JPS59167096A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPS59167096A JPS59167096A JP58040060A JP4006083A JPS59167096A JP S59167096 A JPS59167096 A JP S59167096A JP 58040060 A JP58040060 A JP 58040060A JP 4006083 A JP4006083 A JP 4006083A JP S59167096 A JPS59167096 A JP S59167096A
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- Japan
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- wiring
- thin film
- film
- circuit board
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/66—Conductive materials thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は高密度回路実装のだめの微細配線構造に関する
。
。
従来技術
ポリイミド系樹脂は耐熱性、耐薬品性、および機械的強
度等にすぐれた特性を有するので、回路■板のパッジペ
ージ目ン材料として近年用いられるようになってきてい
る。またポリイミド系樹脂は絶縁性が良いことと誘電率
が低いことから多層配線基板の配線層間絶縁材料として
も用いられるようになってきている。
度等にすぐれた特性を有するので、回路■板のパッジペ
ージ目ン材料として近年用いられるようになってきてい
る。またポリイミド系樹脂は絶縁性が良いことと誘電率
が低いことから多層配線基板の配線層間絶縁材料として
も用いられるようになってきている。
しかしながら、このような回路基板の配線導体は従来、
主として金または銅が用いられている。
主として金または銅が用いられている。
この銅や金とその上に形成されるポリイミド系樹脂との
接着性が悪いだめに1 これら配線導体とポリイミド系
樹脂との間にしばしば剥離が起こシ、回路基板の特性や
信頼性を著しく低下させるという欠点がある。
接着性が悪いだめに1 これら配線導体とポリイミド系
樹脂との間にしばしば剥離が起こシ、回路基板の特性や
信頼性を著しく低下させるという欠点がある。
発明の目的
本発明の目的は、回路基板上に形成された、金を主体と
する配線導体とこの配線導体の上に形成されるポリイミ
ド系樹脂膜との接着強度を強化するようにした回路基板
を提供することにある。
する配線導体とこの配線導体の上に形成されるポリイミ
ド系樹脂膜との接着強度を強化するようにした回路基板
を提供することにある。
発明の構成
本発明の基板は、絶縁基板上もしくは絶縁基板上に形成
された絶縁層の表面に形成された、金を主体とし、金の
下層にクロムまたはテタ/等の薄膜を有し、金の上層に
パラジウム薄膜を有する配線導体を有することを特徴と
する。
された絶縁層の表面に形成された、金を主体とし、金の
下層にクロムまたはテタ/等の薄膜を有し、金の上層に
パラジウム薄膜を有する配線導体を有することを特徴と
する。
発明の原理と作用
本発明は、金を主体とする配線導体の上部をパラジウム
薄膜で形成することによシ、配線導体とこの配線導体の
上に形成されるポリイミド系樹脂膜との接着性を強化す
るものである。
薄膜で形成することによシ、配線導体とこの配線導体の
上に形成されるポリイミド系樹脂膜との接着性を強化す
るものである。
発明の実施例
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第1図を参照すると、本発明の第1の実施例は、絶縁基
板としてのセラミック基板10上に厚さ500オングス
トロームのチタン薄膜11と、厚さ5ミクロンの金めつ
き[12と、厚さ1ミクロンのパラジウムめっき膜13
とからなる配線導体が所望の配線パターンに従って形成
されこの配線導体がポリイミド系樹脂を材料としたパッ
シベーション材15によシ被榎されている。
板としてのセラミック基板10上に厚さ500オングス
トロームのチタン薄膜11と、厚さ5ミクロンの金めつ
き[12と、厚さ1ミクロンのパラジウムめっき膜13
とからなる配線導体が所望の配線パターンに従って形成
されこの配線導体がポリイミド系樹脂を材料としたパッ
シベーション材15によシ被榎されている。
第2図を参照すると、本発明の第2の実施例は、セラミ
ック基板20上に厚さ500オングストロームのチタン
薄膜21と厚さ1000オングストロームのパラジウム
薄膜22と厚さ5ミクロンの金めつき膜23と厚さ1ミ
クロンのパラジウムめっき膜24とからなる配線導体が
形成され、この配線導体がポリイミド系樹脂を材料とし
たパッシベーション材25によシ被榎されている。
ック基板20上に厚さ500オングストロームのチタン
薄膜21と厚さ1000オングストロームのパラジウム
薄膜22と厚さ5ミクロンの金めつき膜23と厚さ1ミ
クロンのパラジウムめっき膜24とからなる配線導体が
形成され、この配線導体がポリイミド系樹脂を材料とし
たパッシベーション材25によシ被榎されている。
本笑施例による構成の配線導体とポリイミド系樹脂との
