JPH0238304A - 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 - Google Patents
改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0238304A JPH0238304A JP63190094A JP19009488A JPH0238304A JP H0238304 A JPH0238304 A JP H0238304A JP 63190094 A JP63190094 A JP 63190094A JP 19009488 A JP19009488 A JP 19009488A JP H0238304 A JPH0238304 A JP H0238304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- granule
- abrasive grains
- fine
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 4
- 239000004503 fine granule Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- -1 C114 Chemical class 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000010900 secondary nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/005—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used during pre- or after-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/007—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent between different parts of an abrasive tool
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細ダイヤモンド砥粒、特に精密加工に利用可
能な、結晶性の改良された粒径60Ii11以下のダイ
ヤモンド砥粒の製造方法に関する。
能な、結晶性の改良された粒径60Ii11以下のダイ
ヤモンド砥粒の製造方法に関する。
近年精密加工の進展に伴い、研摩材料として粒径が60
μ以下のミクロンサイズダイヤモンドが多量に用いられ
るようになった。これらの微細ダイヤモンド砥粒は、高
圧合成法において核の形成数を多くし、成長割合を小さ
く抑えることにより結晶性の良好な粒子として合成する
ことも可能ではあるが、より一般的な製法としては合成
または天然ダイヤモンドの整粒工程で生じた破片や、粗
いサイズの砥粒としての利用ができ−ない粒子を原料と
して、これらに破砕・整粒・分級の諸工程を加えて、一
定の粒度範囲の砥粒とすることが行われている。これら
の砥粒の多くは工具の形に成型されて使用に供され、ま
た一部は遊離砥粒としても用いられている。
μ以下のミクロンサイズダイヤモンドが多量に用いられ
るようになった。これらの微細ダイヤモンド砥粒は、高
圧合成法において核の形成数を多くし、成長割合を小さ
く抑えることにより結晶性の良好な粒子として合成する
ことも可能ではあるが、より一般的な製法としては合成
または天然ダイヤモンドの整粒工程で生じた破片や、粗
いサイズの砥粒としての利用ができ−ない粒子を原料と
して、これらに破砕・整粒・分級の諸工程を加えて、一
定の粒度範囲の砥粒とすることが行われている。これら
の砥粒の多くは工具の形に成型されて使用に供され、ま
た一部は遊離砥粒としても用いられている。
これらの微細ダイヤモンド砥粒はダイヤモンド結晶の襞
解くへきかい)面に沿って割れた形状の不規則な粒子が
多く、工具として用いる際の切刃の形に統一性が少なく
、また破砕工程時の衝撃によって粒子内にクラックも生
じているため、物性から予想されるほどの研削能率が発
揮されず、また一方では研削作業時に割れによる脱落も
生じるので、ダイヤモンドの研摩材料としての使用につ
いては、改善の余地が残されていた。
解くへきかい)面に沿って割れた形状の不規則な粒子が
多く、工具として用いる際の切刃の形に統一性が少なく
、また破砕工程時の衝撃によって粒子内にクラックも生
じているため、物性から予想されるほどの研削能率が発
揮されず、また一方では研削作業時に割れによる脱落も
生じるので、ダイヤモンドの研摩材料としての使用につ
いては、改善の余地が残されていた。
従って本発明は微細ダイヤモンドの形状ないし結晶性を
改善し、一方では表面のクラックを無くすことにより強
度的に安定したv&細な、特に60u以下のダイヤモン
ド砥粒を提供することを、主な目的とする。
改善し、一方では表面のクラックを無くすことにより強
度的に安定したv&細な、特に60u以下のダイヤモン
ド砥粒を提供することを、主な目的とする。
本発明の要旨はこうして、不規則な形状を示す微小な種
子ダイヤモンド粒子上に、気相析出法でダイヤモンド状
炭素の析出を行うことにより成長させ自形を呈せしめた
