JPH0241192B2 - - Google Patents

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JPH0241192B2
JPH0241192B2 JP58040060A JP4006083A JPH0241192B2 JP H0241192 B2 JPH0241192 B2 JP H0241192B2 JP 58040060 A JP58040060 A JP 58040060A JP 4006083 A JP4006083 A JP 4006083A JP H0241192 B2 JPH0241192 B2 JP H0241192B2
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JP
Japan
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wiring
thin film
film
wiring conductor
polyimide resin
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JPS59167096A (ja
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Tatsuo Inoe
Hikari Kimura
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Priority to FR8403761A priority patent/FR2542502B1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/66—Conductive materials thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の属する技術分野 本発明は高密度回路実装のための微細配線構造
に関する。
従来技術 ポリイミド系樹脂は耐熱性、耐薬品性、および
機械的強度等にすぐれた特性を有するので、回路
基板のパツシベーシヨン材料として近年用いられ
るようになつてきている。またポリイミド系樹脂
は絶縁性が良いことと誘電率が低いことから多層
配線基板の配線層間絶縁材料としても用いられる
ようになつてきている。
しかしながら、このような回路基板の配線導体
は従来、主として金または銅が用いられている。
この銅や金とその上に形成されるポリイミド系樹
脂との接着性が悪いために、これら配線導体とポ
リイミド系樹脂との間にしばしば剥離が起こり、
回路基板の特性や信頼性を著しく低下させるとい
う欠点がある。
発明の目的 本発明の目的は、回路基板上に形成された、金
を主体とする配線導体とこの配線導体の上に形成
されるポリイミド系樹脂膜との接着強度を強化す
るようにした回路基板を提供することにある。
発明の構成 本発明の基板は、絶縁基板上もしくは絶縁基板
上に形成された絶縁層の表面に形成された、金を
主体とし、金の下層にクロムまたはチタン等の薄
膜を有し、金の上層にパラジウム薄膜を有する配
線導体を有することを特徴とする。
発明の原理と作用 本発明は、金を主体とする配線導体の上部をパ
ラジウム薄膜で形成することにより、配線導体と
この配線導体の上に形成されるポリイミド系樹脂
膜との接着性を強化するものである。
発明の実施例 次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
第１図を参照すると、本発明の第１の実施例
は、絶縁基板としてのセラミツク基板１０上に厚
さ500オングストロームのチタン薄膜１１と、厚
さ５ミクロンの金めつき膜１２と、厚さ１ミクロ
ンのパラジウムめつき膜１３とからなる配線導体
が所望の配線パターンに従つて形成されこの配線
導体がポリイミド系樹脂を材料としたパツシベー
シヨン材１５により被覆されている。
第２図を参照すると、本発明の第２の実施例
は、セラミツク基板２０上に厚さ500オングスト
ロームのチタン薄膜２１と厚さ1000オングストロ
ームのパラジウム薄膜２２と厚さ５ミクロンの金
めつき膜２３と厚さ１ミクロンのパラジウムめつ
き膜２４とからなる配線導体が形成され、この配
線導体がポリイミド系樹脂を材料としたパツシベ
ーシヨン材２５により被覆されている。
本実施例による構成の配線導体とポリイミド系
樹脂との接続強度、すなわち、パラジウム膜上の
ポリイミド系樹脂膜の接着強度は、膜面に垂直な
方向の引張試験による剥離限界として表わした場
合に、２Kg／mm2以上ある。これは、金膜上のポリ
イミド系樹脂膜の同様の試験による剥離限界が
0.5Kg／mm2以下であるのと比較して強固である。
第３図を参照すると、本発明の第３の実施例は
上述の配線導体を多層にわたつて用い、層間絶縁
材料としてポリイミド系樹脂を用いた多層配線基
板である。これを詳述すれば、セラミツク基板３
０上にクロム薄膜３１、パラジウム薄膜３２、金
めつき膜３３、およびパラジウムめつき膜３４か
らなる第１の配線層があり、これを被覆するポリ
イミド系樹脂の第１絶縁層３５がある。第１絶縁
層上には、クロム薄膜４１、パラジウム薄膜４
２、金めつき膜４３、およびパラジウムめつき膜
４４からなる第２の配線層があり、前記第１の絶
縁層の一部にあげられた穴により、これら、第２
の配線層と第１の配線層とを電気的に接続するこ
とも可能である。
第２の配線層上にはポリイミド系樹脂の第２絶
縁層４５があり、第２配線層を被覆している。第
２絶縁層の上にはさらに、他の配線層と同様の構
成、すなわち、クロム薄膜５１、パラジウム薄膜
５２、金めつき膜５３、およびパラジウムめつき
膜５４からなる第３配線層が形成されている。
第３配線層の上には、ポリイミド系樹脂のパツ
シベーシヨン材５５があり基板上面を覆つてい
る。
発明の効果 本発明には、金配線の表面にパラジウム膜を形
成することにより、この配線導体を被覆するポリ
イミド系樹脂膜と配線導体との接着強度を強化で
きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２
図は、本発明の第２の実施例を示す図、および第
３図は本発明の第３の実施例を示す図である。 第１図から第３図において、１０，２０，３０
……セラミツク基板、１１，２１……チタン薄
膜、１２，２３，３３，４３，５３……金めつき
膜、２２，３２，４２，５２……パラジウム薄
膜、１３，２４，３４，４４，５４……パラジウ
ムめつき膜、３１，４１，５１……クロム薄膜、
１５，２５，５５……ポリイミド系樹脂パツシベ
ーシヨン材、３５，４５……ポリイミド系樹脂絶
縁層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上もしくは絶縁基板上に形成された
    絶縁層の表面に形成された第１の金属からなる金
    属薄膜と、 該金属薄膜上に形成された金の導体層と、 該導体層上に形成されたパラジウム薄膜とから
    構成される配線導体を含むことを特徴とする回路
    基板。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の回路基板の前記
    第１の金属がクロムもしくはチタンである配線導
    体であることを特徴とする。 ３ 前記第１の金属と金の導体層との間にパラジ
    ウム薄膜層を有する配線導体を有することを特徴
    とする特許請求の範囲第２項記載の回路基板。 ４ 特許請求の範囲第１項もしくは同第２項もし
    くは同第３項記載の回路基板の配線導体をポリイ
    ミド系樹脂の絶縁膜で被覆し、該絶縁膜上にさら
    に第２の配線導体を形成することにより、多層化
    された配線導体を有することを特徴とする。
JP58040060A 1983-03-11 1983-03-11 回路基板 Granted JPS59167096A (ja)

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GB08406376A GB2136453B (en) 1983-03-11 1984-03-12 Wired substrate for mounting large-scale integrated circuits used in data processing and communication systems
FR8403761A FR2542502B1 (fr) 1983-03-11 1984-03-12 Substrat ayant au moins une couche conductrice fine de cablage

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JPS59167096A JPS59167096A (ja) 1984-09-20
JPH0241192B2 true JPH0241192B2 (ja) 1990-09-14

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GB (1) GB2136453B (ja)

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