接続強度、すなわち、パラジウム膜上のポリイミド系樹
脂膜の接着強度は、膜面に垂直な方向の引張試験による
剥離限界として表わした場合に、2kg/wn2以上あ
る。これは、金膜上のポリイミド系樹脂膜の同様の試験
如よる剥離限界が0、5 kvran 以下であるの
と比較して強固である。
接続強度、すなわち、パラジウム膜上のポリイミド系樹
脂膜の接着強度は、膜面に垂直な方向の引張試験による
剥離限界として表わした場合に、2kg/wn2以上あ
る。これは、金膜上のポリイミド系樹脂膜の同様の試験
如よる剥離限界が0、5 kvran 以下であるの
と比較して強固である。
第3図を参照すると、本発明の第3の実施例は上述の配
線導体を多層にわたって用い、層間絶縁材料としてポリ
イミド系樹脂を用いた多層配線基板である。これを詳述
すれば、セラミック基板30上にクロム薄膜31、パラ
ジウム薄膜32、金めりき膜33、およびパラジウムめ
っき膜34からなる第1の配線層があシ、これを被恍す
るポリイミド系樹脂の第1絶縁層35がある。第1絶縁
層上には、クロム薄膜41、パラジウム薄膜42、金め
つき膜43、およびパラジウムめっき膜44からなる第
2の配線層があり、前記第1の絶縁層の一部にあげられ
た穴によシ、これら、第2の配線層と第1の配線層とを
電気的に接続することも可能である。
線導体を多層にわたって用い、層間絶縁材料としてポリ
イミド系樹脂を用いた多層配線基板である。これを詳述
すれば、セラミック基板30上にクロム薄膜31、パラ
ジウム薄膜32、金めりき膜33、およびパラジウムめ
っき膜34からなる第1の配線層があシ、これを被恍す
るポリイミド系樹脂の第1絶縁層35がある。第1絶縁
層上には、クロム薄膜41、パラジウム薄膜42、金め
つき膜43、およびパラジウムめっき膜44からなる第
2の配線層があり、前記第1の絶縁層の一部にあげられ
た穴によシ、これら、第2の配線層と第1の配線層とを
電気的に接続することも可能である。
第2の配線層上にはポリイミド系樹脂の第2絶縁層45
があシ、第2配線j−を被覆している。第2絶縁層の上
にはさらに、他の配線層と同様の構成、すなわち、クロ
ム薄膜51、パラジウム薄膜52、金めつき膜53、お
よびパラジウムめっき膜54からなる第3配線層が形成
されている。
があシ、第2配線j−を被覆している。第2絶縁層の上
にはさらに、他の配線層と同様の構成、すなわち、クロ
ム薄膜51、パラジウム薄膜52、金めつき膜53、お
よびパラジウムめっき膜54からなる第3配線層が形成
されている。
第3配線層の上には、ポリイミド系樹脂のパッシベーシ
ョン材55があシ基板上面を機っている。
ョン材55があシ基板上面を機っている。
発明の効果
本発明には、金配線の表面にパラジウム膜を形成するこ
とによシ、この配線導体を被株するパラジウム膜と配線
導体との接着強度を強化できるという効果がある。
とによシ、この配線導体を被株するパラジウム膜と配線
導体との接着強度を強化できるという効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2図は、本
発明の第2の実施例を示す図、および第3図は本発明の
第3の実施例を示す図である。 第1図から第3図において、10,20.30・・・・
・・セラミック基板、11.21・・・・・・テタ/薄
膜、12,23,33,43.53・・・・・・金めつ
き膜、22゜32.42.52・・・・・・パラジウム
薄膜、13,24゜34.44.54・・・・・・パラ
ジウムめっき膜、31゜41.51・・・・・・クロム
薄膜、15,25.55・・・・・・ポリイミド系樹脂
パッシベーション材、35,45°°。 ・・・ポリイミド系樹脂絶縁層。
発明の第2の実施例を示す図、および第3図は本発明の
第3の実施例を示す図である。 第1図から第3図において、10,20.30・・・・
・・セラミック基板、11.21・・・・・・テタ/薄
膜、12,23,33,43.53・・・・・・金めつ
き膜、22゜32.42.52・・・・・・パラジウム
薄膜、13,24゜34.44.54・・・・・・パラ
ジウムめっき膜、31゜41.51・・・・・・クロム
薄膜、15,25.55・・・・・・ポリイミド系樹脂
パッシベーション材、35,45°°。 ・・・ポリイミド系樹脂絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)絶縁基板上もしくは絶縁基板上に形成された絶縁
層の表面に形成された第1の金属からなる金属薄膜と、 該金属薄膜上に形成された金の導体層と、該導体層上に
形成されたパラジウム薄膜とから構成される配線導体を
含むことを特徴とする回路基板。 (2、特許請求の範囲第1項記載の回路基板の前記第1
の金属がクロムもしくはテタ/である配線導体であるこ
とを特徴とする。 (3)前記第1の金属と金の導体層との間にパラジウム
薄膜層を有する配線導体を有することを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の回路基板。 (41特許請求の範囲第1項もしくは同第2項もしくは
同第3項記載の回路基板の配線導体をポリイミド系樹脂
の絶縁膜で被覆し、該絶縁膜上にさらに第2の配線導体
を形成することによシ、多層化された配線導体を有する