微細ダイヤモンド砥粒、またこの様な気相析出工程を反
応速度論的平衡に近い条件下で(半径方向における平均
成長速度を数μ/hrとして)行うことを特徴とする、
この様な砥粒の製造方法にある。
子ダイヤモンド粒子上に、気相析出法でダイヤモンド状
炭素の析出を行うことにより成長させ自形を呈せしめた
微細ダイヤモンド砥粒、またこの様な気相析出工程を反
応速度論的平衡に近い条件下で(半径方向における平均
成長速度を数μ/hrとして)行うことを特徴とする、
この様な砥粒の製造方法にある。
本発明においては、種子として各種の不規則な微小ダイ
ヤモンド粒子が用い得るが、目的の観点から、破砕され
た片状のダイヤモンドがより適切である0粒度は20μ
以下のものが好ましく、これらの粒子は予め整粒してお
くと、工程で得られる粒子を、分級を行わずにそのまま
砥粒として使用できるので、好都合である。このような
種子ダイヤモンドは各種の気相合成(CVO)装置に入
れられる。支持板上に置いた種子粒子上に炭素を含むガ
ス、例えばにC114を始めとするいくつかの炭化水素
、あるいはCOやアルコール、ケ°トン等を導入する。
ヤモンド粒子が用い得るが、目的の観点から、破砕され
た片状のダイヤモンドがより適切である0粒度は20μ
以下のものが好ましく、これらの粒子は予め整粒してお
くと、工程で得られる粒子を、分級を行わずにそのまま
砥粒として使用できるので、好都合である。このような
種子ダイヤモンドは各種の気相合成(CVO)装置に入
れられる。支持板上に置いた種子粒子上に炭素を含むガ
ス、例えばにC114を始めとするいくつかの炭化水素
、あるいはCOやアルコール、ケ°トン等を導入する。
これらのガスは活性化に寄与する水素、生成結晶の結晶
性向上に寄与する酸素、あるいは酸素を発生するガスと
共に使用するのが有利である。
性向上に寄与する酸素、あるいは酸素を発生するガスと
共に使用するのが有利である。
反応を活性化するために、熱電子照射、紫外線照射、グ
ロー放電、アーク放電、プラズマ化等を利用できる。
ロー放電、アーク放電、プラズマ化等を利用できる。
本発明において粒子の粒度の規定に用いる粒径はJIS
R6002r研摩材の粒度試験方法」に記載の拡大写
真試験方法によって測定される。一方反応には二次核形
成の生じない条件、即ち炭素化合物の濃度の比較的低い
領域、または炭素化合物に対して充分に高濃度の酸素を
含む組成ガスを用いる。
R6002r研摩材の粒度試験方法」に記載の拡大写
真試験方法によって測定される。一方反応には二次核形
成の生じない条件、即ち炭素化合物の濃度の比較的低い
領域、または炭素化合物に対して充分に高濃度の酸素を
含む組成ガスを用いる。
析出反応は種子結晶のエネルギー状態の比較的高い箇所
、つまりクラックや凹みのある部分から優先的に進行す
るので、結局全体として欠陥が少なく、かつ対称性の高
い、換言すれば二軸は比が1に近い外形を呈する結晶に
成長する。[二軸比Jは上記JIS R6002に記載
の試験方法によって測定した粒子の長軸径と短軸径との
比である。この値が1に近いほど結晶の対称性が高く、
これに伴い強度も大きいので好ましい砥粒ということが
できる。この観点から本発明においては、工程条件の調
節によってこの二軸比を1,3以下とする。このために
は特に、反応速度論的に平衡に近い条件下で、ダイヤモ
ンドの析出速度が小さい条件を用いて行うことが重要で
ある。この様な条件下では元の粒子サイズの2倍以内の
成長を行う過程で、はぼ完全な自形具が得られる。これ
以上の成長を行うのは、比較的低い成長速度を用いてい
ることから、反応時間の点で好ましくないだけでなく、
またこの間に消費される原料ガス、エネルギーを考慮す
ると、望ましいことではない。
、つまりクラックや凹みのある部分から優先的に進行す
るので、結局全体として欠陥が少なく、かつ対称性の高
い、換言すれば二軸は比が1に近い外形を呈する結晶に
成長する。[二軸比Jは上記JIS R6002に記載
の試験方法によって測定した粒子の長軸径と短軸径との
比である。この値が1に近いほど結晶の対称性が高く、
これに伴い強度も大きいので好ましい砥粒ということが
できる。この観点から本発明においては、工程条件の調
節によってこの二軸比を1,3以下とする。このために
は特に、反応速度論的に平衡に近い条件下で、ダイヤモ
ンドの析出速度が小さい条件を用いて行うことが重要で
ある。この様な条件下では元の粒子サイズの2倍以内の
成長を行う過程で、はぼ完全な自形具が得られる。これ
以上の成長を行うのは、比較的低い成長速度を用いてい
ることから、反応時間の点で好ましくないだけでなく、
またこの間に消費される原料ガス、エネルギーを考慮す
ると、望ましいことではない。
次に本発明を図面に基づいて説明する。第1図は本発明
の実施に用い得る装置の概略を示す模式図、第2図は本
発明による処理前の、また第3図は処理後における種子
ダイヤモンド粒子の形状を示す電子顕微鏡写真である0
図において石英管から成る縦形反応室1は導波管2を介
してマグネトロン3と連結されている。管1は下部にお
いて減圧用の真空ポンプ4と連結され、・上部には反応
ガス導入のための配管5が接続されている。管1の中に
は種子粒子を保持するための台6が設置されている0台
6付近の管1壁には冷却水を通すためのスリーブ7を設
けることができる。メタンおよび水素ガスが、それぞれ
