、外部接続パターン１
３を除いた部分を絶縁樹脂膜１０でコーティングすれば
、第２図に図示したものが完成する。
このようにして製造されたサーマルプリントヘッド基板
においては、共通電極体１２は厚いＣｕ膜６の存在によ
り、その導体抵抗は幅４ ａｍ、長さ１０ｃｎ＋当たり
約１４ｍΩとなり、ＩＯＡの電流による電圧降下は０．
１４Ｖ／ｌ０ＧＩＩとなるので、この程度の電圧降下で
あればサーマルプリントヘッド基板の印字位置による発
熱抵抗体１４へ印加される電圧の差は十分小さく、従っ
て、印字濃度ムラも十分改善される。また外部接続端子
１３においては、Ａｌｆｉは介在しておらず、十分な耐
食性が得られる。そして、その製造工程におけるメッキ
工程は、いずれも普通に用いられるものであって、厳し
い管理を要するものではない。
においては、共通電極体１２は厚いＣｕ膜６の存在によ
り、その導体抵抗は幅４ ａｍ、長さ１０ｃｎ＋当たり
約１４ｍΩとなり、ＩＯＡの電流による電圧降下は０．
１４Ｖ／ｌ０ＧＩＩとなるので、この程度の電圧降下で
あればサーマルプリントヘッド基板の印字位置による発
熱抵抗体１４へ印加される電圧の差は十分小さく、従っ
て、印字濃度ムラも十分改善される。また外部接続端子
１３においては、Ａｌｆｉは介在しておらず、十分な耐
食性が得られる。そして、その製造工程におけるメッキ
工程は、いずれも普通に用いられるものであって、厳し
い管理を要するものではない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、サーマルプリントヘッ
ド基板において、発熱抵抗体の一端に接続される個別電
極体は、Ｗ膜−Ａｌ膜により、発熱抵抗体の他端に接続
される共通電極体は、Ｗ膜−Ｎｉメッキ膜−Ｃｕメッキ
膜−Ｎｉメッキ膜により、また、外部接続端子は、Ｗ膜
−Ｎｉメッキ膜−Ａ １１メッキ膜により構成されるの
で、共通電極体に大電流を流した場合にもその電圧降下
による各個別発熱抵抗体へ印加される電圧差は、十分小
さく、サーマルプリントヘッド基板の印字位置による印
加電圧差、即ち、印字濃度ムラが十分改善される。また
、外部雰囲気に曝される外部接続端子にはＡｌが使用さ
れていないことがら、耐食性の十分高いものとすること
ができる。そして、高価なＡｕの使用を最小限に止めた
ので、上記の効果を有するサーマルプリントヘッド基板
を安価に提供することができる。
ド基板において、発熱抵抗体の一端に接続される個別電
極体は、Ｗ膜−Ａｌ膜により、発熱抵抗体の他端に接続
される共通電極体は、Ｗ膜−Ｎｉメッキ膜−Ｃｕメッキ
膜−Ｎｉメッキ膜により、また、外部接続端子は、Ｗ膜
−Ｎｉメッキ膜−Ａ １１メッキ膜により構成されるの
で、共通電極体に大電流を流した場合にもその電圧降下
による各個別発熱抵抗体へ印加される電圧差は、十分小
さく、サーマルプリントヘッド基板の印字位置による印
加電圧差、即ち、印字濃度ムラが十分改善される。また
、外部雰囲気に曝される外部接続端子にはＡｌが使用さ
れていないことがら、耐食性の十分高いものとすること
ができる。そして、高価なＡｕの使用を最小限に止めた
ので、上記の効果を有するサーマルプリントヘッド基板
を安価に提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す平面図、第２図は、
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図ないし第７図は、第１
図ないし第２図に示した実施例の製造工程順を説明する
ための断面図、第８図は、第１および第２従来例の平面
図、第９図は、第１従来例を示す第８図のＢ−Ｂ線断面
図、第１０図は、第２従来例を示す第８図のＢ−Ｂ線断
面図である。 １・・・グレーズドアルミナ基板、 ２・・・発熱抵抗
体層、 ３・・・Ｗ膜、 ４・・・Ａｌ膜、 ５・・・
Ｎｉ膜６・・・Ｃｕ膜、 ７・・・Ｎｉ膜、 ８・・・
Ａｕ膜、９・・・耐摩耗層、 １０・・・絶縁樹脂膜
、 １２・・・共通電極体、１３・・・外部接続端子、
１４・・・発熱抵抗体、１５・・・個別電極体。
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図ないし第７図は、第１
図ないし第２図に示した実施例の製造工程順を説明する
ための断面図、第８図は、第１および第２従来例の平面
図、第９図は、第１従来例を示す第８図のＢ−Ｂ線断面
図、第１０図は、第２従来例を示す第８図のＢ−Ｂ線断
面図である。 １・・・グレーズドアルミナ基板、 ２・・・発熱抵抗
体層、 ３・・・Ｗ膜、 ４・・・Ａｌ膜、 ５・・・
Ｎｉ膜６・・・Ｃｕ膜、 ７・・・Ｎｉ膜、 ８・・・
Ａｕ膜、９・・・耐摩耗層、 １０・・・絶縁樹脂膜
、 １２・・・共通電極体、１３・・・外部接続端子、
１４・・・発熱抵抗体、１５・・・個別電極体。
Claims (1)
- 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された複数の発熱抵抗
体と、前記複数の発熱抵抗体のそれぞれの一端に接続さ
れた個別電極体と、前記複数の発熱抵抗体のそれぞれの
他端に共通に接続された共通電極体と、外部回路へ接続
される外部接続端子とを具備するサーマルプリントヘッ
ド基板において、前記個別電極体は、Ｗ膜と、その上に
形成されたＡｌ膜とから構成され、前記共通電極体は、
Ｗ膜と、その上にメッキにより形成されたＮｉ膜、Ｃｕ
膜およびＮｉ膜の三層膜とを有し、前記外部接続端子は
、Ｗ膜と、その上にメッキにより形成されたＡｕ膜また
はメッキにより形成されたＮｉ膜およびＡｕ膜の二層膜
とを有することを特徴とするサーマルプリントヘッド基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18684488A JPH0238061A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | サーマルプリントヘッド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18684488A JPH0238061A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | サーマルプリントヘッド基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238061A true JPH0238061A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16195626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18684488A Pending JPH0238061A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | サーマルプリントヘッド基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008213316A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Tdk Corp | サーマルヘッド、印画装置、およびサーマルヘッドの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18684488A patent/JPH0238061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008213316A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Tdk Corp | サーマルヘッド、印画装置、およびサーマルヘッドの製造方法 |
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