ことを特徴とする。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040060A JPS59167096A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 回路基板 |
| US06/587,917 US4594473A (en) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | Substrate having at least one fine-wired conductive layer |
| GB08406376A GB2136453B (en) | 1983-03-11 | 1984-03-12 | Wired substrate for mounting large-scale integrated circuits used in data processing and communication systems |
| FR8403761A FR2542502B1 (fr) | 1983-03-11 | 1984-03-12 | Substrat ayant au moins une couche conductrice fine de cablage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040060A JPS59167096A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167096A true JPS59167096A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0241192B2 JPH0241192B2 (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12570375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040060A Granted JPS59167096A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 回路基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4594473A (ja) |
| JP (1) | JPS59167096A (ja) |
| FR (1) | FR2542502B1 (ja) |
| GB (1) | GB2136453B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61271899A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | 京セラ株式会社 | 多層配線回路基板の製造方法 |
| JPH05218644A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fujitsu Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JP2016219463A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 富士通株式会社 | 配線構造及びその製造方法 |
Families Citing this family (14)
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| JPH0714105B2 (ja) * | 1986-05-19 | 1995-02-15 | 日本電装株式会社 | 混成集積回路基板及びその製造方法 |
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-
1983
- 1983-03-11 JP JP58040060A patent/JPS59167096A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-09 US US06/587,917 patent/US4594473A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-12 GB GB08406376A patent/GB2136453B/en not_active Expired
- 1984-03-12 FR FR8403761A patent/FR2542502B1/fr not_active Expired
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Also Published As
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| FR2542502B1 (fr) | 1986-09-26 |
| GB8406376D0 (en) | 1984-04-18 |
| GB2136453B (en) | 1987-01-21 |
| GB2136453A (en) | 1984-09-19 |
| FR2542502A1 (fr) | 1984-09-14 |
| US4594473A (en) | 1986-06-10 |
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