の供給源8.9から、調合器10を介して供給される。
の実施に用い得る装置の概略を示す模式図、第2図は本
発明による処理前の、また第3図は処理後における種子
ダイヤモンド粒子の形状を示す電子顕微鏡写真である0
図において石英管から成る縦形反応室1は導波管2を介
してマグネトロン3と連結されている。管1は下部にお
いて減圧用の真空ポンプ4と連結され、・上部には反応
ガス導入のための配管5が接続されている。管1の中に
は種子粒子を保持するための台6が設置されている0台
6付近の管1壁には冷却水を通すためのスリーブ7を設
けることができる。メタンおよび水素ガスが、それぞれ
の供給源8.9から、調合器10を介して供給される。
1、第1図の装置を用いた0石英管は外径48mm、管
の中央部には直径15閣の石英円板を置き、この上に平
均粒径10μのダイヤモンド粒子を分散した。
の中央部には直径15閣の石英円板を置き、この上に平
均粒径10μのダイヤモンド粒子を分散した。
これは静的超高圧法により合成されたもので、第2図に
示すように、片状の不規則な形状を有する。
示すように、片状の不規則な形状を有する。
マグネトロンは2.45 CH2のマイクロ波を発生す
る。
る。
220 Wのマイクロ波で受は台を900℃に加熱し、
管内に100部(容量)の112と1部のC!14とか
ら成る混合ガスを毎分170m1の割合で導入した。ガ
スは適宜排出して、管内の圧力を約2.5にPaに保っ
た。この操作を約2時間続けて、第3図に示すような、
平均粒径が約15−の粒子とした。このダイヤモンド粒
子を用いて電着により°製作した内周刃切断砥石は、有
効に使用された。
管内に100部(容量)の112と1部のC!14とか
ら成る混合ガスを毎分170m1の割合で導入した。ガ
スは適宜排出して、管内の圧力を約2.5にPaに保っ
た。この操作を約2時間続けて、第3図に示すような、
平均粒径が約15−の粒子とした。このダイヤモンド粒
子を用いて電着により°製作した内周刃切断砥石は、有
効に使用された。
2、上記装置および同様の種子粒子を用いて、実、施例
1を繰り返した。
1を繰り返した。
マグネトロンにより受は台を900℃に加熱し、ここへ
今回はH2−CH,の二元系に代えて02を1.5部(
対水素比)を加えたH、−C114の三元系組成の混合
ガスを、毎分100m1の割合で導入した。管内の圧力
を約2.5 KPaに保ちつ−1この操作を約3時間続
けて、平均粒径が約18pmの粒子とした。
今回はH2−CH,の二元系に代えて02を1.5部(
対水素比)を加えたH、−C114の三元系組成の混合
ガスを、毎分100m1の割合で導入した。管内の圧力
を約2.5 KPaに保ちつ−1この操作を約3時間続
けて、平均粒径が約18pmの粒子とした。
第1図は本発明の実施に用い得る装置の概略を示す模式
図、第2図は本発明による処理前の、第3図は処理後に
おける種子ダイヤモンド粒子の形状を示す電子顕微鏡写
真である。 ・・・反応室; ・・・マグネトロン: ・・・反応ガス導入管: ・・・冷却水スリーブ; ・・・調合器。 ・・・導波管: ・・・真空ポンプ: ・・・種子粒子台: ・−ガス供給源:
図、第2図は本発明による処理前の、第3図は処理後に
おける種子ダイヤモンド粒子の形状を示す電子顕微鏡写
真である。 ・・・反応室; ・・・マグネトロン: ・・・反応ガス導入管: ・・・冷却水スリーブ; ・・・調合器。 ・・・導波管: ・・・真空ポンプ: ・・・種子粒子台: ・−ガス供給源:
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高圧法で形成されたダイヤモンドからなる芯部と、
気相からの析出によりこの外方に隣接して形成された本
質的にダイヤモンドないしダイヤモンド状炭素から成る
成長部を有する自形粒子であって、全体としての粒径が
芯部の粒径の2倍以内であり、かつ60μmを超えず、
また全体粒子の二軸比が1.3以下である微細ダイヤモ
ンド砥粒。 2、不規則な形状を示す微小な種子ダイヤモンド粒子上
に気相法により、反応速度論的平衡に近い条件下で(半
径方向における平均成長速度を数μm/hrとして)ダ
イヤモンド状炭素の析出を行うことにより、これらの粒
子を成長させると共に自形を呈せしめることを特徴とす
る、微細ダイヤモンド砥粒の製造方法。 3、上記析出速度が3μm/hr以下である、特許請求
の範囲第2項記載の微細ダイヤモンド砥粒の製造方法。 4、上記種子ダイヤモンド粒子の平均粒径が20μm以
下である、請求項1に記載された微細ダイヤモンド砥粒
の製造方法。 5、上記種子ダイヤモンド粒子の成長が、平均粒径にお
いて2倍以下である、請求項1に記載された微細ダイヤ
モンド砥粒の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190094A JP2631708B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 |
| US07/379,219 US5061292A (en) | 1988-07-29 | 1989-07-13 | Diamond abrasive and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190094A JP2631708B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238304A true JPH0238304A (ja) | 1990-02-07 |
