JPH0241804B2 - - Google Patents
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- JPH0241804B2 JPH0241804B2 JP1503583A JP1503583A JPH0241804B2 JP H0241804 B2 JPH0241804 B2 JP H0241804B2 JP 1503583 A JP1503583 A JP 1503583A JP 1503583 A JP1503583 A JP 1503583A JP H0241804 B2 JPH0241804 B2 JP H0241804B2
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- protective substrate
- glass
- magnetic head
- lining layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、薄膜磁気ヘツドの製造方法に関す
る技術であり、その保護基板のガラス接着を行つ
て一体化形成するものの製造方法である。
る技術であり、その保護基板のガラス接着を行つ
て一体化形成するものの製造方法である。
従来より音声を磁気録音させるオーデイオ機器
用の磁気ヘツドは、磁気記録媒体であるテープ
が、走行の際に時間的なゆれであるフラツタによ
つて、最大出力レベルから再生雑音レベルまでの
範囲が決まるので、アナログ記録方式では不利で
あるとされている。そこで最近では、この種磁気
ヘツドは、階段状の伝達関数によつて信号を量子
化してサンプリングを行い、デイジタル記録する
ことができるPCM記録を採用することが一般的
になつている。そこで、PCMオーデイオ用磁気
ヘツドの概略構造を示すと、第１図の通りで、フ
エライトやサフアイラヤの基板１上にコイルパタ
ーン路２や強磁性体膜３を絶縁膜４を介して、い
わゆる薄膜形成しておき、これらの構体に別個の
保護基板５を近接させて空隙を設けておいて、空
隙に低融点ガラス６を溶融侵入させて接着形成し
たものである。ところが、この薄膜磁気ヘツド
は、低融点ガラス６で接着形成するには、第２図
に示すように薄膜形成済構体７と保護基板５とに
より、低融点ガラス粉末を焼結して得た棒体８を
挾み付けした状態で加熱溶融して、両者間の空隙
９へ流し込む作業方法を採つていたために、融融
ガラスを空隙９全体へ均一な肉厚に流し込むこと
が困難で、結局全面を均等な接着強度で固着する
こと及びその結果として薄膜ヘツド部の研磨作業
時のチツピングを防止するのが不可能であつた。
よつて、この薄膜磁気ヘツドは、機械的強度に限
度があり、改善する必要があつた。しかもPCM
記録磁気ヘツドであるので、その特徴を活してマ
ルチトラツク化を進めることが必至であり、この
点からも磁気ヘツドが少々大型化するので、より
一層均一かつ十分な接着強度が要求されていた。
用の磁気ヘツドは、磁気記録媒体であるテープ
が、走行の際に時間的なゆれであるフラツタによ
つて、最大出力レベルから再生雑音レベルまでの
範囲が決まるので、アナログ記録方式では不利で
あるとされている。そこで最近では、この種磁気
ヘツドは、階段状の伝達関数によつて信号を量子
化してサンプリングを行い、デイジタル記録する
ことができるPCM記録を採用することが一般的
になつている。そこで、PCMオーデイオ用磁気
ヘツドの概略構造を示すと、第１図の通りで、フ
エライトやサフアイラヤの基板１上にコイルパタ
ーン路２や強磁性体膜３を絶縁膜４を介して、い
わゆる薄膜形成しておき、これらの構体に別個の
保護基板５を近接させて空隙を設けておいて、空
隙に低融点ガラス６を溶融侵入させて接着形成し
たものである。ところが、この薄膜磁気ヘツド
は、低融点ガラス６で接着形成するには、第２図
に示すように薄膜形成済構体７と保護基板５とに
より、低融点ガラス粉末を焼結して得た棒体８を
挾み付けした状態で加熱溶融して、両者間の空隙
９へ流し込む作業方法を採つていたために、融融
ガラスを空隙９全体へ均一な肉厚に流し込むこと
が困難で、結局全面を均等な接着強度で固着する
こと及びその結果として薄膜ヘツド部の研磨作業
時のチツピングを防止するのが不可能であつた。
よつて、この薄膜磁気ヘツドは、機械的強度に限
度があり、改善する必要があつた。しかもPCM
記録磁気ヘツドであるので、その特徴を活してマ
ルチトラツク化を進めることが必至であり、この
点からも磁気ヘツドが少々大型化するので、より
一層均一かつ十分な接着強度が要求されていた。
この発明は、上記の問題解決を図るべく提唱さ
れたもので、薄膜ヘツドパターンと保護基板とを
積層させて磁気ヘツドを形成するものに関して、
保護基板の少なくとも一方に予グラスライニング
層を形成しておき、保護基板と熱膨張係数が異る
材質の挾付治具で保護基板及び薄膜ヘツドパター