| JP2631708B2 JP2631708B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=16252270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190094A Expired - Lifetime JP2631708B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5061292A (ja) |
| JP (1) | JP2631708B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5564195A (en) * | 1994-11-02 | 1996-10-15 | The Business And Institutional Furniture Manufacturers Association | Measuring device for chairs |
| JPH11343197A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | 人工ダイヤモンド膜形成面に対する付着性のすぐれた種ダイヤモンド粉末 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2651947B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1997-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド薄膜コーティング部材およびダイヤモンド薄膜コーティング方法 |
| JP2840788B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1998-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド成分を含む表面保護膜 |
| CA2054050C (en) * | 1990-11-16 | 1998-07-07 | Louis K. Bigelow | Method and apparatus for making grit and abrasive media |
| US5374414A (en) * | 1991-05-10 | 1994-12-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Self-supporting diamond filaments |
| US5643343A (en) * | 1993-11-23 | 1997-07-01 | Selifanov; Oleg Vladimirovich | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
| US5711773A (en) * | 1994-11-17 | 1998-01-27 | Plasmoteg Engineering Center | Abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4089933A (en) * | 1970-01-04 | 1978-05-16 | Institut Fiziki Vysokikh Daleny Akademi Nauk, Sssr | Method of producing polycrystalline diamond aggregates |
| US4196181A (en) * | 1973-03-20 | 1980-04-01 | Preobrazhensky Alexandr Y | Microcrystalline monolithic carbon material |
| US4063907A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | General Electric Company | Modifying the surface of diamond particles |
| US4104441A (en) * | 1975-07-29 | 1978-08-01 | Institut Sverkhtverdykh Materialov Ssr | Polycrystalline diamond member and method of preparing same |
| US4124690A (en) * | 1976-07-21 | 1978-11-07 | General Electric Company | Annealing type Ib or mixed type Ib-Ia natural diamond crystal |
| US4220455A (en) * | 1978-10-24 | 1980-09-02 | General Electric Company | Polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body and process for making said body |