ンを挟持して加熱し、グラスライニング層を融着
後冷却させることにより積層一体化形成させるこ
とを特徴としている。したがつて、この発明は、
薄膜形成済構体と保護基板とをを十分な強さ均等
に接着させることができることは勿論、接着ガラ
スの厚さを所望通りの肉厚に制御することがで
き、よつて基板間隔も正確に設定することができ
る優れた長所がある。
れたもので、薄膜ヘツドパターンと保護基板とを
積層させて磁気ヘツドを形成するものに関して、
保護基板の少なくとも一方に予グラスライニング
層を形成しておき、保護基板と熱膨張係数が異る
材質の挾付治具で保護基板及び薄膜ヘツドパター
ンを挟持して加熱し、グラスライニング層を融着
後冷却させることにより積層一体化形成させるこ
とを特徴としている。したがつて、この発明は、
薄膜形成済構体と保護基板とをを十分な強さ均等
に接着させることができることは勿論、接着ガラ
スの厚さを所望通りの肉厚に制御することがで
き、よつて基板間隔も正確に設定することができ
る優れた長所がある。
この発明の具体的な最良の形態は、次に示す実
施例により明らかとなるであろう。
施例により明らかとなるであろう。
まず第３図及び第４図は、この発明の一実施例
となるPCMオーデイオ用録音薄膜磁気ヘツド製
造のために用意された薄膜磁気ヘツドの薄膜形成
済構体及び保護基板の断面図である。第３図にお
ける１０は、サフアイヤ基板で、その表面にパー
マロイ等の磁性体からの再生信号用のリードパタ
ーン１１、絶縁層１２が、半導体素子と同様なフ
オトリゾグラフイ技術により薄膜形成されてい
る。第４図における１４は、１０と同様なサフア
イヤ基板もしくは結晶化ガラス基板で、表面上に
は、接着材となる低融点ガラス層１５が形成され
ている。ここで低融点ガラス層１５を形成するに
は、次のような工程を経る。まず熱膨張係数（以
下αと記す）が55×10-7／℃のサフアイヤ基板或
いはより適切な結晶化ガラス基板１４等に塗布す
るためα100×10-7／℃で軟化点が350℃の低融
点ガラス粉末へ、硝化綿及び酢酸ブチルを添加し
て印刷に好適なガラスペーストを準備する。つぎ
に、そのガラスペーストをスクリーン印刷法によ
り厚さ25μｍに印刷して、エアーブローを行いな
がら約400℃で焼き付けしてグラスライニングを
行い15μｍ程度の低融点ガラス層１５を形成す
る。
となるPCMオーデイオ用録音薄膜磁気ヘツド製
造のために用意された薄膜磁気ヘツドの薄膜形成
済構体及び保護基板の断面図である。第３図にお
ける１０は、サフアイヤ基板で、その表面にパー
マロイ等の磁性体からの再生信号用のリードパタ
ーン１１、絶縁層１２が、半導体素子と同様なフ
オトリゾグラフイ技術により薄膜形成されてい
る。第４図における１４は、１０と同様なサフア
イヤ基板もしくは結晶化ガラス基板で、表面上に
は、接着材となる低融点ガラス層１５が形成され
ている。ここで低融点ガラス層１５を形成するに
は、次のような工程を経る。まず熱膨張係数（以
下αと記す）が55×10-7／℃のサフアイヤ基板或
いはより適切な結晶化ガラス基板１４等に塗布す
るためα100×10-7／℃で軟化点が350℃の低融
点ガラス粉末へ、硝化綿及び酢酸ブチルを添加し
て印刷に好適なガラスペーストを準備する。つぎ
に、そのガラスペーストをスクリーン印刷法によ
り厚さ25μｍに印刷して、エアーブローを行いな
がら約400℃で焼き付けしてグラスライニングを
行い15μｍ程度の低融点ガラス層１５を形成す
る。
さて、第３図及び第４図のように薄膜形成済構
体及び保護基板を用いて、薄膜磁気ヘツドを積層
一体化するには、第５図に平面図を第６図にその
縦断面図を示すような挾付治具を用いる。すなわ
ち第５図及び第６図で、１６，１７はαが40×
10-7のグラフアイトで製作された凸型ブロツク及
び角型ブロツクで、締付ネジ（α180×10-7／
℃）１８，１８により、それらの挟付ギヤツプｇ
及びg′を伸縮調整できるものである。この挟付治
具を用いて、薄膜形成済構体と保護基板を挾付け
した状態で、約470℃の中性雰囲気炉中に入れる
と、グラスライニングされた低融点ガラス層１５
は、基板１０，１４と凸型及び角型ブロツク１
６，１７の熱膨張差分ｇ×（55−40）×10-7×470
＝7.05×10-4×ｇ及び角型ブロツクと締付ネジの
熱膨張差分g′×（180−40）×10-7×470＝6.58×
10-3×g′の和だけ圧力で圧縮され全面均一に挟持
されて融着する。その後冷却して挟付治具より取
り出すと所望の薄膜磁気ヘツドが得られる。グラ
スライニング層の厚みを最終的にいくらにするか
はｇ，g′の設計によつて自由にできる。
体及び保護基板を用いて、薄膜磁気ヘツドを積層
一体化するには、第５図に平面図を第６図にその
縦断面図を示すような挾付治具を用いる。すなわ
ち第５図及び第６図で、１６，１７はαが40×
10-7のグラフアイトで製作された凸型ブロツク及