| US4610698A (en) * | 1984-06-25 | 1986-09-09 | United Technologies Corporation | Abrasive surface coating process for superalloys |
| US4832708A (en) * | 1985-02-04 | 1989-05-23 | General Electric Company | System For improved flaw detection in polycrystalline diamond |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190094A patent/JP2631708B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-13 US US07/379,219 patent/US5061292A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5564195A (en) * | 1994-11-02 | 1996-10-15 | The Business And Institutional Furniture Manufacturers Association | Measuring device for chairs |
| JPH11343197A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | 人工ダイヤモンド膜形成面に対する付着性のすぐれた種ダイヤモンド粉末 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5061292A (en) | 1991-10-29 |
| JP2631708B2 (ja) | 1997-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0288497A (ja) | 単結晶ダイヤモンド粒子の製造方法 | |
| JP2584805B2 (ja) | ダイヤモンド粒子の合成方法 | |
| JPH03232796A (ja) | 合成ダイヤモンド製品ならびにその製造法 | |
| JPH05132665A (ja) | ダイヤモンドグリツト及び研削材媒体の製造方法及び装置 | |
| JP2631708B2 (ja) | 改良された微細ダイヤモンド砥粒およびその製造方法 | |
| US5071708A (en) | Composite diamond grain | |
| JPS61158898A (ja) | 装飾用ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPS60231494A (ja) | ダイヤモンド超微粉の製造法 | |
| US5268201A (en) | Composite diamond grain and method for production thereof | |
| JP2601315B2 (ja) | 微細ダイヤモンド多結晶粒子及びその製造方法 | |
| US20030170458A1 (en) | Base material for forming diamond film and diamond film | |
| JPH06262520A (ja) | 研削砥石及びその製造方法 | |
| JPH01115810A (ja) | 高純度立方晶炭化タングステン超微粉末の製造法 | |
| JPS62256795A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPH01317112A (ja) | 高強度多結晶ダイヤモンド及びその製造方法 | |
| JP2848498B2 (ja) | ダイヤモンドの合成方法、ダイヤモンド被覆切削工具の製造方法、及びダイヤモンド被覆切削工具の製造方法 | |
| JP3388599B2 (ja) | ダイヤモンド質粒子形成法 | |
| JPH06262525A (ja) | 研削砥石及びその製造方法 | |
| JP2625840B2 (ja) | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 | |
| JPH0274591A (ja) | ダイヤモンド膜の析出方法 | |
| JPS62256796A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| JP2686970B2 (ja) | 膜状ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH03141199A (ja) | 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 | |
| JP2761906B2 (ja) | 気相反応によるダイヤモンド合成法 | |
| JPH04305095A (ja) | 対称な化学蒸着ダイヤモンド物品及びその製造方法 |