び角型ブロツクで、締付ネジ（α180×10-7／
℃）１８，１８により、それらの挟付ギヤツプｇ
及びg′を伸縮調整できるものである。この挟付治
具を用いて、薄膜形成済構体と保護基板を挾付け
した状態で、約470℃の中性雰囲気炉中に入れる
と、グラスライニングされた低融点ガラス層１５
は、基板１０，１４と凸型及び角型ブロツク１
６，１７の熱膨張差分ｇ×（55−40）×10-7×470
＝7.05×10-4×ｇ及び角型ブロツクと締付ネジの
熱膨張差分g′×（180−40）×10-7×470＝6.58×
10-3×g′の和だけ圧力で圧縮され全面均一に挟持
されて融着する。その後冷却して挟付治具より取
り出すと所望の薄膜磁気ヘツドが得られる。グラ
スライニング層の厚みを最終的にいくらにするか
はｇ，g′の設計によつて自由にできる。
以上の説明から、この発明の薄膜磁気ヘツドの
製造方法では、グラスライニング層を挟付治具と
保護基板の熱膨張差分の膨張圧力で加熱しながら
融着するので、単に全面均一挾付けに止まらず、
グラスライニング層をより強固に硬化させること
ができ、しかも設計値通りの肉厚に設定できるの
である。
製造方法では、グラスライニング層を挟付治具と
保護基板の熱膨張差分の膨張圧力で加熱しながら
融着するので、単に全面均一挾付けに止まらず、
グラスライニング層をより強固に硬化させること
ができ、しかも設計値通りの肉厚に設定できるの
である。
尚この発明では、強磁性体薄膜、保護基板、挟
付治具の材料を先述の実施例以外に、例えば、セ
ンダスト合金、フエライト、カーボン等としても
よく、同様な作用効果がある。
付治具の材料を先述の実施例以外に、例えば、セ
ンダスト合金、フエライト、カーボン等としても
よく、同様な作用効果がある。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの断面図、第２
図はそのガラス融着中の断面図、第３図及び第４
図は、この発明の一実施例に用いられる薄膜形成
済構体及び保護基板の断面図、第５図及び第６図
は、それらを挟付けする挟付治具の平面図及び縦
断面図である。 １０，１４……保護基板、１１……薄膜ヘツド
パターン、１５……グラスライニング層、１６，
１７……挟付治具の凸凹型ブロツク。
図はそのガラス融着中の断面図、第３図及び第４
図は、この発明の一実施例に用いられる薄膜形成
済構体及び保護基板の断面図、第５図及び第６図
は、それらを挟付けする挟付治具の平面図及び縦
断面図である。 １０，１４……保護基板、１１……薄膜ヘツド
パターン、１５……グラスライニング層、１６，
１７……挟付治具の凸凹型ブロツク。
Claims (1)
- １ 薄膜ヘツドパターンと保護基板とを積層させ
て磁気ヘツドを形成するものに関して、保護基板
の少くとも一方に予めグラスライニング層を形成
しておき、保護基板と熱膨張係数が異る材質の挾
付治具で保護基板及び薄膜ヘツドパターンを挾持
して加熱し、グラスライニング層を融着後冷却さ
せることにより積層一体化形成させることを特徴
とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1503583A JPS59140618A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1503583A JPS59140618A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59140618A JPS59140618A (ja) | 1984-08-13 |
| JPH0241804B2 true JPH0241804B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=11877575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1503583A Granted JPS59140618A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59140618A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60214410A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61284814A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1503583A patent/JPS59140618A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59140618A (ja) | 1984-08-13 |
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